Эмиттер коллектор база на схеме: СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА

2 (вольт – частотная корректировка) 3. Добавить вентиляторную…

• ПЧ
• Скалярное управление
• АД

14.12.2022

• Отвеченный вопрос
• 13.12.2022

Другое, Математика и статистика, Цифровая обработка сигналов

Здравствуйте. Подскажите пожалуйста как (и можно ли вообще) решить систему квадратных уравнений. eqn1=(x-y)/(A0-x-y)/(m0-x-2*y)==K1; eqn2=y/(x-y)/(m0-x-2*y)==K2; То есть выразить переменные x и y чер…

Здравствуйте. Подскажите пожалуйста как (и можно ли вообще) решить систему квадратных уравнений. eqn1=(x-y)/(A0-x-y)/(m0-x-2*y)==K1; eqn2=y/(x-y)/(m0-x-2*y)==K2; То есть выразить переменные x и y чер…

2 Ответа

• Публикация
• 07.12.2022

Электропривод и силовая электроника

Наша команда представила решение для электроэнергетической отрасли на базе КПМ РИТМ. В очередной раз мы провели демонстрацию работы стенда с терминалами РЗиА (ВАЖНО! – мы не занимаемся рекламой сипротеков, на их месте может быть любой терминал, в том числе и В.

..

На прошлой неделе прошел международный форум «Электрические сети», который объединил десятки ведущих представителей профессионального сообщества электроэнергетики, а также задал вектор развития для внедрения новых прорывных технологий.

• Электропривод
• электроэнергетика

07.12.2022

• Публикация
• 07.12.2022

Робототехника и беспилотники

В докладе будет рассказано о применении алгоритмов обучения с подкреплением к различным задачам: от простых игровых задач до задачи навигации мобильного робота. Также будут представлены результаты сравнения различных алгоритмов в задачах избежания столкновения…

Приглашаем на вебинар «Обучение с подкреплением: от игр к реальным задачам», который пройдет 13 декабря в 10:00.

В настоящее время технологии обучения с подкреплением активно применяются во многих сферах: от ритейла до автономных транспортных средств. Может быть лучше: основной сложностью этого подхода является отсутствие размеченных данных, и, к сожалению, нет формализованного подхода как данные могут быть размечены для этой задачи. Другая сложность — это формализация функции вознаграждения. От удачного ее выбора зависит конечный успех настройки алгоритма управления.

• MATLAB
• Simulink
• САУ
• МОП
• Модельно ориентированное проектирование
• Искусственный интеллект

07.12.2022

• вопрос
• 07.12.2022

Системы связи, Цифровая обработка сигналов, ПЛИС и СнК, Другое

Здравствуйте! У меня вопрос по поводу дифференциальной квадратурной фазовой модуляции (DQPSK), которая применяется в стандарте связи TETRA.  Мне необходимо построить сигнал с данной модуляцией и…

Здравствуйте! У меня вопрос по поводу дифференциальной квадратурной фазовой модуляции (DQPSK), которая применяется в стандарте связи TETRA.  Мне необходимо построить сигнал с данной модуляцией и…

13 Ответов

• вопрос
• 07. 12.2022

Изображения и видео, Математика и статистика, Автоматизация испытаний, Другое

Добрый день, мне нужно выполнить в матлаб вычитание постоянного наклона для изображения, полученного атомно-силовым микроскопом. Изображение представляет собой квадратную матрицу. Для этого требуется…

Добрый день, мне нужно выполнить в матлаб вычитание постоянного наклона для изображения, полученного атомно-силовым микроскопом. Изображение представляет собой квадратную матрицу. Для этого требуется…

6 Ответов

• вопрос
• 06.12.2022

Математика и статистика, Системы управления, Изображения и видео, Робототехника и беспилотники, Глубокое и машинное обучение(ИИ)

Коллеги, добрый день.     Как правильно орудоватьть fprintf, чтобы получить лог-файл следующего вида дата tab событие дата tab событие ….   Я прорбую вот так: fid1=fopen(fullfile(app….

Коллеги, добрый день.     Как правильно орудоватьть fprintf, чтобы получить лог-файл следующего вида дата tab событие дата tab событие ….   Я прорбую вот так: fid1=fopen(fullfile(app….

1 Ответ

• вопрос
• 05.12.2022

Системы управления, Изображения и видео, Робототехника и беспилотники, Глубокое и машинное обучение(ИИ), Другое

Дорогой, hub/exponenta/   подсткажите, пожалуйста, есть ли какая-нибудь разница при запуске в среде Апп дизайнера и откомпелировангого проекта? В среде Апп дизайнера файл создается с помощью функ…

Дорогой, hub/exponenta/   подсткажите, пожалуйста, есть ли какая-нибудь разница при запуске в среде Апп дизайнера и откомпелировангого проекта? В среде Апп дизайнера файл создается с помощью функ…

• вопрос
• 05.12.2022

Системы управления, Робототехника и беспилотники, Математика и статистика, Верификация и валидация, Встраиваемые системы, Автоматизация испытаний, Изображения и видео, Цифровая обработка сигналов, Другое

Здравствуйте, никак не пойму как нужно соединить блоки, чтобы построить систему.

Пожалуйста помогите, спасибо. Задание. Моделирование работы магазина.Требуется промоделировать работу небольшого магази…

Здравствуйте, никак не пойму как нужно соединить блоки, чтобы построить систему. Пожалуйста помогите, спасибо. Задание. Моделирование работы магазина.Требуется промоделировать работу небольшого магази…

• вопрос
• 04.12.2022

Другое

У вас на сайте была переведенная на русский документация MATLAB? Не могу найти.

У вас на сайте была переведенная на русский документация MATLAB? Не могу найти.

4 Ответа

Общая электротехника и электроника (Электротехника и электроника)

Sorry, the requested file could not be found

More information about this error

Jump to… Jump to…ОбъявленияВидеоконференцияВопрос – ответOnline чатО науках “Электротехника” и “Электроника”Цель, задачи и результаты освоения дисциплиныСодержание дисциплиныМесто учебной дисциплины в структуре ОПОП ВОМетодика обучения студентов очной/заочной формы обученияАттестация по дисциплинеЧто нужно сделать чтобы получить оценку?Рекомендуемая литература по дисциплине “Общая электротехника и электроника”Лазута И. В. Реброва И.А. Основы электротехники и электроники. Учебное пособие. 2018Лазута И.В. Реброва И.А. Расчет и анализ электрических цепей и устройств. Учебно-методическое пособие. 2019Лазута И.В. Реброва И.А. Электротехника. Лабораторный практикум. 2022Стандарты и правилаЛитература для расширенного изучения дисциплиныПрограмма для чтения PDF и DJVUАнализ и расчёт цепей постоянного токаАнализ и расчёт линейных цепей однофазного синусоидального токаАнализ трёхфазных электрических цепейАнализ и расчёт магнитных цепейТрансформаторыЭлементная база современных электронных устройствИсточники вторичного электропитанияЛампочка в цепи постоянного токаЛампочка в цепи переменного токаКатушка в цепи постоянного токаКатушка в цепи переменного токаКонденсатор в цепи постоянного токаКонденсатор в цепи переменного токаДиод в цепи постоянного токаДиод в цепи переменного токаПараллельный колебательный контур в цепи переменного токаРезонанс токов в параллельном колебательном контуреТрансформаторДвухполупериодная мостовая выпрямительная схемаМостовая выпрямительная схема с фильтром и стабилизаторомПрезентации и заготовкиЗагрузка ЛР №1.

Измерение электрических величинЗагрузка ЛР №2. Разветвлённая цепь постоянного токаЗагрузка ЛР №3. Последовательное соединение RLC элементовЗагрузка ЛР №1. Характеристика диодаЗагрузка ЛР №2. Характеристики транзистораЗагрузка ЛР №3. Неуправляемые выпрямителиЗагрузка ЛР №4. Управляемые выпрямители и регулятор токаВведение в Electronics WorkbenchЗагрузка EWB. Характеристика диодаЗагрузка EWB. Характеристики транзистораЗагрузка EWB. Неуправляемые выпрямителиЗагрузка EWB. Регулятор переменного токаЗагрузка EWB. Усилитель низких частотЗагрузка РГР по ЭлектроникеО расчётно-графической работеЗадания на РГРВыполнение расчётно-графической работыОформление расчётно-графической работыТитульный лист и примеры оформления задач РГРЗагрузка 1-й задачи РГРЗагрузка 2-й задачи РГРЗагрузка 3-й задачи РГРО контрольной работеЗадания на КРЗВыполнение контрольной работыОформление контрольной работыТитульный лист и примеры оформления задач КРЗЗагрузка КРЗВопросы к экзамену по дисциплине “Электротехника, электроника и схемотехника”Вопросы к экзамену по дисциплине “Электротехника и электроника”Вопросы к экзамену по дисциплине “Электроника”

Skip Statistics

Bipolar Junction Transistor (BJT) Основы

BJT Structure

• BJT состоит из трех легированных полупроводниковых областей ( эмиттер , база и коллектор ), разделенных двумя pn переходами.

• Один тип состоит из двух n-областей, разделенных p-областью (npn), а другой тип состоит из двух p-областей, разделенных n-областью (pnp).

• Термин «биполярный» относится к использованию как дырок, так и электронов в качестве носителей тока в структуре транзистора.

Рис. 1. Базовая структура BJT

• Pn-переход, соединяющий базовую область и область эмиттера, называется переходом база-эмиттер .

• pn-переход, соединяющий область основания и область коллектора, называется переходом база-коллектор .

• Провод подключается к каждой из трех областей.

• Выводы помечены E, B и C для обозначения эмиттера, базы и коллектора соответственно.

• Базовая область слабо легирована и очень тонка по сравнению с сильно легированной областью эмиттера и умеренно легированной областью коллектора.

• На рис. 2 показаны схематические обозначения транзисторов с биполярным переходом npn и pnp.

Рис. 2: Стандартные символы BJT

Основные операции BJT

Смещение

Рис. 3: Прямое-обратное смещение BJT

Основные операции BJT

Работа: внутри структуры npn

• Сильно легированная область эмиттера n-типа имеет очень высокую плотность (свободных) электронов в зоне проводимости.

• Эти свободные электроны легко диффундируют через прямой BE-переход в слабо легированную и очень тонкую базовую область p-типа.

• База имеет низкую плотность отверстий, которые являются основными носителями.

• Небольшой процент от общего числа свободных электронов, инжектированных в базовую область, рекомбинирует с дырками и перемещается в виде валентных электронов через базовую область в эмиттерную область в виде дырочного тока.

Рисунок 4: Работа BJT, показывающая поток электронов

• Когда электроны, рекомбинировавшие с дырками, покидают кристаллическую структуру базы, они становятся свободными электронами в металлическом выводе базы и создают внешний ток базы.

• По мере того, как свободные электроны движутся к переходу BC с обратным смещением, они уносятся в область коллектора за счет притяжения положительного напряжения питания коллектора.

• Свободные электроны проходят через область коллектора во внешнюю цепь, а затем вместе с током базы возвращаются в область эмиттера.

Основные операции с биполярным транзистором

Ток транзистора

Рис. 5: Ток транзистора

• Стрелка на эмиттере внутри символов транзистора указывает направление обычного тока.

• На этих диаграммах показано, что ток эмиттера ( I _E ) представляет собой сумму тока коллектора ( I _C ) и тока базы ( I _B 900 ):

BJT Characteristics and Parameters

DC Beta ( β _DC ) and DC Alpha (α _DC )

• β _DC is usually designated as эквивалентный гибридный ( h ) параметр, h _FE , в паспортах транзисторов: β _DC = h _FE .

• Коэффициент постоянного тока I _C к DC I _E является DC альфа (α _DC ). Альфа – менее используемый параметр, чем бета, в транзисторных схемах.

Характеристики и параметры биполярного транзистора

Модель транзистора постоянного тока

: Транзисторные токи и напряжения

В _BE : Напряжение постоянного тока на базе относительно эмиттера

В _CB : Напряжение постоянного тока на коллекторе относительно базы

В _C E 90 к эмиттеру

• Хотя V _BE может достигать 0,9 В в реальном транзисторе и зависит от тока, 0,7 В используется для упрощения анализа основных понятий.

• Характеристика перехода база-эмиттер такая же, как у нормального диода.

• Поскольку эмиттер находится на земле (0 В), по закону напряжения Кирхгофа напряжение на R _B равно

• По закону Ома, В _RB =I 7 6 B B _{. Подставляя V RB и решая I B ,}

• Напряжение на коллекторе относительно заземленного эмиттера равно

• Поскольку падение на С Р _C , V _{C E} может быть записано как

• Напряжение по обратному смещению с коллекторной базой составляет

BJT Характеристики и параметры

КОНТРАЛЬНЫЕ КРЕСТИКИ

Рисунок 8: 4.4.

И V _BB , и V _CC являются регулируемыми источниками напряжения. Предполагается, что V _BB выдает определенное значение I _B , а V _CC равно нулю. Таким образом, и переход база-эмиттер, и переход база-коллектор смещены в прямом направлении, поскольку на базе примерно 0,7 В, а на эмиттере и коллекторе 0 В.

-смещенный, транзистор находится в рабочей области насыщения . Насыщенность — это состояние BJT, в котором I _C достигло максимума и не зависит от I _B .

• Когда V _CE превышает 0,7 В, переход база-коллектор становится смещенным в обратном направлении, и транзистор переходит в активную или линейную рабочую область.

  • I _C очень незначительно увеличивается для данного I _B по мере увеличения V _CE из-за расширения области обеднения база-коллектор. Это вызывает небольшое увеличение β _DC .

  • Это участок между точками B и C на рис. 9. I _C в этой части определяется только I _C =β _DC I _B .

• Когда V _CE достигает достаточно высокого напряжения, переход база-коллектор переходит в пробой ; и I _C быстро возрастает, что показано на участке справа от точки C. В этой области никогда не следует использовать транзистор.

• Семейство кривых получается, когда I _C по сравнению с V _CE построен для значений I _B . Когда I _B =0, транзистор находится в области отсечки . Отсечка — это непроводящее состояние транзистора.

Характеристики и параметры BJT

Отсечка

• Когда I _B =0, транзистор находится в области отсечки своей работы. Это показано на рис. 10 с открытым выводом базы, таким образом, I _B =0.

• Существует очень небольшой ток утечки коллектора, I _CEO , в основном из-за термически изготовленных носителей.

• I _CEO обычно игнорируется при анализе схемы, так что V _CE = V _CC .

• Переходы база-эмиттер и база-коллектор имеют обратное смещение. Нижний индекс CEO представляет коллектор-эмиттер с открытой базой.

Рисунок 10: Характеристики и параметры отсечки

BJT

Насыщенность

• Когда переход база-эмиттер становится смещенным в прямом направлении и I _B увеличивается, I _C также увеличивается, а V _CE уменьшается в результате большего падения на R _C .

• Когда V _CE достигает своего значения насыщения, V _CE(sat) , переход база-коллектор становится смещенным в прямом направлении, и I _C больше не может увеличиваться. В точке насыщения I _C =β _DC I _B больше не действует.

• В _СЕ(сб) для транзистора встречается где-то ниже колена коллекторной кривой, и обычно составляет всего несколько десятых вольта.

• Переходы база-эмиттер и база-коллектор смещены в прямом направлении.

Рисунок 11: Характеристики и параметры насыщения

BJT

Линия нагрузки постоянного тока

Рисунок 12: Линия нагрузки постоянного тока на семействе кривых характеристик коллектора

• Нижняя часть грузовой линии находится в идеальной точке отсечки, где I _C =0 и V _CE =V _CC . Верхняя часть линии нагрузки находится в точке насыщения, где I _C = I _{C(насыщение)} и V _CE = V _{CE(насыщение)} .

• Между отсечкой и насыщением по линии нагрузки находится активная область работы транзистора.

Характеристики и параметры BJT

Подробнее о β _DC

• β _DC зависит как от I _C , так и от температуры.

• Поддержание постоянной температуры перехода и увеличение I _C приводит к увеличению β _DC до максимума.

• Дальнейшее увеличение I _C выше максимальной точки приводит к уменьшению β _DC .

• Если I _C поддерживается постоянным, а температура изменяется, β _DC изменяется напрямую с температурой. Если температура повышается, β _DC увеличивается, и наоборот.

Рисунок 13: Изменение постоянного бета в зависимости от тока коллектора для нескольких температур

• В технических характеристиках транзистора обычно указывается β _DC (h _FE ) при определенных значениях I _C . Даже при фиксированных I _C и температуре β _DC варьируется от одного устройства к другому для данного транзистора из-за неизбежных несоответствий в производстве.

• Значение β _DC , указанное при определенном I _C , обычно является минимальным значением, β _DC(min) , хотя иногда указываются максимальные и типичные значения.

Характеристики и параметры BJT

Максимальные номиналы транзисторов

Если I _C является максимальным, V _CE можно рассчитать по

BJT как усилитель

Транзистор усиливает ток, потому что I _C равно I _B , умноженному на коэффициент усиления по току, β.

I _B очень мал по сравнению с I _C и I _E . Из-за этого

Рисунок 14: Базовая схема транзисторного усилителя

• I _b , I _c и I _e представляют собой токи транзистора переменного тока. V _b , V _c и V _e представляют собой напряжения переменного тока от выводов транзистора к земле.

• AC V _в производит AC I _B , что приводит к гораздо большему AC I _C .

• Преобразователь переменного тока I _C создает переменное напряжение на R _C , создавая усиленное, но инвертированное воспроизведение входного переменного напряжения в активной области работы.

• Переход база-эмиттер с прямым смещением имеет очень низкое сопротивление сигналу переменного тока. Это внутреннее сопротивление эмиттера переменного тока (r’ _e ) появляется в серии с R _B . Базовое напряжение переменного тока равно
  

• Напряжение коллектора переменного тока, В _c , равно падению напряжения переменного тока на R _C : .
  
• Поскольку напряжение коллектора переменного тока равно .
  
• V _B можно считать входным напряжением транзистора AC, где V _B = V _S -I _B R _B .
• В _c можно рассматривать как выходное напряжение переменного тока транзистора.
  
• Поскольку коэффициент усиления по напряжению определяется как отношение выходного напряжения к входному напряжению, отношение В _c к В _b – коэффициент усиления по переменному напряжению, А , транзистор.

• Замена I _e R _C вместо V _c и I _e r’e вместо V _b ,

BJT как переключатель

Рис. 15. Переключение идеального транзистора

• На рис. 15(a) транзистор находится в области отсечки, поскольку переход база-эмиттер не смещен в прямом направлении. В идеале между коллектором и эмиттером должен быть открытый .

• На рис. 15(b) транзистор находится в области насыщения, поскольку переход база-эмиттер и переход база-коллектор смещены в прямом направлении. I _B сделан достаточно большим, чтобы вызвать I _C , чтобы достичь значения насыщения.

  • В идеале короткий между коллектором и эмиттером. Обычно происходит небольшое падение напряжения на транзисторе до нескольких десятых вольта, что является напряжением насыщения, V _CE(sat) .

Условия отсечки

• Переход база-эмиттер не смещен в прямом направлении. Если пренебречь током утечки, все токи равны нулю, и V _CE =V _CC ,

Условия насыщения

• Обычно I _B должен быть значительно больше, чем I _{B(мин) 901, чтобы транзистор был насыщенным.}

[Решено] Для транзисторного действия (a) База, эмиттер и коллектор

Для транзисторного действия

(a) Области базы, эмиттера и коллектора должны иметь одинаковый размер и концентрации легирования.

(b) Базовая область должна быть очень тонкой и слегка легированной.

(c) Переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход база-коллектор смещен в обратном направлении.

(d) Как переход эмиттер-база, так и переход база-коллектор смещены в прямом направлении.

Какое из следующих пар утверждений верно?

1. (г), (а)
2. (а), (б)
3. (б), (в)
4. (в), (г)

Вариант 3: (б), (в)

КОНЦЕПЦИЯ :

• Транзистор:  Это полупроводниковое устройство, передающее слабый сигнал из цепи с низким сопротивлением в цепь с высоким сопротивлением.
  • Транзистор – это, по сути, резистор, через который протекает ток.
  • Слово транзистор – это сокращение от токопередающего резистора.
  • Транзисторы обычно используются в сигналах усиления, переключения и буферизации или применяются.
  • Имеется два типа стандартных (биполярный переход) транзисторов , НПН и ПНП.

СХЕМА ДЛЯ ТРАНЗИСТОРОВ NPN И PNP:

 

• Транзисторы имеют три вывода, а именно Эмиттер, Коллектор и База.

Старший №	Излучатель	Коллектор	Основание
1.	В транзистор, эмиттер поставляет большую секцию основных носителей заряда.	В транзисторе участок, который собирает большую часть носителей заряда, подаваемых эмиттером, называется коллектором.	Средняя часть транзистора называется базой. Переход коллектор-база имеет обратное смещение и обеспечивает более высокое сопротивление цепи.
2.	Эмиттер всегда смещен в прямом направлении по отношению к базе, так что он подает на базу основной носитель заряда.	Переход коллектор-база всегда смещен в обратном направлении.	База образует две цепи: входную с эмиттером и выходную с коллектором. Эмиттер-база имеет прямое смещение и обеспечивает низкое сопротивление цепи.
3.	Эмиттер транзистора сильно легирован и имеет умеренные размеры.	Коллекторный участок транзистора умеренно легирован, но больше по размеру, чтобы он мог собирать большую часть носителей заряда, подаваемых эмиттером.	База транзистора слегка легированная и очень тонкая из-за , благодаря чему он предлагает основной носитель заряда к базе.

ОБЪЯСНЕНИЕ :

• Ключом к изготовлению транзистора является изготовление средний слой, основание , как тонкий как можно без замыкания внешних слоев.