Как определить выводы неизвестного биполярного транзистора
Что будет, если перепутать коллектор и эмиттер в схеме
Для опыта мы возьмем простой и всеми нами любимый транзистор КТ815Б:
Соберем знакомую вам схемку:
Для чего я поставил перед базой резистор, читаем здесь.
На Bat1 выставляю напряжение в 2,5 вольта. Если подавать более 2,5 Вольт, то лампочка уже ярче гореть не будет. Скажем так, это граница, после которой дальнейшее повышение напряжение на базе не играет никакой роли на силу тока в нагрузке
На Bat2 я выставил 6 Вольт, хотя лампочка у меня на 12 Вольт. При 12 Вольтах транзистор у меня ощутимо грелся, и я не хотел его спалить. Здесь мы видим, какую силу тока потребляет наша лампочка и даже можем рассчитать мощность, которую она потребляет, перемножив эти два значения.
Ну и как вы видели, лампочка горит и схема нормально работает:
Но что случится, если мы перепутаем коллектор и эмиттер? По логике, у нас ток должен течь от эмиттера к коллектору, потому как базу мы не трогали, а коллектор и эмиттер состоят из N полупроводника.
Но на практике лампочка гореть не хочет.
Потребление на блоке питания Bat2 каких-то 10 миллиампер. Значит, ток через лампочку все-таки течет, но очень слабый.
Почему при правильном подключении транзистора ток течет нормально, а при неправильном нет? Дело все в том, транзистор делают не симметричным.
В транзисторах площадь соприкосновения коллектора с базой намного больше, чем эмиттера и базы. Поэтому, когда электроны устремляются из эмиттера к коллектору, то почти все они “ловятся” коллектором, а когда мы путаем выводы, то не все электроны из коллектора “ловятся” эмиттером.
Кстати, чудом не пробило P-N переход эмиттер-база, так как напряжение подавали в обратной полярности. Параметр в даташите UЭБ макс . Для этого транзистора критическое напряжение считается 5 Вольт, у нас же оно было даже чуть выше:
Итак, мы с вами узнали, что коллектор и эмиттер неравнозначны. Если в схеме мы перепутаем эти выводы, то может произойти пробой эмиттерного перехода и транзистор выйдет из строя. Так что, не путайте выводы биполярного транзистора ни в коем случае!
Как определить выводы транзистора
Способ №1
Думаю, самый простой. Скачать на этот транзистор даташит. В каждом нормальном даташите есть рисуночек с подробными надписями, где какой вывод. Для этого вводим в гугл или яндекс крупненькие циферки и буковки, которые написаны на транзисторе, и рядышком добавляем слово “даташит”. Пока еще не было такого, чтобы я не отыскивал даташит на какой-то радиоэлемент.
Способ №2
Думаю, с поиском вывода базы проблем возникнуть не должно, если учесть, что транзистор состоит из двух диодов, включенных последовательно или катодами, или анодами:
Здесь все просто, ставим мультиметр на значок прозвонки “•)))” и начинаем пробовать все вариации, пока не найдем эти два диода. Вывод, где эти диоды соединяются либо анодами, либо катодами – это и есть база. Чтобы найти коллектор и эмиттер, сравниваем падение напряжение на этих двух диодах.
Для начала рассмотрим транзистор КТ315Б:
Э – эмиттер
К – коллектор
Б – база
Ставим мультиметр на прозвонку и базу находим без проблем. Теперь замеряем падение напряжения на обоих переходах. Падение напряжения на базе-эмиттере 794 милливольт
Падение напряжения на коллекторе-базе 785 милливольт. Мы убедились, что падение напряжения между коллектором и базой меньше, чем между эмиттером и базой. Следовательно, средний синий вывод – это коллектор, а красный слева – эмиттер.
Проверим еще транзистор КТ805АМ. Вот его цоколевка (расположение выводов):
Это у нас транзистор структуры NPN. Предположим, базу нашли (красный вывод). Узнаем, где у него коллектор, а где эмиттер.
Делаем первый замер.
Делаем второй замер:
Следовательно, средний синий вывод – это коллектор, а желтый слева – эмиттер.
Проверим еще один транзистор – КТ814Б. Он у нас PNP структуры. База у него – синий вывод. Замеряем напряжение между синим и красным выводом:
а потом между синим и желтым:
Во фак! И там и там 720 милливольт.
Этот способ этому транзистору не помог. Ну не переживайте, для этого есть третий способ…
Способ №3
Почти в каждом современном муль тиметре есть 6 маленьких отверстий, и рядом какие-то буковки, что-то типа NPN, PNP, E, C, B. Вот эти шесть крохотных отверстий как раз и предназначены для того, чтобы замерять коэффициент бета. Я же эти отверстия буду называть дырками. На отверстия они не очень похожи))).
Ставим крутилку мультиметра на значок “hFE“.
Определяем какой он проводимости, то есть NPN или PNP, в такую секцию его и толкаем. Проводимость определяем расположением диодов в транзисторе, если не подзабыли. Берем наш транзистор, которые в обе стороны показал одинаковое падение напряжения на обоих P-N переходах, и суем базу в ту дырочку, где буковка “В”.
Далее суем оставшихся два вывода в дырочки С и Е в этом ряду и смотрим на показания мультика:
Базу не трогаем, а тупо меняем местами два вывода. Опа-на, мультик показал намного больше, чем в первый раз. Следовательно, в дырочке Е находится в настоящее время эмиттер, а в дырочке С – коллектор. Все элементарно и просто ;-).
Способ №4
Думаю, является самым легким и точным способом проверки распиновки транзистора. Для этого достаточно приобрести Универсальный R/L/C/Transis tor-metr и сунуть выводы транзистора в клеммы прибора:
Он сразу вам покажет, жив ли ваш транзистор. И если он жив, то выдаст его распиновку.
www.ruselectronic.com
Чемм отличаются схемы транзистора с общем эмиттером, коллектором и базой?
Смотря какой транзистор используешь, p-n-p или n-p-n
<a rel=”nofollow” href=”https://ru.wikipedia.org/wiki/Транзистор#.D0.A1.D1.85.D0.B5.D0.BC.D1.8B_.D0.B2.D0.BA.D0.BB.D1.8E.D1.87.D0.B5.D0.BD.D0.B8.D1.8F_.D1.82.D1.80.D0.B0.D0.BD.D0.B7.D0.B8.D1.81.D1.82.D0.BE.D1.80.D0.B0″ target=”_blank” >Схемы включения</a> <img src=”//content.foto.my.mail.ru/bk/temp0x7a40ed/_animated/i-25.gif” >
<img src=”//otvet.imgsmail.ru/download/d32354eb5b67992959b09138adda385d_i-337.jpg” > Вот все, что мы проходили по этой теме, остальное в учебниках. <img src=”//otvet.imgsmail.ru/download/d32354eb5b67992959b09138adda385d_i-338.jpg” ><img src=”//otvet.imgsmail.ru/download/d32354eb5b67992959b09138adda385d_i-339.jpg” ><img src=”//otvet.imgsmail.ru/download/d32354eb5b67992959b09138adda385d_i-340.jpg” >
С общим эмиттором, использование универсальное, усилитель и фазоинвертор, С общим коллектором при работе на низкочастотную нагрузку или от высокочастотного генератора, С базой на наиболее высоких частотах или на высокую нагрузку!
Можно сказть что ОБ усиливает ток напругу коефицент передачи не большой, ОК и ОЭ по смыслу похожи ток ОЭ смещает фазу П. Т. на 180 градусов оба имееют большой коефицент передачи по току. Ну остальные различия 10 листов бумаги не хватит исписать
touch.otvet.mail.ru
Чем эммитер транзистора отличается от коллектора.
Отличаются концентрацией примеси (донорной, если это, к примеру, npn-транзистор) и градиентом концентрации в области перехода. В современных транзисторах (планарно-эпитаксиальных или сходной технологии) эмиттер сильнее легирован, и переход эмиттер-база поэтому более резкий, чем коллекторный. Как следствие – пробивное напряжение эмиттерного перехода намного ниже, чем коллекторного (как правило, это 6,3 В, а для коллекторного – десятки вольт минимум) . От соотношения концентраций примесей в эмиттере и базе зависит и коэффициент инжекции (отношение электронного тока к дырочному) , и чем он выше, тем лучше транзистор. Именно поэтому и делают эмиттер сильно легированным, чтоб переход получился как можно несимметричнее.
В эммитере меньше основных носителей. И он просто меньше коллектора. Это для биполярных
коллектор отличается от эмиттера, главное отличие коллектора — бо́льшая площадь p — n-перехода
Да, площадь коллекторного перехода больше эмиттерного. Это для того, чтобы носители заряда, инжектируемые эмиттером, проходящие через базу, полнее собирались коллектором.
touch.otvet.mail.ru
Как определить выводы транзистора, цоколевка
Как определить выводы транзистора мультиметром
Иногда бывают ситуации, когда необходимо определить выводы транзистора, где находится база, коллектор и эмиттер, а справочной информации об этом под рукой нет. Но здесь нет ничего сложного если под рукой есть мультиметр или тестер.
Итак, как определить выводы у транзистора, базу, коллектор и эмиттер мультиметром?
В первую очередь, нужно определить вывод базы. Для этого плюсовым (красным) щупом мультиметра касаемся, одного из выводов транзистора, например левого, а минусовым (черным) касаемся остальных выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр. Затем касаемся плюсовым среднего вывода, а минусовым левого и правого. Продолжаем менять местами щупы до тех пор пока не найдем такое положение щупов, при котором касаясь щупом одного из выводов, а другим двух остальных, мультиметр будет показывать некоторое сопротивление.
Например на фотографии видно, что касаясь плюсовым щупом среднего вывода, а минусовым левого и правого, мультиметр показывает сопротивление переходов.
Отсюда делаем вывод, от то базой данного транзистора является средний вывод.
Теперь анализируя значение сопротивлений переходов нетрудно определить где у транзистора находится эмиттер. Дело в том, что значения сопротивлений база — эмиттер и база — коллектор неодинаковое. У перехода база — эмиттер это значение будет больше. На фотографии видно, что между базой (средний вывод) и правым выводом сопротивление перехода больше, значит это и есть эмиттер.
У транзисторов имеющих теплоотвод для установки на радиатор, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером. Зная расположение коллектора, базу и эмиттер определить будет и вовсе легко.
Отсюда можно определить, что это за транзистор (его структуру), p-n-p (прямой) или n-p-n (обратный). База определилась плюсовым выводом
n-p-n обратный транзистор
(красным), это соответствует n-p-n обратному транзистору.
p-n-p прямой транзистор
Если база определилась минусовым щупом, то это p-n-p транзистор. Рис. выше.
data-matched-content-rows-num=”4,8″ data-matched-content-columns-num=”1,4″ data-matched-content-ui-type=”image_stacked” data-ad-format=”autorelaxed”>
xn--80aanab4adj2bicdg1q.xn--p1ai
Биполярный Транзистор. Сопротивление коллектора, эмиттера, базы. Почему они различаются?
Физически имеется только сопротивление тела базы rб. rэ это не “сопротивление эмиттера”, а динамическое сопротивление эмиттерного перехода. Оно больше rб в h31э раз, так как напряжение одно и то же, а ток вот во столько раз больше. Никакого сопротивления коллектора нет, эта цепь совершенно не омическая. Можно говорить о выходном (внутреннем) сопротивлении (дифференциальном) . Оно действительно будет сотни колоом, так как коллекторный ток мало зависит от напряжения на коллекторе. Можно также просто поделить напряжение на ток, но только это не будет никаким сопротивлением.
Не совсем ясно, какой схемой замещения вы пользовались. Было бы проще, если бы показали. Если это то, о чем я думаю, и сопротивление э-к равно сумме э и к сопротивлений, то непонятно, почему так много. Так. Пусть транзистор Н-П-Н. Тогда электроны из эммитера инжектируются в базу. сопротивление для них мало. в базе они являются уже не основными носителями, т. к. там основные дырки (П-тип) . Переход База-коллектор ускоряет эти электроны и они попадают на выход. значит – сопротивление Э-К ооооочень маленькое. Дырки из базы могут бежать только в эммитер, уменьшая сопротивление Э-Б, но их на пару порядков меньше электроны. Сопротивление Б-К ооочень большое – потому что между ними барьер: электроны К не могут его преодолеть также как и дырки Б. Возьмите хороший учебник и почитайте. Он даст вам полный обзор, а не кусочные знания. Если препод придрался, значит что-то не понимаете. Нравится учебник
touch.otvet.mail.ru