Функции транзистора: простым языком для чайников, схемы - Санкт-Петербургское государственное бюджетное учреждение социального обслуживания населения

Содержание

Методика определения параметров PSPICE-моделей IGBT-транзисторов

В последних версиях программы схемотехнического моделирования PSPICE IGBT-транзистор представлен встроенной моделью [1]. В библиотеках системы PSPICE указываются параметры некоторых типов IGBT-транзисторов для этой модели, однако расчет по ней, как правило, дает большие погрешности [2]. Модель описывается следующими параметрами (на примере транзистора IRGBC30F, для которого представлены достаточно полные справочные данные, а его параметры имеются в стандартной библиотеке):

.MODEL IRGBC30F NIGBT (TAU=264.07E-9 KP=1.6985 AREA=60.000E-6 AGD=7.7500E-6 VT=4.7055 KF=1.9385 CGS=990.49E-12 COXD=3.7832E-9 VTD=-7.2340)

В справочниках приводятся: проходная характеристика Ic от Vge, характеристика насыщения Vce от Ic, зарядная характеристика Vg от Qg, а также времена переключения Tdp, Trs, Tdf, Tfl, энергия включения Eon и полная энергия Etotal для типовой схемы.

На рис. 1 приведены справочные и рассчитанные в PSPICE статические характеристики стандартной модели транзистора IRGBC30F с библиотечными параметрами.

Рис. 1. Статические характеристики IGBT-транзистора IRGBC30F
(сплошной розовой пинией отображены справочные характеристики,
синей прерывистой— расчетные характеристики встроенной модели с библиотечными параметрами,
зеленой прерывистой—расчетные характеристики встроенной модели с параметрами из Model Editor)

Времена переключения и энергии измерялись в типовой схеме [3], изображенной на рис. 2. Результаты сопоставлены со справочными и сведены в таблице 1.

Рис. 2. Типовая схема включения IGBT-транзистора для расчета времен и энергий переключения

Таблица 1.

Как видно из рис. 1 и таблицы 1, библиотечные параметры модели неплохо описывают статические характеристики, но дают очень большую (66%) относительную среднеквадратичную ошибку при расчете времен переключения и энергий.

Для самостоятельного получения параметров приборов в PSPICE применяется программа Model Editor. В ней параметры встроенной модели определяются по справочным характеристикам: проходной характеристике, характеристике насыщения, зарядной характеристике и времени заднего фронта тока Tfl.

Ниже приведены параметры транзистора IRGBC30F, определенные с помощью программы Model Editor:

.MODEL IRGBC30F_ME NIGBT (TAU=240.28E-9 KP=2.0430 AREA=15.500E-6 AGD=6.2000E-6 VT=5.2781 KF=1.0153 CGS=5.3323E-9 COXD=18.116E-9 VTD=-5)

Рассчитанные в PSPICE статические характеристики модели с параметрами из Model Editor приведены на рис. 1.

Результаты измерений времен переключений и энергий с этими параметрами также приведены в таблице 1. Относительная среднеквадратичная ошибка в этом случае немного меньше, но все равно достаточно велика (49%).

Как показывает опыт, подобная же ситуация возникает и с прочими IGBT-транзисторами, содержащимися в стандартной библиотеке.

Таким образом, показано, что имеющиеся параметры приборов и методика определения их параметров при проверке дает низкую точность.

Кроме того, имеющийся в стандартной библиотеке PSPICE набор транзисторов относительно невелик и на сегодняшний день уже устарел. Транзисторов новых поколений в нем нет.

Что делать, если мы хотим использовать при моделировании новые приборы? Модели новых приборов можно отыскать в Интернете на сайтах ведущих фирм-производителей. Однако насколько расчет по найденным таким образом моделям согласуется со справочными данными?

Возьмем для примера с сайта International Rectifier модель транзистора четвертого поколения IRG4PC50F. Текст модели здесь не приводится, так как он довольно объемный, эту модель, как и многие другие модели продукции IRF, можно скачать по адресу http://www.irf.com/ product-info/models/spice/spice.zip. Отметим, однако, что эта модель является не встроенной, а составной, состоящей из МДП и биполярного p-n-p транзисторов. Структура подобной модели подробнее рассмотрена ниже.

На рис. 3 приведены справочные и рассчитанные в PSPICE статические характеристики IRF-модели транзистора IRG4PC50F.

Рис. 3. Статические характеристики IGBT-транзистора IRG4PC50F (сплошной розовой линией отображены справочные характеристики, синей прерывистой — расчетные характеристики по составной модели с параметрами, рассчитанные в МС, зеленой прерывистой — расчетные характеристики по модели с сайт IRF)

Времена переключения и энергии, измеренные в той же типовой схеме, сопоставлены со справочными данными и сведены в таблице 2.

Видно, что динамические свойства модели с сайта IRF плохо соотносятся со справочными данными. Относительная среднеквадратичная ошибка 77%.

Таким образом, видна плохая точность предлагаемых моделей при моделировании переключения IGBT-транзисторов.

Чтобы уменьшить ошибку при моделировании, предлагается использовать известную составную модель IGBT-транзистора [2], состоящую из МДП и биполярного p-n-p транзисторов — подобную той, что используется в модели с сайта IRF (рис. 4). Причем биполярный транзистор работает или в отсечке, или в активной области, а МДП-транзистор — и в отсечке, и в активной, и в насыщении.

Рис. 4. Составная модель IGBT-транзистора

Вообще говоря, такая модель описывается большим числом параметров, что позволяет более гибко настраивать ее характеристики.

Некоторые шаги в этом направлении уже были предприняты ранее [2], однако, как кажется авторам, исследования, опубликованные в этой статье, имеют ряд недостатков.

К числу недостатков можно отнести: сопоставление только времен выключения — не учитывались прочие времена и энергии, а главное — отыскание параметров осуществлялось методом подбора.

Используемые параметры биполярного транзистора: Is, Nf, Bf, Vtf, Xtf, Tf. Прочие в списке параметров не указываются.

Параметры МДП-транзистора, используемые в модели: Kp, Vto. Прочие в списке параметров не указываются.

Также в качестве параметров задействованы сопротивления Ron, Rgg, индуктивность эмиттера Le, постоянная емкость Cge=Cgs и параметры нелинейных емкостей Cce и Cgc.

Проходная нелинейная емкость Crss = Cgc = = Cgd здесь записывается как источник тока, зависящий от потенциалов dd-gg следующим образом:

где C0, C1, V1, V2 — параметры нелинейной емкости. Нелинейную емкость Cgd можно задавать и иными способами, например табличным методом. Функция арктангенса была взята здесь только из-за ее плавности и возможности получать постоянное значение емкости при отрицательном напряжении (см. рис. 5).

Рис. 5. Справочные емкостные зависимости и их аппроксимации для транзистора IRG4PC50F

Роль нелинейной емкости Cce здесь играет емкость диода, которая определяется параметрами Cjo, M, Vj.

Параметры составной модели предлагается определять в универсальной математической системе MathCad (МС) следующим образом:

Значение параметров емкостей IGBT-транзи-стора определяется из справочных зависимостей Crss, Ciss, Coss от напряжения и из зарядной характеристики. Емкость Cgs = Ciss — Crss считается постоянной Cgsa и примерно равной первому наклону зарядной характеристики.

Проходная емкость Crss, в основном определяемая емкостью МДП-транзистора Cgd, аппроксимируется с использованием плавной функции atan:

Следует заметить, что практически все IGBT-транзисторы имеют емкостные характеристики, которые трудно аппроксимировать плавными функциями, поэтому провести аппроксимацию по всем точкам справочной зависимости не удается. Однако это не столь существенно — важна верная аппроксимация максимального значения проходной емкости Cgdx при отрицательном напряжении.

Рис. 6. Расчетная и справочная зарядные характеристики транзистора IRG4PC50F

Это максимальное значение Cgdx находится из второго наклона зарядной характеристики:

Емкость Cds = Coss — Crss не столь важна и аппроксимируется обычной степенной функцией, как для диода:

Чтобы определить параметры емкостей в МС, необходимо приравнять значения аппроксимации значениям справочных характеристик и воспользоваться блоком given-minerr. Начальные условия: M = 0.5, V = 1, Co = 1n, C1 = C0 = 0.1, V1 = V2 = 1.

Для транзистора IRG4PC50F значения этих параметров получились следующими: V1 = -0.637, V2 = 0.564, C0 = 4.039n, C1 = 2.57n, Cdso = 2.181n, Vjds = 2.321, Mds = 0.886, Cgs = 4.224n, Cgdx = 8.265n.

На следующем графике изображена зарядная характеристика, рассчитанная по емкостным параметрам и соотнесенная со справочной.

Статические параметры определяются в МС на основе кусочно-линейного анализа модели IGBT-транзистора [1]:

Два этих выражения описывают характеристику насыщения и проходную характеристику IGBT-транзистора.

Beta = 0,5xKpxW/L, то есть при W = 2u, L = 1u Beta становится равной Kp.

Чтобы определить параметры Is, Nf, Ron, Bf, Beta, Vto в МС, необходимо приравнять значения аппроксимации значениям справочных характеристик и воспользоваться блоком given-minerr.

Начальные условия: Is = 10e -12, Nf = 1.5, Ron = 0.01, Bf = 2, Beta = 2.5, Vto = 5. Следует отметить, что ток МДП-транзистора составляет значительную долю от тока всей структуры, поэтому коэффициент усиления Bf не может быть большим и должен быть сравним с Beta.

Для транзистора IRG4PC50F значения параметров получаются следующие: Is = 3.42e-8, Beta = 1.914, Bf = 2.352, Ron = 0.018, Nf = 1.914, Vto =5.005.

Выключение IGBT происходит так: первым выключается МДП-транзистор, обрывая базу биполярному транзистору, и выключение всего IGBT определяется выключением p-n-p транзистора с оборванной базой. Заряд выводится из него путем рекомбинации, процесс происходит экспоненциально, с постоянной времени Tau. Этап спада Tfp заканчивается, когда ток достигает уровня 0. 1 от максимального, откуда Tau:

где Tfp — справочное время спада тока.

Tf связано с Tau следующим образом: Tf = Tau/Bf. Внутреннее сопротивление затвора можно определить из справочной задержки включения, определяемой «полевой» частью IGBT-транзистора:

Здесь Tg — фронт импульса генератора. Начальные условия Rg = 10, Tg = 10ns.

Для транзистора IRG4PC50F значения параметров получаются следующие: Tf = 28.366ns, Rgg = 6.707.

На рис. 3 приведены рассчитанные в PSPICE статические характеристики составной модели с параметрами, определенными в МС. Заметно, что они совпадают лучше, чем характеристики модели с сайта IRF.

Времена переключения и энергии, измеренные в той же типовой схеме, для составной модели с параметрами, определенными в МС, приведены в таблице 2. Видно, что относительная среднеквадратичная ошибка почти вдвое меньше ошибки IRF-модели (30%).

Составная модель обладает большим, нежели было рассмотрено, числом параметров, что придает ей большую гибкость. Однако не все параметры можно определить в МС из-за чрезмерного усложнения аппроксимирующих выражений, которые необходимо записывать в аналитическом виде. Так, например, в МС очень трудно учесть влияние индуктивности, в то же время индуктивность эмиттера Le оказывает большое влияние на динамические процессы. Также большое влияние на динамику оказывают параметры динамического насыщения биполярного транзистора Vtf, Xtf, неучтенные при расчете в МС. Приведенные здесь формулы для расчета Tf и Rgg носят весьма приближенный характер. Кроме того, на динамику оказывает влияние соотношение между параметрами усиления транзисторов Kp и Bf. Если уточнить все вышеперечисленные параметры, то модель может быть настроена еще точнее. Как это сделать?

Подобную настройку можно осуществить при помощи программы параметрической оптимизации PSPICE Optimizer.

Вообще говоря, определение статических параметров Is, Nf, Bf, Ron, Kp, Vto по справочным характеристикам также можно осуществлять в этой программе по характеристике насыщения и проходной характеристике. Для этого указанные параметры внутри модели задаются варьируемыми, в одном проекте помещаются две модели транзистора, подключенные к одному варьируемому источнику напряжения. Для моделирования проходной характеристики источник напряжения является переменным напряжением на затворе, при этом снимается ток транзистора. Для моделирования характеристики насыщения источник напряжения, подключенный к коллектору транзистора через сопротивление, является переменным током коллектора, при этом снимается ток и напряжение коллектора.

В программе Optimizer задаются справочные характеристики Ic от Vge и Vce от Ic, а затем путем варьирования статических параметров снимаемые характеристики приближаются к справочным.

Подбор емкостных параметров при желании также можно осуществлять в этой программе.

Таблица 3.

Однако особенно ценен Optimizer там, где сложно использовать МС — при уточнении параметров Tf, Vtf, Xtf, Bf, Rgg, Le по справочным временам задержек и переключения Tdon, Tr, Tdoff, Tf, а также энергии включения Eon и полной энергии Etotal. Для этого в другом проекте в модели транзистора указанные параметры задаются варьируемыми. Причем, поскольку произведение Bf хKp = 6.599, найденное в МС, определяет статические характеристики, уже верно нами настроенные, это произведение меняться не может. Поэтому в модели МДП-транзистора нужно указать Kp = 6.599/{Bf} и менять только параметр Bf. Модель IGBT-транзи-стора помещается в режим, соответствующий справочному переключению (рис. 2). Снимается осциллограмма тока, по ней фиксируются расчетные значения времен переключения. Кроме того, в проект помещается источник напряжения, пропорциональный произведению тока транзистора и напряжения на нем и подключенный к интегратору, на выходе которого мы имеем напряжение, пропорциональное энергии. Это напряжение снимается при двух моментах времени: после включения транзистора (Eon) и в конце периода (Etotal).

В Optimizer при помощи целевых функций задаются четыре справочных значения времен и два значения энергии, и путем варьирования параметров модели из второй группы расчетные времена и энергии приближаются к справочным. В качестве начальных значений уточняемых параметров берутся параметры, определенные в МС.

Времена переключения и энергии с параметрами, уточненными в Optimizer, приведены в таблице 2. Как видно, относительную среднеквадратичную ошибку удалось уменьшить до 16%.

Таким образом, составная модель IGBT-транзистора, описанная здесь, является более гибкой, чем встроенная модель, в силу большего числа параметров (в статье использовались основные, но не все параметры модели) и может использоваться для моделирования новых типов современных IGBT-транзисторов. Предложенная здесь методика отыскания и уточнения параметров этой составной модели при помощи программ MathCad и Optimizer для моделирования IGBT-транзисторов позволяет получать более достоверные результаты, нежели те, что достигаются при использовании библиотечных параметров или параметров, доступных в Интернете.

Литература

Разевиг В. Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8. 0. М.: «Солон». 1999.
Колпаков А. Моделирование транзисторов IGBT с помощью PSPICE // Компоненты и технологии. 2002. № 8.
Catt J., Chokhawala R., Pelly B. Введение по применению модулей БТИЗ в корпусах 600В, ADD-A-PAK и INT-A-PAK. Силовые полупроводниковые приборы. Книга по применению International Rectifier. AN-988. Пер. с англ. под ред. Токарева В. В. Воронеж. 1995.
Дьяконов В. П., Абраменкова И. В. MATHCAD 7.0 в математике, физике и в Internet // М: «Нолидж». 1999.

Что такое транзисторы и как они работают

Рубрика: Статьи про радиодетали

Опубликовано 09.06.2020 · Комментарии: 0 · На чтение: 7 мин · Просмотры:

Post Views: 720

Транзисторы – это основа всей цифровой электроники 21 века. Они выполняют самые разнообразные функции. Это правопреемники и наследники радиоламп, так называемых вакуумных триодов. В этой статье мы на простом примере рассмотрим концепцию, принцип работы и применение транзисторов в электронике.

Содержание

Концепция транзисторов

Что такое концепция? Это общее представление об объекте или процессе. Например, концепция автомобиля – это четыре колеса, руль, корпус, двигатель и коробка передач. Концепция одна, а выпускаются автомобили с разной конструкцией, устройством и предназначением.

У транзисторов, как и у вакуумных триодов, очень простая концепция и принцип работы.

Триод – это та деталь, у которой три контакта.

Давайте представим бак с водой, в центре которого установлена задвижка.

Что мы можем сделать с потоком воды? Мы можем управлять им за счет задвижки.

Например, если в баке течет вода, и задвижки нет в нем, то вода проходит без препятствия.

В тоже время, если мы полностью перекроем путь задвижкой, то и вода не будет поступать во вторую условную часть бака и поток прекратится.

А еще мы можем полностью управлять потоком воды при помощи регулировки задвижки.

Получается, что при помощи небольшой задвижки можно контролировать огромный поток воды.
Небольшие колебания (перемещения) задвижки позволяют с такой же частотой пропускать большой поток воды.

И именно в этом суть транзисторов и вакуумных триодов. С их помощью можно управлять электрическим током больших значений применяя небольшие усилия.

Но в тоже время транзисторы могут быть по разному устроены.

Полевые транзисторы

Описанный выше пример – это полевой транзистор. У самого простого полевого транзистора есть сток, исток и затвор.

Транзисторы изготавливаются из полупроводниковых материалов. Поэтому, у них есть второе название — полупроводниковые триоды.

При помощи полупроводников можно изготовить p-n переход.

Любой транзистор состоит из p-n переходов, которые пропускают электрический ток в одном направлении. И этот переход позволят управлять электрическим током как задвижкой.

Полевые транзисторы управляются при помощи напряжения, которое подается на затвор.

Так выглядит состав полевого транзистора с каналом p – типа.

А вот так с n – типом.

Канал транзистора – это область между истоком и стоком.

Почему транзисторы бывают разными по проводимости? Транзистор с n типом управляется при помощи положительного потенциала, а с p типом наоборот, отрицательным потенциалом. Это позволяет усиливать сигналы с разными потенциалами.

Затворов у полевых транзисторов на самом деле два, но их выводы объединены в один, так как функция у них одинакова. Зачем нужно два затвора? Так транзистором проще управлять.

Подавая напряжение на затвор, мы можем регулировать электрический ток проходящий от истока к стоку.

А самое главное не это. Самое главное, что мы можем таким образом не просто включить или выключить электрический ток по цепи, но и управлять его движением.

Например, можно подать на затвор полевого транзистора переменный сигнал 5 мкВ. И он будет модулировать электрический ток, который проходит через исток и сток транзистора. Так можно получить усиленный сигнал.

Также полевые транзисторы имеют разные схемы включения, которые позволяют согласовывать сопротивления и регулировать усилительные функции.

Обозначение (УГО) полевого транзистора с каналом n типа на принципиальных схемах:

Биполярные транзисторы

Это другой тип транзисторов. Такие транзисторы управляются при помощи электрического тока. И они состоят из чередующихся p-n переходов.

Как и у полевого транзистора, у биполярного тоже три контакта. Это эмиттер, база и коллектор. База всегда по типу противоположна эмиттеру и коллектору.

А также размеры базы транзистора намного меньше, чем у коллектора или эмиттера. База только открывает транзистор. И так как через нее протекает ток, она не должна быть большой, чтобы на нее не тратилось много энергии.

Эмиттер — это большой источник основных носителей заряда. А коллектор — это самый большой контакт из этой троицы. С коллектора снимается усиленный сигнал в классической схеме, чтобы получить максимальную мощность. В транзисторах большой мощности коллектор припаян напрямую к корпусу, чтобы рассеивать тепло.

Бывают биполярные транзисторы n-p-n типа.

и p-n-p типа.

Обозначение (УГО) биполярного n-p-n транзистора на принципиальных схемах:

Отличие биполярных транзисторов от полевых

Полевые транзисторы управляются при помощи электрического поля и благодаря этому они очень энергоэффективны. Именно по этой причине они используются при производстве процессоров.

С другой стороны, у полевых транзисторов есть слабое место. Это их тонкий p-n переход. Он очень чувствителен к статическому электричеству. Кстати, именно из-за статического электричества перестают работать флешки и карты памяти, если вы их вытащили из устройства во время работы.

Схемы защиты от статического электричества не успевают сработать, и статика разрушает полевые транзисторы.

А вот биполярные транзисторы наоборот, лучше переносят статику. Но в тоже время, они потребляют больше мощности, так как для их открытия нужен электрический ток.

Схемы включения

Так как у транзисторов три контакта, то можно чередовать вход и выход. Что это даст? У каждого контакта свои особенности. Например, если мы подадим сигнал на базу и эмиттер биполярного транзистора, а снимать итоговый сигнал будем с эмиттера и коллектора, то такая схема будет называются с общим эмиттером.

Этот тип включения позволяет передать максимум мощности в нагрузку.

Прочитать подробнее про работу схемы с общим эмиттером можно в этой статье.

Аналогичным образом можно подключить схему с общим коллектором и с общей базой. По сути, общий контакт — это такой контакт, который работает и на входе и на выходе одновременно с разными контактами.

Все тоже самое справедливо и для полевых транзисторов. Есть схемы с общим стоком, истоком и затвором.

Другие типы транзисторов

А еще бывают однопереходные, комплементарные и КМОП, МДП (MOSFET) и множество других транзисторов. Они разные по своим характеристикам, выполняют разные задачи и предназначены для конкретных целей. Но в целом, принцип работы у всех одинаков. Это управление электрическим током.

Характеристики

Так как полупроводниковые триоды (транзисторы) выполнены из полупроводника, то и на их работу влияет окружающая среда. Например, при изменении температуры окружающей среды, транзистор может вносить нелинейные искажения в выходной сигнал. С этим борются при помощи термпостабидизционных схем, которые позволяют стабилизировать работу транзистора на высоких температурах.

Также у транзисторов есть ВАХ (вольт-амперные характеристики), которые в отличие от вакуумной техники, быстро переходят в насыщение.

У всех транзисторов есть следующие параметры:

Коэффициент усиления по току;
Коэффициент усиления по напряжению;
Коэффициент усиления по току;
Коэффициент обратной связи;
Коэффициент передачи по току;
Входное сопротивление;
Выходное сопротивление;
Время включения;
Максимально допустимый ток и др.

У биполярных:

Обратный ток коллектор-эмиттер;
Частота коэффициента передачи тока базы;
Обратный ток коллектора;
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером и др.

Режимы работы

В целом, можно выделить несколько режимов работы:

Номинальный режим;
Инверсный;
Насыщения;
Отсечка;
Барьерный.

Функции транзисторов

Транзисторы выполняют следующие функции:

Позволяют усиливать электрические сигналы. Транзисторы усиливают любые электрические сигналы, как высокие так и низкие частоты.
Могут работать как ключ, включать и выключать поступление электрического тока. Благодаря этому простому включению и выключению работают все современные процессоры. Транзисторы – это основа всей современной цифровой техники.
Генерируют электрические сигналы за счет положительной обратной связи. На их основе можно сделать генераторы звука и сигналов.
Могут согласовывать сопротивления электрических цепях за счет различных схем включения и работают как ограничители тока. В блоках питания транзисторы могут ограничивать ток короткого замыкания, а также работать как предохранитель.

Чем транзисторы уступают лампам

Несмотря на неоспоримые преимущества транзисторов перед лампами, ламповые триоды по прежнему имеют ряд преимуществ., среди которых:

Устойчивость к высоким электромагнитным наводкам и помехам. Это не значит, что полупроводниковая техника может выйти из строя от любых помех. Но если случится сильнейшая магнитная буря от Солнца (или мощный ЭМИ удар от ядерных бомб), то все p-n переходы в полупроводниковой технике могут выйти из строя из-за высоких токов наводки. Вакуумная техниках намного устойчивее к таким помехам.
Ламповая техника намного лучше и стабильнее работает на высоких частотах. И это уже особенности конструкции. Так как в транзисторах есть p-n переходы, то у них тоже есть своя емкость. А паразитная емкость на высоких частотах негативно влияет на усиление сигнала. Появляются нелинейные искажения. А в вакуумной технике есть такие лампы, у которых по несколько экранирующих сеток, которые позволяют снизить эффект паразитных емкостей. Пример радиолампы — это клистрон.

Нельзя прямо сказать, что транзисторы полностью искоренили лампы. У каждой детали есть свои преимущества и недостатки в разных областях. Конечно, в цифровой технике транзисторам нет ровни среди ламп. Однако на сверхвысоких частотах транзисторы по-прежнему уступают лампам.

Post Views: 720

функций | Транзистор Вики | Fandom

Экран точки доступа, отображающий все доступные в настоящее время Функции

Функции — это способности, хранящиеся в Транзисторе, которые Пользователь может использовать во время боя. Основной функцией Транзистора является Turn(), которая позволяет пользователю заморозить всех врагов на экране и поставить в очередь другие функции, а затем выполнить этот «план» в режиме реального времени. Текущие установки функций могут быть изменены по желанию пользователя каждый раз, когда пользователь достигает точки доступа. Некоторые ограничители влияют на функции.

Красный может разблокировать доступ к функциям, ранее интегрированным в Camerata, а также к большему количеству слотов, MEM и повторам уже приобретенных функций посредством повышения уровня.

Когда Рэд входит в систему и становится текущим пользователем Транзистора, предварительно устанавливаются Crash() и Breach(), которые являются ее соответствующими функциями и функциями Неизвестного. Эти две функции были добавлены во время интеграции Unknown.

Содержимое

1 Следы
2 слота
3 функциональных файла
4 Список функций
5 связанных достижений
6 Общая информация

Следы[]

“Внутри Транзистора есть эти Следы. Обычные люди, когда-то давно, но теперь… ну, не совсем они. И они. .. в ловушке. Там нет стен, заметьте, это просто… они сами по себе. Прислушайтесь внимательно, и вы можете их услышать. Я имею в виду некоторых из них. Те, которые вы знаете. — Ройс

Новые функции получаются при контакте со Следом жителя Облачного банка. След, названный в честь цифровых следов, — это душа или сущность человека. Транзистор описывает статус трассировки каждой функции как одну из четырех категорий: интегрированный, записанный, неповрежденный или невосстанавливаемый.

Интеграция трассировки предполагает использование транзистора в качестве меча. Кто бы ни был убит таким образом, его след переносится в банки следов внутри транзистора, создавая новую функцию. Следы также могут быть объединены с отдельными лицами по мере их обработки, как в случае с Лилиан Платт, Престон Мойл и К. Прехт.
- Статус трассировки Неизвестного указан как не подлежащий восстановлению, несмотря на его интеграцию, предположительно из-за того, что у него не было зарегистрированных файлов.
Непонятно, как записывать чей-то след. Треки Asher Kendrell, Grant Kendrell и Royce Bracket’s Traces были записаны Transistor без их интеграции. Предположительно, это влечет за собой наличие доступа пользователя к транзистору.
Рэд, как текущий пользователь Транзистора, имеет свой статус трассировки как неповрежденный.

Единственная Функция, которая явно не указана как производная от Трассировки, — это Turn(), Функция, которая позволяет Транзистору приостанавливать время и ставить в очередь движения и атаки, позволяя пользователю планировать атаки против Процесса. Turn() — это функция, встроенная в Transistor, что продемонстрировано, когда Ройс может запустить свой собственный Turn() при использовании своего собственного Transistor.

Slots[]

К транзистору могут быть применены функции в одном из трех типов слотов: Active, Upgrade или Passive.

Установка функции в активный слот позволяет пользователю использовать первичную определенную мощность функции. Пользователь может получить доступ к четырем активным слотам. Транзистор позволяет пользователю устанавливать дубликаты функций более чем в один активный слот.
Установка функции в слот обновления приводит к тому, что вторичная функция изменяет активную функцию, к которой она применяется. Пользователь может получить доступ к восьми слотам для обновлений, по два на каждый активный слот. Транзистор не позволяет пользователю устанавливать дубликаты функций в качестве обновлений в один и тот же активный слот.
Установка функции в пассивный слот применяет к Пользователю эффект, который либо действует всегда, либо срабатывает автоматически в зависимости от описанных обстоятельств. Пользователь может получить доступ к четырем пассивным слотам. Транзистор не позволяет Пользователю устанавливать дубликаты Функций в Пассивные слоты.

В начале игры у Пользователя есть доступ к трем Активным слотам, каждый с одним слотом Улучшения и без пассивных слотов.

Функциональные файлы[]

Функциональные файлы содержат информацию о Следах, оставленных людьми, интегрированными в Транзистор. В каждом файле содержится справочная информация о том, кому принадлежала каждая Функция, и какой была их жизнь до их интеграции в руках Camerata.

Установка функции и ее использование в бою приведет к расшифровке раздела связанного с ней файла функции, который впоследствии можно будет просмотреть в любой точке доступа. Чтобы завершить Функциональный Файл, соответствующая Функция должна использоваться в каждом типе слота хотя бы один раз.

Список Функций[]

Существует шестнадцать экипируемых и четыре неэкипируемых Функций.

Пользователь может разблокировать и использовать следующие Функции:

Bounce(), полученный из Trace Ниолы Чейн.
Breach(), производное от Unknown’s Trace.
Crash(), производный от Red’s Trace.
Cull(), полученный из Следа Олмарка.
Flood(), полученный из трассировки Royce Bracket.
Get(), полученный из трассировки Бэйли Гиланде.
Help(), полученный из Trace Сибил Рейс.
Jaunt(), производное от Trace Престона Мойла.
Load(), полученный из трассировки Волны Теннегана.
Mask(), полученный из Trace Шомара Шасберга.
Ping(), полученный из Trace Хентера Джаллафорда.
Purge(), полученный из Trace Максимилиаса Дарзи.
Spark(), полученный из Trace Лилиан Платт.
Switch(), полученный из Trace Фарры Йон-Дейл.
Tap(), полученный из Trace Гранта Кендрелла.
Void(), полученный из Trace Ашера Кендрелла.

Следующие функции являются уникальными и недоступными, доступными только при определенных обстоятельствах:

Check(), доступно, только если Cull() находится в пассивном слоте.
Bark(), доступный только для Friendly Fetch, порожденных с помощью Help().
Kill(), доступно только в том случае, если пользователю предоставлен доступ суперпользователя через Help().
Sic(), доступный только для Friendly Fetches, когда Cull() размещен как обновление Help().

Связанные достижения[]

Значок	Имя	Как получить
	Поиск()	Проверить 5 завершенных функциональных файлов.
	Найти()	Проверить 10 завершенных функциональных файлов.
	Показать()	Проверить все завершенные функциональные файлы.
	Память()	Разблокировать 32 МЕМ.
	Пользователь()	Разблокируйте каждый слот улучшений и пассивный слот.
	Функция()	Разблокировать все функции транзистора.
	Стек()	Создайте комбинацию функций, требующую 12 MEM.
	Сам ()	Обновите функцию копией самой себя.

список достижений разборка с Редом.
Судя по тому, что Функциональный Файл Ройса был написан заметно тщеславно, можно предположить, что все Функциональные Файлы были написаны им, как и его заметки ограничителя.

Функции
Поворот()

Контент сообщества доступен по лицензии CC-BY-SA, если не указано иное.

Функции | Транзистор Вики | Fandom

Экран точки доступа, отображающий все доступные на данный момент функции

Когда Рэд входит в систему и становится текущим пользователем Транзистора, предварительно устанавливаются Crash() и Breach(), которые являются соответствующими функциями ее и Неизвестного. Эти две функции были добавлены во время интеграции Unknown.