Эмиттер и коллектор: эмиттер | это… Что такое коллектор-эмиттер?

Где у транзистора база коллектор эмиттер

Для опыта мы возьмем простой и всеми нами любимый транзистор КТБ:. Соберем знакомую вам схемку:. Для чего я поставил перед базой резистор, читаем здесь. На Bat1 выставляю напряжение в 2,5 вольта. Если подавать более 2,5 Вольт, то лампочка уже ярче гореть не будет. Скажем так, это граница, после которой дальнейшее повышение напряжение на базе не играет никакой роли на силу тока в нагрузке.

Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

• Биполярный транзистор.
• Определение цоколевки и типа транзистора
• 3. ТРАНЗИСТОРЫ
• Транзистор
• Проверка биполярного транзистора мультиметром
• Проверка исправности биполярного транзистора мультиметром
• Как определить выводы транзистора, цоколевка
• Как определить выводы транзистора
• Немного о транзисторах…

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Усиление с помощью p-n-p транзистора

Биполярный транзистор.

Показания низкого сопротивления с черным отрицательным – выводом на базе соответствует N-типу материала в базе PNP транзистора. Эмиттер P-типа соответствует другому концу стрелки перехода база-эмиттер. Коллектор очень похож на эмиттер и так же является материалом P-типа PN-перехода. Здесь я предполагаю использовать мультиметр с единственной функцией измерения сопротивление для проверки PN-переходов. Некоторые мультиметры оснащены двумя отдельными функциями измерения: сопротивление и “проверка диода”, каждая служит своей цели.

Разумеется, показания мультиметра будут совершенно противоположными для NPN транзистора, причем оба PN-перехода будут направлены в противоположную сторону. Эта разница прямых напряжений обусловлена несоответствием концентрации легирования между областями эмиттера и коллектора: эмиттер представляет собой кусок полупроводникового материала, гораздо более легированный, чем коллектор, в результате чего его переход с базой создает более высокое прямое падение напряжения.

Зная это, становится возможным определение назначение выводов на немаркированном транзисторе. Это важно, потому что корпуса, к сожалению, не стандартизированы.

Разумеется, все биполярные транзисторы имеют три вывода, но расположение этих трех выводов на реальном физическом корпусе не имеет универсального стандартизированного порядка.

Измерения между парами выводов и запись значений, отображаемых мультиметром, дают ему следующие данные. Единственными комбинациями тестовых измерений, дающих на мультиметре показания, говорящие о проводимости, являются выводы 1 и 3 красный щуп на выводе 1, черный щуп на выводе 3 и выводы 2 и 3 красный щуп на выводе 2, черный щуп на выводе 3. Эти два показания должны указывать на прямое смещения перехода эмиттер-база 0, вольт и перехода коллектор-база 0, вольт.

Теперь мы ищем один провод, общий для обоих показаний проводимости. Это должен быть вывод базы транзистора, поскольку база единственным слоем трехслойного устройства, общего для обоих PN-переходов база-эмиттер и база-коллектор.

В этом примере это провод номер 3, являющийся общим для комбинаций тестовых измерений и Таким образом, это PNP-транзистор с базой на выводе 3, эмиттером на выводе 1 и коллектором на выводе 2, как показано на рисунке ниже. Это довольно частый случай, и, как правило, это часто путает новых студентов.

Единственный способ определить назначение выводов — это проверка мультиметром или чтение технического описания на конкретную модель транзистора. Это также полезно для быстрой проверки работоспособности транзистора. Если техник измерит проводимость между тремя выводами в разных комбинациях, он или она сразу узнает, что транзистор неисправен или что это не биполярный транзистор, а что-то еще — отличная возможность, если на детали нет маркировки для точной идентификации!

Чтобы лучше проиллюстрировать этот парадокс, рассмотрим одну из схем транзисторных ключей, используя для представления транзистора физическую схему как показано на рисунке ниже , а не условное обозначение. Так легче будет видеть два PN-перехода. Диагональная стрелка серого цвета показывает направление потока электронов через переход эмиттер-база. Эта часть имеет смысл, так как электроны протекают от эмиттера N-типа к базе P-типа, очевидно прямое смещение перехода.

Однако с переходом база-коллектор совсем другое дело.

Обратите внимание, как толстая стрелка серого цвета указывает в направлении потока электронов вверх от базы к коллектору. С базой из материала P-типа и коллектором из материала N-типа, это направление потока электронов явно указывает на направление, противоположное тому, с каким ассоциируется PN-переход!

Однако открытый насыщенный транзистор демонстрирует очень малое противодействие электронам на всем пути от эмиттера к коллектору, о чем свидетельствует свечение лампы! Когда я впервые узнал о работе транзистора, я попытался построить свой собственный транзистор из двух диодов, включенных в противоположных направлениях, как показано на рисунке ниже.

Моя схема не работала, и я был озадачен. То, что происходит в транзисторе, заключается в следующем: обратное смещение перехода база-коллектор предотвращает протекание тока коллектора, когда транзистор находится в режиме отсечки закрыт, то есть при отсутствии тока базы.

Это поведение зависит от квантовой физики полупроводниковых переходов и может иметь место только тогда, когда два перехода расположены правильно, и концентрации легирования этих трех слоев распределены правильно.

То, что концентрации легирования играют решающую роль в особых способностях транзистора, еще раз подтверждается тем фактом, что коллектор и эмиттер не являются взаимозаменяемыми.

Если транзистор просто рассматривается как два противоположно направленных PN-перехода или просто как N-P-N или P-N-P сэндвич материалов, может показаться, что любой конец этого сэндвича может служить в качестве коллектора или эмиттера.

Это, однако, неверно. Несмотря на то, что эти оба слоя эмиттер и коллектор биполярного транзистора имеют один и тот же тип легирования либо N, либо P , коллектор и эмиттер определенно не одинаковы! Ток через переход эмиттер-база позволяет протекать току через обратно смещенный переход база-коллектор.

Более конкретно, любая заданная величина тока от эмиттера к базе допускает протекание ограниченной величины тока от базы к коллектору. На каждый электрон, который проходит через переход эмиттер-база и через вывод базы, через переход база-коллектор проходит определенное количество электронов и не более. На сайте работает сервис комментирования DISQUS, который позволяет вам оставлять комментарии на множестве сайтов, имея лишь один аккаунт на Disqus.

Радиоэлектроника Схемотехника Основы электроники и схемотехники Том 3 – Полупроводниковые приборы. Введение в биполярные транзисторы BJT Биполярный транзистор как ключ БТ, BJT Проверка биполярного транзистора мультиметром Активный режим работы биполярного транзистора Усилительный каскад с общим эмиттером Усилительный каскад с общим коллектором Усилительный каскад с общей базой Каскодный усилитель Методы смещения биполярные транзисторы Расчет смещения биполярные транзисторы Подключение входа и выхода биполярные транзисторы Обратная связь биполярные транзисторы Входное и выходное сопротивления усилителя БТ, BJT Токовые зеркала биполярные транзисторы Параметры и корпуса биполярных транзисторов Особенности биполярных транзисторов.

Сообщить об ошибке. Ваше имя. Ваш email для ответа.

Определение цоколевки и типа транзистора

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента например, в схемах ТТЛ. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты [1]. С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Кроме того, сильное легирование эмиттерного слоя обеспечивает лучшую инжекцию неосновных носителей в базовый слой, что увеличивает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление. Общая площадь перехода база-эмиттер выполняется значительно меньше площади перехода коллектор-база, что увеличивает вероятность захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает коэффициент передачи.

Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение.

3. ТРАНЗИСТОРЫ

Теория и практика. Кейсы, схемы, примеры и технические решения, обзоры интересных электротехнических новинок. Уроки, книги, видео. Профессиональное обучение и развитие. Сайт для электриков и домашних мастеров, а также для всех, кто интересуется электротехникой, электроникой и автоматикой. Как проверить транзистор. Проверку транзисторов приходится делать достаточно часто. Даже если у Вас в руках заведомо новый, не паяный ни разу транзистор , то перед установкой в схему лучше все-таки его проверить. Нередки случаи, когда купленные на радиорынке транзисторы, оказывались негодными, и даже не один единственный экземпляр, а целая партия штук на 50 – Чаще всего это происходит с мощными транзисторами отечественного производства, реже с импортными.

Транзистор

Регистрация Вход. Ответы Mail. Вопросы – лидеры Квадрокоптер летит токо в верх модель YH 1 ставка. Не взлетает квадрокоптер 1 ставка. Перестал работать Mi band 4 1 ставка.

Приветствую вас дорогие друзья!

Проверка биполярного транзистора мультиметром

В первую очередь, нужно определить вывод базы. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр. Затем касаемся плюсовым среднего вывода, а минусовым левого и правого. Продолжаем менять местами щупы до тех пор пока не найдем такое положение щупов, при котором касаясь щупом одного из выводов, а другим двух остальных, мультиметр будет показывать некоторое сопротивление. Например на фотографии видно, что касаясь плюсовым щупом среднего вывода, а минусовым левого и правого, мультиметр показывает сопротивление переходов. Теперь анализируя значение сопротивлений переходов нетрудно определить где у транзистора находится эмиттер.

Проверка исправности биполярного транзистора мультиметром

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в году тремя учёными — Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли. Несмотря на то, что первый транзистор имел не очень презентабельный вид, это не помешало ему произвести революцию в радиоэлектронике. Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет подверженных вибрации частей, обладает компактными размерами. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике.

Эмиттер P-типа соответствует другому концу стрелки перехода база- эмиттер. Коллектор очень похож на эмиттер и так же является.

Как определить выводы транзистора, цоколевка

Транзисторы подразделяются на биполярные и полевые. Каждый из этих типов имеет свой принцип работы и конструктивное исполнение, однако, общим для них является наличие полупроводниковых p-n структур. Определение “биполярный” указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают участие носители заряда двух типов – электроны и дырки. Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов.

Как определить выводы транзистора

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления h31э пробники вещь даже очень нужная.

Как определить выводы транзистора мультиметром.

Немного о транзисторах…

О компании Реквизиты Сотрудники Вакансии. Информация Сертификаты Вопрос-ответ Справочники. Общие положения Оплата и доставка Гарантия на товар Заказать товар. Биполярные транзисторы: устройство, принцип и режимы работы, схема включения, применение, основные параметры Основной функцией биполярного транзистора БТ является увеличение мощности входного электрического сигнала. Эти полупроводниковые радиокомпоненты появились, как альтернатива электровакуумных триодов, и со временем практически вытеснили их из отрасли. Справедливости ради заметим, что лампы применяются и до сих пор, но в очень и очень узком сегменте аппаратуры специального назначения.

Ключевое преимущество этих элементов состоит в миниатюрности.

Полупроводниковые транзисторы делятся на биполярные и полевые. Первые гораздо более распространены в электронике. Поэтому начнем разбираться с работой биполярного транзистора именно с него.

Устройство биполярного транзистора и принцип действия

Рис. 1. Устройство n-p-n транзистора и его условное обозначение. Биполярные транзисторы, определение, вольт – амперные характеристики, принцип работы и классификация полупроводниковых приборов мы подробно рассматривали на странице http://www.xn--b1agveejs.su/radiotehnika/202-bipolyarnye-tranzistory.html. Для того чтобы усвоить материал, одной статьи мало, две хорошо, а сотни статей еще лучше. В этой статье рассмотрим принцип действия биполярных транзисторов на простом, доступном языке. Биполярный транзистор состоит из двух p-n переходов, образованных слоями полупроводников с примесями. На рис. 1. показана самая простая конструкция n-p-n транзистора. Тонкий слой слабо легированного полупроводника р-типа (база) расположен между двумя более толстыми слоями n-типа (эмиттер и коллектор). Толщина базы может быть меньше одного микрона. Рис. 2. Иллюстрация работы транзистора: (а) тока базы нет, (б) ток базы течет. На рис. 2. показан транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером. В схеме, приведенной на рис. 2.(a), ток базы не течет, а в схеме на рис. 2.(б) переключатель S замкнут, позволяя току из батареи В1 течь в базу транзистора. Сначала рассмотрим схему на рис. 2.(a). Важно отметить, что переход коллектор-база смещен в обратном направлении и имеющийся потенциальный барьер препятствует потоку основных носителей. Таким образом, пренебрегая утечкой, можно считать, что при разомкнутом ключе S коллекторный ток равен нулю. Теперь рассмотрим, что произойдет, когда ключ S замкнут (рис. 2.(б)). Переход база-эмиттер становится смещенным в прямом направлении, а переход коллектор-база остается смещенным в обратном направлении. Благодаря смещению перехода база-эмиттер в прямом направлении электроны из эмиттера n-типа посредством диффузии проходят по базе р-типа по направлению к обедненному слою на переходе база-коллектор. Эти электроны, являющиеся неосновными носителями в области базы, достигнув обедненного слоя, по потенциальному барьеру «как с горки» быстро скатываются в коллектор, создавая тем самым в транзисторе коллекторный ток. Действие смещенного в прямом направлении перехода база-эмиттер напоминает открывание ворот и позволяет току протекать по цепи эмиттер-коллектор. Таков принцип действия биполярного транзистора. Следующий момент требует объяснения. Почему электроны не рекомбинируют с дырками в базе р-типа в процессе диффузии в сторону коллектора? Ответ состоит в том, что базу делают совсем слабо легированной, то есть с низкой концентрацией дырок, и очень тонкой; следовательно, имеется лишь малая вероятность того, что электрон будет перехвачен дыркой и рекомбинирует. Когда электрон рекомбинирует в области базы, происходит кратковременное нарушение равновесия, поскольку база приобретает отрицательный заряд. Равновесие восстанавливается с приходом дырки из базовой батареи В1 Батарея В1 является источником дырок для компенсации рекомбинирующих в базе, и эти дырки образуют базовый ток транзистора. Благодаря базовому току в базе не происходит накопления отрицательного заряда и переход база-эмиттер поддерживается смещенным в прямом направлении, а это, в свою очередь, обеспечивает протекание коллекторного тока. Таким образом, транзистор является прибором, управляемым током. Отношение тока коллектора к току базы называется коэффициентом усиления тока (hFE). Он должен равняться числу электронов в секунду, успешно проследовавших от эмиттера к коллектору, деленному на число рекомбинировавших. В типичном маломощном кремниевом транзисторе приблизительно 1 из 100 электронов рекомбинирует в базе, так что усиление тока имеет значение порядка 100. Фактически в работе транзистора принимают участие как электроны, так и дырки, что отличает его от униполярного или полевого транзистора. Ранее упоминалось, что при смещении p-n перехода в прямом направлении текущий по нему ток образуют как электроны, так и дырки. Но при рассмотрении смещенного в прямом направлении перехода база-эмиттер мы пока учитывали только электроны, пересекающие этот переход. Такой подход оправдан практически, поскольку область эмиттера n-типа специально легируется очень сильно, чтобы обеспечить большое число свободных электронов, в то время как область базы легируется совсем слабо, и это дает настолько мало дырок, что ими можно пренебречь при рассмотрении тока через переход база-эмиттер. Эмиттер так сильно легирован, что напряжение лавинного пробоя перехода база-эмиттер обычно всего лишь 6 В. Этот факт нужно иметь в виду при работе с некоторыми переключающими схемами, где необходимо позаботиться о том, чтобы обратные смещения не были слишком большими. Но это обстоятельство может быть и полезным, поскольку переход база-эмиттер маломощного транзистора ведет себя как 6-вольтовый стабилитрон и иногда используется в этом качестве. Эффекты второго порядка. Зависимость коллекторного тока от тока базы Рис. 3. Типичная зависимость коллекторного тока от тока базы в маломощном кремниевом транзисторе. На рис. 3. показан график зависимости коллекторного тока от тока базы для маломощного кремниевого транзистора: наблюдается линейная зависимость IC от IB в широком диапазоне значений коллекторного тока. Однако при малом токе базы коэффициент усиления тока несколько уменьшается. Этот эффект можно объяснить, рассматривая поведение электронов в базе: при очень малом базовом токе ничто не способствует электронам, попавшим из эмиттера в базу, достичь коллектора; только приблизившись к обедненному слою коллектор-база, они затягиваются полем. До этого электроны, совершая случайные блуждания, просто диффундируют сквозь базу, и любой из них может стать жертвой рекомбинации с какой-нибудь встретившейся дыркой. При больших значениях базового тока условия для электронов благоприятнее. Дырки, инжектируемые в виде базового тока, создают небольшое электрическое поле в базе, которое помогает электронам в их движении к обедненному слою. Таким образом, при умеренных токах коллектора (порядка 1 мА) коэффициент усиления тока будет больше, чем при малых токах коллектора (порядка 10 мкА). При очень больших токах коллектора, когда заселенность базы дырками становится слишком большой, усиление начинает падать. База ведет себя так, как будто она легирована сильнее, чем это есть в действительности, так что значительная часть тока, текущего через эмиттерный переход, состоит из дырок, движущихся из базы в эмиттер так же, как полезные электроны, двигающиеся в другом направлении, к коллектору. Таким образом, все большая и большая часть базового тока является «пустой породой» и поэтому коэффициент усиления тока падает. Этот эффект важен в мощных усилителях, где он может приводить к искажению формы сигнала при больших токах коллектора. В связи с тем, что зависимость коллекторного тока от тока базы является нелинейной, существуют два определения для коэффициента усиления тока транзистора в схеме с общим эмиттером. Коэффициент усиления постоянного тока получается просто делением тока коллектора на ток базы; его обозначают hFE В или β и он важен для переключающих схем. Однако в большинстве случаев, когда речь идет об усилении, мы имеем дело только с небольшими приращениями коллекторного тока, и более подходящим способом определения коэффициента усиления тока является отношение приращения коллекторного тока к приращению тока базы, которое называется коэффициентом усиления тока hfe или β в режиме малого сигнала. Из рис. 3. следует, что hfe=ΔIC/ΔIB. Для большинства практических целей можно считать, что hFE и hfe равны. Ток утечки между коллектором и базой Хотя переход коллектор-база смещен в обратном направлении, все же существует очень небольшой ток утечки из коллектора в базу, обозначаемый ICBO поскольку он измеряется с разомкнутой цепью эмиттера. В кремниевом транзисторе при комнатной температуре ICBO очень мал, обычно менее 0,01 мкА. Однако в случае, когда транзистор включен в схему с общим эмиттером и цепь базы разорвана, как показано на рис. 2.(a), ток ICBO протекающий по переходу коллектор-база, должен течь в эмиттер, для которого он неотличим от внешнего тока базы. Таким образом, ICBO усиливается транзистором, и ток утечки между коллектором и эмиттером возрастает до значения ICEO = hFE/ICBO которое может доходить до 1 мкА. Поскольку ток ICBO в значительной степени является результатом теплового нарушения связей, он увеличивается приблизительно вдвое с ростом температуры на каждые 18 градусов Цельсия. Когда ICBO становится сравнимым с нормальным током коллекторной цепи, транзистор обычно считается слишком горячим. Кремниевые p-n переходы могут работать до 200 °С, а германиевые, имеющие много больший ток утечки, только до 85 °С. Когда кремниевый транзистор работает при комнатной температуре, токами ICBO и ICEO можно практически полностью пренебречь. В германиевом транзисторе при комнатной температуре (20 °С) ток ICBO имеет значение порядка 2 мкА, так что при hFE = 100 ток ICEO будет равен 200 мкА. Этот относительно большой ток утечки является той причиной, по которой германиевые транзисторы вышли из употребления, за исключением специальных целей, когда требуется малая разность потенциалов на германиевом p-n переходе, смещенном в прямом направлении. n-p-n и p-n-p транзисторы Описание работы транзистора, данное выше, относится к наиболее распространенным n-р-n транзисторам; также легко доступны р-n-р транзисторы, очень полезные для целого ряда комплементарных схем, так как они обладают характеристиками, идентичными с n-р-n транзисторами, но требуют напряжения питания противоположной полярности. Тогда как в n-р-n транзисторе ток коллектора состоит из электронов, в р-n-р транзисторе он состоит из дырок. Аналогично, ток базы является электронным током, а не дырочным. На рис. 4. показана структура р-n-р транзистора и его условное обозначение. Рис. 4. Устройство р-n-р транзистора и его условное обозначение.   Материалы по теме: Усилитель напряжения на биполярном транзисторе Транзисторы – режим насыщения

Транзисторные клеммы (эмиттер, коллектор и база)

Как уже упоминалось, транзистор представляет собой монокристалл, в котором есть два перехода P-N, как показано на рис. 10.1. Идея состоит в том, чтобы иметь первую секцию для подачи зарядов (либо дырок, либо электронов), которые будут собираться третьей секцией через среднюю секцию. Одна боковая секция, подающая свободные заряды, называется эмиттером, другая боковая секция, собирающая эти заряды, называется коллектором, а средняя секция, образованная между эмиттером и коллектором, называется базой. Терминалы с тремя транзисторами обсуждаются ниже

1. Эмиттер – это левая часть (или область) транзистора, основная функция которой заключается в подаче основных носителей заряда (электронов в случае NPN-транзисторов и дырок в случае P-N-P транзисторов) на базу. Эмиттер всегда смещен в прямом направлении w.r.t. базу так, чтобы она могла поставлять на базу большинство носителей заряда. Эмиттер сильно легирован, так что он может инжектировать большое количество носителей заряда. Он имеет умеренный размер, чтобы поддерживать сильное легирование без его разбавления или образования в нем сетки.

2. Коллектор – это правая часть транзистора, основная функция которой заключается в сборе большинства носителей заряда. Коллектор всегда смещен в обратном направлении, чтобы отодвинуть носители заряда от его соединения с базой. Он умеренно легирован, чтобы избежать возможности образования сетки даже после удаления носителей из эмиттера. Большой размер, чтобы выдерживать температуру, создаваемую коллектором.

3. База — это средняя часть транзистора, очень слабо легированная, чтобы уменьшить рекомбинацию в базе, чтобы увеличить ток коллектора, и очень тонкая (порядка мкм) по сравнению с любым эмиттером. или коллектор, чтобы он мог пропускать большую часть инжектированных носителей заряда к коллектору.

База образует два перехода, то есть эмиттерный и коллекторный, каждый из которых имеет собственное барьерное напряжение. Переход эмиттер-база с прямым смещением обеспечивает низкое сопротивление току эмиттера, тогда как переход коллектор-база с обратным смещением обеспечивает высокое сопротивление току коллектора. Поскольку сопротивление перехода эмиттер-база очень мало по сравнению с сопротивлением перехода коллектор-база, поэтому прямое смещение, приложенное к переходу эмиттер-база, обычно очень мало, тогда как обратное смещение на переходе коллектор-база намного больше. .

В большинстве транзисторных выводов область коллектора физически больше, чем область эмиттера, поскольку коллектор должен рассеивать большую мощность. Из-за этой разницы коллектор и эмиттер не взаимозаменяемы. Однако для удобства принято изображать эмиттер и коллектор одинакового размера.

Что касается символов, то наконечник всегда находится у эмиттера. Направление указывает обычное направление протекания тока (от эмиттера к базе в случае транзистора P-N-P и от базы к эмиттеру в случае транзистора NPN). Как правило, для коллектора не указывается стрелка, так как его обратный ток утечки всегда противоположен направлению тока эмиттера.

транзисторов. В чем разница между эмиттером и коллектором для биполярных транзисторов?

Спросил 10 лет, 4 месяца назад

Изменено 2 года, 10 месяцев назад

Просмотрено 36 тысяч раз

\$\начало группы\$

(наверняка упрощенная) модель биполярного транзистора, которую преподают в фундаментальном курсе физики, кажется симметричной. – Итак, чем отличается коллектор от эмиттера настоящего биполярного транзистора? Если бы транзистор был симметричным, этого различия не было бы…

Также:

• Имеют ли BJT падение напряжения 0,6 В, как у диодов?
• Являются ли биполярные транзисторы проводящими в обоих направлениях, т. е. E-C и C-E?

Большое спасибо.

• транзисторы
• физика

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

Да, BJT имеют такое же падение напряжения на переходах, как и обычные диоды, то есть от 0,6 до 0,7 В между базой и эмиттером и такое же между базой и коллектором. Поскольку переходы действуют как диоды, они не проводят ток в обоих направлениях, если вы прикладываете напряжение к двум контактам.

При использовании NPN-транзистора в качестве транзистора ток будет проходить от коллектора к эмиттеру через базу, даже если переход база-коллектор смещен в обратном направлении.

Стрелки указывают поток электронов , не обычный поток. Обычный поток идет от положительного к отрицательному и всегда используется при анализе цепей. Но обычный поток не может объяснить детали работы транзистора, поэтому здесь показан поток электронов.