N p n транзисторы: Разница npn и pnp только в направлении тока(э-к и наоборот)? — Хабр Q&A - Санкт-Петербургское государственное бюджетное учреждение социального обслуживания населения

Содержание

NPN-транзисторы, обзоры и отзывы покупателей с характеристиками и ценами

Npn-транзистор — биполярный полупроводниковый прибор. Состоит из трех слоев: эмиттера, базы и коллектора. Эмиттер и коллектор — полупроводниковые слои n-типа с электронной проводимостью, база — p-типа с дырочной проводимостью. Коллектор, базу, эмиттер изготавливаются из кремния, который легируют (добавляют примеси) для придания нужного типа проводимости. Каждый слой соединен с одноименным электродом.

Сигнал, проходящий через базу транзистора, управляет коллекторным током. В широком диапазоне зависимость коллекторного потока носителей заряда от базового линейная. Направление движения дырок и электронов зависит от типа полупроводника. В npn-транзисторах управляющий ток идет от базы (полупроводника p-типа) к эмиттеру (полупроводнику n-типа), нагрузочный ток течет от коллектора к эмиттеру.

Выпускаются маломощные npn-транзисторы, максимальный коллекторный ток которых ограничивается 200-300 mA, и мощные, у них этот параметр доходит до 3-5 A.

Мощные транзисторы обычно устанавливают на радиаторы, которые помогают избавиться от перегрева в процессе работы. Npn-транзистор можно считать одним из самых распространенных элементов радиоаппаратуры: усилителей, регуляторов, коммутаторов.

AliExpress
Сделано руками
Радиотовары

Ходовые транзисторы из поднебесной BC547 и BC557, Схема ограничения разряда Li-Ion аккумулятора.

Если вы начали заниматься любительской радиотехникой, вам понадобятся ходовые транзисторы, которые имею широкое применение в радиотехнике и сравнительно низкую цену. В данном обзоре я расскажу вам про комплементарную пару транзисторов BC547 и BC557. Данные транзисторы были куплены в 2013 году и на их основе уже собранно множество электронных схем. Одной из них, я вас познакомлю в данном обзоре.

Планирую купить +46 Добавить в избранное Обзор понравился

+71 +114
KUIBIAOCHI,
KUIBIAOCHI BC547,
KUIBIAOCHI BC557,
npn транзистор,
радиодетали и электронные компоненты
AliExpress
Радиотовары
NPN-транзисторы BC817 0.
1А 45В в корпусе SOT-23
В принципе, у меня имеются некоторые базовые понятия о транзисторах, но конкретно собрать что-то с их применением, мне как-то не доводилось.
Начитавшись статей об Ардуино, я решил заказать какие-то дешевые, пригодятся на всякий случай, например, для управления чем-нибудь или для отключения самого Ардуино при обнаружении разряда батареи.
читать дальше
Планирую купить +21 Добавить в избранное Обзор понравился
+25 +46
NoName,
NoName BC817-40,
npn транзистор,
радиодетали и электронные компоненты
11.
2 Интегральный n-p-n-транзистор
Особенность интегрального транзистора состоит в том, что его

структура (с учетом подложки) –
четырехслойная: наряду с рабочими
эмиттерным и коллекторным перехо-
дами имеется третий (паразитный
переход между коллекторным n-слоем и подложкой p-типа (рис. 11.1).
П одложку ИС (если она имеет проводимость p-типа) присоединяют к самому отрицательному потенциалу. Поэтому напряжение на переходе”коллектор-подложка” всегда обратное или близко к нулю. Следовательно, этот переход можно заменить барьерной емкостью С_кn.
Тогда эквивалентная схема интегрального n-p-n транзистора имеет вид, показанный на рис. 11.2.

Ц
n
епочка r_кк – с_кn, шунтирующая коллектор – главная особенность интегрального n-p-n-транзистора. Эта цепочка ухудшает его быстродействие и ограничивает предельную частоту и время переключения.
Эквивалентная постоянная времени равна постоянной времени подложки:
.
11.3 Интегральные многоэмиттерные транзисторы
Являются разновидностью n-p-n-транзистора (рис.11.3).

Представляют совокупность отдельных транзисторов с соединенными базами и коллекторами. На рис. 11.4 показаны схемные модели многоэмиттерного транзистора.
Особенности МЭТ:
1
К
) Каждая пара смежных эмиттеров вместе с разделяющим их p-слоем базы образует горизонтальный транзистор типа n⁺-p-n⁺. Если на одном из эмиттеров действует прямое напряжение, а на другом обратное, то первый будет инжектировать электроны, а второй будет собирать тех у них, которые инжектированы через боковую поверхность эмиттера и прошли без рекомбинации расстояние между эмиттерами.
Такой транзисторный эффект является для МЭТ паразитным: в обратносмещенном переходе, который должен быть запертым, будет протекать ток. Чтобы избежать горизонтального транзисторного эффекта, расстояние между эмиттерами должно превышать диффузионную длину носителей в базовом слое.
Важно, чтобы МЭТ имел как можно меньший инверсный коэффициент передачи тока. В противном случае в инверсном режиме, когда эмиттеры находятся под обратным напряжением, а коллектор под прямым, носители, инжектируемые коллектором, будут в значительной мере достигать эмиттеров, и в цепи последних будет протекать ток – паразитный эффект, аналогичный отмеченному выше.

11.4 Комплектарные интегральные пары транзисторов
Представляют собой взаимодополняющие пары p-n-p и n-p-n-транзисторов или МДП-транзисторов с n- и p-каналами, позволяют значительно улучшить характеристики ИМС, способствуя повышению плотности размещения элементов, уменьшению токов утечки и рассеиваемой мощности. Более экономичному решению вопросов соединения и согласования отдельных элементов.
Комплектарные структуры изготавливают на одной подложке в карманах, изолированных от подложки либо p-n-переходом, либо диэлектрической пленкой. Комплектарные биполярные транзисторы изготавливают в виде горизонтальной и вертикальной структур.

Горизонтальная структура транзистора предоставлена на рис.11.5.
В транзисторах горизонтальной структуры эмиттер, база и коллектор расположены на одной горизонтальной плоскости, поэтому инжектированные в базу неосновные носители перемещаются не перпендикулярно поверхности кристалла, а параллельно ей.
Такие транзисторы называются торцевыми. При изготовлении торцевых транзисторов p-n-p-типа формирование эмиттеров осуществляется во время базовой диффузии n-p-n-транзисторов. Затем путем второй базовой диффузии эмиттер p-n-p-транзистора окружается коллектором. Базой транзистора служит исходный слой полупроводника n-типа между указанными областями.

В горизонтальной структуре ширина базы, а следовательно, значение коэффициента передачи тока базы определяются расстоянием между окнами, протравливаемыми в фоторезисторе для эмиттера и коллектора.
В вертикальных структурах (рис. 11.6) база располагается под эмиттером. Для изготовления комплектарных биполярных транзисторов наиболее часто применяется эпитаксиально – диффузионная технология. При этом n-p-n-транзисторы формируются обычными методами. Для изготовления p-n-p-транзисторов на общей подложке p-типа путем селективной диффузии формируют карманы с проводимостью n-типа. В этих карманах формируют диффузионный слой p-типа, на который с помощью эпитаксии осаждается n-слой. Затем путем диффузии в эпитаксальном слое создают эмиттеры p-типа. Нижний слой p-типа служит коллектором, а эпитаксальный n-слой между коллектором и эмиттером – базой. Основным недостатком таких транзисторов также является разброс значений коэффициента , определяемый допусками на ширину базы. Ширина базы в значительной мере зависит от толщины эпитаксального слоя. Этот недостаток исключается в вертикальных структурах, у которых все три области транзистора (К, Б, Э) формируются путем диффузии. Такая комплектарная структура наиболее сложна в изготовлении, однако позволяет получить транзисторы с большим коэффициентом передачи тока базы ( ) и высоким напряжением пробоя коллекторного перехода.
Транзисторы
NPN и транзисторы PNP
NPN и PNP — это два типа транзисторов. Транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы, изготовленные из легированных переходов p-типа и n-типа. В этой статье в основном представлены различия между этими двумя типами транзисторов, методы их различения и их применение.
Каталог

I. Различия
Транзистор r состоит из трехчастного полупроводника типа PN и NPN-перехода, образующего два NP-перехода. Большинство германиевых транзисторов относятся к типу PNP, а большинство кремниевых транзисторов относятся к типу NPN. Их структурные принципы одинаковы. Триод имеет три области и три электрода. Среди них базовая область (тонкий слой полупроводника в середине триода) ведет к базе b; есть области эмиттера, ведущие к эмиттеру e, и области коллектора, ведущие к коллектору c с обеих сторон. PN-соединение между передающей областью и базовой областью называется передающим соединением, а PN-соединение между областью сбора и базовой областью называется собирающим соединением. На символе схемы стрелка эмиттера трубки PNP указывает внутрь, а стрелка эмиттера трубки NPN указывает наружу, указывая текущее направление.
NPN и PNP транзисторы в основном отличаются тем, что направление тока отличается от положительного и отрицательного напряжения. Говоря профессионально, это проблема «полярности». NPN использует ток BE (IB) для управления током CE (IC), полюс E имеет самый низкий потенциал, и обычно полюс C имеет самый высокий потенциал при обычном усилении, а именно VC>VB>VE. PNP использует ток EB (IB) для управления током EC (IC). Полюс Е имеет самый высокий потенциал, и обычно полюс С имеет самый низкий потенциал при нормальном усилении, то есть VC

Конфигурация схемы транзисторов NPN и PNP
1. Разница в определениях полупроводник типа N посередине и два полупроводника N-типа с обеих сторон. Триод — важнейшее устройство в электронных схемах, и его основная функция — усиление и коммутация тока.
Транзистор PNP: триод, состоящий из двух полупроводников P-типа, зажатых между полупроводником N-типа, поэтому он называется триодом PNP-типа. Его также можно описать как транзистор, в котором ток течет от эмиттера E.
2. Разница в управлении схемой
NPN: Используйте ток (IB) B→E для управления током (IC) полюса C. Полюс Е имеет самый низкий потенциал, а полюс С — самый высокий потенциал при нормальном усилении, то есть VC > VB > VE
PNP: Используйте ток E&B (IB) для управления током E&C (IC). Полюс Е имеет самый высокий потенциал, а полюс С — самый низкий потенциал при нормальном усилении, то есть VC
3. Другие отличия
Выходные состояния датчиков PNP и NPN различаются. Они фактически используют насыщение и отсечку транзистора для вывода двух состояний, которые являются датчиками переключающего типа. А вот выходной сигнал совершенно противоположный, а именно высокий уровень и низкий уровень. Выход NPN — низкий уровень 0, выход PNP — высокий уровень 1.
NPN-транзисторы и PNP-транзисторы различаются по структуре: NPN-транзисторы состоят из полупроводника p-типа, зажатого между двумя полупроводниками n-типа, а PNP-транзисторы состоят из полупроводника n-типа, зажатого между двумя полупроводниками p-типа.
Большинство носителей в транзисторах NPN представляют собой электроны, в то время как большинство носителей в транзисторах PNP представляют собой электронные дырки.
При использовании в качестве переключателей транзисторы NPN переключаются быстрее. Когда триод используется в качестве переключателя, он работает в двух состояниях: отсечка и насыщение. Как правило, проводимость и отключение транзистора управляются путем управления базовым напряжением Ub транзистора.
II. Методы различения NPN-транзисторов и PNP-транзисторов
1. Идентификация основания B
Установите цифровой мультиметр в положение диода, подключите красный щуп к определенному контакту и используйте черный щуп для коснитесь двух других контактов по очереди. Если оба отображаемых значения меньше 1 В или отображается символ переполнения «1», подключенный контакт, который подключается к красному тестовому проводу, является основанием B. Если в двух тестах одно отображаемое значение меньше 1 В, другое отображается символ переполнения “1”, он указывает, что контакт, подключенный к красному тестовому проводу, не является основанием B. Затем вы должны заменить его на другие контакты и измерить их снова, пока не будет найдено основание B.
Затем используйте файл диодов цифрового мультиметра. После идентификации базы B в соответствии с описанной выше операцией подключите красный щуп к базе B и коснитесь двух других контактов черным щупом. Если оба показывают 0,500～0,800 В, тестируемая трубка относится к типу NPN; если оба раза отображается символ переполнения “1”, это означает, что тестируемая пробирка относится к типу ПНП.
2. Идентификационная база
С помощью мультиметра R×100 или R×1k измерьте значения прямого и обратного сопротивления между каждыми двумя из трех электродов трубки. Когда первый измерительный провод подключен к определенному электроду, а второй измерительный провод последовательно касается двух других электродов и измеряются значения низкого сопротивления, электрод, подключенный к первому измерительному проводу, является основанием b. При этом обратите внимание на полярность щупа мультиметра. Если красный щуп подключен к базе b, а измеренное сопротивление черного щупа, подключенного к двум другим полюсам, мало, то проверяемая лампа может быть определена как PNP-транзистор; Если черный щуп подключен к базовому электроду b, а красный щуп подключен к двум другим электродам, а измеренное значение сопротивления мало, то тестируемый транзистор представляет собой NPN-транзистор, например 9. 013, 9014, 9018.
Примечания
Используйте диодную шкалу цифрового мультиметра для измерения прямого падения напряжения на диоде. В настоящее время единицей измерения является мВ. Например, используйте этот файл для определения прямого падения напряжения на диоде 2AP3, а на дисплее отображается «352», что означает 352 мВ или 0,352 В (эта трубка — германиевая трубка). При обнаружении диода IN4007 с помощью этого механизма на прямом дисплее отображается «509», что означает, что прямое падение напряжения составляет 509 мВ или 0,509.V (эта трубка силиконовая). Диодный файл цифрового мультиметра также можно использовать для определения наличия короткого замыкания в цепи.
III. Применение
Существуют датчики типа PNP и NPN (тип переключателя), которые делятся на шесть категорий:
1. NPN-NO (нормально открытый тип)
2. NPN-NC (нормально закрытый тип) )
3. NPN-NC+NO (нормально открытый и нормально закрытый тип)
4. PNP-NO (нормально открытый тип)
5. PNP-NC (нормально замкнутый тип)
6. PNP-NC+NO (обычный тип, нормально открытый и нормально закрытый)
Датчики PNP и NPN обычно имеют три подводящих провода, а именно линию питания VCC, Линия 0V и линия вывода сигнала OUT.
1. Тип PNP
При срабатывании сигнала линия вывода сигнала OUT подключается к линии питания VCC, а датчики типа PNP эквивалентны линии питания, которая выдает высокий уровень.
Для типа PNP-NO, когда сигнал не срабатывает, выходная линия приостанавливается, то есть линия питания VCC и линия OUT разъединяются. Когда сигнал срабатывает, выдается то же напряжение, что и на линии питания VCC, то есть линия OUT подключается к линии питания VCC, и выводится высокий уровень VCC.
Для типа PNP-NC, когда сигнал не срабатывает, посылается то же напряжение, что и по линии питания VCC, то есть линия OUT подключается к линии питания VCC, и выводится высокий уровень VCC. При срабатывании сигнала выходная линия приостанавливается, то есть линия питания VCC отключается от линии OUT.
Для типа PNP-NC+NO имеется дополнительная выходная линия OUT, которую можно выбрать в соответствии с потребностями.
2. Тип NPN
При срабатывании сигнала линия вывода сигнала OUT подключается к линии 0 В, а датчики типа PNP эквивалентны выходу низкого уровня 0 В.
Для типа NPN-NO, когда сигнал не срабатывает, выходная линия является плавающей, то есть линия 0v и линия OUT разъединены. При срабатывании сигнала выдается то же напряжение, что и 0В, то есть линия OUT подключается к линии 0В, а на выходе низкий уровень OV.
Для типа NPN-NC, когда сигнал не срабатывает, отправляется то же напряжение, что и линия 0 В, то есть линия OUT подключается к линии 0 В, и выводится низкий уровень 0 В. При срабатывании сигнала выходная линия приостанавливается, то есть линия 0 В отключается от линии OUT.
В чем разница между транзисторами NPN и PNP?
Транзисторы являются наиболее широко используемым компонентом в электронных устройствах. Транзисторы в основном делятся на два подтипа: транзистор с биполярным переходом (BJT) и транзистор с полевым эффектом (FET). BJT можно разделить на два типа в зависимости от их конструкции, известных как транзисторы NPN и PNP.
Запись по теме: В чем разница между транзистором и тиристором (SCR)?
Прежде чем перейти к различиям между NPN и PNP, мы собираемся объяснить основы транзистора.
Транзистор BJT состоит из чередующихся слоев полупроводникового материала P- и N-типа. Возможны две комбинации. Это происходит, когда либо материал N-типа помещается между двумя материалами P-типа для формирования PNP-транзистора, либо если материал P-типа помещается между двумя материалами N-типа для формирования NPN-транзистора
Вот распиновка транзисторов BC-547 NPN и BC-557 PNP соответственно.

Полезно знать: Название транзистора происходит от комбинации двух слов, т. е. передачи и сопротивления = транзистор. Другими словами, транзистор передает сопротивление с одного конца на другой. Короче говоря, транзистор имеет высокое сопротивление на входе и низкое сопротивление на выходе.
Похожие сообщения:
Транзистор PNP? Строительство, работа и применение
Транзистор NPN? Строительство, работа и применение
Содержание
Транзистор NPN
Транзистор NPN состоит из комбинации двух материалов N-типа и одного материала P-типа. где материал P-типа зажат между этими двумя N-типами. Центральная P-область является самым тонким слоем из всех, который также известен как База. Одна из N-областей, которая является самым толстым слоем из всех, но слабо легирована, называется коллектором, а другая N-область, сравнительно более тонкая, но сильно легированная по сравнению с коллектором, называется эмиттерной.
Три терминала Коллектор, База и Излучатель поднимаются из материалов N, P и N-типа соответственно. Коллектор и эмиттер имеют электроны в качестве основных носителей заряда, в то время как База имеет дырки и основные носители заряда. Напротив, коллектор и эмиттер имеют дырки в качестве неосновных носителей заряда, а база имеет электроны в качестве неосновных носителей заряда.
Основа представляет собой тонкий слой P-типа, имеющий большинство отверстий. Приложение положительного напряжения по отношению к эмиттеру будет толкать электроны в базу (p-область). Поскольку он тонкий и слабо легированный, электроны объединяются с дырками, что приводит к проникновению в область обеднения, что заставляет электроны течь от вывода коллектора к выводу эмиттера.
Таким образом, в транзисторе NPN подача положительного импульса на базу вызывает ток, направленный от коллектора к эмиттеру. При этом ток прямо пропорционален базовому току.
Символ NPN-транзистора также используется для обозначения направления тока. Маленькая стрелка, указывающая наружу от эмиттера, показывает текущее направление, идущее наружу от эмиттера.
Так как большинство носителей заряда в коллекторе и эмиттере это электроны и они ответственны за протекание тока. Следовательно, основным носителем заряда в NPN-транзисторе являются электроны, а неосновным носителем — дырки.
Транзистор NPN включается подачей положительного напряжения на клемму базы и выключается подачей низкого напряжения 0 В на клемму базы.
Поскольку основными носителями заряда являются электроны, и они быстрые, время восстановления транзистора NPN быстрое. Это приводит к тому, что NPN имеет очень малое время включения и выключения, что обеспечивает очень высокую скорость переключения.
Похожие сообщения:
Разница между DIAC и TRIAC
Тиристорный и кремниевый выпрямитель (SCR) – применение тиристоров
Транзистор PNP
Транзистор PNP состоит из комбинации 2 слоев P-типа и 1 слоя N-типа. Тонкий N-слой зажат между двумя толстыми P-слоями. Средний N-слой называется базой, а два других слоя называются коллектором и эмиттером.
Коллектор и эмиттер имеют дырки в качестве основных носителей заряда, в то время как База имеет электроны в качестве основных носителей заряда. Неосновными носителями заряда в коллекторе и эмиттере являются электроны, а в базе — дырки.
Приложение отрицательного напряжения к базе по отношению к эмиттеру приведет к проталкиванию дырок в область базы. Поскольку в основе есть электроны в качестве основных носителей, дырки будут объединяться с электронами и заставлять их проникать в обедненную область. Следовательно, ток от эмиттера начнет течь к коллектору. Этот ток обусловлен наличием основных дырок носителей заряда.
PNP-транзистор включается при подаче на базу отрицательного напряжения и выключается при подаче положительного напряжения. Поскольку большинство носителей заряда представляют собой дырки, время восстановления PNP-транзистора сравнительно велико. Поэтому транзистор PNP имеет низкую скорость переключения.
Символ PNP-транзистора отличается от NPN. На нем показана стрелка, указывающая внутрь, показывающая направление тока, протекающего внутри эмиттера к клемме коллектора.

Похожие сообщения:
Разница между микропроцессором и микроконтроллером
Разница между микропроцессорами 8085 и 8086 — сравнение
Основное различие между транзисторами NPN и PNP
В следующей сравнительной таблице показаны некоторые ключевые различия между транзисторами PNP и NPN.
Транзистор NPN Транзистор PNP
Состоит из комбинации двух N-слоев и одного P-слоя. Он состоит из двух P-слоев и одного N-слоя.
Образуется путем вставки P-слоя между N-слоями. Образуется путем вставки N-слоя между P-слоями.
Эмиттер и коллектор связаны с N-областями. Эмиттер и коллектор связаны с P-областями.
Базовый терминал связан с P-областью. Базовый терминал подключен к N-региону.
Основными носителями заряда являются электроны. Большинство носителей заряда — дырки.
Неосновными носителями заряда являются дырки. Неосновными носителями заряда являются электроны.
Проводимость начинается, когда электроны входят в базовую область. Он начинает проводить, как только отверстия входят в базовую область.
Включается при подаче положительного базового напряжения. Включается при подаче низкого базового напряжения.
Выключается при подаче низкого базового напряжения. Выключается при подаче положительного базового напряжения
Ток течет от коллектора к эмиттеру. Ток течет от эмиттера к коллектору.
Ток базы поступает в базу через эмиттер. Ток базы идет от эмиттера к базе.
В символе NPN стрелка эмиттера указывает наружу. В символе PNP стрелка эмиттера указывает внутрь.
Имеет малое время переключения, что обеспечивает высокую скорость переключения. Имеет большое время переключения, поэтому имеет низкую скорость переключения.
Похожие сообщения:
Разница между CPU и GPU – Сравнение
Разница между аналоговой и цифровой схемой — цифровая и аналоговая
Свойства и характеристики транзисторов PNP и NPN Транзисторы
Следующие различные свойства отличают транзисторы PNP и NPN, имеющие разные характеристики и области применения.
Строительство
Транзистор NPN изготавливается путем помещения P-слоя между двумя N-слоями.
Транзистор PNP состоит из N-слоя, помещенного между двумя P-слоями.
Символ
Символ NPN обозначается стрелкой на излучателе, направленной наружу. В то время как в транзисторе PNP наконечник стрелки указывает внутрь.
Течение тока
В транзисторе NPN ток течет от коллектора к эмиттеру, а в транзисторе PNP ток направлен от эмиттера к коллектору. Текущее направление также обозначается их символом.
Переключение
NPN-транзистор включается, когда на базовую клемму подается положительное напряжение высокого напряжения, а PNP-транзистор включается, когда на базовую клемму подается отрицательное или низкое напряжение 0 В.
Скорость переключения
Транзистор NPN включается и выключается мгновенно. Следовательно, транзистор NPN имеет более высокую скорость переключения по сравнению с транзистором PNP.
Мажоритарные операторы сборов
Протекание тока в транзисторе зависит от основных носителей заряда.

Транзистор NPN	Транзистор PNP
Состоит из комбинации двух N-слоев и одного P-слоя.	Он состоит из двух P-слоев и одного N-слоя.
Образуется путем вставки P-слоя между N-слоями.	Образуется путем вставки N-слоя между P-слоями.
Эмиттер и коллектор связаны с N-областями.	Эмиттер и коллектор связаны с P-областями.
Базовый терминал связан с P-областью.	Базовый терминал подключен к N-региону.
Основными носителями заряда являются электроны.	Большинство носителей заряда — дырки.
Неосновными носителями заряда являются дырки.	Неосновными носителями заряда являются электроны.
Проводимость начинается, когда электроны входят в базовую область.	Он начинает проводить, как только отверстия входят в базовую область.
Включается при подаче положительного базового напряжения.	Включается при подаче низкого базового напряжения.
Выключается при подаче низкого базового напряжения.	Выключается при подаче положительного базового напряжения
Ток течет от коллектора к эмиттеру.	Ток течет от эмиттера к коллектору.
Ток базы поступает в базу через эмиттер.	Ток базы идет от эмиттера к базе.
В символе NPN стрелка эмиттера указывает наружу.	В символе PNP стрелка эмиттера указывает внутрь.
Имеет малое время переключения, что обеспечивает высокую скорость переключения.	Имеет большое время переключения, поэтому имеет низкую скорость переключения.

NPN-транзисторы, обзоры и отзывы покупателей с характеристиками и ценами

11.

11.3 Интегральные многоэмиттерные транзисторы

11.4 Комплектарные интегральные пары транзисторов

NPN и транзисторы PNP

В чем разница между транзисторами NPN и PNP?

Оставить комментарий Отменить ответ