Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора: простым языком для Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΈΠΊΠΎΠ², схСмы

Вранзисторы Linear Power MOSFET ΠΎΡ‚ Littelfuse – бСзопасная Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅

22 ΠΌΠ°Ρ€Ρ‚Π° 2022

ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌLittelfuseΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΠ΄ΠΈΡΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈMOSFET

Вранзисторы Linear Power MOSFET производства ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Littelfuse ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π±Π΅Π·ΠΎΠΏΠ°ΡΠ½ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² схСмах, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Благодаря использованию ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠ² подавлСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ склонны ΠΊ саморазогрСву, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ способны Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΡΡ‚ΡŒ большС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° Π½Π° кристаллС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ.

ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (MOSFET) Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² качСствС ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², поэтому ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки. Однако Π² рядС ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ², Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² компСнсационных стабилизаторах, усилитСлях класса А ΠΈΠ»ΠΈ элСктронных Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°Ρ… ΠΈΡ… рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π½Π° Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ участкС Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ характСристики.

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ характСризуСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π΅Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΈ достаточно высокого напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° кристаллС довольно большого количСства Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°.

Если кристалл транзистора разогрССтся Π΄ΠΎ критичСской Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Π² Π½Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄ΡƒΡ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΡ‹Π΅ измСнСния ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ Π²Ρ‹ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· строя. Для прСдотвращСния этого Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΡΠ»Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π° элСктричСскими Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΈ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ появлСния опасных тСрмичСских пСрСнапряТСний. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ΅Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ рассСяниС Π½Π° кристаллС большого количСства Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… с прямым смСщСниСм (

Forward-bias Safe Operating Area, FBSOA).

Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ рассмотрим особСнности Π½ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сСмСйства ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Linear Power MOSFET, ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΉ Littelfuse для ΡƒΠ·Π»ΠΎΠ², Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…. ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ этих ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² являСтся Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π½Π°Ρ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, достигаСмая Π·Π° счСт подавлСния Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… связСй ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ элСктротСрмичСской Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ.

УпрощСнная конструкция транзистора Linear Power MOSFET ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС 1. Π’ этих ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°Ρ…, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… MOSFET, сущСствуСт ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ биполярный n-p-n-транзистор, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ областями с Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ проводимости. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ биполярного транзистора Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎ ΡˆΡƒΠ½Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ соСдинСния ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ MOSFET с Π΅Π³ΠΎ истоком, поэтому ΠΎΠ½ остаСтся Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π² ΡΠΊΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… элСктричСских Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ….

Рис. 1. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° Linear Power MOSFET

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ транзисторов Linear Power MOSFET являСтся ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, выполняСмый Π² процСссС производства. Вакая ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° проводится для выявлСния Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΠ² сборки, Π² частности наличия пустот припоя, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… риск возникновСния Ρ‚ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ локального Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ прилоТСниями для транзисторов Linear Power MOSFET ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ схСмы, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… транзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ врСмя Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, элСктронныС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ для тСстирования источников питания.

Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ

Π’ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… силовых MOSFET ΠΏΠΎΠ΄ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ΠΎΠΌ Β«Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉΒ» (Second Breakdown) подразумСваСтся внСзапная потСря управляСмости транзистора с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΡΠ°ΠΌΠΎΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π² состояниС с ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ это ΠΈΠ·-Π·Π° открытия ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ биполярного транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΈΠ·-Π·Π° слишком Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΈΡ… ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ силовых MOSFET, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚. Однако Π² схСмах, Π³Π΄Π΅ рабочая Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ° MOSFET Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ находится Π½Π° Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ участкС Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΉ характСристики, Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ возникновСния Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ пробоя Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ возрастаСт ΠΈΠ·-Π·Π° возмоТности фокусировки Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… участках кристалла, приводящих ΠΊ появлСнию Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… тСрмичСских пСрСнапряТСний.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ области кристалла ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° MOSFET ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ коэффициСнтом сопротивлСния, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π΅ сопротивлСниС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€ΡƒΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ части ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° увСличиваСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ слСдствиС, ΠΊ Π΅Π΅ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ [1].

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния происходит автоматичСскоС пСрСраспрСдСлСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ кристалла, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ нСсколько MOSFET Π±Π΅Π· нСобходимости примСнСния Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π±Π°Π»Π°Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… элСмСнтов.

Однако ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ кристалла ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΊ росту сопротивлСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, Π½ΠΎ ΠΈ ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния – напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком образуСтся проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΈ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния сигнал управлСния Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большС ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, поэтому этот эффСкт Π½Π΅ ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ-Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ влияния Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ транзистора. Однако ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком находится Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ, Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² кристалла ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ Π΅Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ участка. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ находится Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… допустимых Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ΅Π½ Π½Π΅ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΉ саморазогрСв кристалла, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры [2].

2=g_{FS}\left( V_{GS}-V_{GS(TH)} \right),\qquad{\mathrm{(}}{1}{\mathrm{)}}$$

Π³Π΄Π΅:

  • K – ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, зависящий ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ гСомСтричСских Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² транзистора;
  • gFS – ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° Π΅Π³ΠΎ характСристики.

Рис. 2. Виповая Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-ампСрная характСристика ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ MOSFET

ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС VGS Π½Π΅ΠΉΡ‚Ρ€Π°Π»ΠΈΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π·Π°ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» стока, увСличивая количСство элСктронов Π² областях с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (p-областях). По ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ роста напряТСния VGS количСство нСосновных носитСлСй заряда Π² p-областях увСличиваСтся Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии V

GS(TH) ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» p-областСй Π½Π΅ станСт Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Π‘ этого ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком образуСтся проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π», Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ опрСдСляСтся Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π΅ΠΉ напряТСний VGS – VGS(TH) [3].

ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ являСтся ΡΠΎΠ²ΠΎΠΊΡƒΠΏΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΎΠ², ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π±Π΅Π· риска Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ кристалла. Виповая ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… MOSFET Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ прямых смСщСний ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС 3. Она ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½Π° максимально допустимым напряТСниСм ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком V

DSS, максимально допустимым Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ стока IDM, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ линиями, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для максимально допустимой мощности рассСяния PD.

Рис. 3. Виповая ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… MOSFET

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС Π½Π° рисункС 3 ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ линия для ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока (DC) ΠΈ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ для ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 10, 1, 100 ΠΈ 25 мкс. ЛСвая вСрхняя Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ области бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ сформирована Π»ΠΈΠ½ΠΈΠ΅ΠΉ, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉΡΡ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ максимально Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ значСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΏΡ€ΠΈ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ напряТСнии ΠΈ сопротивлСнии ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° RDS(ON).

Π’ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС, максимальноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ мощности PD, которая ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ рассСяна Π½Π° кристаллС, опрСдСляСтся Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»ΠΎΠΉ 2:

$$P_{D}=\frac{T_{Jmax}-T_{C}}{Z_{thJC}}=V_{DS}I_{D},\qquad{\mathrm{(}}{2}{\mathrm{)}}$$

Π³Π΄Π΅:

  • ZthJC – Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ сопротивлСниС «кристалл-корпус»;
  • TJmax – максимально допустимая Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° кристалла MOSFET;
  • TC – Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° корпуса транзистора.

Однако Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π° 2 ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π°, исходя ΠΈΠ· прСдполоТСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ кристалл MOSFET ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ Π²ΠΎ всСх Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°Ρ…, Π° это Π½Π΅ соотвСтствуСт Π΄Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ. НачнСм с Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сторона транзистора, припаянная ΠΊ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ пластинС Π΅Π³ΠΎ корпуса, ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΡƒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρƒ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ области кристалла, Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся СстСствСнным физичСским процСссом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°. Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, кристалл транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π΅Ρ„Π΅ΠΊΡ‚Ρ‹, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, пустоты ΠΈΠ»ΠΈ полости, приводящиС ΠΊ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ увСличСниям Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ слСдствиС, ΠΊ Π»ΠΎΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Ρƒ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΠΈΡ… областСй кристалла. Π’-Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈΡ…, концСнтрация Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΎΠΊ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° изолятора Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ привСсти ΠΊ флуктуациям ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ g

FS ячССк MOSFET, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅Π³Π°Ρ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎ сказываСтся Π½Π° равномСрности ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структуры.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ эти Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΈ отклонСния Π² Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π΅ случаСв бСзопасны ΠΈ Π½Π΅ Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΏΠΎΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ схСмы. Однако Ссли транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Ρ‚ΠΎ послСдствия, Π²Ρ‹Π·Π²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹ΠΌΠΈ нСоднородностями, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ самыми катастрофичСскими, особСнно Π² случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ нахоТдСния транзистора Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ тСпловыдСлСния ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ врСмя, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ для пСрСноса Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° ΠΎΡ‚ кристалла ΠΊ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ.

Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ исслСдований ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ соврСмСнныС ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ MOSFET, ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π² ΠΏΡ€Π°Π²Ρ‹ΠΉ Π½ΠΈΠΆΠ½ΠΈΠΉ ΡƒΠ³ΠΎΠ» области бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ элСктротСрмичСской Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (Electro-Thermal Instability, ETI), приводящСй ΠΊ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΠΈΡ… ΠΈΠ· строя.

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ MOSFET, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Π£ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌ саморазогрСва ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… областСй кристалла ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€ΡŒΠΌΡ этапами:

  • Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ увСличиваСтся Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π° Π² мСстС сущСствования нСоднородности;
  • ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния VGS(TH) Π½Π° этом участкС кристалла, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт;
  • ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ локальной плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° JDS, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½Π° являСтся Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ²Π°Π΄Ρ€Π°Ρ‚Π° разности напряТСний (VGS – VGS(TH))2;
  • ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ локальной плотности Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π΅Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π² мСстС появлСния нСоднородности.

ΠŸΡ€ΠΈ нСблагоприятных условиях, Π½Π° Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… влияСт мноТСство Ρ„Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ², Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ мощности, особСнности конструкции транзистора ΠΈ условий Π΅Π³ΠΎ охлаТдСния, элСктротСрмичСская Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ привСсти ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ вСсь Ρ‚ΠΎΠΊ стока сосрСдоточится Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ области ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. ПодобноС пСрСраспрСдСлСниС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ биполярный транзистор ΠΈΠ·-Π·Π° высокой Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ смоТСт Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии ΠΈ Π½Π°Ρ‡Π½Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠžΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΈΠ΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ биполярного транзистора ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŽ управляСмости MOSFET (Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅), Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ стока пСрСстанСт Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком, ΠΈ для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄Π° MOSFET Π² ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ состояниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ стока ΠΎΡ‚ источника питания ΠΈ Π΄Π°Ρ‚ΡŒ кристаллу ΠΎΡΡ‚Ρ‹Ρ‚ΡŒ. Но ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ схСмС это Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‚ΠΎ Π·Π°Ρ‰Π΅Π»ΠΊΠΈΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ элСктротСрмичСской Π½Π΅ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ ΠΊ Π΅Ρ‰Π΅ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ΅ΠΌΡƒ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΈΠ·-Π·Π° возникшСго ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ слСдствиС, ΠΊ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ кристалла.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ это Π²ΠΎ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, компания Littelfuse Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π° ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠΊΡƒ транзисторов Linear Power MOSFET, ΠΎΠΏΡ‚ΠΈΠΌΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ для использования Π² прилоТСниях, Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… функционирования ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ этих ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² являСтся Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π½Π°Ρ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, достигнутая Π·Π° счСт внСдрСния спСциализированных ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠ² подавлСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… связСй, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ элСктротСрмичСского Ρ€Π°Π·ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π° [3].

Π’ тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° транзисторы Linear Power MOSFET приводится гарантированная ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, рассчитанная с ΡƒΡ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ особСнностСй Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Одним ΠΈΠ· Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… MOSFET являСтся транзистор IXTK22N100L, ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС 4. Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· этого рисунка, Π½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ расчСтныС значСния, Π½ΠΎ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ°, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ проводятся испытания ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΈΠ· этой Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠΊΠΈ.

Рис. 4. ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ MOSFET IXTK22N100L

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ тСхничСскиС характСристики транзисторов Linear Power MOSFET, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ прСдставлСниС ΠΎ возмоТностях этой Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠΊΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π² Ρ‚Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π΅ 1.

Π’Π°Π±Π»ΠΈΡ†Π° 1. ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзисторов Linear Power MOSFET

НаимСнованиСVDSS, Π’ID, АRthJC, К/ВтБСзопасная Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° рассСиваСмой мощности PD
(TC = 90Β°C), Π’Ρ‚
ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ
IXTh34N50L500240,31200 (VDS = 400 Π’, ID = 0,5 А)TO-247
IXTh56N50L500460,18240 (VDS = 400 Π’, ID = 0,6 А)SOT-227B
IXTK22N100L1000220,18240 (VDS = 800 Π’, ID = 0,3 А)TO-264
IXTh40N100L1000300,156300 (VDS = 600 Π’, ID = 0,5 А)SOT-227B

Богласно Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ 2, Π½Π° кристаллС MOSFET IXTK22N100L, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ максимально допустимоС напряТСниС «сток-исток» Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 1000 Π’, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ 700 Π’Ρ‚. Π‘Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒ высокоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ рассСиваСмой мощности ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ достигнуто Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…, Π½ΠΎ Π½Π΅ Π² схСмах, Π³Π΄Π΅ транзистор Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ врСмя Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ компания Littelfuse Π² тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° этот ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ области бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°Ρ…, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ условиях Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ нахоТдСния ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. НапримСр, для транзистора IXTK22N100L максимально допустимая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ корпуса транзистора TC = 90Β°C Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 240 Π’Ρ‚ (VDS = 800 Π’, ID = 0,3 А).

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ примСнСния транзисторов Linear Power MOSFET

Одним ΠΈΠ· ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² практичСского примСнСния транзисторов Linear Power MOSFET ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктронныС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для тСстирования источников питания. ЭлСктронная Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° фактичСски являСтся ΠΏΡ€ΠΎΠ³Ρ€Π°ΠΌΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹ΠΌ рСзистором, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ нСсколькими ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ MOSFET, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Π’ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ схСмС Π²Π΅Ρ€ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ распрСдСлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ транзисторами ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ ΠΌΠ°Π»Π°, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ Π΄Π°ΠΆΠ΅ нСбольшой тСхнологичСский разброс ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² MOSFET, Π² частности, ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹, ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ разбалансировкС схСмы.

Для Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ распрСдСлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ схСмы мСстной ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи Π½Π° основании напряТСний, Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… рСзистивными Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ истока ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. НапряТСниС Π½Π° Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ рСзисторС зависит ΠΎΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠ² ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ схСмы ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ находится Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 1…2 B. ВСпловая ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы опрСдСляСтся Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ коэффициСнтом рСзисторов [2].

Рассмотрим ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° тСстированиС источников питания с Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π΄ΠΎ 600 Π’ ΠΈ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΎ 2 А. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… значСния напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² этой схСмС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ транзисторы с максимально допустимым напряТСниСм ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 600 Π’.

ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°Π΅ΠΌΡƒΡŽ Π±Π»ΠΎΠΊΠΎΠΌ питания, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π΅ 3:

$$P_{0}=I_{0}V_{0},\qquad{\mathrm{(}}{3}{\mathrm{)}}$$

Π³Π΄Π΅:

I0 = 2 А – ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ;

V0 = 600 Π’ – максимальноС напряТСниС источника питания.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, максимальная ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π±Π»ΠΎΠΊΠ° питания Ρ€Π°Π²Π½Π° P0 = 2 Γ—Β 600 = 1200 Π’Ρ‚.

Π’ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎΠΉ элСктронной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы IXTK22N100L, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ максимально допустимоС напряТСниС 1000 Π’ ΠΈ максимально допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ 22 А. Богласно тСхничСской Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ, ΠΈΡ… максимальная рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π²Π½Π° 700 Π’Ρ‚, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π΅Π΅ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 240 Π’Ρ‚. Но ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ запас ΠΏΠΎ всСм ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС, Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚ΠΎ приняв, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° рассСиваСмой мощности Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 80% ΠΎΡ‚ максимально допустимого значСния, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ транзисторС IXTK22N100L Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 192 Π’Ρ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°.

Максимально допустимая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ элСктронной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΡƒΠΌ Π½Π° 20% большС мощности тСстируСмого устройства. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ мощности Π±Π»ΠΎΠΊΠ° питания 1200 Π’Ρ‚ максимально допустимая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, рассСиваСмая Π½Π° транзисторах, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 1440 Π’Ρ‚. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ это число Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΡΡ‚ΡŒ Π½Π° ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ транзисторС (192 Π’Ρ‚), Ρ‚ΠΎ для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ эталонной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ соСдинСнных транзисторов. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ восьми транзисторов IXTK22N100L (1400/192 β‰ˆ 8).

УпрощСнная ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма элСктронной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС 5 [2]. РСзисторы RS1…RS8 ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² качСствС Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзисторов Q1…Q8. ΠžΡ‚ ΠΈΡ… точности зависит Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ распрСдСлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ. НапряТСниС с этих рСзисторов поступаСт Π½Π° ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй U1…U8, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ транзисторами. ΠΠ΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ всСх усилитСлСй соСдинСны вмСстС ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ для установки Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, потрСбляСмого схСмой ΠΎΡ‚ тСстируСмого источника питания. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… усилитСлСй ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°ΠΌ транзисторов Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзисторы RG1…RG8 сопротивлСниСм 5…50 Ом, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… для ограничСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. НаличиС этих рСзисторов являСтся Π½Π΅ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΡƒΡΡ‚ΠΎΠΉΡ‡ΠΈΠ²ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы.

Рис. 5. УпрощСнная ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ схСма элСктронной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 1440 Π’Ρ‚

Благодаря использованию ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠ² подавлСния ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи транзисторы Linear Power MOSFET производства ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°Π½ΠΈΠΈ Littelfuse Π½Π΅ склонны ΠΊ саморазогрСву ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ бСзопасной Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΡŒ ряд ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ ΠΈ бСзопасно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ… Π² схСмах, Π³Π΄Π΅ трСбуСтся Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Вранзисторы Linear Power MOSFET ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° кристаллС большС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΈΡ… Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ, ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ для использования Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π½Π΅ слСдуСт Π·Π°Π±Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° мощности, рассСиваСмой Π½Π° кристаллС Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Π² любом случаС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… схСмах.Β 

Π›ΠΈΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°

  1. Consoli, Alfio et al, β€œThermal Instability of Low-Voltage Power MOSFETs,” IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 15, No. 3, May 2000.
  2. Frey, Richard, Grafham, Denis, Mackewich, Tom, β€œNew 500V Linear MOSFETs for a 120 kW Active Load,” Application Note, Advanced Power Technology (APT), 2000.
  3. Baliga, B. Jayant, β€œPower Semiconductor Devices,Β» PWS Publishing Co., 1996.
  4. Zommer, Nathan, β€œMonolithic Semiconductor Device and Method of Manufacturing Same,” U.S. Patent No. US4860072, August 1989.

ΠžΡ€ΠΈΠ³ΠΈΠ½Π°Π» ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Π²Π΅Π» АлСксандр Русу ΠΏΠΎ Π·Π°ΠΊΠ°Π·Ρƒ АО ΠšΠžΠœΠŸΠ­Π›

β€’β€’β€’

Π›Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎ-практичСская Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° β„–5 ИсслСдованиС ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

Π¦Π•Π›Π˜ Π ΠΠ‘ΠžΠ’Π«

  1. Π˜Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ стоковыС характСристики ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора;

  2. По Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ стоковых характСристик ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ стоко-Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ характСристику ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ UΠ—Π˜;

  3. ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρƒ транзистора S Π² Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌΡƒ участку;

  4. Π‘Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹.

ΠšΠ ΠΠ’ΠšΠ˜Π• Π’Π•ΠžΠ Π•Π’Π˜Π§Π•Π‘ΠšΠ˜Π• Π‘Π’Π•Π”Π•ΠΠ˜Π―

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²: с n- ΠΈ p- ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. Рассмотрим ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор с n- ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (см. рис. 5.1).

На Π΄Π²ΡƒΡ… сторонах ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ пластины n- Ρ‚ΠΈΠΏΠ° созданы Π΄Π²Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… области. Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π²Π΅ p- области соСдинСны вмСстС ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π”Π²Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π° (сток ΠΈ исток) ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π°Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ пластины.

ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя p- областями Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° находится n- ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, называСмая ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. ЕстСствСнныС процСссы Π΄Ρ€Π΅ΠΉΡ„Π° ΠΈ Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΈ зарядов Π½Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ области обСднСния Π½Π° Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π΅ p- Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ n- ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ. Для Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ n- канального ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ внСшний источник напряТСния прикладываСтся Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ сток Π±Ρ‹Π» ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ истоку.

Рис. 5.1 Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° n- канального ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора

Π­Ρ‚ΠΎ внСшнСС напряТСниС Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ стока IΠ‘, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ истоком. Π’ΠΎΠΊ стока Π² n- канальном транзисторС состоит Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΈΠ· элСктронов, исходящих ΠΈΠ· истока. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ источник напряТСния, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком, ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ полюсом ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ, смСщаСт p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΉ сторонС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

Π¨ΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° областСй обСднСния зависит ΠΎΡ‚ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток UΠ—Π˜. Если напряТСниС UΠ—Π˜ станСт ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π΅Π΅, Ρ‚ΠΎ области обСднСния Ρ€Π°ΡΡˆΠΈΡ€ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ°ΡŽΡ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΡŒ области ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π° Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слабСС, Ρ‡Π΅ΠΌ p+ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρ‹. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ этого ΠΊΠ°Π½Π°Π» становится ΡƒΠΆΠ΅ ΠΈ сопротивлСниС Π΅Π³ΠΎ возрастаСт.

Если Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ транзистора Π½Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎ соСдинСн с истоком, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ UΠ—Π˜ = 0 Π’, ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния сток-исток, Ρ‚ΠΎΠΊ стока Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ Π²ΠΎΠ·Ρ€Π°ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ это ΠΈ Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ с ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½Ρ‹Ρ… напряТСниях.

Богласно Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρƒ Ома

Π³Π΄Π΅ RБИ – сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

Π­Ρ‚ΠΎ сопротивлСниС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ распространСниС области обСднСния Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ увСличиваСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния сток-исток. ΠŸΡ€ΠΈ этом ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π° ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ области большС (Π° ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΡƒΠΆΠ΅) Π²ΠΎΠ·Π»Π΅ стока, Ρ‡Π΅ΠΌ Π²ΠΎΠ·Π»Π΅ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ истока.

Если Π΄Π°Π»Π΅Π΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС сток-исток, Ρ‚ΠΎ Π΄Π²Π΅ области обСднСния коснутся Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Π° Π²ΠΎΠ·Π»Π΅ стока. Π­Ρ‚ΠΎ состояниС называСтся отсСчкой. НапряТСниС сток-исток UБИ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ происходит отсСчка, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ напряТСниСм отсСчки, ΠΊΠΎΠΎΡ€ΠΎΠ΅ являСтся Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ. Π£ транзисторов с n- ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ это напряТСниС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π° Ρƒ транзисторов с p- ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ – ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ. ΠŸΡ€ΠΈ дальнСйшСм ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния сток-исток, Ρ‚ΠΎΠΊ стока ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈΠ·-Π·Π° Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ пробоя.

Для опрСдСлСния стоковых характСристик ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ слСдуСт ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ значСния напряТСний Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток, ΠΈ (фиксируя Π΅Π³ΠΎ) ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока Π² зависимости ΠΎΡ‚ напряТСния сток-исток. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, стоковыС характСристики ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ зависимости: IΠ‘(UБИ), ΠΏΡ€ΠΈ UΠ—Π˜ = const.

По Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ стоковых характСристик ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ построСны стоко-Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой зависимости Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока ΠΎΡ‚ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток, снятыС ΠΏΡ€ΠΈ фиксированных значСниях напряТСния сток-исток: IΠ‘(UΠ—Π˜), ΠΏΡ€ΠΈ UБИ = const.

ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора называСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°

снятая ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ постоянном Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния UБИ0. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ Π² качСствС напряТСния UБИ0 Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‚ напряТСниС покоя Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистора. Для транзисторов ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ мощности Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° S измСряСтся Π² мА/Π’.

Рис. 5.1 Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° для снятия сСмСйства стоковых характСристик

ΠŸΠžΠ Π―Π”ΠžΠš ΠŸΠ ΠžΠ’Π•Π”Π•ΠΠ˜Π― Π ΠΠ‘ΠžΠ’Π«

  1. Для построСния стоковых характСристик транзистора слСдуСт ΡΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ схСму, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Π½Π° рис. 5.1. Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½ΠΈΠΉ слСдуСт занСсти Π² Ρ‚Π°Π±Π». 5.1;

  2. По Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚Π°Π±Π». 5.1 ΠΏΠΎΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ стоко-Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½ΡƒΡŽ характСристику ΠΏΡ€ΠΈ UΠ—Π˜ = 6 Π’;

  3. Π’Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρ‹ транзистора S Π½Π° Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ участкС Π΅Π΅ характСристики.

Π’Π°Π±Π». 5.1 Π”Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ для построСния сСмСйства стоковых характСристик

UΠ—Π˜ = 0 Π’

UΠ—Π˜ = 0,1 Π’

UΠ—Π˜ = 0,2 Π’

UΠ—Π˜ = 0,3 Π’

UΠ—Π˜ = 0,4 Π’

UΠ—Π˜ = 0,5 Π’

UКЭ, B

0,2

0,5

1

2

5

7

9

12

РЕЗУЛЬВАВЫ Π ΠΠ‘ΠžΠ’Π«

1. Π‘Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ характСристики транзистора.

2. Бтокозатворная характСристика, снятая ΠΏΡ€ΠΈ UΠ—Π˜ = 6 Π’.

3. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅.

Π’Π«Π’ΠžΠ”Π«

  1. Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ биполярного транзистора ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор Π½Π΅ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ для управлСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ обуславливаСт Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния.

  2. Π‘Ρ‚ΠΎΠΊΠΎ-затворная характСристика ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… значСниях напряТСний UΠ—Π˜ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΉ участок, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ для усилСния сигнала.

  3. ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° транзистора ΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ Π·Π° Π΅Π³ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ; Ρ‡Π΅ΠΌ большС Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° S, Ρ‚Π΅ΠΌ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΌΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами ΠΎΠ½ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚.

Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора

Π”Π΅Ρ‚Π°Π»ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора

Вранзистор Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… состояний
  1. ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ° (отсутствиС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°), ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ.
  2. Π’ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области (Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… дСсятых Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ эмиттСра), ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ для усилитСлСй
  3. ΠŸΡ€ΠΈ насыщСнии (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π½Π° нСсколько дСсятых Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π° Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ эмиттСра), большой Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π΅Π½ для “Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ…” ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ.
Линия Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ транзистора Π₯арактСристичСскиС ΠΊΡ€ΠΈΠ²Ρ‹Π΅
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Β 
Π“ΠΈΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ°***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСщСства R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π° 9002 100192 Назад

НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π’ BE ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° связан с этим напряТСниСм ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ЭбСрса-Молля (ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹ΠΌ ΡƒΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π¨ΠΎΠΊΠ»ΠΈ):

Π³Π΄Π΅
  • T = Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½Π°Ρ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°
  • k = постоянная Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡ†ΠΌΠ°Π½Π°
  • e = заряд элСктрона
Π’ΠΎΠΊ насыщСния Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€Π΅Π½ для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора (ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ сам ΠΏΠΎ сСбС зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹). Π­Ρ‚Π° Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Π° Π² ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ напряТСний ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ². Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΌ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ являСтся
I C =Ξ²I B Π³Π΄Π΅ Ξ² ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ коэффициСнтом усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ξ² Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ΅Π½, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ зависит ΠΎΡ‚ I C , V CE , ΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π°.
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Бсылки
Horowitz & Hill
Sec. 2.10

Floyd
Electronic Devices, ΠŸΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ B

Β 
HyperPhysics***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСщСства R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π°9
Назад
Π’ΠΎΡ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹Π΅ «эмпиричСскиС ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»Π°Β», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠΌΠΎΠ³Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора (ΠΎΡ‚ Horowitz & Hill):
  1. НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр V BE ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,6 Π’ “Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚” Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр, ΠΈ это напряТСниС измСнится ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ,
  2. Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр V BE ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° 60 ΠΌΠ’ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° I C ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π² 10 Ρ€Π°Π·.
  3. Π­Ρ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС эмиттСра ΠΏΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 25/I C Ом.
  4. НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π’ BE зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π½Π° 2,1 ΠΌΠ’/Кл
  5. НапряТСниС Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Π’ BE Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Π’ CE ΠΏΡ€ΠΈ постоянном Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° I C : Ξ”V BE β‰ˆ -0,001Ξ”V CE .
ΠšΡ€ΠΈΠ²Π°Ρ напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр
Index

Reference
Horowitz & Hill
Sec 2.10

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Β 

**4 CondenPhysics**0040 R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π°

Назад
ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ ΠΎ транзисторных участках
ИндСкс

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Бсылка
Бимпсон
CH 5

Π“ΠΈΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° ***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Π°Ρ вСщСство
. 0041
Назад
ВранзисторноС дСйствиС
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Β 
Π“ΠΈΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ°***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСщСства R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π° 9002 100192 Π’Π΅Ρ€Π½ΡƒΡ‚ΡŒΡΡ

ΠΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 99 % ΠΎΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠŸΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ символы, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Π΅ для выраТСния ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора.

ΠŸΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ξ² ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ значСния Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ ΠΎΡ‚ 20 Π΄ΠΎ 200 ΠΈ Π½Π΅ являСтся константой Π΄Π°ΠΆΠ΅ для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. Он увСличиваСтся для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² эмиттСра, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ большСС количСство элСктронов, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Π² Π±Π°Π·Ρƒ, ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ количСство доступных Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ для Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ, поэтому доля, которая Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, Π΅Ρ‰Π΅ большС очСрчиваСтся.

ИспользованиС Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π³ΠΎ усилСния Π±Π΅Ρ‚Π°.
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Β 
Π“ΠΈΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ°***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСщСства R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π° 9002 100192 Назад

Π›ΡŽΠ±Π°Ρ схСма, которая зависит ΠΎΡ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния коэффициСнта усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ξ², являСтся нСисправной схСмой, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ это Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ различаСтся для Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π’Π΅ΠΊΡƒΡ‰Π΅Π΅ усилСниС ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ для:
РасчСт Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ смСщСния ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€
РасчСт ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹Ρ… сопротивлСний ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ эмиттСр 42 ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

Β 
Π“ΠΈΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ°***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСщСства R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π°
Назад

Вранзисторы

Вранзисторы33
Биполярный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ транзистор состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… областСй Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². НСбольшой Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ области ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для управлСния большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ областями (эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€). Устройство ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ мноТСство ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ для усилСния ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.
ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎ эксплуатации Условия Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора
Разновидности транзисторов БвСдСния ΠΎ проводимости Π² транзисторах
ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠŸΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π°Ρ информация ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр
ИндСкс

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ элСктроники

Β 
Π“ΠΈΠΏΠ΅Ρ€Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ°***** ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ вСщСства R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π°
Назад

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° I C ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ I B согласно ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ I C =Ξ²I B , Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр V Π‘Π­ . МСньший Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ больший Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, обСспСчивая усилСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Иногда Π±Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Π° аналогия с ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½ΠΎΠΌ. МСньший Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π±Π°Π·Π΅ дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ Β«ΠΊΠ»Π°ΠΏΠ°Π½Β», ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ больший Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру. Β«Π‘ΠΈΠ³Π½Π°Π»Β» Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ измСнСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ воспроизводится ΠΊΠ°ΠΊ большСС ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»Π΅Π½ΠΈΡŽ этого сигнала.

ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎ эксплуатации ΠšΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΈ ΠΊ структурС К вСрсии pnp
Index

Semiconductor concepts

Semiconductors for electronics

Electronics concepts

Reference
Diefenderfer /Holton
p156

Β 
HyperPhysics***** Condensed Matter R Nave
Назад

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ транзистор Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° усилитСля Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎ эксплуатации
Index

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΈ для элСктроники

ΠšΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ†ΠΈΠΈ элСктроники

Β 
HyperPhysics***** Condensed Matter R Π‘Ρ‚ΡƒΠΏΠΈΡ†Π°
Назад

Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° I C ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ I B согласно ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ I C =Ξ²I B , Ρ‚ΠΎΡ‡Π½Π΅Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр V BE . МСньший Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ больший Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, обСспСчивая усилСниС Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎ эксплуатации Π”ΠΎ вСрсии npn
Index

Semiconductor concepts

Semiconductors for electronics

Electronics concepts

Β 
HyperPhysics***** Condensed Matter R Nave
Назад
Π–ΠΈΡ€Π½Ρ‹ΠΉ тСкст ΠΈ “ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠΈ” ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ссылками Π½Π° Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΈΠ½Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ†ΠΈΡŽ.
Index

Semiconductor concepts

Semiconductors for electronics

Electronics concepts

Β 
HyperPhysics***** Condensed Matter R Nave
Назад

Π§Π°ΡΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… производитСля транзисторов прСдставляСт собой Π½Π°Π±ΠΎΡ€ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ Π΅Π³ΠΎ эксплуатации.

ΠžΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ