Нпн транзистор: Биполярные транзисторы купить в интернет магазине Амперо / Транзисторы / Электронные компоненты – Амперо

схема подключения. Какая разница между PNP и NPN-транзисторами?

Содержание:

История появления транзисторов

На заре прошлых веков конца 19 века ученые физики и практики (Гутри, Браун, Эдисон, Боус, Пикард, Флеминг) разных стран совершили принципиальное открытие и получили патенты на «детектор», «выпрямитель»  — так тогда называли диод. Вслед за диодом последовало эпохальное открытие транзистора. Перечисление имен ученых разных стран, приложивших голову и руки к открытию транзистора, заняло бы много строк.

Основными теоретиками считаются Шокли, работавший в Bell Telephone Laboratories, а также его коллеги Бардин и Браттейн.

Слева направо: Шокли, Бардин и Браттейн

В итоге их работ, в 1947 году, получен первый образец работающего точечного германиевого транзистора, и на его основе, в том же году, был разработан первый усилитель, имевший коэффициент усиления 20 дБ (в 10 раз) на частоте 10 Мгц.

Серийный выпуск точечных транзисторов фирмой Western Electric начался в 1951 году и достиг около 10 000 штук в месяц в 1952 году. В СССР первый точечный транзистор был создан в 1949 г. Серийный выпуск точечных транзисторов был налажен в 1952 году, а плоскостных  — в 1955 году. Затем последовали следующие открытия в теории и технологиях: транзисторы на выращенных переходах (1950 г.), сплавные транзисторы (1952 г.), диффузные мета-транзисторы (1958 г.), планарные транзисторы (1960 г.), эпитаксиальные транзисторы (1963 г.), многоэмиттерные транзисторы (1965 г.) и т. д.

Как же появился среди них наш герой — транзистор Дарлингтона (далее по тексту ТД)? Дарлингтон (англ. Darlingtone) — город в в Великобритании. Однако и люди могут иметь фамилии по имени городов или наоборот. Таким является сотрудник все той же фирмы Bell — Сидни Дарлингтон

Сидни Дарлингтон

Зачем же потребовалась эта «сладкая парочка»? Дело в том, что первые транзисторы имели весьма посредственные характеристики, если смотреть на сегодняшние успехи. Прежде всего — невысокий коэффициент усиления. Сейчас это кажется странным — подумаешь, каскадное соединение — это элементарно! Но тогда, в 1953 году — это были пионерские работы.

Что такое NPN транзистор?

Транзисторы вытеснили электролампы, позволили уменьшить количество реле, переключателей в устройствах. Это полупроводниковые триоды — радиоэлектронные компоненты из полупроводников, стандартно имеют 3 вывода.

Транзисторы, предназначенные для управления током, то есть основным силовым фактором электросхем, именно его удар (не напряжения) несет опасность для человека.

Элемент способен контролировать чрезвычайно высокие величины в выходных цепях при подаче слабого входного сигнала. Транзисторы повышают, генерируют, коммутируют, преобразовывают электросигналы, это основа микроэлектроники, электроустройств.

Разновидности по принципу действия:

• биполярный транзистор из 2 типов проводников, в основе функционирования – взаимодействие на кристалле соседних p-n участков. Состоят из эмиттера/коллектора/базы (далее, эти термины будем сокращать): на последнюю идет слабый ток, вызывающий модификацию сопротивления (дальше по тексту «сопр. ») в линии, состоящей из первых 2 элементов. Таким образом, протекающая величина меняется, сторона ее однонаправленности (n-p-n или p-n-p) определяется характеристиками переходов (участков) в соответствии с полярностью подключения (обратно, прямо). Управление осуществляется модулированием тока на сегменте база/эмит., вывод последнего всегда общий для сигналов управления и выхода;
• полевой. Тип проводника один — узкий канал, подпадающий под электрополе обособленного затворного прохода. Контроль основывается на модуляции количества Вольт между ним и истоком. А между последним и стоком течет электроток (2 рабочие контакты). Величина имеет силу, зависящую от сигналов, формируемых между затвором (контакт контроля) и одной из указанных частей. Есть изделия с p-n участком управления (рабочие контакты подключаются к p- или n-полупроводнику) или с обособленными затворами.

У полевиков есть варианты полярности, для управления требуется низкий вольтаж, из-за экономичности их ставят в радиосхемы с маломощными БП. Биполярные варианты активируются токами. В аналоговых сборках превалируют вторые (БТ, BJT), в цифровых (процессоры, компьютеры) — первые. Есть также гибриды — IGBT, применяются в силовых схемах.

Конструкция NPN транзистора

Конструктивная схема транзистора NPN транзистора состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже.

Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока (“внутрь” для транзистора PNP).

PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.

Схема NPN транзистора

Когда NPN транзистор связан с ресурсами напряжения, базовый ток будет проходить через транзистор. Даже небольшое количество базы контролирует циркуляцию большого количества тока через эмиттер к коллектору. Напряжение базы выше, чем напряжение на эмиттере.

Когда VB базовое напряжение не -ve по сравнению с VE напряжение эмиттера, ток не может проходить в цепи. Таким образом, необходимо обеспечить подачу напряжения обратного смещения> 0.72 Вольт.

Резисторы RL и RB включены в цепь. Это ограничивает ток, проходящий через максимально возможную высоту транзистора.

Напряжение эмиттера VEB как входная сторона. Здесь ток эмиттера (IE) течет со стороны входа и течет в двух направлениях; один яB а другое это яC.

IE= ЯB+ ЯC

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Главным различием между ними считается то, что дырки являются основными носителями тока для транзисторов PNP, NPN-транзисторы имеют в этом качестве электроны. Поэтому полярности напряжений, питающих транзистор, меняются на обратные, а его входной ток вытекает из базы. В отличие от этого, у NPN-транзистора ток базы втекает в нее, как показано ниже на схеме включения приборов обоих типов с общей базой и общим эмиттером.

Принцип работы транзистора PNP-типа основан на использовании небольшого (как и у NPN-типа) базового тока и отрицательного (в отличие от NPN-типа) базового напряжения смещения для управления гораздо большим эмиттерно-коллекторным током. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер является более положительным по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.

Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора IC (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.

По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора IC, так и ток эмиттера IE. Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как IC немного меньше, чем IE. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с IE, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.

Как работает NPN транзистор

Когда мы с вами, друзья мои, разобрались в том, что вообще такое этот транзистор, давайте узнаем, как он работает. Устроен он довольно просто, нужно просто понять принцип. Для этого введем два очень важных понятия: эмиттер и коллектор. Эмиттер (как и в слове эмиссия) выпускает заряды и они двигаются в сторону коллектора. Так вот, в состоянии покоя, когда, грубо говоря, все выключено, ток в транзисторе не протекает, потому что между эмиттером и коллектором есть полупроводниковый переход. Однако, когда подается незначительное напряжение на базу транзистора, ток начинает течь и при этом даже можно его усиливать. Как? Колебания небольшого тока в точности повторяются, но уже с большей амплитудой. Вот схема простого транзистора:

В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.

Полный ток эмиттера задается суммой двух токов IC и IB; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем IE = IC + IB.

В этой схеме ток базы IB просто «ответвляется» от тока эмиттера IE, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток IB, а NPN-типа – втекающий.

Проверка биполярных типов

Ниже схема проверки npn, pnp транзисторов тестером, после нее распишем процедуру по пунктам.

Биполярный транзистор снабжен p-n линиями — условно, это диоды, а точнее, 2 таковых расположенных встречно, точка их пересечения — «база».

Один условный диод сконструирован контактами базы/коллект., иной — базы/эмит. Для анализа хватит посмотреть сопр. (прямо и обратно) указанных участков: если там нет неполадок, то деталь без изъянов.

Проверка своими руками без выпаивания биполярного pnp, npn транзистора предполагает прозвонку 3 комбинаций ножек:

Вариант p-n-p

Структуры (типы) показывает стрелка эмит. участка: p-n-p/n-p-n (к базе/от нее). Начнем с проверки первого варианта. Раскрываем p-n-p деталь подачей на базу минусового напряжения. На мультиметре селектор ставим на замеры Ом на отметку «2000», допускается также выставлять на «прозвонку».

Жила «−» (черная) — на ножку базы. Плюс (красная) — поочередно к коллект., эмит. Если участки не поврежденные, то отобразят около 500–1200 Ом.

Дальше опишем, как прозвонить обратное сопр.: «+» – на базу, «−» — на колл. и эмит. Должно отобразиться высокое сопр. на обоих p-n участках. У нас появилась «1», то есть для выставленной рамки в «2000» значение превышает 2000. Значит, 2 перехода без обрывов, изделие исправное.

Аналогично, как описано, можно прозвонить на исправность транзистор, не выпаивая из схемы. Реже есть сборки, где к переходам применено основательное шунтирование, например, резисторами. Тогда, если отобразится слишком низкое сопр., потребуется выпаивать деталь.

Структура n-p-n

Элементы n-p-n проверяются аналогично, только на базу от тестера идет щуп «+».

Признаки неисправности

Если сопр. (прямое и обратное) одного из участков (p-n) стремится к бесконечности, то есть на отметке «2000» и выше на дисплее «1», значит, данный участок имеет обрыв, транзистор не годный. Если же «0» — изделие также с изъяном, пробит участок. Прямое сопр. там должно быть 500–1200 Ом.

Проверка простой схемой включения транзистора

Соберите схему с транзистором, как показано на рисунке. В этой схеме транзистор работает как “ключ”. Такая схема может быть быстро собрана на монтажной печатной плате, например. Обратите внимание на 10Ком резистор, который включается в базу транзистора.

Это очень важно, иначе транзистор “сгорит” во время проверки. Если транзистор исправен, то при нажатии на кнопку светодиод должен загораться и при отпускании – гаснуть. Эта схема для проверки npn-транзисторов. Если необходимо проверить pnp-транзистор, в этой схеме надо поменять местами контакты светодиода и подключить наоборот источник питания.
Проверка транзистора мультиметром более проста и удобна. К тому же, существуют мультиметры с функцией проверки транзисторов. Они показывают ток базы, ток коллектора и даже коэффициент усиления транзистора.

Пошаговая инструкция проверки мультимером

Перед началом проверки, прежде всего определяется структура триодного устройства, которая обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Когда направление стрелки указывает на базу, то это вариант PNP, направление в сторону, противоположную базе, обозначает NPN проводимость.

Проверка мультимером NPN транзистора состоит из таких последовательных операций:

1. Проверяем обратное сопротивление, для этого присоединяем «плюсовой» щуп прибора к его базе.
2. Тестируется эмиттерный переход, для этого «минусовой» щуп подключаем к эмиттеру.
3. Для проверки коллектора перемещаем на него «минусовой» щуп.

Результаты этих измерений должны показать сопротивление в пределах значения «1».

Для проверки прямого сопротивления меняем щупы местами:

1. «Минусовой» щуп прибора присоединяем к базе.
2. «Плюсовой» щуп поочередно перемещаем от эмиттера к коллектору.
3. На экране мультиметра показатели сопротивления должны составить от 500 до 1200 Ом.

Данные показания свидетельствуют о том, что переходы не нарушены, транзистор технически исправен.

Многие любители имеют сложности с определением базы, и соответственно коллектора или эмиттера. Некоторые советуют начинать определение базы независимо от типа структуры таким способом: попеременно подключая черный щуп мультиметра к первому электроду, а красный – поочередно ко второму и третьему.

База обнаружится тогда, когда на приборе начнет падать напряжение. Это означает, что найдена одна из пар транзистора – «база – эмиттер» или «база – коллектор». Далее необходимо определить расположение второй пары таким же образом. Общий электрод у этих пар и будет база.

Основные причины неисправности

Наиболее часто встречающиеся причины выхода из рабочего состояния триодного элемента в электронной схеме следующие:

1. Обрыв перехода между составными частями.
2. Пробой одного из переходов.
3. Пробой участка коллектора или эмиттера.
4. Утечка мощности под напряжением цепи.
5. Видимое повреждение выводов.

Характерными внешними признаками такой поломки являются почернение детали, вспучивание, появление черного пятна. Поскольку эти изменения оболочки происходят только с мощными транзисторами, то вопрос диагностики маломощных остается актуальным.

Советы

1. Существует множество способов определения неисправности, но для начала нужно разобраться в строении самого элемента, и четко понимать конструкционные особенности.
2. Выбор прибора для проверки – это важный момент, касающийся качества результата. Поэтому при недостатке опыта не стоит ограничиваться подручными средствами.
3. Проводя проверку, следует четко понимать причины выхода из строя тестируемой детали, чтобы не вернуться со временем к тому же состоянию неисправности бытовой электротехники.

Как работает транзисторный ключ

В данной статье мы рассмотрим, как работает транзисторный ключ на биполярном транзисторе. Такие полупроводниковые элементы производятся двух типов – n-p-n и p-n-p структуры, которые различаются типом применяемого полупроводника (в p-полупроводнике преобладают положительные заряды – «дырки»; в n-полупроводнике – отрицательные заряды – электроны).

Выводы БТ называются база, коллектор и эмиттер, которые имеет графическое обозначение на чертежах электрических схем, как показано на рисунке.

С целью понимания принципа работы и отдельных процессов, протекающих в биполярных транзисторах, их изображают в виде двух последовательно и встречно соединенных диодов.

Наиболее распространенная схема БТ, работающего в ключевом режиме, приведена ниже.

Чтобы открыть транзисторный ключ нужно подвести потенциалы определенного знака к обеим pn-переходам. Переход коллектор-база должен быть смещен в обратном направлении, а переход база-эмиттер – в прямом. Для этого электроды источника питания UКЭ подсоединяют к выводам базы и коллектора через нагрузочный резистор RК. Обратите внимание, положительный потенциал UКЭ посредством RК подается на коллектор, а отрицательный потенциал – на эмиттер. Для полупроводника p-n-p структуры полярность подключения источника питания UКЭ изменяется на противоположную.

Резистор в цепи коллектора RК служит нагрузкой, которая одновременно защищает биполярный транзистор от короткого замыкания.

Команда на открытие БТ подается управляющим напряжением UБЭ, которое подается на выводы базы и эмиттера через токоограничивающий резистор RБ. Величина UБЭ должна быть не меньше 0,6 В, иначе эмиттерный переход полностью не откроется, что вызовет дополнительные потери энергии в полупроводниковом элементе.

Чтобы не спутать полярность подключения напряжения питания UКЭ и управляющего сигнала UБЭ БТ разной полупроводниковой структуры, обратите внимание на направление эмиттерной стрелки. Стрелка обращена в сторону протекания электрического тока. Ориентируясь на направление стрелки достаточно просто расположить правильным образом источники напряжения.

Применение транзисторного ключа в связке с МК

Транзисторный ключ очень часто можно увидеть в схемах, где МК или другой логический элемент коммутирует мощную нагрузку. Как вы помните, максимальную силу тока, которую может выдать МК на одну ножку, равняется 20 миллиампер. Поэтому чаще всего можно увидеть вот такое схемотехническое решение на биполярном транзисторе в режиме ключа:

В резистор RБЭ нет необходимости, потому как выходы МК “подтягивается” к нулю еще при программировании.

Условия для работы транзисторного ключа

Итак, давайте вспомним, какие требования должны быть, чтобы полностью “открыть” транзистор? Читаем статью принцип усиления биполярного транзистора и вспоминаем:

1) Для того, чтобы полностью открыть транзистор, напряжение база-эмиттер должно быть больше 0,6-0,7 Вольт.

2) Сила тока, текущая через базу должна быть такой, чтобы электрический ток мог течь через коллектор-эмиттер абсолютно беспрепятственно. В идеале, сопротивление через коллектор-эмиттер должно стать равным нулю, в реале же оно будет иметь доли Ома. Такой режим называется “режимом насыщения“.

Этот рисунок – воображение моего разума. Здесь я нарисовал тот самый режим насыщения.

Как мы видим, коллектор и эмиттер в режиме насыщения соединяются накоротко, поэтому лампочка горит на всю мощь.

Практика работы составного транзистора

На рис. 3 показаны три варианта построения выходного каскада (эмиттерный повторитель). При подборе транзисторов надо стремится к b1~b2 и b3~b4 . Различие можно компенсировать за счёт подбора пар по равенству коэффициентов усиления СТ b13~b24 (см. табл. 1).

• Схема на рис. 3а имеет наибольшее входное сопротивление, но это худшая из приведённых схем: требует изоляцию фланцев мощных транзисторов (или раздельные радиаторы) и обеспечивает наименьший размах напряжения, поскольку между базами СТ должно падать ~2 В, в противном случае сильно проявятся искажения типа «ступенька».
• Схема на рис. 3б досталась в наследство с тех времён, когда ещё не выпускались комплементарные пары мощных транзисторов. Единственный плюс по сравнению с предыдущим вариантом – меньшее падение напряжения ~1,8 В и больше размах без искажений.
• Схема на рис. 3в наглядно демонстрирует преимущества СТШ: между базами СТ падает минимум напряжения, а мощные транзисторы можно посадить на общий радиатор без изоляционных прокладок.

На рис. 4 показаны два параметрических стабилизатора. Выходное напряжение для варианта с СТД равно:

Поскольку Uбэ гуляет в зависимости от температуры и коллекторного тока, то у схемы с СТД разброс выходного напряжения будет больше, а потому вариант с СТШ предпочтительней.

Рис. 3. Варианты выходных эмиттерных повторителей на СТ

Рис. 4. Применение СТ в качестве регулятора в линейном стабилизаторе

В линейных цепях можно использовать любые подходящие комбинации транзисторов. Автору встречалась бытовая советская техника, в которой использовались СТШ на парах КТ315+КТ814 и КТ3107+КТ815 (хотя принято /КТ361 и КТ3102/КТ3107). В качестве комплементарной пары можно взять C945 и A733, часто встречающиеся в старых компьютерных БП.

Для коммутации электромеханических приводов и, тем более, в импульсных схемах следует использовать готовые СТ с нормированными параметрами включения и выключения, паразитными ёмкостями. Типичный пример – широко распространённые импортные комплементарные СТД серии TIP12х.

Достоинства и недостатки составных транзисторов

Мощность и сложность транзистора Дарлингтона может регулироваться через увеличение количества включённых в него биполярных транзисторов. Существует также IGBT-транзистор, который включает в себя биполярный и полевой транзистор, используется в сфере высоковольтной электроники.

Главным достоинством составных транзисторов считается их способность давать большой коэффициент усиления по току. Дело в том, что, если коэффициент усиления у каждого из двух транзисторов будет по 60, то при их совместной работе в составном транзисторе общий коэффициент усиления будет равен произведению коэффициентов входящих в его состав транзисторов (в данном случае — 3600). Как результат — для открытия транзистора Дарлингтона потребуется довольно небольшой ток базы.

Недостатком составного транзистора считается их низкая скорость работы, что делает их пригодными для использования только в схемах работающих на низких частотах. Зачастую составные транзисторы фигурируют как компонент выходных каскадов мощных низкочастотных усилителей.

Следующая

РазноеЧто такое активная мощность?

11 фактов, которые вы должны знать! –

By Сумали Бхаттачарья

Что такое транзистор NPN?

Биполярный транзистор или биполярный транзистор имеет два основных типа. NP-N – одна из классификаций BJT. Это трехконтактное устройство, используемое для усиления и переключения.

Этот транзистор также состоит из трех секций, они

1. B-база
2. C- Коллекционер
3. Эмиттер

• Эмиттер NPN используется для подачи носителей заряда в коллектор через базу.
• Область коллектора собирает носители заряда из области эмиттера.
• База транзистора выполняет работу по срабатыванию триггера и работает как контроллер, ограничивая величину тока, который может проходить через эту область.

Примечание:

В отличие от полевого МОП-транзистора, в котором присутствует только один носитель, BJT имеет два типа носителей заряда – большинство и меньшинство. В случае транзистора NPN электроны являются основным носителем заряда.

И наоборот, в полупроводниках P-типа электронов не так много, и дырка действует как основной носитель заряда, и ток будет проходить через них.

конструкция транзистора npn:

Схематические изображения npn-транзисторов приведены ниже.

NPN-транзистор как соединение диодаNPN транзистор

Эквивалентная схема NPN-транзистора.

Можно сказать, что работа транзистора npn аналогична работе диодов с 2 pn переходом, подключенных друг за другом. Эти диоды с PN-переходом называются CB-переходом коллектор-база и BE-переходом база-эмиттер.

Рассмотрение в соответствии с допингом:

• Эмиттерная секция – сильно легированная секция. Общее правило – поддерживать минимальную ширину основания среди всех трех выводов. Поскольку эмиттер сильно легирован, он может выбрасывать носители заряда в области базы.
• Как упоминалось ранее, основание имеет минимальную ширину и минимальное количество легирования. База передает многочисленные носители заряда к коллектору, который уносится от эмиттера.
• Для сравнения, коллекторные области умеренно легированы и используются для сбора зарядов из базовой области.

Символ транзистора NPNСимвол транзистора NPN

Распиновка NPN транзистора

Как упоминалось ранее, транзистор имеет три вывода. Они – База, коллектор и эмиттер.

Как определить пин NPN?

• В большинстве конфигураций центральная часть предназначена для базового терминала.
• Штифт, который находится под ним, является коллектором, а остальная часть – штырем эмиттера.
• Если точка не отмечена, все клеммы должны быть идентифицированы с учетом их ориентации или неравномерного промежутка между контактами. Здесь центральный штифт – это основание. Ближайший вывод – это эмиттер, а оставшийся вывод – вывод коллектора.

Применение транзисторов NPN:

• Обычно NPN-транзистор используется как биполярный транзистор из-за подвижности электронов, так как она выше подвижности дырок.
• Они также используются для усиления и переключения сигналов. Они используются в схемах усилителя, т. Е. В двухтактных схемах усилителя.
• Транзистор NPN используется в парных схемах Дарлингтона для усиления слабых сигналов и значительного увеличения сигнала.
• Если есть потребность в отводе тока, можно также использовать транзисторы NPN.
• Помимо этого, транзистор NPN находит множество применений в датчиках температуры, схемах, таких как логарифмические преобразователи и т. Д.

Как работает транзистор NPN?

Для работы NPN-транзистору требуется как обратное, так и прямое смещение. Прямое смещение устанавливается между напряжением эмиттера и эмиттером. Обратное смещение подключено между коллекторным напряжением и коллектором.

Теперь, как n сторона a диод имеет электроны как большинство, а сторона p имеет большинство дырок, все соединения напряжения организованы как прямое и обратное смещение соответственно. Переход базы-эмиттера настроен на обратное смещение, а переход базы-коллектора работает на прямое смещение. Область обеднения этой области эмиттер-база более узкая по сравнению с областью обеднения пересечения коллектор-база.

Поскольку переход имеет обратное смещение (эмиттер), отверстия перетекают от источника питания к переходу N. Затем электрон движется в сторону p. Здесь происходит нейтрализация какого-то электрона. Остальные электроны движутся в сторону n. Падение напряжения относительно эмиттера и базы составляет V_BE как входная сторона.

В эмиттерах N-типа носителями заряда являются в основном электроны. Следовательно, электроны переносятся через эмиттеры N-типа на базу P-типа. Ток будет проходить через эмиттер-базу или переход EB. Этот ток известен как ток эмиттера (Ie). Здесь ток эмиттера (I_E) течет со стороны выхода и течет в двух направлениях; один я_B а другое это я_C. Итак, мы можем написать:

            I_E=I_B+I_C

Однако базовая область относительно тонкая и слегка легированная. Следовательно, большая часть электронов проходит через область базы, и лишь немногие из них рекомбинируют с доступными дырками. Базовый ток минимален по сравнению с током эмиттера. Обычно это до 5% от всего тока эмиттера.

Ток, текущий от остальной части электронов, называется током коллектора (I_C). Я_C сравнительно высока по сравнению с базовым (I_B).

Транзисторная схема NPN

Источник напряжения подключен к транзистору NPN. Клемма коллектора подключается к положительной клемме напряжения питания (В_CC) с использованием сопротивления нагрузки (R_L). Сопротивление нагрузки также можно использовать для уменьшения наибольшего тока, протекающего по цепи.

Клемма базы соединена с клеммой + ve базы, обеспечивающей напряжение (В_B) с сопротивлением R_B. Базовое сопротивление используется для ограничения максимального базового тока (I_B).

Когда транзистор работает, большой ток коллектора проходит через цепь между коллектором и эмиттером. Однако для этого небольшого количества базового тока необходимо протекать к нижнему выводу транзистора.

Схема транзистора NPN

Маркировка представляет собой типичные токи коллектора, базового блока и эмиттера.

Преимущества и недостатки использования транзистора NPN:

Преимущества:

• Небольшой размер.
• Может работать при низком напряжении.
• Очень дешево.
• Низкое выходное сопротивление.
• Долгоиграющий.
• Спонтанные действия.

Минусы:

• Высокая температурная чувствительность.
• Производите низкую энергию и мощность.
• Может быть поврежден при тепловом разгоне.
• Не может работать на высоких частотах.

Транзисторный переключатель NPN

Транзистор работает

• Включен в режиме насыщения
• Выключен в режиме отключения.

Включен в режиме насыщения

• Когда оба перехода находятся в состоянии прямого смещения, к входному напряжению прикладывается достаточно высокое напряжение. Следовательно, транзистор работает как короткое замыкание, поскольку V_CE примерно равно нулю.
• В это время два перехода находятся в состоянии прямого смещения, на входе имеется соответствующее напряжение.
• В этом состоянии ток будет проходить между коллектором и эмиттером. В цепи течет ток.

Выключен в режиме отключения.

• Если два перехода транзисторов имеют обратное смещение, транзистор переходит в состояние ВЫКЛ.
• В этом режиме работы напряжение входного сигнала или базовое напряжение равно нулю.
• Следовательно, сумма V_CC на коллектор действует напряжение.

Режим работы транзистора

Он имеет три режима работы согласно смещению, а именно:

• Активный режим
• Режим отключения
• Режим насыщенности

Режим отключения

• Транзистор работает как разомкнутая цепь.
• В отсечке два перехода имеют обратное смещение.
• Току не будет позволено протекать.

Насыщенный режим

• Транзистор выполнен по замкнутой схеме.
• Оба перехода настроены только на прямое смещение.
• Поскольку напряжение база-эмиттер сравнительно велико, ток проходит от коллектора к эмиттеру.

Активный режим

• В это время транзистор работает как усилитель тока цепи.
• В активном режиме транзистора соединение BE имеет прямое смещение, а переход C -B – обратное смещение.
• Ток проходит между эмиттером и коллектором, и величина тока пропорциональна имеющейся приложенной базе.

Узнать больше об электронике нажмите здесь.

ОШИБКА – 404 – НЕ НАЙДЕНА

• Главная
• КХААААААННННН!!!

Наши серверные гномы не смогли найти страницу, которую вы ищете.

Похоже, вы неправильно набрали URL-адрес в адресной строке или перешли по старой закладке.

Возможно, некоторые из них могут вас заинтересовать?

Ардуино Про 328 — 3,3 В/8 МГц

В наличии DEV-10914

18,50 $

1

Избранное Любимый 16

Список желаний

SparkFun GPS Breakout — NEO-M9N, чип-антенна (Qwiic)

В наличии GPS-15733

74,95 $

2

Избранное Любимый 11

Список желаний

Serial Flash Breakout – Собранный 128Mbit

В наличии SPX-17115

Избранное Любимый 6

Список желаний

Day of the Geek – Набор значков для пайки (белый с черной шелковой ширмой)

В наличии КИТ-20119

Избранное Любимый 0

Список желаний

SparkFun на инновационном кофе Arm

24 сентября 2020 г.

Недавно мы присоединились к Arm, чтобы поговорить о комплекте Artemis Dev Kit, работающем под управлением Mbed OS, BLE, tinyML и разработке с помощью Arduino IDE.

Избранное Любимый 0

ПЛИС для MicroMod

22 апреля 2022 г.

Новый процессор Alorium Sno M2 присоединяется к семейству MicroMod вместе со множеством новых комплектов!

Избранное Любимый 0

Безопасный открыватель гаражных ворот своими руками

16 января 2020 г.

Знаете ли вы, что большинство гаражных ворот подвержены риску заклинивания рулона? Здесь мы создаем систему дистанционного управления гаражными воротами своими руками, которая намного более безопасна, чем большинство коммерческих продуктов, использующих новейшую криптографию ECC.

Избранное Любимый 12

Транзистор NPN: 11 фактов, которые вы должны знать! –

Сумали Бхаттачарья

Что такое транзистор NPN?

BJT или биполярный переходной транзистор имеет два основных типа. N-P-N — одна из классификаций BJT. Это трехконтактное устройство, используемое для усиления и коммутации.

Этот транзистор тоже состоит из трех секций, их

1. B-База
2. C- Коллектор
3. E-Эмиттер

• NPN-эмиттер используется для питания через базу носителей заряда.
• Область коллектора собирает носители заряда из области эмиттера.
• База транзистора выполняет работу запуска и работает как контроллер, ограничивающий величину тока, который может проходить через эту область.

Примечание:

В отличие от MOSFET, в котором присутствует только один носитель, BJT имеет два типа носителей заряда — мажоритарный и меньший. В случае транзистора NPN электроны являются основными носителями заряда.

И наоборот, в полупроводниках P-типа электронов мало, а дырки действуют как основные носители заряда, и ток будет проходить через них.

Конструкция транзистора n-p-n:

Ниже приведены схематические изображения транзисторов n-p-n.

Транзистор NPN в качестве диода. Транзистор NPN

Эквивалентная схема транзистора NPN.

Можно сказать, что работа n-p-n транзистора аналогична работе двух диодов с p-n переходом, соединенных друг за другом. Эти диоды с PN-переходом называются переходом C-B коллектор-база и переходом B-E база-эмиттер.

Рассмотрение в соответствии с легированием:

• Секция эмиттера сильно легирована. Общее правило состоит в том, чтобы поддерживать минимальную ширину основания среди всех трех терминалов. Поскольку эмиттер сильно легирован, он может выбрасывать носители заряда в базовые области.
• Как упоминалось ранее, база имеет минимальную ширину и минимальное легирование. База пропускает многочисленные носители заряда к коллектору, который переносится от эмиттера.
• Области коллектора для сравнения умеренно легированы и используются для сбора зарядов из базовой области.

Обозначение транзистора NPN Обозначение транзистора NPN

Распиновка транзистора NPN

Как упоминалось ранее, транзистор имеет три вывода. Это – база, коллектор и эмиттер.

Как определить контакт NPN?

• В большинстве конфигураций центральная часть предназначена для базового терминала.
• Вывод, который находится ниже, является коллектором, а остальная часть — выводом эмиттера.
• Если точка не отмечена, все клеммы должны быть идентифицированы по их ориентации или неравномерному зазору между контактами. Здесь центральный штифт является основанием. Ближайший контакт — это эмиттер, а остальные контакты — коллектор.

Применение NPN-транзисторов:

• Обычно NPN-транзистор используется в качестве биполярного транзистора из-за подвижности электронов, поскольку она выше, чем подвижность дырок.
• Они также используются для усиления и переключения сигналов. Они используются в схемах усилителей, то есть в схемах двухтактных усилителей.
• Транзистор NPN используется в схемах пары Дарлингтона для усиления слабых сигналов до значительного масштабирования сигнала.
• Если есть необходимость потреблять ток, можно использовать транзисторы NPN.
• Помимо этого, транзистор NPN имеет множество применений в датчиках температуры, схемах, таких как логарифмические преобразователи и т. д.

Как работает транзистор NPN?

NPN-транзистору для работы требуется как обратное, так и прямое смещение. Прямое смещение устанавливается между напряжением эмиттера и эмиттером. Обратное смещение подключается между напряжением коллектора и коллектором.

Теперь, поскольку на стороне n диода большинство электронов, а на стороне p большинство дырок, все соединения напряжения организованы как прямое и обратное смещение соответственно. Переход базы-эмиттера настроен на обратное смещение, а переход базы-коллектора работает на прямое смещение. Область обеднения этой области эмиттер-база более узкая по сравнению с областью обеднения пересечения коллектор-база.

Поскольку переход смещен в обратном направлении (эмиттер), отверстия текут от источника питания к N-переходу. Затем электрон движется в сторону р. Здесь происходит нейтрализация части электрона. Остальные электроны движутся в сторону n. Падение напряжения относительно эмиттера и базы составляет V _BE на стороне входа.

В эмиттерах N-типа носителями заряда в основном являются электроны. Следовательно, электроны переносятся через эмиттеры N-типа на базу P-типа. Ток будет проходить через переход эмиттер-база или EB-переход. Этот ток известен как ток эмиттера (Ie). Здесь ток эмиттера (I _E ) течет со стороны выхода и течет в двух направлениях; один – I _B , а другой – I _C . Таким образом, мы можем написать:

            I _E =I _B +I _C

Однако базовая область относительно тонкая и слегка легированная. Следовательно, в основном электроны будут проходить через область базы, и лишь немногие будут рекомбинировать с имеющимися дырками. Ток базы минимален по сравнению с током эмиттера. Обычно она составляет до 5% от всего тока эмиттера.

Ток, протекающий от остальных электронов, называется током коллектора (I _C ). I _C сравнительно высок по сравнению с базой (I _B ).

Схема транзистора N-P-N

Источник напряжения подключен к транзистору NPN. Клемма коллектора соединяется с клеммой +ve напряжения питания (V _CC ) с помощью нагрузочного сопротивления (R _L ). Сопротивление нагрузки также можно использовать для уменьшения максимального тока, протекающего по цепи.

Клемма базы соединена с клеммой + ve напряжения питания базы (V _B ) с сопротивлением R _B . Сопротивление базы используется для ограничения максимального тока базы (I _B ).

Когда транзистор открыт, большой ток коллектора проходит через цепь между коллектором и эмиттером. Однако для этого небольшое количество базового тока должно протекать на нижний вывод транзистора.

Цепь транзистора NPN

Маркировка представляет типичные токи коллектора, базы и эмиттера.

Преимущества и недостатки использования транзистора NPN:

Преимущества:

• Маленький размер.
• Может работать при низком напряжении.
• Очень дешево.
• Низкое выходное сопротивление.
• Долговечный.
• Спонтанные действия.

Недостатки:

• Высокая чувствительность к температуре.
• Производит мало энергии и мощности.
• Может быть поврежден во время теплового разгона.
• Не может работать на высоких частотах.

Транзисторный переключатель NPN

Транзистор работает

• Включен в режиме насыщения
• Выключен в режиме отсечки.

Включен в режиме насыщения

• Когда оба перехода находятся в состоянии прямого смещения, к входному напряжению прикладывается достаточно высокое напряжение. Следовательно, транзистор работает как короткое замыкание, поскольку V _CE приблизительно равен нулю.
• В это время два перехода находятся в состоянии прямого смещения, на входе есть адекватное напряжение.
• В этом состоянии ток будет проходить между коллектором и эмиттером. Ток течет внутри цепи.

Выключен в режиме отключения.

• Если два перехода транзисторов находятся в обратном смещении, транзистор переходит в состояние ВЫКЛ.
• В этом режиме работы напряжение входного сигнала или базовое напряжение равно нулю.
• Следовательно, на коллектор действует суммарное напряжение V _CC .

Рабочий режим транзистора

Он имеет три режима работы в соответствии с смещением, следующие:

• Активный режим
• Режим отсечения
• Режим Satudation Mode
9008 9008 9008
• Режим Satudation Mode
99007 9008 9008 9008 9008 9008 9008 9008 9008
9 9008 9008 9008 9008 9008
• .