Рпр транзисторы: Биполярный транзистор -устройство, принцип работы, технические характеристики, схемы включения, область применения. Сравнение с лампой.

Содержание

Биполярный транзистор -устройство, принцип работы, технические характеристики, схемы включения, область применения. Сравнение с лампой.

Раздел Техническая информация → Транзисторы

 

Сырьем для транзисторов может служить обычный песок. Не вериться? Песок представляет собой окись кремния SiO2.
Кремний является основой для производства подавляющего большинства полупроводниковых элементов электроники. Разумеется, нужны и другие материалы: пластмасса, керамика, алюминий, серебро и даже золото. Разрезать аккуратно и точно кремниевую пластинку лучше всего алмазной пилой.
Но вернемся к окиси кремния. Кремний из окиси можно восстановить химической переработкой. Чистый кремний относится к классу полупроводников. Кратко вспомним, что такое полупроводник и чем он отличается от проводника или диэлектрика.
Электрический проводник-это вещество, оказывающее малое сопротивление протекающему через него току. Электрический ток, в свою очередь, есть направленное движение электрических зарядов. Значит, в проводнике должны быть свободные заряды, которые могут легко передвигаться в любом направлении. Все металлы -хорошие проводники. В металлах внешние электроны атомов становятся свободными, когда атомы объединяются в кристаллическую решетку.

 

Свободные электроны образуют так называемый электронный газ, заполняющий весь объем металла. Если в проводнике течет ток, электроны перемещаются преимущественно в одном направлении. Если же тока нет, электроны все равно движутся, но это движение хаотическое, тепловое. Оно создает шум-небольшое, случайным образом изменяющееся напряжение на выводах проводника или полупроводникового элемента.
Из самого названия «полупроводник» ясно, что он еще «не дорос» до настоящего проводника и, следовательно, проводит ток гораздо хуже. Свободных электронов в полупроводнике мало, поскольку почта все электроны как бы привязаны к своим атомам. Правда, при сильном нагреве тепловое движение становится интенсивнее и некоторые из электронов отрываются от своих атомов, становясь свободными.

Проводимость вещества при этом увеличивается. Вот почему полупроводниковые приборы очень боятся перегрева-проводимость может возрасти настолько, что ток в полупроводнике резко увеличится и наступит так называемый тепловой пробой. Чтобы не углубляться, посмотрим лишь несколько цифр.
Удельное сопротивление вещества-величина, обратная проводимости,-измеряется в омах на метр (Ом-м). Это сопротивление бруска вещества сечением 1 м
2
и длиной 1 м. Вот это брусочек! Но что поделаешь, в международной системе единиц СИ единицей длины служит метр. Ну так вот: сопротивление медного бруска составляет всего 0,017·10-6 Ом. А сопротивление бруска тех же размеров, изготовленного из такого типичного диэлектрика, как стекло, равно 5·1013Ом, т.е. на двадцать один порядок (1021) больше! Удельное сопротивление полупроводников находится где-то между этими крайними значениями. Дать конкретные величины трудно, они зависят от вида вещества, его чистоты и других факторов.

Чем чище полупроводник, тем ближе его свойства к свойствам диэлектрика. Но если в полупроводник введена примесь, то проводимость резко возрастает.

Различают два вида примесей: акцепторные и донорные.
Валентность вещества акцепторной примеси меньше, чем валентность самого полупроводника. Это значит, что во внешнем электронном слое атомов примеси меньше электронов, чем у атомов полупроводника. В этом случае примесь по отношению к электронам атомов полупроводника ведет себя как агрессор: она захватывает их. В результате в кристаллической решетке вещества появляются атомы, которым не хватает одного электрона.

Заряд этих атомов положителен. Они притягивают отрицательно заряженные электроны, и при первой же возможности атом, у которого не хватает электрона, захватывает его у соседнего атома. Положительный заряд при этом перемещается к соседнему атому. Тот, в свою очередь, захватывает электрон у соседа. Таким образом, положительный заряд перемещается еще дальше. Теперь оказалось, что в толще полупроводника с акцепторной примесью «гуляет сам по себе» положительный заряд, обусловленный нехваткой одного электрона. Заряд этот очень образно называют «дыркой».
Иное дело, если в полупроводник введена

донорная примесь.
Валентность вещества примеси на единицу больше валентности самого полупроводника. Это значит, что во внешней электронной оболочке атомов вещества примеси на один электрон больше, чем у атомов полупроводника. Объединяясь в кристаллы, атомы примеси используют для валентных связей все внешние электроны, кроме одного. В образовавшемся кристалле «лишние» электроны атомов примеси оказываются без работы. «Безработные» электроны свободно перемещаются по всему кристаллу, но все рабочие места-валентные связи-заняты. Эти электроны легко устремляются по направлению даже слабого электрического поля, создавая электрический ток.

Таким образом, вводя различные примеси, мы можем получить полупроводник с дырочной проводимостью (р-типа) и с электронной проводимостью (n-типа).

Сами названия р и n произошли от начальных букв английских слов positive и negative, обозначающих знак свободных зарядов (положительный – “дырочный” или отрицательный – “электронный”). Чем выше концентрация примеси в полупроводнике, тем выше и его проводимость. Как только физики и инженеры научились получать полупроводники с различными типами проводимости, тут же появились и приборы, выполненные на их основе.

Биполярный транзистор

Значение “Би” означает, что имеется два основными носителями которыми являются электроны и дырки. По способу чередования областей различают npn и pnp транзисторы.

Обозначение биполярного транзистора на схеме.

Принцип работы биполярного транзистора можно объяснить, опираясь на те же явления, которые наблюдаются в рп-выпрямителе. У npn-транзистора одна n-область находится в контакте с р-областью, а та в свою очередь контактирует со второй n-областью (рис.).

Главным здесь, как мы сейчас видим, является то, что средняя р-область очень узка и относительно слабо легирована, рпр-транзистор получается заменой в npn-транзисторе р и n областей.
На практике применяются транзисторы обоих видов; функции их схожи, но в pnp-транзисторе носителями заряда в основном являются дырки, а в npn-транзисторе – электроны. Так как в кремнии электроны обладают большей подвижностью, чем дырки, то в большинстве случаев кремниевые pnp-транзисторы превосходят pnp-транзисторы. Чтобы рассмотреть принцип действия прп-транзистора, обратимся еще раз к рис.

В таком транзисторе есть два p-n-перехода, т.е. n-p-переход слева и p-n-переход справа. Приложим положительное высокое напряжение Uк к правой n-области и отрицательное напряжение UЕ к левой n-области. Пусть на p-область действует напряжение Vв, которое больше Ue, но меньше Uk. В результате на левом n-p -переходе мы имеем прямое смещение (пропускное направление), а на правом p-n-переходе -обратное смещение (запирающее направление). Электроны из инжектирующей левой n-области, называемой эмиттером, диффундируют в р-область, где в нормальном случае они бы рекомбиннровали, если бы p-область, т. е.
так называемая база, не была настолько узкой, что электроны успевают проскочить через нее не рекомбинируя. Таким образом удается добиться того, чтобы электроны попали в правую n-область и там поступали на электрод. Поэтому правую n-область называют коллектором. Он собирает инжектированные из левой n-области – эмиттера – электроны.
Различные роли обеих n-областей, которые без приложенного к ним напряжения совершенно равноправны, конечно же, являются следствием того, что к правой n-области приложено положительное напряжение, а к левой – отрицательное. Соединим теперь базу через источник напряжения и проводник с эмиттером, как это показано на рис. Мы получим две цепи тока -базовую и коллекторную. В базовой цепи в ток вносят вклад лишь те электроны, которые, как мы видели в случае с прямосмещенным переходом (в пропускном направлении), рекомбинируют в p-области. Но из-за узости p-области их очень мало. Следовательно, выходящий из базы поток электронов очень невелик. Большая часть тока, поступающего с эмиттера, течет через коллектор (рис.
).

Однако мы знаем, что в ток через р-n-переход вносят вклад не только электроны, но и дырки. В нашем конкретном случае это означает, что из базы в эмиттер поступает поток дырок.
Он существенно превысил бы сравнительно слабый поток электронов и стал бы причиной появления в целом относительно сильного тока в базовой цепи, если бы его не удалось уменьшить каким-либо способом. В биполярном транзисторе с этой целью слабо легируют базу. В результате концентрация дырок в базе является низкой и из базы может поступить лишь небольшой поток дырок. Вывод, сделанный выше в отношении потока электронов, остается справедливым и для суммарного потока электронов и дырок: большая часть тока течет по коллекторной и меньшая-по базовой цепи.
Какую же пользу можно извлечь из всего этого? Если изменить напряжение между эмиттером и базой при постоянном напряжении между базой и коллектором, то изменится ток, идущий от эмиттера. Это изменение в большей мере затронет коллекторную цепь и в меньшей -базовую. Таким образом, путем небольшого изменения тока в базовой цепи можно получить значительное изменение тока в коллекторной цепи. В данном случае транзистор работает как усилитель тока. Но так как сопротивление базовой цепи значительно меньше (прямосмещенный р-n-переход) сопротивления коллекторной цепи (обратносмещенный p-n -переход), то и потребляемая в базовой цепи электрическая мощность значительно меньше, чем в коллекторной. В итоге с помощью небольшой электрической мощности в базовой цепи можно управлять величиной мощности в коллекторной цепи.

Сравнение с электронной лампой

Ту же функцию в вакуумной электронике выполняют трех электродные электронные лампы. Эмиттер транзистора соответствует катоду электронной лампы, коллектор-аноду и база-сетке.

Схема включения транзистора, показанная на рис., где эмиттер соединен с базой и коллектором, а база и коллектор-соответственно только с эмиттером, называется схемой с общим эмиттером.

Она является одной из трех возможных схем включения транзистора. Если транзистор включен по схеме с общим коллектором, то коллектор является общей областью для обеих цепей тока, а при включении по схеме с общей базой такой областью становится база.

Схема с питанием входных и выходных цепей транзистора от одного источника постоянного напряжения.

В микроэлектронике применяются также транзисторы, обладающие двумя и более изолированными друг от друга эмиттерными областями. В результате появляются разнообразные варианты схем включения. Существует также возможность получения транзисторов с несколькими коллекторами.
Рис. npn-транзистор с базой, общей для двух цепей. Здесь показаны потоки электронов и дырок, т.е. потоки основных носителей заряда.
С помощью транзисторов можно осуществлять увеличение или преобразование электрической мощности. В микроэлектронике транзисторы являются прежде всего усилительными приборами с различными принципами усиления сигналов электрической природы и используются в ключевых схемах. Важной характеристикой такого транзисторного ключа является время, необходимое для одного переключения из положения «включено» в положение «выключено» или наоборот, короче говоря, время задержки. Чтобы получить представление о величине времени задержки биполярного транзистора, рассмотрим следующий пример. Пусть к эмиттеру, базе и коллектору npn -транзистора приложены определенные электрические напряжения Ue, Ub и Uk. В коллекторной цепи появится ток определенной силы. Если напряжение, приложенное к базе, возрастает до Ub + ΔUb, то сопротивление как левого n-p- перехода, так и правого p-n -перехода уменьшается и в результате ток в коллекторной цепи увеличивается. Но при этом мы полагаем, что во время пролета электронов через базу напряжение на ней остается неизменным и равным UB + ΔUb. Ситуация изменяется, если за это время приложенное к базе напряжение меняется. Когда оно, например, снова уменьшается до UB, а электроны еще не успели проскочить через базу, то вызванное ΔUb возрастание тока в коллекторной цепи не так велико, как при неизменном напряжении Ub + ΔUb. Отсюда можно сделать вывод о том, что эффективность переключения транзистора падает, если команды на переключение в форме более высоких или низких напряжений поступают на базу с интервалами, которые меньше времени, затрачиваемого электронами на пролет через базу. Время задержки Т транзистора представляет собой, таким образом, время, необходимое для пролета электронов через базу. Поэтому становится ясно: чем тоньше база, тем меньше время задержки. Делается понятным и стремление сделать как можно тоньше прежде всего базу. Тем самым мы также доказали высказанное в гл. 2 утверждение, что с уменьшением размеров полупроводниковых электронных элементов их быстродействие возрастает. Ориентировочно время пролета Т сквозь базу инжектированных эмиттером носителей заряда легко определить, зная коэффициент диффузии электронов D и ширину базы Ь. В общем случае справедливо выражение Т ≈ b2/D. Если для кремния ширину базы принять равной 0,7 мкм и коэффициент диффузии электронов 50 см2/с, то время задержки для pnp-транзистора составит Т ≈ 10-10 с. Коэффициент диффузии менее подвижных по сравнению с электронами дырок в кремнии почти в 3 раза меньше. Поэтому и время задержки pnp-транзистора в 3 раза больше, чем у npn-транзистора. Еще более высокой подвижностью по сравнению с электронами кремния обладают электроны арсенида галлия (GaAs). Поэтому из арсенида галлия n-типа можно изготавливать сверхбыстродействующие рпр-транзисторы.
Итак, теперь мы в состоянии рассчитать требуемую энергию для выполнения одной операции переключения в npn-транзисторе. Необходимое на одно переключение время Т следует умножить на израсходованную при этом электрическую мощность Р. В биполярном транзисторе преобразование электрической мощности осуществляется в базовой цепи. Вообще мощность равна произведению напряжения на силу тока. В нашем конкретном примере сила тока зависит от величины транзистора. Чем меньше транзистор, тем слабее возникающие в нем токи. В интегральных микросхемах транзисторы размещаются на площади 1000 мкм2 и менее. Сила тока в базовой цепи составляет всего несколько микроампер, а напряжение – около 1 В. Следовательно, мощность, необходимая для переключения, равна произведению одного вольта на несколько микроампер, т. е. нескольким микроваттам. При Р=10-5 Вт и Т = 10″10 с получаем энергию переключения, равную 10-5 х 10-10 Вт.с=10-15 Дж. Это очень малая энергия, которая, однако, не имеет ничего общего с действительным энергопотреблением транзистора. Энергозатраты в коллекторной цепи гораздо выше.

Импортные и отечественные мощные биполярные транзисторы. Справочник.

Наименование составных транзисторов выделено цветом.

Особенностью справочника является то, что импортные транзисторы взяты не из справочников, а из прайсов интернет-магазинов (т.е., с большой вероятностью доставаемые)


 Справочник предназначен для подбора компонентов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками, подбора комплементарной пары. За основу справочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные современные транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами. Справочник предназначен для разработчиков и тех, кто занимается ремонтом. Для ходовых импортных транзисторов дана ссылка на магазин, где их можно купить.
  • Справочник по отечественным мощным транзисторам.

  • Полевые транзисторы. Справочник.

  • Маломощные транзисторы. Справочник.

  • Транзисторы средней мощности. Справочник.

  • Отечественные smd транзисторы. Справочник.

  • Главная страница.

  • Показать только:
    40В 60В 70В 80В 100В 160В 200В 250В 300В 400В 500В 600В 700В
    800В 900В 1500В 2000В ВСЕ







    Отечеств. Корпус PDF Тип Imax, A Импортный Корпус
    Внешний вид корпусов ТО:  
    Транзисторы на напряжение до 40В:
    КТ668 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 BC557
    BC857
    TO-92
    smd
    современный pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ6111 (А-Г) ТО-92 npn 0.1 BC547
    BC847
    TO-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.1А
    КТ6112 (А-В) ТО-92 pnp 0.1 (0.15) 2SA1266
    2SA1048
    TO-92
    TO-92
    pnp транзистор 40В 0.1А
    КТ503 А,Б ТО-92 npn 0. 15 2SC1815 TO-92 описание npn транзистора КТ503 на 40В 0.15А
    2Т3133А ТО-126 npn 0.3   npn транзистор 40В 0.3А
    КТ501 Ж,И,К ТО-92 pnp 0.3 (0.2) 2N3906 TO-92 описание транзистора биполярного кт501, характеристики и графики
    КТ645Б ТО-92 npn 0.3 (0.2) 2N3904 TO-92 npn транзистор 40В 0.3А
    КТ646Б ТО-126 npn 0.5 (0.6) 2N4401
    MMBT2222
    TO-92
    smd
    описание и характеристики npn транзистора КТ646 на 40В 0.5А
    КТ626А ТО-126 pnp 0.5 2N4403
    BC807
    TO-92
    smd
    транзистор биполярный кт626, характеристики
    КТ685 А,В ТО-92 pnp 0. 6     транзистор биполярный кт685, характеристики
    КТ686 А,Б,В ТО-92 pnp 0.8 BC327 ТО-92 характеристики транзистора кт686
    КТ660А ТО-92 npn 0.8 BC337
    BC817
    ТО-92
    smd
    npn транзистор 40В 0.8А
    КТ684А ТО-92 npn 1 BC635 TO-92 npn транзистор 40В 1А
    КТ692А ТО-39 pnp 1 BC636 TO-92 pnp транзистор 40В 1А
    КТ815А ТО-126 npn 1.5 BD135 TO-126 npn транзистор КТ815 на 40В 1.5А
    КТ639А,Б,В ТО-126 pnp 1. 5 BD136 TO-126 npn транзистор КТ639 на 40В 1.5А
    КТ814А ТО-126 pnp 1.5     pnp транзистор КТ814А на 40В 1.5А
    2Т860В ТО-39 pnp 2 2SA1020 TO-92L транзистор биполярный 2т860
    КТ852Г ТО-220 pnp 2 FMMT717 sot23 транзистор биполярный кт852 на 40В 2А
    КТ943А ТО-126 npn 2   транзистор биполярный кт943
    КТ817А,Б ТО-126 npn 3     описание транзистора кт817 на 40В 3А
    КТ816Б ТО-126 pnp 3 2SB856 TO-220 транзистор биполярный кт816
    КТ972Б
    КТ8131А
    ТО-126
    npn 4   описание составного транзистора кт972 на 40В 4А
    КТ973Б
    КТ8130А
    ТО-126
    pnp 4 2SB857 TO-220 описание транзистора кт973
    КТ835Б ТО-220 pnp 7. 5     описание транзистора кт835 на 40В 7А
    2Т837В,Е ТО-220 pnp 8     транзистор биполярный 2т837
    КТ829Г ТО-220 npn 8     описание составного транзистора кт829 на 40В 8А
    КТ853Г ТО-220 pnp 8     характеристики транзистора кт853
    КТ819А,Б ТО-220,
    ТО-3
    npn 10 TIP34 TO-247 описание транзистора кт819 на 40В 10А
    КТ818А ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10 TIP33 TO-247 описание транзистора кт818
    КТ863А ТО-220 npn 10 (12) 2SD1062 TO-220 транзистор биполярный кт863 и импортный 2sd1062
    2Т877В ТО-3 pnp 20     составной 2Т877 на 40В 20А
    Транзисторы на напряжение до 60В:
    КТ503В,Г ТО-92 npn 0. 15 (0.1) 2SC3402
    2SC3198
    BC546
    TO-92
    TO-92
    TO-92
    описание транзистора КТ503 на 60В 0.1А
    КТ645А ТО-92 npn 0.3  
    КТ662А ТО-39 pnp 0.4 (0.1) BC556 TO-92 импортный транзистор 60В 0.1А в справочнике
    КТ646А ТО-126 npn 0.5 BD137
    BCV49
    TO-126
    smd
    описание транзистора КТ646 на 60В 0.5А
    КТ626Б ТО-126 pnp 0.5 BD138
    BCV48
    TO-126
    smd
    транзистор 60В 0.5А в справочнике
    КТ685Б,Г ТО-92 pnp 0. 6 (1) BC638 TO-92
    КТ644(А-Г) ТО-126 pnp 0.6     описание транзистора КТ644
    КТ661А
    КТ529А
    ТО-39
    TO-92

    pnp 0.6 (1) 2SA684
    MMBT2907
    TO-92L
    smd
    КТ630Д,Е
    КТ530А
    ТО-39
    TO-92

    npn 1 BC637
    BSR41
    TO-92
    smd
    транзистор на 60В 1А
    КТ683Д,Е ТО-126 npn 1 2SD1616 TO-92 транзистор на 60В 1А
    КТ659А ТО-39 npn 1.2    
    КТ961В ТО-126 npn 1. 5 BD137 TO-126
    КТ639Г,Д ТО-126 pnp 1.5 BD138 TO-126
    КТ698В ТО-92 npn 2 2SC2655
    2SD1275
    TO-92
    TO-220FP
    транзистор на 60В 2А
    2Т831Б ТО-39 npn 2    
    2Т830Б ТО-39 pnp 2    
    2Т880В ТО-39 pnp 2    
    2Т881В ТО-39 npn 2    
    КТ852В ТО-220 pnp 2     составной биполярный транзистор на 60В 2А
    2Т708Б ТО-39 pnp 2. 5    
    КТ817В ТО-126 npn 3 (4) 2N5191
    2SD1266
    ТО-126
    TO-220FP
    транзистор КТ817 на 60В 3А
    2Т836В ТО-39 pnp 3    
    КТ816В ТО-126 pnp 3 2SB1366
    2SB1015
    TO-220FP
    TO-220FP
    транзистор КТ816В на 60В 3А
    КТ972А
    КТ8131Б
    ТО-126
    npn 4 BD677 TO-126 составной отечественный транзистор на 60В 4А
    КТ973А
    КТ8130Б
    ТО-126
    pnp 4 (5) BD678
    2SA1469
    2SB1203
    TO-126
    TO-220
    smd
    описание составного транзистора КТ973А на 60В 5А
    КТ829В ТО-220 npn 8 (5) TIP120 TO-220 транзистор на 60В 5А
    КТ8116В ТО-220 npn 8     транзистор КТ8116 на 60В 8А
    КТ853В ТО-220 pnp 8     транзистор на 60В 8А
    2Т837Б,Д ТО-220 pnp 8    
    2Т709В ТО-3 pnp 10  MJE2955 TO-220 биполярный транзистор на 60В 10А
    2Т875В ТО-3 npn 10 MJE3055 TO-220 транзистор на 60В 10А
    2Т716В,В1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10    
    КТ8284А ТО-220 npn 12 (15) TIP3055 TO-218 составной транзистор на 60В 15А
    2Т825В2 ТО-220 pnp 15    
    КТ827В ТО-3 npn 20     составной транзистор КТ827 на 60В 20А
    2Т825В ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    2Т877Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 60В 20А
    КТ8106Б ТО-220 npn 20     составной транзистор КТ8106 на 60В 20А
    КТ896Б ТО-220 pnp 20     составной транзистор КТ896 на 60В 20А
    КТ8111В9 ТО-218 npn 20     составной транзистор КТ8111 на 60В 20А
    Транзисторы на напряжение до 70В:
    КТ815В ТО-126 npn 1. 5 2SC5060 TO-92S на 70В 1А
    КТ814В ТО-126 pnp 1.5    
    КТ698Б ТО-92 npn 2     отечественный на 70В 2А
    2Т831В ТО-39 npn 2    
    2Т860Б ТО-39 pnp 2    
    КТ943 Б,Д ТО-126 npn 2  
    2Т837А,Г ТО-220 pnp 8     на 70В 8А
    КТ808ГМ ТО-3 npn 10    
    КТ818В ТО-220,
    ТО-3
    pnp 10     описание транзистора КТ818В на 70В 10А
    2Т876Б ТО-3 pnp 10     
    2Т875Б ТО-3 npn 10    
    Транзисторы на напряжение до 80В:
    КТ503Д ТО-92 npn 0. 15 (0.3) 2SC1627 TO-92 транзистор на 80В 0.1А
    КТ626В ТО-126 pnp 0.5 (0.7) 2SA935 TO-92L транзистор на 80В 0.5А
    КТ684Б ТО-92 npn 1   транзистор на 80В 1А
    КТ961Б ТО-126 npn 1.5   транзистор на 80В 1.5А
    2Т881Б ТО-39 npn 2 (1.5) BD139 TO-126 транзистор на 80В 2А
    2Т830В ТО-39 pnp 2 (1.5) BD140
    BCP53
    TO-126
    smd
    транзистор на 80В 2А
    2Т880Б ТО-39 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ852Б ТО-220 pnp 2     транзистор на 80В 2А
    КТ943В,Г
    КТ8131В
    ТО-126
    npn 2 (4) 2N6039 TO-126 составной транзистор на 80В 4А
    2Т836А,Б
    КТ8130В
    ТО-39
    ТО-126

    pnp 3     характеристики составного транзистора КТ8131 на 80В 4А
    КТ829Б ТО-220 npn 8 (5) BD679
    TIP121
    MJD44h21
    TO-126
    TO-220
    smd
    транзистор 80В 5А, составной транзистор на 80В 4А
    КТ8116Б ТО-220 npn 8 (10) 2SD2025
    BDX33B
    TO-220FP
    TO-220
    составной транзистор на 80В 10А
    КТ853Б ТО-220 pnp 8 (10) BDX34B TO-220 составной транзистор на 10А 80В
    2Т709Б ТО-3 pnp 10 TIP33B TO-247 транзистор на 80В 10А
    2Т876А,Г ТО-3 pnp 10    
    2Т716Б,Б1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10     транзистор на 80В 10А
    КТ808ВМ ТО-3 npn 10
    КТ819Б,В* ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34B TO-247
    2Т875А,Г ТО-3 npn 10    
    КТ8284Б ТО-220 npn 12     на 80В 12А
    2Т825Б2 ТО-220 pnp 15     транзистор на 80В 15А
    КТ827Б ТО-3 npn 20     транзистор на 80В 20А
    2Т825Б ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    2Т877А ТО-3 pnp 20     транзистор на 80В 20А
    КТ8111Б9 ТО-218 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТ8106А ТО-220 npn 20     составной транзистор на 80В 20А
    КТД8280А ТО-218 npn 60     составной транзистор на 80В 60А
    КДТ8281А ТО-218 pnp 60     транзистор на 80В 60А
    КТД8283А ТО-218 pnp 60    
    Транзисторы на напряжение до 100-130В:
    КТ601А,АМ ТО-126 npn 0. 03     биполярный транзистор на 100В 30мА
    КТ602А,АМ ТО-126 npn 0.075  
    КТ638А,Б ТО-92 npn 0.1 2SC2240 TO-92 биполярный транзистор на 100В 100мА
    КТ503Е ТО-92 npn 0.15    
    КТ807А,Б ТО-126 npn 0.5    
    КТ630А,Б,Г ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ684В ТО-92 npn 1 BC639 TO-92 биполярный npn транзистор на 100В 1А
    КТ683Б,В,Г ТО-126 npn 1   биполярный транзистор на 100В 1А
    КТ719А ТО-126 npn 1. 5    
    КТ815Г ТО-126 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ961А ТО-126 npn 1.5   биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ814Г ТО-126 pnp 1.5 (1) 2N5400
    BC640
    2SA1358
    TO-92
    TO-92
    TO-126
    биполярный pnp транзистор на 100В 1.5А
    КТ6103А ТО-92 npn 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ6102А ТО-92 pnp 1.5     биполярный транзистор на 100В 1.5А
    КТ698А ТО-92 npn 2 BD237 TO-126 биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т831Г ТО-39 npn 2 SD1765 TO-220FP биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т881А,Г ТО-39 npn 2     биполярный транзистор на 100В 2А
    2Т860А ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т830Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    2Т880А,Г ТО-39 pnp 2     биполярный pnp транзистор на 100В 2А
    КТ852А ТО-220 pnp 2     составной pnp транзистор на 100В 2А
    2Т708А ТО-39 pnp 2. 5     составной pnp транзистор на 100В 2.5А
    КТ817Г ТО-126 npn 3     транзистор 100В на 3А
    КТ816Г ТО-126 pnp 3 (5) TIP42C
    TIP127
    TO-220 pnp транзистор 100В 3А, pnp транзистор на 100В 5А
    КТ805БМ,ВМ ТО-220 npn 5     npn транзистор на 100В 5А
    КТ829А ТО-220 npn 8 (5) TIP122 TO-220 составной npn транзистор на 100В 8А
    КТ8116А ТО-220 npn 8     составной npn  транзистор на 100В 8А
    КТ853А ТО-220 pnp 8 (5)   составной pnp транзистор на 100В 8А
    КТ8115А ТО-220 pnp 8     составной pnp транзистор на 100В 8А
    2Т709А ТО-3 pnp 10  BDX34C TO-220 составной pnp транзистор на 100В 10А
    2Т716А,А1 ТО-3
    ТО-220

    npn 10 BDX33C TO-220 составной npn транзистор на 100В 10А
    КТ808 АМ,БМ ТО-3 npn 10     npn транзистор на 100В 10А
    КТ819А,Г ТО-220
    ТО-3
    npn 10 TIP34C TO-247 npn транзистор на 100В 10А
    КТ818Г ТО-220
    ТО-3
    pnp 10 TIP33B
    2SA1265
    TO-247 pnp транзистор на 100В 10А
    КТ8284В ТО-220 npn 12     составной npn транзистор на 100В 12А
    КТ8246 А,Б ТО-220 npn 15     составной  npn транзистор на 100В 15А
    2Т825А2 ТО-220 pnp 15      составной pnp транзистор на 100В 15А
    ПИЛОН-3А ТО-220 npn 15      составной npn транзистор на 100В 15А
    КТ827А ТО-3 npn 20     составной  npn транзистор на 100В 20А
    2Т825А ТО-3 pnp 20     составной pnp транзистор на 100В 20А
    КТД8257А ТО-220 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    2Т935Б ТО-220 npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТД8278Б,В ТО-220
    ТО-263
    npn 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ896А ТО-220 pnp 20     npn транзистор на 100В 20А
    КТ8111А9 ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 100В 20А
    КТД8280Б ТО-218 npn 60     составной npn транзистор на 100В 60А
    КТД8281Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    КТД8283Б ТО-218 pnp 60     pnp транзистор на 100В 60А
    Транзисторы на напряжение до 160В:
    КТ611В,Г ТО-126 npn 0. 1 2SC2230
    2SD1609
    TO-92L
    TO-126
    КТ940В ТО-126 npn 0.1  
    КТ6117 ТО-92 npn 0.6 (0.3) 2N5551 TO-92
    КТ6116 ТО-92 pnp 0.6 (0.3) 2N5401 TO-92
    КТ630В ТО-39 npn 1 2SC2383 TO-92L
    КТ683А ТО-126 npn 1  
    КТ850В ТО-220 npn 2    
    КТ8123А ТО-220 npn 2    
    КТ851В ТО-220 pnp 2 (1) 2SA940
    KSA1013
    2SA1306
    TO-220
    TO-92L
    TO-220FP
    КТ805АМ ТО-220 npn 5    
    КТ855Б,В ТО-220 pnp 5    
    КТ899А ТО-220 npn 8    
    КТ712Б ТО-220 pnp 10 2SA1186 ТО-3Р
    КТ863БС ТО-220
    ТО-263
    npn 12 2SC3907 TO-3P ?
    КТ8246В,Г ТО-220 npn 15    
    КТ8101Б ТО-218 npn 16    
    КТ8102Б ТО-218 pnp 16 2SA1216 SIP3
    КТД8257Б ТО-220 npn 20    
    ПИР-2 (КТ740А) ТО-220
    ТО-218
    npn 20    
    КТ879Б КТ-5 npn 50    
    Транзисторы на напряжение до 200В:
    КТ611А,Б ТО-126 npn 0. 1 (0.2) 2SC1473
    BFP22
    TO-92
    TO-92
    биполярный транзистор на 200В 0.1А
    КТ504Б ТО-39 npn 1     биполярный транзистор на 200В 1А
    КТ851А ТО-220 pnp 2     биполярный транзистор на 200В 2А
    КТ842Б ТО-3 pnp 5     биполярный транзистор на 200В 5А
    КТ864А ТО-3 npn 10 (7) BU406 TO-220 биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ865А ТО-3 pnp 10     биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ712А ТО-220 pnp 10      составной биполярный транзистор на 200В 10А
    КТ945А ТО-3 npn 15     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8101А ТО-218 npn 16     биполярный транзистор на 200В 15А
    КТ8102А ТО-218 pnp 16 2SA1294
    2SA1302
    TO-247 биполярный транзистор на 200В 16А
    КТД8257(А-Г) ТО-220 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТД8278А ТО-220
    ТО-263
    npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ897Б ТО-218 npn 20     составной биполярный транзистор на 200В 20А
    КТ898Б ТО-218 npn 20     составной  транзистор на 200В 20А
    КТ867А ТО-3 npn 25     биполярный транзистор на 200В 25А
    КТ879А КТ-5 npn 50     биполярный транзистор на 200В 50А
    Транзисторы на напряжение до 250В:
    КТ605А,Б ТО-126 npn 0. 1 (0.05) BF422 TO-92
    КТ940Б ТО-126 npn 0.1  
    КТ969А ТО-126 npn 0.1  
    КТ504В ТО-39 npn 1    
    2Т882В ТО-220 npn 1    
    КТ505Б ТО-39 pnp 1    
    2Т883Б ТО-220 pnp 1 2SA1837 TO-220FP
    КТ850А,Б ТО-220 npn 2    
    КТ851Б ТО-220 pnp 2    
    КТ855А ТО-220 pnp 5    
    КТ857А ТО-220 npn 7 (8) MJE15032 TO-220
    КТ844А ТО-3 npn 10    
    2Т862А,Б ТО-3 npn 15    
    Транзисторы на напряжение до 300В:
    КТ940А ТО-126 npn 0. 1 (0.05) 2SC2482
    2SC5027
    BF820
    TO-92L
    TO-92L
    smd
    npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ9115А ТО-126 pnp 0.1 (0.05) 2SA1091
    BF821
    TO-92
    smd
    pnp транзистор на 300В 0.1А
    КТ6105А ТО-92 npn 0.15     npn транзистор на 300В 0.1А
    КТ6104А ТО-92 pnp 0.15 2SA1371 TO-92L pnp транзистор на 300В 0.1А
    2Т882Б ТО-220 npn 1 (0.5) MJE340
    MPSA42
    TO-126
    TO-92
    npn транзистор на 300В 1А
    КТ504А ТО-39 npn 1 (1. 5) MJE13002 TO-220 npn транзистор на 300В 1А
    Т505А ТО-39 pnp 1 (0.5) MJE350 TO-126
    2Т883А ТО-220 pnp 1    
    КТ8121Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 3А
    КТ8258Б ТО-220 npn 4     npn транзистор на 300В 4А
    КТ842А ТО-3 pnp 5     на 300В 5А
    КТ8124В ТО-220 npn 7     npn транзистор на 300В 6А
    КТ8109А,Б ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТД8262(А-В) ТО-220 npn 7     составной npn транзистор на 300В 7А
    КТ8259Б ТО-220 npn 8     npn транзистор на 300В 8А
    КТ854Б ТО-220 npn 10     npn транзистор на 300В 10А
    КТД8279(А-В) ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 300В 10А
    КТ892А,В ТО-3 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТ8260А ТО-220 npn 15     npn транзистор на 300В 15А
    КТД8252(А-Г) ТО-220
    ТО-218
    npn 15     составной npn транзистор на 300В 15А
    КТ890(А-В) ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ897А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ898А ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8232А,Б ТО-218 npn 20     составной npn транзистор на 300В 20А
    КТ8285А
    КТ8143Ш
    ТО-218
    ТО-3

    npn 30
    80
        мощный npn транзистор КТ8143 на напряжение 300В и ток 80А
    Транзисторы на напряжение до 400В:
    2Т509А ТО-39 pnp
    npn
    npn
    0. 02 (0.5)
    0.2
    0.2
    2SA1625
    MPSA44
    MJE13001
    TO-92 npn транзистор на 400В 0.5А
    2Т882А ТО-220 npn 1 (1.5) MJE13003
    TIP50
    TO-220
    TO-220
    npn транзистор на 400В 1А
    КТ704Б,В   npn 2.5 (2) BUX84 TO-220 npn транзистор на 400В 2.5А
    КТ8121А ТО-220 npn 4     npn транзистор на 400В 3А
    КТ8258А ТО-220 npn 4 MJE13005 TO-220 npn транзистор на 400В 4А
    КТ845А ТО-3 npn 5 BUT11 TO-220 npn транзистор на 400В 5А
    КТ840А,Б ТО-3 npn 6 2SD1409 TO-220FP npn транзистор на 400В 6А
    КТ858А ТО-220 npn 7 2SC2335 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8124А,Б ТО-220 npn 7 2SC3039 TO-220 npn транзистор на 400В 7А
    КТ8126А ТО-220 npn 8 MJE13007 TO-220 npn транзистор на 400В 8А
    КТ8259А ТО-220 npn 8 2SC4834 TO-220FP npn транзистор на 400В 8А
    КТ8117А ТО-218 npn 10 2SC2625 TO-247 npn транзистор на 400В 9А
    КТ841Б ТО-3 npn 10 2SC3306 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862Г ТО-3 npn 10 2SC4138 TO-3P npn транзистор на 400В 10А
    2Т862В ТО-3 npn 10 (12) MJE13009
    2SC3042
    TO-220
    TO-3P
    биполярный транзистор на 400В 10А
    КТД8279А ТО-220
    ТО-218
    npn 10     составной транзистор на 400В 10А
    КТ834В ТО-3 npn 15     составной транзистор на 400В 15А
    КТ848А ТО-3 npn 15     транзистор на 400В 15А
    КТ892Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8260Б ТО-220 npn 15     npn транзистор на 400В 15А
    КТ8285Б ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 400В 30А
    2Т885А ТО-3 npn 40     npn транзистор на 400В 40А
    Транзисторы на напряжение до 500В:
    КТ6107А ТО-92 npn 0. 13     npn транзистор на 500В 0.1А
    КТ6108А ТО-92 pnp 0.13    
    КТ704А   npn 2.5 (1.5) 2SC3970 TO-220FP npn транзистор на 500В 2А
    КТ8120А ТО-220 npn 3 (5) BUL310 TO-220FP npn транзистор на 500В 3А
    КТ812Б ТО-3 npn 8   npn транзистор на 500В 8А
    КТ854А ТО-220 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    2Т856В ТО-3 npn 10     npn транзистор на 500В 10А
    КТ8260В ТО-220 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    КТ834А,Б ТО-3 npn 15     npn транзистор на 500В 15А
    ПИР-1 ТО-218 npn 20     npn транзистор на 500В 20А
    КТ8285В ТО-218
    ТО-3
    npn 30     npn транзистор на 500В 30А
    2Т885Б ТО-3 npn 40     npn транзистор на 500В 40А
    Транзисторы на напряжение до 600В:
    КТ888Б ТО-39 pnp 0. 1     pnp транзистор на 600В 0.1А
    КТ506Б ТО-39 npn 2   npn транзистор на 600В 2А
    2Т884Б ТО-220 npn 2 (3) 2SC5249 TO-220FP npn транзистор на 600В 2А
    КТ887Б ТО-3 pnp 2 (1) 2SA1413 smd pnp транзистор на 600В 2А
    КТ828Б,Г ТО-3 npn 5 (6) 2SD2499
    2SD2498
    2SD1555
    TO-3PF
    TO-3PF
    TO-3PF
    строчный транзистор на 600В 5А
    КТ8286А ТО-218
    ТО-3
    npn 5 (8) 2SC5386 TO-3P ? строчный транзистор на 600В 5А
    КТ856А1,Б1 ТО-218 npn 10 ST1803 ISOW218 строчный транзистор на 600В 10А
    КТ841А,В ТО-3 npn 10 2SC5387 ISOW218 npn транзистор на 600В 10А
    КТ847А ТО-3 npn 15 (20) 2SC4706
    2SC5144
    TO-3P
    TO-247 ?
    мощный транзистор высоковольтный на 600В 15А
    КТ8144Б ТО-3 npn 25     мощный высоковольтный транзистор на 600В 25А
    КТ878В ТО-3 npn 30     мощный npn транзистор на 600В 30А
    Транзисторы на напряжение до 700В:
    КТ826(А-В) ТО-3 npn 1     npn транзистор на 700В 1А
    КТ8137А ТО-126 npn 1. 5     npn транзистор на 700В 1.5А
    КТ887А ТО-3 pnp 2     pnp транзистор на 700В 2А
    КТ8286Б ТО-218
    ТО-3
    npn 5 npn транзистор на 700В 5А
    КТ8107(А-Г) ТО-220 npn 8 npn транзистор на 700В 8А
    КТ812А ТО-3 npn 10 BUh200 TO-220 высоковольтный транзистор на 700В 10А
    2Т856Б ТО-3 npn 10     npn транзистор на 700В 10А
    Транзисторы на напряжение до 800В:
    КТ506А ТО-39 npn 2     высоковольтный npn транзистор 800В 1А
    2Т884А ТО-220 npn 2     npn транзистор на 800В 2А
    КТ859А ТО-220 npn 3 2SC3150 TO-220 npn транзистор на 800В 3А
    КТ8118А ТО-220 npn 3 npn транзистор на 800В 3А
    КТ828А,В ТО-3 npn 5     npn транзистор на 800В 4А
    КТ8286В ТО-218
    ТО-3
    npn 5     npn транзистор на 800В 5А
    КТ868Б КТ-9 npn 6 (8) 2SC5002
    2SC4923
    TO-3PF
    TO-3PML
    высоковольтный транзистор на 800В 6А
    КТ8144А ТО-3 npn 25 2SC3998 TO-3PBL высоковольтный транзистор на 800В 25А
    КТ878Б ТО-3 npn 30 высоковольтный npn транзистор на 800В 30А
    Большая часть из приведенных здесь транзисторов на напряжение свыше 600В применяются в строчных развертках телевизоров и мониторов. В справочнике они расположены по пиковому напряжению коллектор-эмиттер. Если судить по графикам, то область безопасной работы у них, за редким исключением, не более 800В, а пиковое напряжение они держат лишь при соблюдении определенных условий.?
    Транзисторы на напряжение до 900В:
    КТ888А ТО-39 pnp 0.1     транзистор высоковольтный на 900В 0.1А
    КТ868А КТ-9 npn 6 (3) 2SC3979 TO-220 npn транзисторы высоковольтные на 900В 6А
    2Т856А ТО-3 npn 10     npn транзистор высоковольтный на 900В 10А
    КТ878А ТО-3 npn 30     высоковольтный npn транзистор на 900В 30А
    Транзисторы на напряжение до 1000-1500В:
    КТ838А ТО-3 npn 5 BU508 TO-3PF биполярный транзисторы высоковольтные на 1500В 5А
    КТ846А ТО-3 npn 5 BU2506 SOT-199 современный высоковольтный строчный транзистор на 1500В 5А
    КТ872А,Б ТО-218 npn 8 BU2508
    2SC5447
    TO-3PFM
    SOT-199
    современные высоковольтные транзисторы на 1500В 8А
    КТ886Б1 ТО-218 npn 8 (10) BU1508 TO-220 современный высоковольтный биполярный транзистор на 1000В 10А
    КТ839А ТО-3 npn 10 BU2520 TO-3PML современный биполярный высоковольтный транзистор на 1500В 10А
    КТ886А1 ТО-218 npn 10 (12) 2SC5270 TO3-PF современный высоковольтный npn транзистор на 1500В 10А
          npn 25 2SC5244
    2SC3998
    TOP-3L
    ТО-3PBL
    строчный транзистор на 1500В 25А
    Транзисторы на напряжение свыше 2000В
    2Т713А ТО-3 npn 3     транзистор высоковольтный на 2000В 3А
    КТ710А ТО-3 npn 5     npn транзистор высоковольтный на 2000В 5А

    Транзисторы

    Рассмотрим приборы, которые включают в себя два р-п перехода — транзисторы. Между двумя полупроводниками п-типа создается тонкая прослойка из полупроводника р-типа (на рисунке толщина полупроводников обозначена чисто условно, а не пропорционально их реальным размерам).

    Или же, можно сделать наоборот: между двумя полупроводниками р-типа помещают тонкую прослойку полупроводника п-типа.

    Соответственно, транзисторы делятся на два типа: рпр транзисторы и прп транзисторы. Прослойку, находящуюся между полупроводниками одного типа называют базой (иногда основанием). Транзистор может быть включен в цепь, представленную на рисунке.

    Обратите внимание на то, как подключена первая батарея: ток обусловлен движением основных носителей, то есть пэ эн переход в левой части схемы является прямым. В этом случае, полупроводник в левой части нашей схемы называется эмиттером. Обратимся теперь к правой части нашей схемы. Вторая батарея включена таким образом, что ток обусловлен движением неосновных носителей, то есть этот р-п переход является обратным. В этом случае, полупроводник в правой части схемы называется коллектором. На нашей схеме для наглядности мы подробно показали транзистор, но на стандартных схемах он обозначается более компактно.

    На условном обозначении транзистора вы можете найти букву Э, обозначающую эмиттер, букву К, обозначающую коллектор и букву Б, обозначающую база.

    Давайте рассмотрим протекание тока в каждом из полупроводников, входящих в транзистор. Обратим внимание сначала на р-п переход между эмиттером и базой. Эмиттер является полупроводником р-типа в данном случае, поэтому основными носителями заряда в нем являются дырки. Эти дырки проникают в базу, где основными носителями заряда являются электроны. Но, поскольку толщина базы очень мала, число электронов там очень невелико, несмотря на то, что они являются основными носителями. Попавшие в базу дырки практически не объединяются с электронами, в результате чего проникают в коллектор посредством диффузии.

    Теперь обратим внимание на р-п переход между базой и коллектором. Этот переход обратный, и образовывает заслон для основных носителей базы, то есть, электронов. Однако, дырки проникают в коллектор под воздействием электрического поля, в результате чего цепь замыкается. Сила тока в эмиттере равна сумме токов в базе и коллекторе: 𝐼э=𝐼б+𝐼к. Но ток в базе ничтожно мал, поэтому мы можем считать, что сила тока в коллекторе почти такая же, как и в эмиттере: 𝐼э ≈ 𝐼к.

    Мы еще ни слова не сказали о сопротивлении, которое создается включенным в нашу цепь резистором. Надо сказать, это сопротивление практически не влияет на ток в коллекторе. Дело в том, что ток в коллекторе практически полностью обусловлен строением самого транзистора, а именно — свойствами полупроводников, из которых он изготовлен, и напряжением, которое подается на эмиттер. В данном случае, конечно, речь идет о применении источника переменного тока. Итак, сопротивление может быть довольно большим, но при этом оно не будет влиять на ток в коллекторе. Изменение же напряжения на эмиттере будет вызывать синхронное изменение напряжения на резисторе. Таким образом, если мы используем резистор с очень большим сопротивлением, мы сможем получать мощные сигналы на нем, создавая лишь небольшие изменения напряжения на эмиттере. Это свойство, так или иначе, используется во многих микросхемах, микропроцессорах и так далее. Транзисторы используются повсеместно: в приемниках, компьютерах и даже в приборах, предназначенных для космических исследований. Транзисторы с успехом заменили электронные лампы, которые были громоздкими и значительно менее безопасными. Первый компьютер, как раз, работал на электронных лампах, и занимал помещение, сравнимое с размерами спортзала. Сегодня в компьютерах используются маленькие микросхемы с транзисторами, каждый из вас знает, насколько меньшее пространство занимает современный компьютер, чем спортзал.

    Возможно, вас впечатлит тот факт, что на сегодняшний день, на каждого жителя Земли приходится приблизительно 10 миллиардов транзисторов.

    Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

    Электроника Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

    просмотров – 553

    Двухтактный усилитель мощности на комплементарных транзисторах по­зволяет отказаться от использования, как фазорасщепителя на входе, так и трансформатора на выходе. В этом усилителœе используются два симметричных транзистора, pnp– и npn-типа, называемые комплементарной парой.

    Принцип его работы основан на том факте, что положитель­ный сигнал открывает npn-транзистор, закрывает pnp; а отрицательный сигнал открывает рпр-транзистор, закрывает npn.

    На рис. а) приведена базовая схема двухтактного усили­теля на комплементарных транзисторах (иногда называемая каскадом с дополнительной симметрией). Транзисторы T1 и Т2 работают в режи­ме класса В, т. е. в точке отсечки.

    Используются два источника пи­тания: +EK и –EK (двухполярный источник питания). В положительном полупериоде входного сигнала транзистор T1 открыт, а транзистор Т2 закрыт. Ток i1 транзистора T1создает положительную полуволну тока в нагрузочном резисторе RH. В отрицательном полупериоде открывается транзистор Т2, и теперь его ток i2, имеющий противоположное току i1 направление, протекает через нагрузочный резистор.

    Τᴀᴋᴎᴍ ᴏϬᴩᴀᴈᴏᴍ, на нагрузке формируется полный синусоидальный сигнал, соответствующий двум половинам полного пери­ода входного сигнала. Следует отметить, что в рассматриваемом каскаде транзисторы включены по схеме с общим коллектором, то есть как эмиттерные повторители, поскольку выходной сигнал снимается с эмиттеров транзисторов.

    На рис. б) приведена полная схема двухтактного усилителя мощности на комплементарных транзисторах вместе с предвыходным каскадом.

    Схема модифицирована для питания от одного источника. Транзистор T1 работает в предвыходном каскаде (предусилителœе мощности). Цепь смешения R1 — R2 обеспечивает работу этого каскада в режиме класса А. При подаче питания устанавливается нормальный статический режим транзистора T1 (транзистор открыт). Разделительный конденсатор С3 разряжен. Следовательно, потенциал точки А, где соединяются эмиттеры транзисторов Т2 и Т3, равен нулю. При этом базы этих транзисторов находятся под положительным потенциалом, определяемым напряжением на коллекторе транзистора T1. Это положительное напряжение открывает транзистор Т2. Транзистор Т3 (рпр-типа) при этом закрыт. Таким обра­зом, ток i2, протекающий через открытый транзистор, будет заряжать конденсатор С3, как показано на схеме. По мере заряда этого конденса­тора возрастает напряжение в точке А. Процесс зарядки продолжается до тех пор, пока не закроется транзистор Т2. Это происходит в тот момент, когда напряжение на эмиттере этого транзистора (в точке А) сравнива­ется с напряжением на его базе.

    В случае если статический режим транзистора T1 выбран таким образом, что его коллекторное напряжение равно 0,5Ек, то транзистор Т2 закроется, как только потенциал точки А возрастет до 0,5ЕК. В результате схе­ма будет сбалансирована по постоянному току и каждому транзистору будет приложено напряжение, равное половинœе напряжения источника питания. Транзисторы Т2 и Т3 оказываются в отсечке (режим класса В) с нулевым напряжением смещения на их эмиттерных переходах, т. е. они находятся на грани включения при отсутствии входного сигнала.

    При подаче входного сигнала транзистор T1 находится в проводящем состоянии в течение всœего периода, усиливая данный сигнал и обеспечивая «раскачку» выходных транзисторов Т2 и Т3. Комплементарная пара выходных транзисторов обеспечивает дальнейшее усиление сигнала, как это было описано выше при рассмотрении базовой схемы.

    Схема на рис. б) имеет низкую стабильность по постоянному то­ку. Любое изменение тока транзистора T1 вызывает изменение статиче­ского режима выходной пары транзисторов, что может привести к иска­жениям выходного сигнала.

    Для улучшения стабильности использует­ся отрицательная обратная связь по постоянному току, обеспечивающая автоматическую подстройку смещения транзистора Т1, как показано на рис. в). Постоянное напряжение, действующее в точке А (0,5ЕК), по­дается обратно на базу транзистора T1 через резистор обратной связи RF. В этой схеме громкоговоритель подключен к положительной шинœе источ­ника питания через разделительный конденсатор С3. Заметим, что в та­кой конфигурации ток транзистора Т3 заряжает данный конденсатор, а ток транзистора Т2 разряжает его. Вообще, транзистор, включенный «последовательно» с разделительным конденсатором, заряжает его, а включен­ный «параллельно» — разряжает. Через резистор R4 на базы выходных транзисторов подается небольшое напряжение прямого смещения, обеспе­чивающее уменьшение искажений типа «ступенька». Резисторы R6 и R7 в эмиттерных цепях транзисторов Т2 и Т3 обеспечивают стабильность по постоянному току, а также неглубокую обратную связь по переменному току, улучшающую частотные характеристики усилителя.


    Читайте также


  • – Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

    Двухтактный усилитель мощности на комплементарных транзисторах по­зволяет отказаться от использования, как фазорасщепителя на входе, так и трансформатора на выходе. В этом усилителе используются два симметричных транзистора, pnp- и npn-типа, называемые комплементарной… [читать подробенее]


  • – Двухтактный усилитель на комплементарных транзисторах

    Двухтактный усилитель мощности на комплементарных транзисторах по­зволяет отказаться от использования, как фазорасщепителя на входе, так и трансформатора на выходе. В этом усилителе используются два симметричных транзистора, pnp- и npn-типа, называемые комплементарной… [читать подробенее]


  • Транзистор биполярный – Энциклопедия по машиностроению XXL

    Обычно П. в. строится на одиночных биполярных и полевых транзисторах или на операционных усилителях (см. Полевой транзистор. Транзистор биполярный).  [c.655]

    Обычно С. с. строится на биполярных иля полевых транзисторах (см. Триггер, Полевой транзистор, Транзистор биполярный). С. с. также может быть построена с помощью нелинейного элемента (рис. 1), вольт ампер-  [c.653]

    Высокие надёжность, чувствительность и временная стабильность параметров Ф., а также малые размеры и относит. простота конструкции позволяют щироко использовать Ф. в системах контроля и автоматики в качестве датчиков освещённости и элементов гальванич. развязки. (См. также Транзистор биполярный, Полупроводниковые материалы )  [c.363]


    Мощные высокочастотные транзисторы. Достоинства транзисторов — малые габаритные размеры, мгновенная готовность к работе,. большой срок службы, устойчивость к ударам и вибрациям, невысокое напряжение питания — определяют нх широкое применение в-аппаратуре связи. Следует отметить, что транзисторам свойственны н определенные недостатки большой разброс параметров и зависимость их от температуры большая, чем у ламп, чувствительность к электрическим перегрузкам ограничения по частоте и мощности. Однако недостатки эти успешно преодолеваются, и в последние годы транзисторы широко применяют не только в предварительных каскадах передатчиков,но и в усилителях мощности. Это стало возможно благодаря широкому выпуску мощных ВЧ транзисторов. (биполярных и полевых).  [c.124]

    Статически индуцированный биполярный транзистор Биполярный п—р—п-транзистор Биполярный р—л—р-транзистор Боковой биполярный р—п—р-транзистор Полевой транзистор с каналом п-типа Полевой транзистор с каналом р-типа МОП-транзистор с каналом п-типа МОП-транзистор с каналом р-типа Линия передачи  [c. 124]

    Рис. 4.7. Эквивалентные схемы биполярного (а) н МДП (б) транзисторов
    На рис. 4.7, й представлена эквивалентная схема биполярного транзистора, используемая во многих программах анализа электронных  [c.171]

    Модель биполярного транзистора. Эквивалентная схема транзистора изображена на рис. 2.17,6. Запишем компонентные уравнения каждой ветви  [c.120]

    Рассмотрим ММ биполярного транзистора при использовании для интегрирования неявного метода Эйлера. Вектор неизвестных  [c.125]

    Биполярные транзисторы а – и/) -транзистор б -,оир-транзистор  [c.364]

    Рнс. 2. Структура биполярного транзистора р—и—р-тв-па 1—эмиттерный р— -переход 2- коллекторный р— л-переход.  [c.155]

    В ИС нелинейные твердотельные приборы, детали структуры к-рых имеют микронные размеры (микроприборы), и линии связи между ними формируются в едином технол. процессе на общей пластине — подложке (интегральная технология). Важнейшие приборы, входящие в состав ИС транзисторы (биполярные, полевые), их комплементарные пары п-р-п — — р-п-р”, п-канальные и р-канальные) энергозави-си.чые транзисторы (напр., с плавающим затвором) диоды твердотельные (на р — и-переходах, диоды Шоттки) приборы с зарядовой связью (передача заряда в цепях из тысяч МДП-элементов, см. МДЙ-структура), на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД), на доменных стенках и линиях. Разрабатываются новые  [c.152]


    МУЛЬТИВИБРАТОР (от лат. multum — много и vibro — колеблю) — электронное устройство с двумя ме-тастабильными состояниями, к-рым соответствуют два различных значения напряжения (или тока) и к-рые периодически скачкообразно сменяют друг друга за счёт положительной обратной связи. М. генерирует периодический сигнал прямоугольной формы, в спектре к-рого содержится много гармоник (см. Фурье анализ). Если интервалы времени, соответствующие различным состояниям, одинаковы, М. называется симметричным, иначе — несимметричным. Названные интервалы времени определяются временем зарядки и (или) разрядки конденсаторов (одного или двух), входящих в схему. М, может быть построен на операционных усилителях, транзисторах биполярных и полевых транзисторах, компараторах и др. электронных приборах.  [c.216]

    ЭП СЗУПВ строятся на базе триггеров. При этом могут использоваться как полевые транзисторы (рис. 3, д), так и транзисторы биполярные (рис. 3, е). По быстродействию биполярные СЗУПВ превосходят все остальные типы полупроводниковых П. у. Типичное время переключения биполярных СЗУПВ ёмкостью  [c.525]

    С. Ерохин, Л. М. Земпый. ТИРИСТОР — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из трёх р—п-пере.ходов, взаимодействие между к-рыми приводит к тому, что прибор может находиться в одном из двух устойчивых состояний выключенном—с высоким сопротивлением и включённом — с низким. Полупроводниковая структура Т. состоит из четырёх слоев чередующегося типа проводимости ( г рпр рис. 1), образующих три расположенных друг над другом р—и-псрехода. Внутренний базовый / -слой обычно выполняется сильнолегированным (концентрация примеси / =10 —10 см” )и тонким, чтобы обеспечить достаточно высокий (0,7—0,9) коэф. переноса (3 п рп-транзистора (см. Транзистор биполярный). Базовый л-слой выполняется относительно толстым и слаболегированным (Л = 10 —10 см ). При приложении внеш. напряжения указанной на рис. I полярности (прямое смешение) крайние переходы 3i и Эг (эмиттеры) смещены в проводящем, а центральный К, (коллектор)—в запорном направлениях его область пространственного заряда (ОПЗ) расположена почти полностью в п-базе. Эмиттер Э обычно имеет распределённые по всей площади шунтирующие каналы, выполненные в виде выходов р-слоя сквозь п” -слой к ме-таллич. контакту. Процессы, определяющие возможность переключения, протекают след, образом. Электронно-дырочные пары, генерируемые, напр., теплом в ОПЗ, разделяются полем дырки и электроны выбрасываются в /г- и л-  [c. 114]

    Ныне Т. называют 2 класса приборов, различных по физ. принципам, лежащим в основе их работы, но объединённых общим свойством усиливать электрич. сигналы. За изобретением Бардина, Браттейна и Шокли утвердилось название транзистор биполярный. Второй класс транзисторов составляют полевые транзисторы. Т. обоих классов являются осн. активными элементами совр. полупроводниковой электроники и элементной базой интегральных схем.  [c.155]

    УЗЧ относятся к классу апериодических У. э. к., а резонансные цепи используются в них обычно лишь для коррекции АЧХ. Каскады предварит, усиления предназначены для увеличения напряжения источника колебаний до уровня, необходимого для нормального возбуждения мощного оконечного каскада, работают в линейном режиме (режим А , а осн. предъявляемое к ним требование—ббеспечение макс. усиления. Выполняются на полевых транзисторах, транзисторах биполярных и ИС, реже на электронных лампах и тиристорах. При дискретной реализации применяются резисторные каскады с разделит, конденсаторами, биполярные транзисюры включаются по схеме с общим эмиттером, полевые—с общим истоком, лампы—с общим катодом (рис. 3), При работе с высокоомными источ-  [c.241]

    В зависимости от примесей кремний приобретает электронную проводимость п или, наоборот, пропускает заряды с недостатком электронов, где места отсутствующих электронов условно называют дырками, то есть приобретает дырочную проводимость р. С целью получения локальных областей для элементов микросхемы формируют разделительные области р” -типа – области дырочной проводимости с повышенной концентрацией носителей. Создание элементов в полупроводниковом материале требует наличия р-и-переходов – границы между областями с электронной (и-типа) и дырочной (р-типа) проводимостью. На рис. 25.2 показана последовательность основных технологических операций изготовления ПИМС на биполярных транзисторах, получаемых по планарно-эпитаксиальной технологии (эпитаксия – процесс ориентированного наращивания атомов одного кристаллического вещества на другом). Изготовление ПИМС на биполярных транзисторах включает  [c.539]


    Сложные математические модели электрической подсистемы. Наиболее распространенными сложными элементами электрической подсистемы в радиоэлектронных устройствах являются диод, биполярный и МДП-транзи-сторы. Создано и используется несколько разновидностей ММ диодов и биполярных транзисторов, различающихся точностью, областями адекватности, показателями экономичности. Рассмотрим характерные модели диода и биполярного транзистора, называемые моделями ПАЭС и используемые в ряде программ анализа электронных схем.  [c.89]

    Эквивалентная схема биполярного транзисто-р а представлена на рис. 2.17,6. Так как транзистор состоит из двух р-и-переходов эмиттер-база и коллектор-база, то элементы /э. Со, Ryo, С , / ук — элементы соответствующих р-п-переходов, h — Blg—BJk — источник тока, отражающий пролет неосновных носителей через базу и определяющий усилительные свойства транзистора В и — нормальный и инверсный коэффициенты усиления тока), Гэ, и гв — объемные сопротивления областей соответственно эмиттера, коллектора и базы.  [c. 91]

    Пьеэотранзистор — биполярный транзистор, в котором модуляция тока производится механическим усилием, приложенным к базе используется для исследования механических величин.  [c.152]

    Биполярный транзистор. Транзистором называется монокристалл полупроводника, в котором соответствующим легированием создан узкий слой с /j-проводимостью, разделяющий области с и-проводимостями (рис. 133, а), или узкий слой с -проводимостью, разделяющий области с -проводимостями (рис. 133,6). Иначе говоря, транзистор является совокупностью двух достаточно близко расположенных /)-и-переходов. В случае а транзистор называется ири-тран-зистором, а в случае б-рир-транзис-тором.  [c.364]

    Полевые траизисторы. В изученных выше транзисторах ток осуществляется обоими типами носителей. Такие транзисторы являются биполярными устройствами. В отличие от этого  [c.366]

    В библиотеках программы PSpi e имеется несколько тысяч математических моделей элементов (диодов, биполярных и полевых транзисторов, операционных усилителей, стабилизаторов, тиристоров, компараторов, магнитных устройств с учетом насьпцения и гистерезиса, оптронов, кварцевых резонаторов, длинных линий с учетом задержек, отражений, потерь и перекрестных помех и др. ) Библиотека открыта для включения моделей пользователя, имеются соответствующие инструментальные средства пополнения библиотеки. Предусмотрено взаимодействие аналоговой и цифровой частей схемы.  [c.145]

    Д. и. 3. в п. может осложняться процессами захвата носителей на т. н. уровни прилипания. Биполярная Д. и. 3. в п. является причиной Дембера эффекта, Фо-томазнитоэлектрическоео эффекта И др. Она определяет работу ряда полупроводниковых приборов — полупроводникового диода, транзистора и др.  [c.690]

    И. с. интегрирует в одном кристалле не только множество идентичных приборов, но и приборы, действие к-рых основано на разл. принципах. Налр., И. с. для цифровой обработки данных могут содержать нолевые и биполярные транзисторы, И. с.. для управления различными объектами или анализа сигналов могут объединить электронные, оптоэлектронные, электромеханические, магнитные и др. микроприборы.  [c.154]

    Однако в МИС интеграция распространилась в основном на цифровые логич. схемы. Практически все МИС выполнялись на основе биполярных транзисторов (см. Транзистор). С переходом к БИС (60—70-е гг.) доминирующее место заняли полевые транзисторы с МДП-структурой. Они потребляют мен1.ше энергии на каждый бит перерабатываемой информацпи и обладают более простой структурой, что позволило создать интегральные запоминающие устройства.  [c.155]

    Контакты с обеднённым слоем (рис. 1) в равновесном случае обогащены неосновными носителями (поле, к-рое вытесняет осн. носители, втягивает неосновные). При прохождении тока в обратном наиравлении происходит экстракция (извлечение, вытягивание) в контакт неосновных носителей из приконтактной части образца, протяжённость к-рой определяется длиной диффузии неосновных носителей. Экстракция — слаботоковое явление на обратной ветви ВАХ, тогда как эксклюзия — сильнотоковый эффект. Эти эффекты смыкаются лишь в собственном полупроводнике. Экстракция неосновных носителей обратно смещённым обеднённым слоем используется в коллекторах биполярных транзисторов.[c.447]

    В последнем случае (рис., а) выход соединяется с инвер- Щ тирующим входом, а входной сигнал подаётся на неинвертирующий вход (следящий усилитель). В П. н., выполненных на одиночных транзисторах, выходное напряжение снимается с сопротивления К, включен- ного в цепь эмиттера биполярного или в цепь истока Э полевого транзистора. Соответствующие схемы наз. О эмиттерным и истоковым повторителями (рис., бив). Напряжения база — эмиттер и затвор — исток, управляющие выходным током транзистора, равны разности входного и выходного напряжений. Эииттер-ный повторитель обладает более низким выходным сопротивлением, чем истоковый, и его коэф. подачи ближе к единице, однако входное сопротивление исто-кового повторителя значительно выше.  [c.655]

    Рис. 3. Зависимость шумовых параметров МШУ и диодных смесителей от частоты [41 1 — лампа бегущей волны 2 — усилитель на туннельном диоде 3 — усилитель на биполярном транзисторе 4 УПТШ Л — полупроводниковый ПУ 6 — УПТШ, охлаждаемый до 20 К 7 — полупроводниковый ПУ, охлаждаемый до 20 К а — квантовый парамагнитный усилитель, охлаждаемый до 4 К.
    Рнс. 1. Структура биполярного зраюистора а—транзистор р—л—р-типа 6—транзистор II—р— -тииа.  [c.155]

    RPR-220C1N – РОМ | X-ON

    7

    7

    HOA1397-031

    HOA1397-031

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор Выходные инфракрасные датчики
    Сток: 0

    RPR-220UC30N

    RPR-220UC30N

    ROHM Полупроводниковые оптические коммутаторы, отражающие, фототранзистор вывода обнаружения расстояния 6 мм фотосенсор
    Сток: 0

    ROHM Полупроводниковые оптические коммутаторы, отражающие, фототранзистор вывода обнаружения расстояние 6 мм фотосенсора 0
    SFH 9206-5 / 60004 Оптические выключатели 9206-5 / 6

    Отражающие, отражающие, фототранзистор Отрадительный датчик
    Сток: 10825

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор Отрадительный датчик 10825
    GP2S60A

    Sharp Microelectronics Оптические переключатели, отражающие, фототранзисторный выход, фотопрерыватель, отражающий 0. 5 мм
    Сток: 6834

    6834

    Sharp Microelectronics Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор Выходные фотоотражающие препараты Светоотражающие 0.5 мм 6834
    TCRT1000

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор Отрадительный датчик с транзистором
    : 75

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор выходной Отрадительный датчик с транзистором 75 75
    Оптические коммутаторы, отражающие, фототранзистор Выходной рефлексивный RARLILSTON Выход
    Сток: 2

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор выходной рефлексив CAL выключатели, отражающие, фототранзистор выход 2 мА, Darlington 75US подъем и падение 0
    HOA1397-001

    HOA1397-001

    Оптические коммутаторы, отражающие, фототранзистор Выходные инфракрасные датчики
    Сток: 271

    Оптические коммутаторы, отражающие , Фототранзистор Выходные инфракрасные датчики 271
    Оптические коммутаторы, отражающие, фототранзисторные инфракрасные датчики 0
    HOA1404-002

    Оптические коммутаторы, отражающие, фототранзистор выходной оптовый коммутатор отражающий
    stock: 0

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор выходные оптовые выключатели отражающие 0
    HOA1405-001

    Оптический сви TCHES, Светоотражающие, фототранзистор Выходной рефейс / PLSTC PK Transistor Exputor
    Сток: 0

    Оптические выключатели, Светоотражающие, фототранзистор Выходные рефейты / PLSTC PK Транзисторный выход 0

    RPR-220UC30N – ROHM | X-On

    7

    7

    HOA1397-031

    HOA1397-031

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор Выходные инфракрасные датчики
    Сток: 0

    SFH 9206-5 / 6

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор Отрадительный датчик
    Сток: 10825

    1

    Оптические выключатели, Светоотведение, фототранзистор Отрадительный датчик 10825
    GP2S60A

    Sharp Microelectronics Оптические переключатели, отражающие, фототранзисторный выход, фотопрерыватель, отражающий 0. 5 мм
    Сток: 6834

    6834

    Sharp Microelectronics Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор Выходные фотоотражающие препараты Светоотражающие 0.5 мм 6834
    TCRT1000

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор Отрадительный датчик с транзистором
    : 75

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор выходной Отрадительный датчик с транзистором 75 75
    Оптические коммутаторы, отражающие, фототранзистор Выходной рефлексивный RARLILSTON Выход
    Сток: 2

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор выходной рефлексив CAL выключатели, отражающие, фототранзистор выход 2 мА, Darlington 75US подъем и падение 0
    HOA1397-001

    HOA1397-001

    Оптические коммутаторы, отражающие, фототранзистор Выходные инфракрасные датчики
    Сток: 271

    Оптические коммутаторы, отражающие , Фототранзистор Выходные инфракрасные датчики 271
    Оптические коммутаторы, отражающие, фототранзисторные инфракрасные датчики 0
    HOA1404-002

    Оптические коммутаторы, отражающие, фототранзистор выходной оптовый коммутатор отражающий
    stock: 0

    Оптические выключатели, отражающие, фототранзистор выходные оптовые выключатели отражающие 0
    HOA1405-001

    Оптический сви TCHES, Светоотражающие, фототранзисторные Отражающие / PLSTC PK Transistory Expution
    Сток: 0

    Оптические выключатели, Светоотражающие, Фототранзистор Выходной рефейс / PLSTC PK Трансистор 0
    ITR-8307 / TR8

    Оптические Выключатели, отражающие, фототранзистор выход Opto Interrupter
    stock: 89000

    оптические выключатели, отражающие, фототранзистор вывода opto intermupter 89000
    89000

    Эксперимент ввода датчика с использованием Raspberry Pi

    Эта статья была переведена на английский язык и изначально был опубликован для deviceplus. яп.

    Эта серия посвящена изучению принципов и основ создания электронных наборов с помощью простых поделок, сделанных с помощью Raspberry Pi. Сегодня нас будет учить г-жа Наоми Ито, автор серии книг, объясняющих «глубинные механизмы» в области медиаискусства. В этой статье мы углубимся в эксперименты с сенсорным вводом.

    [Содержание]

    1. Введение
    2. Механизм включения двигателя
    3. О датчике
    4. Подключите фототранзистор к GPIO
    5.Подключите фототранзистор к GPIO
    6. Вывод

    1. Введение

    В настоящее время мир меняется быстрыми темпами каждый день, и есть много людей, которые не успевают за ним — не обязательно потому, что они не интересуются новыми вещами, скорее, это достаточно утомительно, чтобы наверстать упущенное. со всем новым. Вот почему сегодня я думаю о том, чтобы поработать над множеством разных вещей, сосредоточившись на том, что мне кажется интересным, при этом организуя свои мысли и то, что нужно сделать.

    2. Механизм включения двигателя

    В прошлый раз я использовал двигатель постоянного тока. У меня был большой опыт работы с моделями автомобилей, пластиковыми моделями и радиоуправляемыми моделями. Когда я думаю об этом, двигатель постоянного тока является своего рода представителем преобразования энергии, которое преобразует электрическую энергию в кинетическую энергию. Простая схема механизма внутри выглядит так.

    Конечно, основной принцип заключается в том, что магнитное поле, создаваемое потоком электричества, влияет на магнитное поле постоянного магнита (ферритовые магниты) и создает физическую силу = кинетическую энергию.Если вам интересно, что это за механизм, то это, конечно же, правило левой руки Флеминга. Возможно, вы слышали о нем раньше?

    О правиле левой руки Флеминга
    Во-первых, вы должны знать, что у закона Флеминга есть правая и левая стороны. Большой, указательный и средний пальцы имеют форму, перпендикулярную трехмерной оси XYZ. Большой палец находится в направлении силы, указательный палец — в направлении магнитного поля, а средний палец — в направлении, где течет электричество.

    Если вы посмотрите на правую и левую руки перед собой, то увидите, что это прямое отражение. Согните эту руку и потяните ее перед грудью один раз, затем вытолкните ее, вытянув локоть под углом 45°, и громко скажите: «Да!» Проблема в форме левой и правой руки. Одна рука является двигателем, а другая действует как электрический генератор. Вы случайно не помните, что есть что?

    Один действует как двигатель, который генерирует движение, пропуская электричество, а другой действует как генератор, создавая электричество посредством движения.Для правшей легко запомнить, что ваша правая рука постоянно находится в движении — это будет ваш «генератор», а левая рука будет вашим «мотором». В любом случае, давайте перейдем к главному шоу и попробуем использовать датчик на Raspberry Pi.

    3. О датчике

    Просто думая о датчиках, вы представляете себе часть или устройство, которое электронным способом определяет определенные условия. Какие условия существуют? Есть такие вещи, как свет, звук, температура, влажность, наклон и другие факторы, с которыми вы знакомы в повседневной жизни.В частности, такие датчики, как пожарная сигнализация, оснащены механизмами предупреждения, которые срабатывают при изменении температуры и задымлении. Кстати говоря, на цифровых камерах также установлены датчики света. Сенсоры настолько продвинулись вперед, что ИИ может даже анализировать изображения и распознавать твердые объекты.

    Представьте, что вы находитесь на улице и слышите, как кто-то зовет вас, и думаете: «Еще раз кто этот человек?» Если бы только наш мозг мог соединиться с ИИ.
    Во всяком случае, существуют различные устройства и механизмы деталей, которые можно использовать в электронной работе, а также вещи, которые можно подключать к микрокомпьютерам, например детали расширения, и которые могут получать данные как есть.Здесь мы вернемся к основам, используя датчик света, называемый фототранзистором. Ранее датчики света назывались ячейками CdS, что означает, что механизм снижает значение сопротивления при получении света. Как следует из названия, потому что в нем используется сульфид кадмия, и он исчезает, потому что не имеет физического значения.

    Фототранзистор NJL7502L (слева), 2 элемента CdS (справа)

    Итак, этот фототранзистор состоит из полупроводников и имеет ту же структуру, что и обычный биполярный транзистор.Единственное отличие состоит в том, что вход светлый.

    Графический символ

    Глядя на графический символ, он выглядит как транзистор типа NPN, но на нем нет клеммы B (базы). Вместо нее есть стрелка. Поскольку эта стрелка представляет свет, вход в B (основание) не является электрическим током, а представляет входящее световое излучение. Другими словами, сильный и слабый свет выводится между C (коллектор) и E (эмиттер). В зависимости от освещения эта функция будет усиливаться или переключаться.

    Подключите фототранзистор к GPIO

    Давайте попробуем подключить фототранзистор к GPIO на Raspberry Pi. Используемый язык будет Scratch, в то время как значения датчика будут одинаковыми с переключателем в положениях 1 и 0.

    Это слишком просто, так что вы можете беспокоиться о том, как это работает, но давайте попробуем.
    Когда свет не попадает на фототранзистор, так как вход установлен на Pullup, переключатель находится в положении ON. Другими словами, условие станет 1.При попадании света вход становится отрицательным из-за фототранзистора, поэтому переключение отключается и значение становится равным 0, и наоборот.

    Объявите GPIO, установите для входного GPIO значение Pullup и дайте коту сказать полученное число. Вы можете увидеть, что он станет равным 1 или 0, закрыв сенсорную часть рукой и заблокировав место, где падает свет. Здесь использовался датчик освещенности, но есть множество других способов, которыми вы можете поиграть с ним. Например, если вы используете термистор датчика температуры, вы можете включить двигатель, чтобы послать ветер, когда температура повышается, и его можно объединить с датчиком влажности, чтобы обеспечить сигнал тревоги теплового удара. Вход GPIO вполне удобен!

    Датчик, обнаруживающий объекты по свету

    Во многих случаях фототранзистор сам по себе может влиять на окружающий свет. Конечно, в темноте это бесполезно. Таким образом, было бы эффективно комбинировать светодиоды для излучения света и использовать их в паре с источниками света. В этой паре есть несколько типов членов, структура и метод обнаружения которых также различаются.

    Фотопрерыватели

    устанавливаются по прямой линии в форме светодиода, подаваемого непосредственно на фототранзистор.Некоторые объекты проходят между ними, и затем объект обнаруживается, когда он блокирует свет. Поскольку такие устройства часто встречаются на фабричных линиях и в принтерах, скорее всего, вы не увидите их вживую.

    Фотоотражатель устанавливается в том же направлении, что и светодиод и фототранзистор. Всякий раз, когда объект проходит через него, он обнаруживает отражение света. Датчики, которые обычно используются, среди прочего, являются датчиками для автоматической уборки общественных туалетов.

    Фотоэлементы

    представляют собой пару светодиодов и фототранзисторов, которые не обнаруживают объекты между ними, а вместо этого передают сигналы светом.Из-за этого это не датчик, но мы можем рассматривать его в том же ключе, что и использование источника света и светоприемного компонента. Передавая сигналы без электрического соединения, он используется для обеспечения безопасности цепи и передачи сигналов в цепи с различными электрическими характеристиками.

    Подключите фототранзистор к GPIO

    Сегодня мы будем использовать фотоотражатель Rohm RPR-220. Поскольку этот фоторефлектор представляет собой комбинацию светодиода и транзистора, давайте рассмотрим каждую характеристику.

    РПР-220

    Во-первых, поскольку светодиодная часть составляет 1,34 В 50 мА, а ток коллектора фототранзисторной части составляет 300 мА, источник питания светодиода использует клемму питания 3,3 В Raspai, а к светодиодной части подключен токоограничивающий резистор 51 Ом. Поскольку этот светодиод излучает инфракрасное излучение, вы не можете увидеть его глазами, но если вы посмотрите на него с помощью цифровой камеры, то увидите, что он ярко светит.

    Деталь фототранзистора будет такой же, как и в предыдущей схеме.При этом он будет работать как датчик. Пока что пусть светодиод загорается сам по себе. Конечно, вы также можете использовать его, как и предыдущий мотор.

    Так будет выглядеть при сборке на макетной плате.

    Так будет выглядеть Scratch.

    Теперь, когда что-то находится перед датчиком, загорается светодиод.

    О! Он движется сейчас!

    Фоторефлектор имеет конструкцию, в которой светоизлучающая часть и светоприемная часть установлены отдельно в упаковке.Поскольку свет отражается, если объект соприкасается с самой упаковкой, отраженный свет не может быть прочитан светоприемным блоком. Шесть миллиметров от упаковки вроде как подходят для РПР-220. Например, было бы неплохо предположить, что что-то помещено сквозь стекло или акрил.

    4. Заключение

    На этот раз мы поэкспериментировали с датчиками, а это означает, что теперь мы лучше понимаем, как обращаться с датчиками с помощью их простых механизмов.Однако я не могу удовлетвориться только этим. Я хотел бы показать, что я могу сделать, применяя его, какие интересные вещи я могу сделать с ним и реальные вещи, которые можно сделать с ними. В следующий раз мы будем применять все механизмы, которые мы изучили до сих пор, и рассмотрим методы и процессы создания произведения.

    Важно экспериментировать и проверять принципы и механизмы, но я хотел бы расширить это, подумав больше о том, что возможно, пока я продолжаю творить.

    Для мотоциклов 125 stm32f105rct6 транзистор k4145 rpr 220 и компоненты для схемы: Alibaba.com

    Доступные продукты и продукты:
     

    Ознакомьтесь с разнообразными предложениями и предложениями мотоциклов 125 stm32f105rct6, транзисторов k4145 rpr 220 и других, биполярных транзисторов, транзисторов mJFET и многих других. Compre componentes Electronicos де Proedores Internacionales. Лос-транзисторы funcionan como guardianes del Circuito, Allowiendo Que Solo fluyan ciertas corrientes. Usan ла polaridad пункт detener, mejorar о controlar эль flujo де электронов. Настройте конфигурацию PNP или NPN.Estas abreviaturas se refieren a la carga de cada uno de sus componentes maines: el collection, la base y el emisor. Варианты исполнения транзистора NPN, включающие 2N3904, 2N2222 и BC547, которые активируются вместе с усилителями. Транзистор 2N3906 представляет собой образец транзистора PNP, который может работать как усилитель.

    Hay muchos tipos diferentes de clasificaciones para {palabra clave} . En lo que respecta al uso general, el транзистор puede actuar como interruption, amplificador u oscilador.Cuando se trata del modo de transporte de electronics, está el транзистор de bipolar o BJT para abreviar, y el el транзистор effecto de campo, también conocido como unipolar транзистор o FET. El Primero puede usar electronics y huecos de electronices para transportar carga, mientras que el segundo solo usa uno de estos métodos. Варианты использования транзисторов FET, включающие компоненты транзисторов HEMT и MOSFET. Estas {небольшая клава} не использует конфигурацию PNP NPN типа транзистора BJT.Todos los tipos де компоненты де транзисторы tienen ип доблесть терпимо де corriente у voltaje en эль-дие pueden Operar.

    En Alibaba.com, puede ponerse en contacto con veedores internacionales. Encuentre мотоциклетный 125 транзистор stm32f105rct6 k4145 rpr 220 al por mayor, como 2sc5200, 2n6292, 2n7000 и многие другие. Исследуйте las ofertas, verifique las especificaciones y abastezca su negocio con componentes electronicos internacionales.

    Компания Huawei, работающая над технологией полупроводников и графеновых полевых транзисторов, раскрывает новый патент

    Ранее компания Huawei опубликовала Patent Wall на официальном сайте компании. Компания выдала 729 патентов, зарезервированных для различных устройств, включая 5G, Wi-Fi, операционные системы, камеры, умные автомобили и технологии будущего.

    Тем не менее, компания постоянно добавляет новые патенты на различные устройства и технологии. 30 марта компания Huawei выпустила новый патент на графеновый полевой транзистор с номером выпуска CN110323266B в Китае.

    Патентный документ описывает, что графеновые полевые транзисторы относятся к полукруглым технологиям.Это поможет увеличить выходное сопротивление устройства, чтобы увеличить коэффициент переключения для лучшей радиочастоты.

    Присоединяйтесь к нам в Telegram

    Графеновый полевой транзистор состоял из трех выводов или электродов:

    • Первичный и вторичный электроды затвора, которые действуют как контроллер
    • Первый и второй диэлектрические слои затвора
    • Слой истока или канала и электроды стока

    Кроме того, компоненты исходного слоя включают двухслойный графен AB или многослойный графен AB, затем первичный и вторичный электроды затвора, размещенные на противоположной стороне этого слоя.

    Первый электрод затвора имеет кратность для регулировки направления первых субэлектродов и первых соединительных субэлектродов, а также для удлинения направления первых субэлектродов. Первый и второй подэлектроды используются перпендикулярно электрическому полю на уровне канала.

    Расстояние между электродом истока и электродом стока превышает выступы первого соединительного подэлектрода, а уровень канала на подложке не перекрывается.

    Следует отметить, что полупроводники используются в производстве различных видов электронных устройств, включая диоды, транзисторы и интегральные схемы. Такие устройства нашли широкое применение благодаря своей компактности, надежности, энергоэффективности и дешевизне.

    Кроме того, компания Huawei недавно зарегистрировала новую торговую марку автомобильного ключа, которая может обеспечить новые функциональные возможности для смарт-автомобилей. В то же время компания опубликовала новый патент на метод навигации. Это нововведение поможет найти парковочные места для автомобилей.

    // ХК

    Серия T — сверхминиатюрный DPDT, 1 А

    DPDT 1 А

    Характеристики

    • Компактный размер и низкий профиль:
      5(В)мм×14(Д)мм×9(Ш)мм
    • Соответствует требованиям FCC часть 68
    • Высокая чувствительность: номинальная рабочая мощность 140 мВт
    • Доступны типы SMT и DIP
    • Полностью герметичный
    Номер файла:E75887  

    Характеристики контактов

    Расположение контактов
    Контактное сопротивление 100 мОм (0,1 А, 6 В постоянного тока)
    Материал контактов Серебряный сплав, Золотая вспышка
    Номинал контакта (сопротивление) 1А, 2А/30В постоянного тока; 0,5 А/125 В переменного тока
    Макс. Напряжение переключения 125 В перем. тока/110 В пост. тока
    Макс.Коммутационный ток
    Макс. Коммутационная мощность 62,5 ВА/30 Вт
    Механический ресурс 1×10 8 операций
    Электрический ресурс

    2×10 5 операций 1 A 30 В пост. тока
    1×10 5 операций 0,5 A 125 В перем. тока

    Информация для заказа

    Характеристики

    Сопротивление изоляции 1000 МОм (500 В постоянного тока)

    Диэлектрическая прочность

    Между катушкой и контактами 1000 В переменного тока
    Между разомкнутыми контактами 750 В переменного тока
    Между 2-полюсными контактами 1000 В переменного тока

    Стойкость к перенапряжению

    Между катушкой и контактами 1500 В переменного тока
    Между разомкнутыми контактами 1500 В переменного тока
    Между 2-полюсными контактами 1500 В переменного тока
    Время работы (при ном. вольт) ≤3 мс
    Время срабатывания (при номинальном напряжении) ≤3 мс
    Влажность 98% относительной влажности, 40°C
    Температура окружающей среды -40°С ~ +70°С

    Ударопрочность

    Функциональный 490 м/с 2
      Разрушительный 980 м/с 2

    Виброустойчивость

    Функциональный от 10 Гц до 55 Гц, диаметр 3 мм
      Разрушительный от 10 Гц до 55 Гц 5 мм DA
    Удельный вес Прибл.1,5 г
    Строительство Герметичная упаковка

    Примечания:
    1) Указанные выше данные являются исходными значениями.
    2) Пожалуйста, найдите кривую температуры змеевика в характеристике, приведенной ниже.

    Данные катушки при 20°C

    Односторонний устойчивый

    Номинальное
    Напряжение
    В постоянного тока

    Датчик
    Напряжение
    (макс.)
    В постоянного тока

    Отключение
    Напряжение
    (Мин.)
    В постоянного тока

    Макс.
    Допустимое
    Напряжение
    В постоянного тока

    Катушка
    Сопротивление
    Ом±10%

    3 2,25 0,3 4,5 64,4
    5 3,75 0,5 7,5 178
    6 4,50 0.6 9,0 257
    9 6,75 0,9 13,5 579
    12 9,00 1,2 18,0 1028
    24 18. 00 2,4 36,0 2880
    1 катушка с защелкой

    Номинальное
    Напряжение
    В постоянного тока

    Действие
    Напряжение
    (Макс.)
    В постоянного тока

    Сброс
    Напряжение
    (мин.)
    В пост. тока

    Макс.
    Допустимое
    Напряжение
    В постоянного тока

    Катушка
    Сопротивление
    Ом±10%

    3 2,25 2,25 4,5 90
    5 3,75 3,75 7,5 250
    6 4.50 4,50 9,0 360
    9 6,75 6,75 13,5 810
    12 9,00 9,00 18,0 1440
    24 18. 00 18.00 36,0 3840

    Катушка

    Мощность катушки Односторонний стабильный: 140 мВт (24 В постоянного тока: 200 мВт)
    1 катушка с фиксацией: 100 мВт (24 В постоянного тока: 150 мВт)

    Сертификаты безопасности

    UL&CUL

    0.5 А/125 В переменного тока
    1 А, 2 А/30 В постоянного тока

    Габаритные размеры, схема подключения и расположение печатной платы Единица измерения: дюймы (мм)

    Двухрядный прямой штифт
    Габаритные размеры
    Схема подключения
    (вид снизу)
    Схема печатной платы
    (вид снизу)
    Поверхностный монтаж
    Габаритные размеры
    Схема подключения
    (вид снизу)
    Схема печатной платы
    (вид снизу)

    Примечание:
    1) В случае отсутствия допуска, указанного в габаритном размере: габаритный размер ≤1 мм, допуск должен составлять ±0. 2 мм; размер контура > 1 мм и ≤ 5 мм, допуск должен составлять ± 0,3 мм; размер контура > 5 мм, допуск должен составлять ± 0,4 мм.
    2) Допуск без указания разводки печатной платы всегда составляет ±0,1 мм.

    Характеристические кривые

    Оставайтесь на связи

    Выберите языкАнглийскийКитайскийПортугальский

    Hasco Relays and Electronics International Corp.является американской компанией, которой владеют и управляют американцы.

    Чтобы заказать этот продукт, позвоните по телефону 516-328-9292 или по факсу 516-326-9125. Спасибо.

    Завод:
    Hasco (Сучжоу) Электр. Co. LTD

    Здание № 13, № 859, улица Панджин,
    Зона экономического развития Уцзян, Сучжоу
    Цзянсу 215200
    КНР
    [email protected]

    Углубленная характеристика кремниевого нанопроводного полевого транзистора (SiNW-FET) для нейронной записи и прямого сравнения характеристик с пассивным MEA

    • 1 Корейский передовой институт науки и технологий, кафедрабио- и мозговой инженерии, Корея
    • 2 Корейский передовой институт науки и технологий, Школа электротехники, Корея

    Мотивация Подходы к активным МЭА, такие как полевые транзисторы, были разработаны для встроенного усиления сигнала или обработки данных с минимальными паразитными компонентами. Например, полевые транзисторы на основе нанопроволок привлекли внимание своей высокой чувствительностью. Однако работу этих полевых транзисторов для нейронной записи и то, как их электрические характеристики коррелируют с производительностью нейронной записи, необходимо дополнительно понять. Кроме того, не было предпринято достаточных усилий для прямого сравнения между обычными пассивными МЭС и активными МЭС. В этой работе мы подробно изучили электрические характеристики высокопроизводительных SiNW-FET для нейронной записи и напрямую сравнили их со стандартными пассивными планарными MEA.Материал и методы SiNW-FET с расширенным поликремниевым записывающим электродом затвора изготавливаются в структуре с тремя затворами (длина канала: 130 нм, ширина канала: 50–78 нм). Транзисторы работали в конфигурации усилителя с общим истоком, который может преобразовывать потенциал внеклеточного поля в ток стока транзистора за счет крутизны (gm) до 40 мкСм, что на порядок выше, чем у SiNW-FET, о которых сообщается для нейронной записи. Малошумящие трансимпедансные усилители предназначены для усиления регистрируемого тока транзисторов.Для прямого сравнения использовали стандартный 60-канальный пассивный планарный МЭУ (металлические электроды 30 мкм на стекле). В качестве исходного сигнала мы генерировали и передавали серию пиков потенциала действия в УФ-диапазоне и сигнал Гаусса от функционального генератора через платиновую проволоку, погруженную в фосфатно-солевой буфер. В отличие от сигнала культивируемых нейронных клеток, мы можем точно контролировать свойства сигнала и сравнивать электрические/электрохимические характеристики двух регистрирующих систем. Усиленные выходные напряжения как активных, так и пассивных МЭУ проходят цифровую фильтрацию (150 Гц – 5,5 Гц).5 кГц). В частности, охарактеризованы и сравнены форма и амплитуда записанного сигнала, шумовые характеристики обеих технологий записи и отношение сигнал/шум (SNR). Результаты и обсуждение Для обоих типов MEA записанный сигнал имел ту же форму волны, что и сигнал напряжения источника, что указывает на отсутствие емкостного эффекта на границе раздела поликремниевого электрода/электролита. Амплитуда сигнала, записанного SiNW-FET, точно определяется gm FET. Хотя полевые транзисторы способны преобразовывать сигнал 100 мкВ в токовый сигнал 4 нА, было обнаружено, что собственный шум 1/f полевых транзисторов является ограничивающим фактором для записи сигнала менее ~800 мкВ с хорошим отношением сигнал-шум (>5). .Такое же отношение сигнал-шум при записи было также достигнуто, когда полевой транзистор работал только при напряжении 50 мВ (линейный режим) из-за снижения собственных шумов при более низком рабочем напряжении. Заключение SiNW-FET размером всего 50 нм x 130 нм показал, что он способен регистрировать потенциал внеклеточного поля в УФ-диапазоне. Записанная величина сигнала точно соответствует теоретически оцененным значениям, основанным на электрических характеристиках транзистора. Хотя активный МЭУ в этой работе показал примерно в 7 раз худшее отношение сигнал/шум по сравнению с пассивным МЭУ, дальнейшая оптимизация размера полевого транзистора и уменьшение собственного шума улучшит отношение сигнал-шум для гораздо меньшего исходного сигнала в будущем. Эта информация послужит надежным ориентиром для разработки новых типов полевых транзисторов для нейронной записи.

    Благодарности

    Эта работа была поддержана Программой фундаментальных научных исследований через Национальный исследовательский фонд Кореи (NRF) (NRF-2015R1A2A1A005) и Центром интегрированных интеллектуальных датчиков в качестве проекта Global Frontier (CISS-2011-0031848), оба финансируются Министерством науки. , ИКТ и планирование будущего.Это исследование также было поддержано Институтом KAIST для NanoCentury.

    Ключевые слова: 1/f шум, Нейронная запись, кремниевый нанопровод, Полевой транзистор (FET)

    Конференция: Встреча на Ближнем Востоке и в Африке 2016 | 10-я Международная встреча по интегрированным в подложку электродным решеткам, Ройтлинген, Германия, 28 июня – 1 июля 2016 г.

    Тип презентации: Постерная презентация

    Тема: Встреча на Ближнем Востоке и в Африке 2016 г.

    Цитата: Кан ЧАС, Ким Дж, Чой Y и Нам Д (2016).Углубленная характеристика кремниевого нанопроводного полевого транзистора (SiNW-FET) для нейронной записи и прямого сравнения производительности с пассивным MEA. Передний. Неврологи. Тезисы конференции: Встреча на Ближнем Востоке и в Африке 2016 | 10-я Международная встреча по электродным решеткам, интегрированным в подложку. doi: 10.3389/conf.fnins.2016.93.00062

    Авторские права: Тезисы в этом сборнике не подвергались рецензированию или проверкам Frontiers и не одобрены Frontiers. Они доступны через издательскую платформу Frontiers в качестве услуги для организаторов и докладчиков конференций.

    Авторские права на отдельные рефераты принадлежат автору каждого реферата или его/ее работодателю, если не указано иное.

    Каждый реферат, а также сборник рефератов публикуются под лицензией Creative Commons CC-BY 4.0 (атрибуция) (https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/) и, таким образом, может воспроизводиться, переводиться, адаптироваться и быть предметом производных работ при условии указания авторов и Frontiers.

    Условия и положения Frontiers см. на странице https://www.frontiersin.org/legal/terms-and-conditions.

    Получено: 22 июня 2016 г .; Опубликовано в Интернете: 24 июня 2016 г.

    * Переписка: Д-р Хонки Кан, Корейский передовой институт науки и технологий, кафедра биотехнологии и инженерии мозга, Тэджон, Корея, hongki.

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован.