Плеханова проходной балл на бюджет 2018: Минимальные и проходные баллы для подачи документов

Содержание

Реклама и связи с общественностью в коммерческом секторе в РЭУ им. Г. В. Плеханова, профиль бакалавриата 

Экзамены, минимальные баллы, бюджетные места, проходные баллы, стоимость обучения на программе Реклама и связи с общественностью в коммерческом секторе, Российский экономический университет имени Г.В. Плеханова

Сводная информация

202120202018

Проходной балл 2020: ?

Мест: 0   arrow_downward 7

в тч квота: 1

Комбинация ЕГЭ 1

ЕГЭ – мин. баллы 2021

Русский язык – 50

Обществознание – 51

Иностранный язык – 50


Посмотрите варианты

Сводная информация

202120202018

Проходной балл 2020: от 174   arrow_upward 25

Мест: 160   arrow_downward 45

Стоимость: от 340000 ⃏

Комбинация ЕГЭ 1

ЕГЭ – мин.

баллы 2021

Русский язык – 40

Обществознание – 45

Иностранный язык – 30


Посмотрите варианты

Параметры программы

Квалификация:  Бакалавриат;

Форма обучения:   Очная;

Язык обучения:  Русский;

На базе:  11 классов;

Срок обучения:  4 года;

Курс:  Полный курс;

Военная кафедра:  нет;

Общежитие:  есть;

По учредителю:  государственный;

Город:  Москва;

Варианты программы

Статистика изменения проходного балла по годам

Проходные баллы на бюджет

2017: 278

2019: 278

Проходные баллы на платное

2017: 149

2019: 149

2020: 174

О программе

Данная программа выпускает профессионалов в сфере PR. По ее окончанию выпускник сможет разработать рекламную, PR-стратегию с пониманием работы в современном рекламном пространстве, с учетом всех изменений и новых технологий. Также вы сможете создавать уникальное торговое предложение различными средствами рекламы, работать над имиджем организаций, разрабатывать бренды.

В рамках данной программы вы будете изучать следующие дисциплины:

  • Экономика
  • Русский язык и культура речи 
  • Социология 
  • Культурология
  • Психология
  • Компьютерные технологии и информатика
  • Политический PR 
  • Основы маркетинга 
  • Маркетинговые исследования и ситуационный анализ 
  • Основы менеджмента 
  • Организация работы отделов рекламы и связей с общественностью 
  • Основы интегрированных коммуникаций
  • Теория и практика массовой информации 
  • Психология массовых коммуникаций
  • Социология массовых коммуникаций 
  • Основы теории коммуникации
  • Политология 
  • Логика и теория аргументации 
  • Иностранный язык в сфере рекламы и связей с общественностью 
  • Концепции современного естествознания 
  • Религиоведение 
  • Социальная психология 
  • Конфликтология 
  • Современные международные отношения 
  • Философия культуры 
  • Стилистика и литературное редактирование 
  • Социолингвистика
  • Дизайн в средствах массовой информации 
  • Журналистика
  • Правовое обеспечение связей с общественностью 
  • Социологические методы в маркетинговых исследованиях 
  • Реклама и связи с общественностью в социальной сфере 
  • Социальное проектирование

Вариантивные:

  • Основы коммерции 
  • Современная пресс-служба
  • Коммуникационный менеджмент 
  • Реклама в коммуникационном процессе 
  • Теория и практика рекламного и PR текстов 
  • Организация и проведение кампаний в сфере связей с общественностью 
  • Антикризисный PR
  • Реклама в информационных технологиях

А данные дисциплины преподаются по выбору студента

  • Социальная антропология 
  • Информационные технологии в рекламе 
  • Социальные и этические вопросы информационных технологий 
  • Корпоративная культура 
  • Корпоративная социальная ответственность
  • Поведение потребителя 
  • Деловое общение
  • Организация, подготовка и презентация результатов научно-исследовательских, рекламных и PR проектов
  • Основы проектной деятельности и фандрайзинга 
  • Социология предпринимательства
  • Философия бизнеса

Дополнительные баллы к ЕГЭ от вуза

Золотой значок ГТО — 2

Аттестат с отличием — 5

Диплом СПО с отличием — 5

Портфолио/олимпиады — до 4

Волонтерство — до 2

Проходной балл в вузах на платное отделение — 2018 — Учёба.

ру

Высшее образование онлайн

Федеральный проект дистанционного образования.

Я б в нефтяники пошел!

Пройди тест, узнай свою будущую профессию и как её получить.

Химия и биотехнологии в РТУ МИРЭА

120 лет опыта подготовки

Международный колледж искусств и коммуникаций

МКИК — современный колледж

Английский язык

Совместно с экспертами Wall Street English мы решили рассказать об английском языке так, чтобы его захотелось выучить.

15 правил безопасного поведения в интернете

Простые, но важные правила безопасного поведения в Сети.

Олимпиады для школьников

Перечень, календарь, уровни, льготы.

Первый экономический

Рассказываем о том, чем живёт и как устроен РЭУ имени Г.В. Плеханова.

Билет в Голландию

Участвуй в конкурсе и выиграй поездку в Голландию на обучение в одной из летних школ Университета Радбауд.

Цифровые герои

Они создают интернет-сервисы, социальные сети, игры и приложения, которыми ежедневно пользуются миллионы людей во всём мире.

Работа будущего

Как новые технологии, научные открытия и инновации изменят ландшафт на рынке труда в ближайшие 20-30 лет

Профессии мечты

Совместно с центром онлайн-обучения Фоксфорд мы решили узнать у школьников, кем они мечтают стать и куда планируют поступать.

Экономическое образование

О том, что собой представляет современная экономика, и какие карьерные перспективы открываются перед будущими экономистами.

Гуманитарная сфера

Разговариваем с экспертами о важности гуманитарного образования и областях его применения на практике.

Молодые инженеры

Инженерные специальности становятся всё более востребованными и перспективными.

Табель о рангах

Что такое гражданская служба, кто такие госслужащие и какое образование является хорошим стартом для будущих чиновников.

Карьера в нефтехимии

Нефтехимия — это инновации, реальное производство продукции, которая есть в каждом доме.

Российский государственный торгово-экономический университет (ФГБОУ ВПО “РЭУ им.

Г.В. Плеханова”. Экономический лицей) – Москва

Давным-давно известно, что использование ректором Донецкого национального университета С.В. БЕСПАЛОВОЙ в поздравлениях Б/У (бывших в употреблении) слов является для нее нормой. Это показывает изучениевсего корпуса ее поздравлений. Случился тут как-то в 2019 г. день рождения унекоего гражданина России С.Н.Бабурина. И БЕСПАЛОВА стала сразу готовитьпоздравления по привычным для нее правилам. И подготовила (http://news.donnu.ru/2019/01/31/kollektiv-donnu-pozdravlyaet-s-60-letnim-yubileem-sergeya-nikolaevicha-baburina/)(Опускаем только обращение и трипредложения.) –|| – «Для каждого из нас юбилей являетсяисточником неисчерпаемой энергии, поскольку соединяет в себе знания инеоценимый опыт. Те достижения, с которыми Вы пришли к своему славному [60]-летию,свидетельствуют о глубине Ваших знаний и жизненной мудрости». – Это взято изпоздравления (6 марта 2017г.) коллектива ДонНУ, направленного профессору М. И. Белявцеву послучаю его 80-летия (http://news.donnu.ru/2017/03/06/kollektiv-donnu-pozdravlyaet-professora-kafedry-marketing-i-logistika-mihaila-ivanovicha-belyavtseva-s-80-letnim-yubileem/).Через год (26 февр. 2018 г.) БЕСПАЛОВА,не стесняясь, эти же слова пишет впоздравлении, направленном российскому писателю А.А.Проханову по случаю его 80-летия (http://news.donnu.ru/2018/02/26/pozdravlyaem-aleksandra-andreevicha-prohanova-s-80-letnim-yubileem/).Впрочем, упоминание здесь стеснения, вероятно, неуместно. –|| – «Мы Вас знаем, как яркую личность, которуювсегда отличали профессионализм, глубокие знания, талант, трудолюбие инеиссякаемая энергия». – Ср.: «… Вы являетесьяркой личностью, которую всегда отличали профессионализм, глубокие знания инеиссякаемая энергия». – Взято из указанного выше подравления А.А.Проханову (http://news.donnu.ru/2018/02/26/pozdravlyaem-aleksandra-andreevicha-prohanova-s-80-letnim-yubileem/). –|| –«[Вы] … руководитель … высокого уровня, энергичный и ответственный человек,способный с успехом претворить в жизнь самые смелые планы, новые решения во имяпроцветания …» – Ср. : «[Вас знают как]руководителя высокого уровня, энергичного и ответственного человека, способногос успехом претворить в жизнь самые смелые планы, новые решения во имяпроцветания …». – Это – из поздравления (19 апреля 2012 г.) руководства и коллектива ОАО «Муромскийприборостроительный завод» губернаторуВладимирской области Н.В.Виноградову (https://www.vladimir.kp.ru/daily/25871.4/2833161/).–|| – «Ваша преданность выбранному делу может для многихпослужить достойным примером, а вклад в возрождение духовности, принциповморали и нравственности отмечает Вас как настоящего патриота с многолетнимопытом плодотворной работы. … От всего сердца, дорогой .., поздравляем Вас сюбилейным пополнением возрастного стажа! Примите самые искренние пожеланияблагополучия и успехов по случаю Вашего праздника, реализации всех планов иначинаний, понимания и поддержки близких и дорогих Вам людей. От всей душижелаем Вам эффективной работы, новых побед и достижений! Мира Вам и долголетия!Ждем новых встреч на нашей донецкой земле!» – Взято из указанного выше подравленияА. А.Проханову (http://news.donnu.ru/2018/02/26/pozdravlyaem-aleksandra-andreevicha-prohanova-s-80-letnim-yubileem/). – Интересно, как отнесся гражданин БАБУРИН к тому,что ему предложили давние объедки с плагиаторского стола БЕСПАЛОВОЙ? – Но главное в другом: стало понятно,насколько уважает БЕСПАЛОВА этого гражданина, если поздравляет его такойцидулей!!!

В каких вузах самый высокий проходной балл ЕГЭ? | Образование | Общество

С 20 июня высшие учебные заведения России начинают принимать документы абитуриентов на поступление. По итогам прошлогодней приемной кампании в среднем в российских вузах на одно место претендовали 9,1 человека. Средний балл ЕГЭ зачисленных составил 69,1, как сообщила вице-премьер Татьяна Голикова.

В каких вузах были самые высокие средние баллы по ЕГЭ?

Как правило, список вузов, для поступления в которые требуются самые высокие проходные баллы ЕГЭ, из года в год меняется мало. В него неизменно входят такие престижные учебные заведения, как МГИМО, МГУ, СпбГУ, Высшая школа экономики и др.

По данным мониторинга качества приема в вузы НИУ ВШЭ (в партнерстве с Федеральной службой по надзору в сфере образования и науки, Министерством высшего образования и науки РФ и компанией «Яндекс»), рейтинг российских вузов по среднему баллу ЕГЭ у зачисленных на бюджет в 2018 году выглядит так:

1. Московский физико-технический институт (МФТИ) — 96,4
2. Московский государственный институт международных отношений (МГИМО) — 95,3
3. Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (НИУ ВШЭ) — 94,6
4. Санкт-Петербургский государственный университет (СпбГУ) — 91,8
5. Санкт-Петербургский филиал Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики» — 90,5
6. Национальный исследовательский университет «МИФИ» — 90,3
7. Университет ИТМО — 90,2
8. Российская академия народного хозяйства и государственной службы при Президенте РФ (РАНГиХС) — 89,7
9. Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова (МГУ им. Ломоносова) — 89,3
10. Российский экономический университет им. Г. В. Плеханова (РЭУ им. Плеханова) — 88,2

Самый высокий средний балл ЕГЭ для поступавших на платное обучение оказался в следующих вузах:

1. Университет «Иннополис» — 90,4
2. Московский физико-технический институт (МФТИ) — 86,3
3. Московский государственный институт международных отношений (МГИМО) — 82,6
4. Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (НИУ ВШЭ) — 82,3
5. Государственный институт русского языка имени А. С. Пушкина (Гос. ИРЯ им. А. С. Пушкина) — 81,7
6. Московская высшая школа социальных и экономических наук (МВШСЭН) — 80,6
7. Санкт-Петербургский государственный университет (СпбГУ) — 79,7
8. Санкт-Петербургский филиал Национального исследовательского университета «Высшая школа экономики» — 78,8
9. Литературный институт имени А. М. Горького — 77,8
10. Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова (МГУ им. Ломоносова) — 76,2

В каких регионах самые высокие средние баллы по ЕГЭ?

В 2018 году, согласно Мониторингу качества приема в вузы, средний балл ЕГЭ по всем зачисленным был выше 70 в Москве и Московской области, Санкт-Петербурге, в Татарстане, Башкортостане, Краснодарском крае, Томской, Новосибирской, Ленинградской, Свердловской, Нижегородской и Тюменской областях.

В топ-5 регионов с самым высоким средним баллом ЕГЭ для поступления как на бюджет, так и на платные места, вошли: Москва и Московская область (76,9 — бюджет, 67,6 — платное), Санкт-Петербург и Ленинградская область (76,9 и 66,4), Томская область (74,2 и 63,1), Республика Татарстан (72,1 и 65,5) и Краснодарский край (70,1 и 64,8).

В число регионов с наиболее высокими средними баллами ЕГЭ для абитуриентов-бюджетников также вошли Новосибирская область (71,0), Свердловская область (70,2), Тюменская область (69,3) и Республика Башкортостан (69,1). В списке лидеров по баллам ЕГЭ для поступления на платные места также оказались Нижегородская область (62,2), Пермский край (62,1), Ярославская область (62,0), Калужская область (61,7).

Смотрите также:

SEC.gov | Превышен порог скорости запросов

Чтобы обеспечить равный доступ для всех пользователей, SEC оставляет за собой право ограничивать запросы, исходящие от необъявленных автоматизированных инструментов. Ваш запрос был идентифицирован как часть сети автоматизированных инструментов за пределами допустимой политики и будет обрабатываться до тех пор, пока не будут приняты меры по объявлению вашего трафика.

Укажите свой трафик, обновив свой пользовательский агент и включив в него информацию о компании.

Для лучших практик по эффективной загрузке информации из SEC.gov, включая последние документы EDGAR, посетите sec.gov/developer. Вы также можете подписаться на рассылку обновлений по электронной почте о программе открытых данных SEC, включая передовые методы, которые делают загрузку данных более эффективной, и улучшения SEC. gov, которые могут повлиять на процессы загрузки по сценарию. Для получения дополнительной информации обращайтесь по адресу [email protected]

Для получения дополнительной информации см. Политику конфиденциальности и безопасности веб-сайта SEC. Благодарим вас за интерес к Комиссии по ценным бумагам и биржам США.

Идентификатор ссылки: 0.67fd733e.1639095652.b3f96064

Дополнительная информация

Политика безопасности в Интернете

Используя этот сайт, вы соглашаетесь на мониторинг и аудит безопасности. В целях безопасности и обеспечения того, чтобы общедоступная услуга оставалась доступной для пользователей, эта правительственная компьютерная система использует программы для мониторинга сетевого трафика для выявления несанкционированных попыток загрузки или изменения информации или иного причинения ущерба, включая попытки отказать пользователям в обслуживании.

Несанкционированные попытки загрузить информацию и / или изменить информацию в любой части этого сайта строго запрещены и подлежат судебному преследованию в соответствии с Законом о компьютерном мошенничестве и злоупотреблениях 1986 года и Законом о защите национальной информационной инфраструктуры 1996 года (см. Раздел 18 U.S.C. §§ 1001 и 1030).

Чтобы обеспечить хорошую работу нашего веб-сайта для всех пользователей, SEC отслеживает частоту запросов на контент SEC.gov, чтобы гарантировать, что автоматический поиск не влияет на возможность доступа других лиц к контенту SEC.gov. Мы оставляем за собой право блокировать IP-адреса, которые отправляют чрезмерное количество запросов. Текущие правила ограничивают пользователей до 10 запросов в секунду, независимо от количества машин, используемых для отправки запросов.

Если пользователь или приложение отправляет более 10 запросов в секунду, дальнейшие запросы с IP-адреса (-ов) могут быть ограничены на короткий период.Как только количество запросов упадет ниже порогового значения на 10 минут, пользователь может возобновить доступ к контенту на SEC.gov. Эта практика SEC предназначена для ограничения чрезмерного автоматического поиска на SEC.gov и не предназначена и не ожидается, чтобы повлиять на людей, просматривающих веб-сайт SEC. gov.

Обратите внимание, что эта политика может измениться, поскольку SEC управляет SEC.gov, чтобы гарантировать, что веб-сайт работает эффективно и остается доступным для всех пользователей.

Примечание: Мы не предлагаем техническую поддержку для разработки или отладки процессов загрузки по сценарию.

Revista ESPACIOS | Vol. 39 (Nº 22) Año 2018

Vol. 39 (№22), 2018 год. Страница 8

Введение тарифов курорта в России в рамках публичных дебатов

ДЖАНДЖУГАЗОВА Елена Александровна, 1; Марианна М. РОМАНОВА 2; Татьяна В. ЖУБРЕВА 3; Елена Леонидовна ДРАЧЕВА 4

Поступила: 02.02.2018 • Одобрена: 03.05.2018



1. Кафедра гостеприимства и туризма, Российский экономический университет им. Г.В. Плеханова, Москва, Россия. Контактный e-mail: [email protected]

2. Кафедра гостеприимства и туризма РЭУ им. Г.В. Плеханова, Москва, Россия

3.Кафедра ресторанного бизнеса, Российский экономический университет им. Г.В. Плеханова, Москва, Россия

4. Департамент туризма, Московское государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный институт индустрии туризма имени Ю.А. Сенкевича “. Кронштадтский бульвар, Москва, Россия


Revista ESPACIOS. ISSN 0798 1015

Том. 39 (№ 22) Год 2018

[Índice]

[Если вы обнаружите какие-либо ошибки на этом сайте, отправьте электронное письмо веб-мастеру]

© 2018.revistaESPACIOS.com • ® Права защищены

Содержание

1. Введение

2.Материалы и методы

3. Результаты и обсуждение

4. Последствия и выводы

Библиографические ссылки


.

АННОТАЦИЯ:

В настоящее время проблема введения курортных сборов на территории Российской Федерации стоит очень остро и актуально. Поэтому данная статья посвящена теоретическим и практическим вопросам взимания курортного сбора, который введен в пилотном режиме с 1 января 2018 г. в четырех регионах России.Авторами изучены и систематизированы результаты опросов общественного мнения о введении курортных сборов в России, проанализировано отношение россиян к инициативе. Основными методами изучения проблемы были системный и ретроспективный анализ, экспертные оценки и социологические измерения на основе анкетных опросов в Интернете и социологических опросов. В ходе исследования особое внимание было уделено изучению практики введения курортных сборов в зарубежных странах.Авторы, основываясь на анализе российского и зарубежного опыта, приводят аргументы за и против взимания курортных сборов. В статье также обоснованы существующие подходы медиа-продвижения социальных и гражданских инициатив, применяемые в сфере туристической и курортной политики.
Ключевые слова: Курортный сбор, местные налоги, курортные регионы РФ, туристическая инфраструктура

РЕЗЮМЕ:

Hoy en día el проблема знакомств с туристической туристической федерацией в Rusa es muy grave y Actual. En este context el presente artículo se dedica a las cuestiones teóricas y prácticas sobre el cobro de tasa turística que está Experimentmente introducida en cuatro regiones de Rusia a partir de 1 de enero de 2018. Los autores han estudiado y clasificado los de resultados sobre el cobro de tasa turística en la Federación Rusa, y también han analysisado la actitud ante esta iniciativa. Los métodos Principales del Estudio del проблема planteado son: el método de análisis sistemático y retrospectivo, los métodos de Assessment de Expertos y sizesión sociológica, realizados sobre la base de cuestionarios en línea y encuestas sociológica.En el estudio se prestó especial atención al estudio de la práctica de aplicación de tasas turísticas en países extranjeros. En la base del análisis de la experience rusa e internacional Los autores han presentado argumentsos a help yen contra del cobro de tasa turística, y además han presentado enfoques de la promoción de iniciativas sociales y civiles en la política de recación y Palismo
y Palismo 900 : Tasa turística, impuestos locales, Regiones de la Federación Rusa, infraestructura turística

1.Введение

В 2017 году споры о целесообразности введения курортного сбора в некоторых регионах отличались остротой и социальной активностью. Интерес к проблеме введения курортного сбора в современных условиях вполне естественен и предсказуем, так как согласно вступившему в силу закону курортный сбор начнет взиматься с туристов в Крыму, Краснодарском крае, Алтае и Ставропольском крае после мая. 2018. Введение курортного сбора задумано как эксперимент, который продлится до конца 2022 года.В законе указывается, что размер сбора не должен превышать 100 рублей в сутки, а максимальная ставка курортного сбора в 2018 году должна быть менее 50 рублей в сутки (Федеральный закон № 214-ФЗ, 2017).

Несмотря на поэтапное введение и поддержку инициатив со стороны местных властей, которым будет поручено определять размер курортного сбора и сроки его взимания самостоятельно, принятый закон вызвал серьезный общественный резонанс и еще раз показал, что общество очень чутко к осуществление любой дополнительной финансовой нагрузки на бюджет граждан. Даже если принятое решение объясняется такой необходимостью, как совершенствование курортной инфраструктуры.

Проблема содержания и развития курортной инфраструктуры никогда не теряла своей актуальности, и ее очень сложно решить на региональном уровне без привлечения дополнительных финансовых источников. Дополнительные адресные сборы – один из способов решения проблемы финансирования, так как позволяют пополнять региональные курортные бюджеты. (Джанджугазова, 2010; Фарташ и др., 2018; Davoudi et al., 2018). Так, по оценке Правительства РФ, введение курортного сбора позволит увеличить бюджет Ставропольского края на 2,02 миллиарда рублей, Краснодарского края – на 8,3 миллиарда, а бюджета Крыма – на 16,4 миллиарда рублей. Все вырученные средства пойдут на содержание, ремонт и реконструкцию курортной инфраструктуры (РИА Новости, 2017).

В качестве научного инструментария для проведения исследования были выбраны такие общенаучные и специальные методы, как метод системного анализа, метод ретроспективного анализа, метод экспертных оценок и социологические измерения на основе интернет-анкет и опросов.

Информационная база исследования состоит из статистических материалов и аналитических разработок Федерального агентства по туризму Российской Федерации (Ростуризм), научно-исследовательских и проектных разработок НИИ «Индустрия гостеприимства» РЭУ им. Г.В. Плеханова. ; публикации в авторитетных российских и зарубежных изданиях; электронный контент российских и зарубежных интернет-порталов.

В статье использованы материалы заседания Президиума Госсовета «О мерах по повышению инвестиционной привлекательности курортной отрасли России», прошедшего в августе 2016 г. в Алтайском крае.Авторами проанализирован Федеральный закон «О проведении эксперимента по развитию курортной инфраструктуры в Республике Крым, Алтайском крае, Краснодарском крае и Ставропольском крае».

Основу исследования составили данные журналов «Российская Федерация сегодня» и «Парламентская газета», проанализировавших результаты поисковых систем «Яндекс» и «Google» за 2017 год. Обсуждаются несколько сотен законов. , а закон о введении курортного сбора в четырех регионах России стал сегодня самой обсуждаемой темой, опередив целый ряд таких важных вопросов, как реновация Москвы, «лесная амнистия», детский отдых, пенсии и т. д.

Сделанные авторами выводы основаны на анализе опросов Фонда «Общественное мнение», интернет-опроса РИА Новости, интернет-опроса медиа-сервиса портала «Рамблер», опроса туристического сервиса «tutu.ru». », Поисковые сервисы Biletix и Aviasales, каналы социальных сетей« Коммерсант FM ».

3. Результаты и обсуждение

3.1. Причины введения курортного сбора

Отметим, что введение курортного сбора – это не просто реакция на сложную геополитическую ситуацию, вызванную экономическим кризисом и санкциями, которые негативно повлияли на доходную часть бюджета России.Эти факторы подтолкнули госструктуры к поиску дополнительных возможностей для развития региональной туристско-курортной инфраструктуры, состояние которой объективно снижает конкурентоспособность российских курортов (Романова, Кульгачев, 2017). В определенном смысле присоединение в 2014 году Крыма, курортная инфраструктура которого находилась в плачевном состоянии и требовала немедленного ремонта, стало катализатором формирования законодательной инициативы по введению курортного сбора.

В свою очередь, процесс включения Крыма в российский туристско-рекреационный комплекс выявил ряд серьезных региональных проблем, которые необходимо решать на местном уровне и может потребовать привлечения местных финансовых ресурсов.

Вопросы введения курортного сбора рассматривались на заседании Президиума Госсовета «О мерах по повышению инвестиционной привлекательности санаторно-курортного комплекса России». В рамках встречи Президент поручил Правительству ввести в России курортный сбор регионального масштаба.Он подчеркнул, что сбор платы должен быть организован с четким пониманием целей, задач и процессов администрирования, и предложено создать четкий механизм контроля за ее расходованием (Официальный сайт Президента Российской Федерации , 2016).

Принятый в 2017 году Федеральный закон «О проведении эксперимента по развитию курортной инфраструктуры в Республике Крым, Алтайском крае, Краснодарском крае и Ставропольском крае» предполагает двухэтапный подход к введению курортного сбора.Согласно закону, эксперимент проводится в четырех пилотных регионах с последующим распространением на всю территорию страны. Подобная последовательность действий оправдана с учетом того, что курортный сбор ранее неоднократно вводился на территории СССР и Российской Федерации, но не всегда был выгоден как с экономической, так и с административно-правовой точки зрения (Федеральный закон № 214 -FL, 2017).

Несмотря на положительную направленность законодательной инициативы о введении курортного сбора, большинство россиян восприняли ее отрицательно.Об этом свидетельствуют результаты десятков опросов, проведенных в первой половине 2017 года, и довольно напряженная дискуссия в популярных социальных сетях.

3.2. Анализ результатов опросов и общественного обсуждения вопроса о введении курортного сбора

Здесь мы указываем наиболее масштабные опросы, проведенные с целью изучения общественного мнения по вопросу введения курортных сборов в России, а именно:

1. Исследование фонда «Общественное мнение».В ходе опроса было опрошено 1500 человек в 53 регионах Российской Федерации. Цель заключалась в выявлении отношения граждан к введению курортного сбора в некоторых регионах.

2. Интернет-опрос РИА «Новости». В опросе приняли участие более 55 тысяч человек.

3. Онлайн-опрос популярного интернет-портала «Рамблер». В ходе опроса было опрошено 6500 человек.

4. Обзор популярного туристического портала «Туту.ру». В опросе приняли участие 18000 человек.

5.Опрос, проведенный поисковыми системами «Biletix» и «Aviasales» в Интернете, чтобы узнать, что их клиенты думают о курортных сборах.

6. Опрос в социальных сетях, проведенный журналистами «Коммерсантъ FM» с целью выяснения отношения их слушателей к курортному сбору.

Результаты социологического исследования, несмотря на незначительные колебания ценностей, показали всю картину негативного отношения граждан к введению курортного сбора.На рис. 1-4 представлены все обобщенные данные всех опросов.

Рисунок 1
Структура ответов на вопрос: Как
вы относитесь к введению курортного сбора?

Анализ результатов опроса, направленного на выявление восприятия гражданами Российской Федерации курортного сбора, показал, что почти две трети респондентов (68%) относятся к категории отрицательно, только каждый пятый (18%) – положительно, и 14% респондентов не имеют однозначного мнения по этому поводу.

В ходе исследования респонденты приводили аргументы, раскрывающие причины их отрицательного отношения к курортному сбору (рис. 2). Полученные результаты позволяют выявить конкретные проблемы граждан, что, безусловно, проясняет сложившуюся ситуацию и дает возможность сделать обоснованные выводы.

Рисунок 2
Аргументы респондентов, которые
отрицательно относятся к введению курортного сбора.

Результаты, представленные на рис. 2, показали, что большинство респондентов (37%) обеспокоены тем, что после введения платы туризм станет дороже. Эту озабоченность разделяют не только сами потребители, но и представители туристической и курортной индустрии. Последние понимают, что управление курортным сбором также потребует затрат, которые дополнительно лягут на потребителей. Значительное количество респондентов (27%) активно обсуждают вопрос о том, что курортный сбор – это просто обычные налоги для граждан, в которые также входят сборы за капитальный ремонт, транспортный налог и т. Д.Продолжая эту точку зрения, 24% респондентов считают введение курортного сбора несправедливым. При этом значительная часть респондентов (22%) считает введение курортного сбора нарушением их гражданских прав. Многих удивляет идея платить туристический сбор за отдых в собственной стране. Еще две большие группы граждан объясняют свое неприятие курортного сбора не-субъективными причинами. Так, в частности, 20% отмечают, что введение платных услуг снизит интерес к отдыху в России, а 18% респондентов считают, что это не поможет развитию курортной инфраструктуры.В то же время респонденты довольно оптимистично оценивают влияние введения курортного сбора (рис. 3).

Рисунок 3
Мнения респондентов о
последствиях введения курортного сбора

Только треть респондентов (33%) считает, что последствия будут негативными. Чуть менее трети (29%) респондентов высказали мнение, что они будут положительными и позволят развивать туристическую инфраструктуру и новые виды туризма (Джанджугазова, 2016а).Около 38% респондентов считают, что это вообще не повлияет. Такие результаты, на наш взгляд, связаны, прежде всего, с тем, что большинство граждан считают данную меру временной и просто не верят, что инициатива введения курортного сбора будет доведена до успешного завершения. Это связано с тем, что принятый закон будет действовать только до 31 декабря 2022 года, то есть носит экспериментальный характер. Однако россияне, несмотря на скептическое отношение к введению курортного сбора, имеют свои взгляды на способы расходования вырученных денег (рис.4).

Рисунок 4
Результаты ответа на вопрос
«Что нужно финансировать за счет курортного сбора?»

Анализ данных на рисунке 4 позволяет сделать вывод, что большая часть респондентов (66%) считает, что средства следует направить на развитие существующей курортной инфраструктуры (36%) и создание новой (30%). %). При этом 28% респондентов признают, что курорты могут выделять средства на другие нужды.Подобное распределение мнений респондентов привлекло внимание к еще одному нежному месту публичной дискуссии о введении курортного сбора – «На что пойдут полученные средства?»

Здесь стоит отметить, что этот вопрос актуален как для простых граждан, с которых взимается курортный сбор, так и для профессионалов туристической индустрии (Джанджугазова и др., 2016б). В тексте Закона (Федеральный закон №214) указано, что эксперимент по введению курортного сбора проводится «для развития курортной инфраструктуры с целью сохранения, восстановления и развития курортов; для формирования единого туристского пространства и создания благоприятных условий для устойчивого развития туризма ».

К сожалению, большинство граждан и экспертов считают эту достаточно обоснованную фразу не более чем «фигурой речи» и такое недоверие объяснимо. Так, например, нет четкого понимания вопросов, связанных с управлением и организацией самого процесса сбора средств на муниципальном уровне. Кроме того, существуют терминологические пробелы, требующие разъяснения таких вопросов, как «Что представляет собой« курортный сбор »?», «Это« сбор »или« налог »и чем эти термины отличаются друг от друга»? Если курортный сбор является налогом, почему организация его сбора возлагается на органы местного самоуправления, а не на налоговую инспекцию?

Более того, скептицизм усиливается из-за отсутствия четкой позиции бизнеса и правительства по этому вопросу; их взгляды в основном основаны на результатах местного и зарубежного опыта введения курортных сборов.В то же время, на наш взгляд, инициативы по введению курортного сбора требуют хорошей информационной и разъяснительной проработки, ведь общественное мнение нужно не только изучать, но и готовить! (Джанджугазова и др., 2016в).

Практика показывает, что пресса освещает инициативу по введению курортных сборов как волнующую новость, но зачастую даже не вникает в суть вопроса и его детали (Джанджугазова, Адашова, Андреева, 2012).В некоторых случаях представители СМИ не имели ни малейшего представления о том, что «курортный сбор» – это не «ноу-хау», поскольку он вводился в разные годы, в том числе и в советское время, что многие россияне вспоминают как «торжество общественной жизни». справедливость”. В общем, речь идет даже не о необходимости взимания курортного сбора, а о способах его сбора и управления собранными средствами! Наш контент-анализ сотен обзоров российских социальных сетей показывает, что многие опасаются, что доброе дело может обернуться очередным «грабежом».Чтобы исправить ошибки прошлого и преодолеть сложившееся негативное отношение к предлагаемому курортному сбору, необходимо глубже изучить историю вопроса и сделать необходимые выводы.

3.3. Анализ советского и российского опыта реализации курортного сбора

Курортный сбор существовал и в правовой системе, и в экономической практике Советского Союза: на основании Постановления ЦИК и СНК СССР от 17 августа 1933 года он был введен для частичного возмещения затрат на благоустройство санаториев и оздоровление потребителей. услуги отдыхающих.Граждане выплачивали его при оформлении паспортов на местах, а также в периоды года, определяемые Наркоматами финансов союзных республик по согласованию с местными Наркоматами здравоохранения. С 7 мая 1936 г. курортный сбор был заменен единовременным гербовым сбором (Толкушин, 2001). После распада СССР Правительство приняло Закон РСФСР от 12 декабря 1991 г. «О взимании курортных сборов с физических лиц», который предусматривал, что физические лица должны были платить за пребывание на курортах.Отдыхающие должны были оплатить сбор по месту временного пребывания в течение трех дней. Сборщиками средств выступили администрация гостиниц и других средств размещения, квартирно-посредническое бюро, направляя граждан в места временного пребывания.

Ставки курортного сбора устанавливаются правительствами республик в составе Российской Федерации и исполкомами территориальных и региональных Советов народных депутатов. Предельная ставка курортного сбора не превышала 5% установленной законом минимальной заработной платы.При том, что с 1 апреля 1992 года размер минимальной заработной платы составлял 900 рублей, верхний предел курортного сбора находился на уровне 45 рублей, что сопоставимо с параметрами современного курортного сбора. И в старом, и в действующем законодательстве определены льготные категории граждан, освобожденных от уплаты курортного сбора.

Сбор не взимался с физических лиц, проживающих в гостиницах, муниципальных, ведомственных и кооперативных домах, в частных домах граждан, а также в палатках и транспортных средствах.Предусмотрены также освобождения от курортного сбора. Такие категории граждан, как дети до 16 лет, инвалиды войны и труда, граждане, посещающие местность по служебным делам, пожилые люди, навещающие своих детей и наоборот, и некоторые другие, были освобождены от уплаты налога. Несмотря на то, что размер туристического налога в 2004 году был довольно низким, он был отменен из-за неясности механизма его сбора и распределения средств, а также из-за его неэффективности, поскольку стоимость его администрирования превышала допустимую. доходы, полученные от туристов.(Толкушин, 2001)

В этой связи мы должны помнить, что сбор курортных сборов действовал в период, когда страна переживала тяжелые времена из-за распада Советского Союза и последующего экономического кризиса и дефолта, которые привели к резкому снижению количество отдыхающих на курортах России. За указанный период количество отдыхающих на курортах Сочи сократилось в пять раз по сравнению со временем «развитого социализма», а с 1991 года почти достигло 2.Уменьшение в 5-3 раза. (Джанджугазова, 2004)

Рисунок 5 иллюстрирует данные Госстата города Сочи, наглядно демонстрируя динамику количества отдыхающих за период 1991-2003 гг.

Рисунок 5
Динамика количества отдыхающих за период 1991-2003 гг.

Представленная динамика количества отдыхающих демонстрирует резкое снижение, что подчеркивает бесполезность и даже вред введения дополнительных сборов в эти периоды.Совершенно очевидно, что этот опыт необходимо учитывать в современных условиях, поскольку значительное количество людей выступает против введения курортного сбора. В то же время средства, собранные за счет курортного сбора, должны поддержать поддержание и развитие существующей курортной инфраструктуры и должны заметно повысить качество обслуживания, в том числе улучшить качество пляжей и других общественных зон курортов. (Рубан, Зубрилина, Яшалова, 2017). Потребители курортных услуг должны почувствовать улучшение качества курортных услуг, иначе даже умеренные сборы будут восприняты гражданами негативно, что, несомненно, изменит их отношение к российским курортам.

Это особенно актуально для курортов Крыма, где еще достаточно слабая инфраструктура и очень плохой курортный сервис. В этой ситуации большая ответственность ложится на местные курортные власти, которые должны постоянно вести диалог со своими гостями. Они должны помочь туристическому сообществу понять, что сделано на собранные средства, а также публично обсудить с туристами проекты модернизации курортной инфраструктуры.Здесь, на наш взгляд, целесообразно использовать опыт Москвы и городских властей, которые с 2014 года проводят регулярные электронные референдумы на портале «Активный гражданин». Такая форма обратной связи с гражданами позволяет не только снизить степень социальной напряженности, но и получить интересные и полезные национальные инициативы. (Джанджугазова, 2010)

Кроме того, если туристы, оплачивающие курортный сбор, действительно увидят результаты внедрения данной инициативы, то постепенно негативное отношение будет преодолено.Более того, если в будущем власти усовершенствуют механизм взимания платы, то все это снимет лишнюю нагрузку с «операторов курортных сборов», которыми по закону являются юридические лица или индивидуальные предприниматели, предоставляющие гостиничные услуги временного размещения коллективов или физических лиц.

3,4 Анализ зарубежного опыта

Мировая практика также накопила значительный опыт в области взимания курортного сбора.Например, в Беларуси курортный сбор – это местный налог. Курортный сбор взимается с физических лиц за проживание в санаторно-курортных организациях, оздоровительных центрах, домах отдыха, пансионатах и ​​других оздоровительных учреждениях. Налоговая база курортного сбора определяется стоимостью проживания, а размер курортного сбора устанавливается в зависимости от вида санаторно-курортной организации, но не должен превышать 5%. Если учесть, что налогооблагаемой базой является стоимость проживания, то курортный сбор составляет приличную сумму, учитывая, что стоимость пребывания в санаторно-курортных учреждениях за последние годы значительно выросла.(Заславская, 2006)

В Италии курортный сбор имеет богатую историю. Его неоднократно отменяли и повторно вводили на протяжении многих лет. В настоящее время курортный сбор представляет собой сбор местного уровня, который платят физические лица за проживание в отелях, расположенных на территориях туристических зон и в исторических городах. Процедура налогообложения осуществляется с учетом большого количества критериев, но в пределах установленного максимума не более 5 евро за ночь.

В США курортный сбор существует в виде гостиничного налога (Hotel Tax), который также относится к сборам местного уровня.Его коллекция служит цели развития туристической инфраструктуры, в том числе строительства объектов туристической отрасли.

В Германии целый ряд городов также взимает сборы с туристов. Например, в Берлине этот налог был введен в 2014 году и составляет 5% от стоимости номера. При этом гости освобождаются от уплаты этого налога, если они приехали в город с деловой целью.

В Португалии, в том числе в Лиссабоне, с 1 января 2016 года также введен городской туристический сбор местного значения.За каждого гостя старше 13 лет взимается 1 евро за ночь, но не более 7 ночей, то есть плата не превышает 7 евро за человека за все время пребывания.

С 1 января 2018 г. обновлены государственные налоги на проживание в отелях в ОАЭ, Саудовской Аравии, Греции и в городе Франкфурт-на-Майне. Изменения касаются как новых бронирований, так и бронирований, сделанных в 2017 году с датой проживания в 2018 году. Согласно местной налоговой политике, гости оплачивают их на месте в отеле.В Греции ставка налога может варьироваться от 0,5 до 4 евро за ночь в зависимости от категории отеля (для 5 * это 4 евро, 4 * – 3 евро, 3 * – 1,5 евро, 1 * – 0,5 евро, а для квартир – 0,5 евро).

Во Франкфурте-на-Майне с 1 января 2018 г. установлен новый городской налог в размере 2 евро с человека за ночь. Деловые путешественники освобождаются от уплаты налогов, если подтверждают деловую цель поездки.

В ОАЭ и Саудовской Аравии с 1 января 2018 года вступил в действие новый налог на добавленную стоимость (НДС).Согласно данным Совета сотрудничества стран Персидского залива (ССЗ), НДС на проживание в отеле составляет 5% от стоимости номера.

В целом можно отметить, что курортный сбор как местный налог широко используется на мировых курортах и ​​туристических центрах. Порядок и сроки его сбора устанавливаются местными властями с учетом времени года и местных особенностей. Туристы в основном платят налог за проживание в отелях и других объектах коллективного проживания, его ставка имеет лимит, а некоторые категории граждан освобождены от его уплаты.(Заславская, 2006)

4. Последствия и выводы

Проблема курортного сбора не просто актуальна, она имеет серьезное общественное значение, так как курортам и турбазам всегда необходимо дополнительное финансирование, позволяющее поддерживать и развивать курортную инфраструктуру. В свою очередь, туристы, использующие эту инфраструктуру, должны участвовать в ее создании и поддержании. Однако нельзя забывать, что люди сами выбирают себе место отдыха, а это значит, что взимание курортных сборов может вызвать разочарование и снизить интерес к местам с курортными сборами.В связи с этим, на наш взгляд, органы местного самоуправления из вышеописанных территорий должны сделать процедуру понятной для туристов, особенно в части информации о расходовании собранных средств. Очень важно создать систему контроля сбора платежей и обеспечить целевое использование собранных средств. Кроме того, необходимо периодически изучать общественное мнение относительно отношения туристов к условиям и порядку взимания курортного сбора, чтобы проникнуться настроением общества.Очень часто недовольство населения вызывает не сам факт взимания платы, а безграмотные действия местных властей и непрозрачность процессов.

Библиографические ссылки

Давуди С.М.М., Фарташ К., Закирова В.Г., Белялова А.М., Курбанов Р.А., Боярчук А.В., Сизова Ж.М. (2018). Проверка опосредующей роли открытых инноваций во взаимосвязи между правами интеллектуальной собственности и организационной эффективностью: пример научно-технического парка. EURASIA Journal of Mathematics, Science and Technology Education, 14 (4), 1359-1369.

Джанджугазова, Е.А. (2004). Формирование стратегии развития регионального туристско-рекреационного комплекса. Москва: АСТ.

Джанджугазова, Е.А. (2010). Туризм и инновационное развитие: проект ФГУП ВУЗ «РГУТиС» «Живая карта России». Современные проблемы сервиса и туризма , 3, 66-72.

Джанджугазова, Э.А., Адашова Т.А., Андреева Т.С. (2012). Актуальные проблемы изучения туристских ресурсов Российской Федерации на основе применения информационных технологий. Москва: Academia.

Джанджугазова Е.А., Блинова Е.А., Орлова Л.Н. И Романова М. (2016a). Инновации в индустрии гостеприимства . Международный журнал экологического и научного образования, 11 (17), 10387-10400.

Джанджугазова Е.А., Ильина Е.Л., Латкин А.Н., Кошелева, А. (2016b). Развитие творческого потенциала кинотуризма. Международный журнал экологического и научного образования, 11 (11), 4015-4024.

Джанджугазова Е.А., Кошелева А.И., Гареев Р.Р., Никольская Е.Ю. & Бондаренко, А.П. (2016c). Деловое администрирование в гостиничном бизнесе: проблемы и пути решения (на примере Российской Федерации). Международный журнал прикладных деловых и экономических исследований, 14 , 651-660.

Фарташ К., Давуди С.М.М., Баклашова Т.А., Свечникова Н.В., Николаева Ю.В., Гримальская С.А., Белобородова А.В. (2018). Влияние приобретения и использования технологий на организационные инновации и организационную эффективность в наукоемких организациях. EURASIA Journal of Mathematics, Science and Technology Education, 14 (4), 1497-1507.

Федеральный закон от 29.07.2017 N 214-ФЗ. (2018). «О проведении эксперимента по развитию курортной инфраструктуры в Республике Крым, Алтайском крае, Краснодарском крае и Ставропольском крае».Электронный ресурс Portal.ru, URL: http://www.garant.ru/products/ipo/prime/doc/71632774/ (дата обращения: 10.01.2018).

РИА «Новости». (2018). Эксперты рассказали о влиянии взимания курортного сбора на россиян. 10 августа 2017 г. URL: https://ria.ru/tourism/20170810/1500135762.html. (дата обращения: 14.01.2018)

Романова, М. И Колачев И. (2017). Прогнозы развития туризма в России. Проблемы и перспективы индустрии гостеприимства и туризма. Сборник статей, 1, 145-151.

Рубан Д.А., Зубрилина О.А. & Яшалова, Н. (2017). Размещение туристов в новых сельских дестинациях: проблема адекватности в свете межрегионального сравнения. Espacios , 38 (28) 35-43.

Официальный сайт Президента России. (2018). Заседание президиума Госсовета по вопросам повышения инвестиционной привлекательности курортов России 26 августа 2016 г. URL: http://kremlin.ru/events/president/news/52769. (дата обращения: 12.01.2018)

Толкушин, А.В. (2001). История налогов в России. Москва: Юрист.

Заславская Е.М. (2006). Налогообложение физических лиц курортным (гостиничным, рекреационным) сбором (налогом) в юридической практике зарубежных стран. Налоги, 15 , 25-28.

(PDF) Перспективы региональной экономики в регионах ЕБРР

ОБНОВЛЕНИЯ ПО РЕГИОНАМ

33

Румыния

После пика роста в 7 процентов в 2017 году экономика замедлилась примерно до

2018. Частное потребление было основным драйвером роста

за последние два года (хотя и более медленными темпами в 2018 году), поддерживаемого проциклической бюджетной политикой

, включая повышение заработной платы и снижение налогов на потребление и подоходный налог. .Благодаря увеличению поглощения фондов ЕС на

вклад инвестиций в рост также был положительным на

. Уровень безработицы, составляющий чуть менее 4 процентов, является самым низким за десятилетие, что затрудняет набор персонала

и способствует росту заработной платы. В конце декабря 2018 года правительство

внезапно ввело комплекс мер с потенциально значительным негативным воздействием на

определенных секторов, включая банковское дело, пенсионные фонды, энергетику и телекоммуникации.Несмотря на то, что

в конце марта 2019 года правительство смягчило некоторые из объявленных мер, а

в первую очередь меры, касающиеся банковского сектора, настроения инвесторов были подорваны, с ожидаемым негативным влиянием

на общую экономическую активность. Между тем, макроэкономические дисбалансы

увеличились, при этом дефицит текущего счета вырос до 4,6 процента ВВП в

2018 (по сравнению с 3,2 процента в 2017 году), а дефицит бюджета достиг 3 процентов ВВП по сравнению с

за прошлый год. более мягкая фискальная политика.Инфляция также вызывала беспокойство, достигнув пятилетнего максимума в

5,4 процента в июне 2018 года, что намного выше верхнего целевого показателя центрального банка в 2,5 процента +/- 1

процентных пункта, прежде чем снизиться до 3,3 процента на конец года. С положительной стороны, общий государственный долг

по-прежнему остается низким по региональным стандартам, около 37% ВВП. Мы понижаем наш прогноз роста

на 2019 год с 3,6% (согласно выпуску

от ноября 2018 года) до 3.2 процента, с той же ставкой в ​​2020 году, из-за повышенного инвестиционного риска, но

также более жесткой денежно-кредитной политики (учетная ставка центрального банка была повышена три раза в 2018 году

с 1,75 до 2,5 процента) и увеличения внешних дисбалансов . Ключевые риски включают

обострения текущей нехватки рабочей силы, продолжительную слабость в еврозоне и

негативных изменений в настроениях мировых инвесторов.

Сербия

После роста всего на 2,0 процента в 2017 году экономика Сербии поднялась до 4.3%

рост в 2018 году в результате дальнейшего восстановления внутреннего спроса и значительного экспорта.

Однако более высокий внутренний спрос привел к быстрому увеличению импорта, выражающемуся двузначными числами,

, что привело к отрицательному вкладу чистого экспорта в ВВП. Дефицит счета текущих операций

оставался относительно высоким, превышая 5 процентов ВВП, но по-прежнему полностью покрывался чистым притоком ПИИ

(более 7 процентов ВВП в 2018 году). Большая часть иностранного капитала была вложена

в производство, транспортировку и хранение, финансовый сектор и строительство.

Безработица продолжала снижаться, но остается высокой (13 процентов), особенно среди молодежи

(30 процентов). Фискальное превышение показателей продолжалось: 2018 год стал вторым годом подряд

профицита бюджета (на уровне 0,6 процента ВВП). Государственный долг продолжал снижаться, чему способствовали также

пересмотра ВВП в сторону увеличения, и по итогам года он составил около 55 процентов ВВП. Ожидается, что рост

замедлится до 3,5 процента в 2019 году, а в 2020 году вырастет до 3,8 процента.Основные драйверы роста

(частное потребление, инвестиции и экспорт) должны остаться прежними, при этом эффект на

компенсируется увеличением импорта. Риски для прогноза смещены в сторону снижения

и связаны с возможностью более медленной реализации программы реформ

, предусмотренной новой программой МВФ, более быстрого, чем ожидалось, замедления внешней

Тридцать лет после распада Советского Союза

1 Хотя такие институты, как Международный валютный фонд и Всемирный банк, были быстро задействованы, крупные экономические державы мало внимания уделяли Центральной Азии в 1990-е годы, поскольку Россия была отвлечена переходным периодом и Чечней, укрепление доверия с Китаем продвигалось медленно. Европейский Союз завершает создание единого рынка и рассматривает возможность удвоения своего членства, а США, как и ЕС, больше озабочены Россией и Украиной, чем Центральной Азией.

2 Конечно, легче было обвинить монополий и монетизировать бюджетный дефицит, чем сокращать государственные расходы или повышать налоги. Путаница также была вызвана тем, что Всемирный банк и МВФ изначально выступали за сохранение рублевой зоны на основе теории оптимальной валютной зоны (Odling-Smee and Pastor 2002; Pomfret 2002, 2016).

3 Например, ирригационная система поддерживалась правительством Узбекистана лучше, чем в других крупных хлопкопроизводящих республиках, Туркменистане и Таджикистане.

4 Георгиев и др. (2017) проводят различие между реформами « первого поколения, » (рыночные) – приватизацией малых предприятий и либерализацией цен, процентных ставок и международной торговли; Реформы « второго поколения, » (углубление рынка) – крупномасштабная приватизация и создание основных основ коммерческого банковского сектора и рынков капитала; и реформы « третьего поколения, » (поддержание рынка) – создание экономических институтов, лежащих в основе корпоративного управления и реструктуризации предприятий, политики в области конкуренции, прав собственности и исполнения контрактов, а также рамок для регулируемых секторов и государственно-частных партнерств в инфраструктуре – что в многие страны, в том числе ряд стран с развитой экономикой, остаются в значительной степени незавершенными.В Центральной Азии реформы прекратились примерно во время российского кризиса 1998 года и на более низком уровне завершенных преобразований, чем в большинстве других стран с переходной экономикой. Эта закономерность нашла отражение в показателях переходного периода ЕБРР для стран Центральной Азии; практически все улучшения произошли до 1999 г., а в последующие десятилетия показатели мало изменились.

5 Устный перевод. Многие отчеты посвящены финансовым кризисам и потрясениям в мировой торговле в 2008–2009 годах.Для Центральной Азии и для основных торговых партнеров России и Китая потрясение было кратковременным, а восстановление – быстрым, что означало, что национальные экономики были устойчивыми и в реформах не было необходимости. Упор на ресурсный бум означает, что глобальные финансовые рынки и совокупная мировая торговля были менее важны для Центральной Азии, чем мировые цены на нефть, газ и некоторые полезные ископаемые; когда упадут неустойчиво высокие мировые цены, устойчивость экономики стран Центральной Азии окажется под угрозой, и необходимость в реформе станет очевидной.

6 Сравнительное преимущество Центральной Азии в традиционном экспорте ресурсов было достаточно большим, чтобы транспортные расходы не критически ограничивали экспортные поступления после обретения независимости, и особенно после резкого роста цен на нефть, газ, золото и другие полезные ископаемые в начале 2000-х годов.

7 Александер и Хизершоу (2017) подчеркивают важность коррупции и оффшорных финансовых связей. См. Также специальный выпуск журнала Central Asian Survey 34 (1) за 2015 год «Морские районы Центральной Азии» под редакцией Александра и Хизершоу.

8 Калюжнова (1998), Олкотт (2002) и Помфрет (2005) описали и попытались отследить запутанный и непрозрачный процесс. Некоторые из наиболее спорных ресурсов, в основном связанные с контролем над полезными ископаемыми, были предметом внутриэлитных битв за контроль. Бургис (2020) документирует, как в битвах выиграли друзья президента и что враги президента безжалостно преследовались, чтобы получить контроль над их активами.

9 Ни умер в сентябре 2010 года.Ким ведет себя сдержанно и, как сообщается, живет в Алматы и Лондоне, где он владеет квартирой в One Hyde Park, «который, по словам разработчиков, является самым эксклюзивным адресом в мире и самым дорогим жилым комплексом, когда-либо построенным на земле» (Shaxson 2013 ).

10 В 1990-х и начале 2000-х годов иностранные партнеры, по-видимому, были необходимы в нефтегазовых проектах для их разведки, разработки и экспорта опыта, но не для меди, хрома, железной руды и других полезных ископаемых, которые лежали в основе состояния Казахнмыса и Трио.В таблице «источники богатства» и национальность указаны по формуле Forbes . Александр Машкевич, родившийся в Киргизской республике и имеющий двойное гражданство Казахстана и Израиля, занял 962-е место, а Патох Шодиев, уроженец Узбекистана, а ныне гражданин Бельгии, занял 1116-е место. Этническая принадлежность Кима и Трио (Ибрагимов – уйгур, родившийся в Узбекистане) гарантирует, что они не станут политическим вызовом Назарбаеву. Президенты обычно не входят в список Forbes, но Назарбаев часто называют одним из самых богатых в мире.

11 Вице-президент Mobil был приговорен к 47 месяцам тюремного заключения за отказ объявить неофициальный платеж по подоходному налогу. Два высокопоставленных казахстанских чиновника КО1 и КО2 были включены в судебные документы, но им так и не было предъявлено обвинение (LeVine 2007). Global Witness (2010, 15) утверждает, что сопоставление обвинительного заключения США с соответствующим судебным процессом в Швейцарии раскрывает личности КО1 как министра нефти (а затем и премьер-министра) Нурлана Балгимбаева и КО2 как президента Назарбаева. Херш (2001) сообщает о широкомасштабном прямом поиске ренты со стороны президента Назарбаева, а также о сделках через Гиффена.В судебном деле США Гиффен признал себя виновным в проступке, получив небольшой штраф и не приговорив его к тюремному заключению; Хортон (2010) приписал легкий приговор давлению со стороны правительств США, стремящихся сохранить хорошие отношения с Назарбаевым.

12 Утемуратов был секретарем Совета безопасности (2003–2006 гг.), Руководителем личного кабинета президента (2006–2008 гг.), А с 2008 по 2013 гг. – «советником президента». В 2007 году он продал АТФ Банк итальянскому UniCredit за 2,1 миллиарда долларов и контролирует ForteBank.Он владеет двумя операторами связи, KarTel в Казахстане и SkyMobile в Кыргызстане, которые работают под брендом Beeline .

13 Ибадильдин и Писарева (2020) предоставляют более подробный анализ концентрации власти Назарбаева на посту президента в 1990-е годы и его реакцию на «восстание новых казахов» 2001 года. Burgis (2020) анализирует экстерриториальную борьбу за имущество и семью Мухтара Аблаова, самого стойкого противника режима.

14 Позже Рахату Алиеву было предъявлено обвинение в заказе убийства Сарсенбаева. В своей книге « Крестный отец в законе» Алиев утверждал, что убийство было заказано Назарбаевым. Дело обсуждает, но не решает Лиллис (2019, 26–38), которая также кратко обсуждает смерть Нуркадилова (79–80). В 2007 году Рахат Алиев был лишен всех официальных должностей и развелся с Даригой Назарбаевой. Он был осужден заочно в январе 2008 года за убийство двух банкиров и в феврале 2008 года за государственную измену.Проживая на Мальте со своей второй женой (гражданкой Австрии), Алиев стал откровенным критиком казахстанского режима. После того, как в мае 2014 года мальтийские власти конфисковали его активы по делу об отмывании денег в Европе, Алиев сдался австрийским властям. В феврале 2015 года он был найден мертвым в тюрьме в ожидании суда по обвинению в отмывании денег.

15 Сатпаев (2014, с. 11) приводит следующие примеры: Жасылык Доскалиев, бывший министр здравоохранения, приговорен к семи годам лишения свободы в 2011 году, Серик Буркитбаев, бывший министр транспорта и коммуникаций, приговорен к шести годам лишения свободы. приговорён к тюремному заключению в 2012 году, и Сайят Шаяхметову, вице-министру образования и науки, осужденному за хищение в 2013 году.

16 Старший сын Дариги и Рахата Нурали Алиев принял на себя богатство отца. В июне 2018 года Панамские документы показали, что у Нурали есть две компании и роскошная яхта, зарегистрированные на Британских Виргинских островах, что не было публичностью, которую президент любил видеть. Еще больше проблем вызвал младший сын Дариги и Рахата, Айсултан Назарбаев. После того, как в 2017 году он обвинил близких соратников президента (в том числе Булата Утемуратова) в коррупции, дед запретил ему вмешиваться в политику.В сентябре 2019 года Айсултан был арестован в Лондоне за кражу со взломом и нападение на сотрудника полиции; он был приговорен к условному наказанию и был переведен в реабилитационную клинику. Айсултан умер в августе 2020 года.

17 Алия была замужем в 1998 году за Айдаром Акаевым, сыном президента Кыргызской Республики Акаева, но вскоре пара развелась. Второй брак Алии в 2002 году был заключен в браке с генеральным директором «КазТрансОйл» Димашем Досановым.

18 Киргизский президент Акаев был самым либеральным лидером в Центральной Азии в 1990-х годах, хотя на рубеже веков он потерял личную популярность и правил по указу.Оппозиция подогревалась продажностью его родственников; Избрание двух детей президента в парламент послужило толчком для уличных протестов 2005 года, которые привели к отречению Акаева от престола, отчасти потому, что он не хотел проливать кровь, как это сделал Каримов в Андижане в том же году.

19 В мире идет длительная дискуссия о том, насколько отдельные лидеры были хорошими или плохими для экономического роста. Джонс и Олкен (2005), используя смерть при исполнении служебных обязанностей как экзогенную причину смены лидера, обнаружили, что глава правительства имеет значение для экономического роста.Напротив, после разделения страны, года и других экзогенных эффектов на корреляцию между сроком полномочий лидера и экономическим ростом Истерли и Пеннингс обнаружили, что из 650 лидеров, находившихся у власти в период с 1951 по 2014 год в течение как минимум трех лет, в странах с как минимум 30 лет непрерывного экономического роста (без учета бывших советских республик), только 26 из них оказали статистически значимое положительное влияние на экономический рост их страны, а 18 – отрицательное. Они обнаруживают большие различия в вкладе лидеров в экономический рост в недемократических странах, но у таких лидеров не больше шансов оказать значительное положительное влияние, чем у демократических лидеров.Истерли и Пеннингс (2020, стр. 30) приходят к выводу, что «очень сложно точно определить лидеров, которые хороши или плохи для роста, и большинство оценок лидеров имеют широкие стандартные ошибки». Основываясь на анализе наследственных монархов крупных европейских государств между 10 и 18 веками, Оттингер и Фойгтлендер (2020) обнаружили, что качество правителя (измеряемое степенью инбридинга) оказало значительное влияние, как положительное, так и отрицательное, на производительность страны, которая была умеренной только тогда, когда парламенты ограничивали власть наследственного правителя.

20 Таджикистан пострадал больше всего, потому что конкуренция за власть между различными элитами разрешилась в смертельной гражданской войне, которая длилась до 1997 года.

21 На основе выборки около тысячи национальных лидеров с 1932 по 2010 год, Певери (2021 ) выявил пять типов национальных лидеров и обнаружил значительную и прочную взаимосвязь между экономическими показателями и качеством управления (определенными методом, аналогичным методам Истерли и Пеннингса 2020) и опытом лидеров.Лидеры, бывшие политиками высокого уровня (лидер партии или премьер-министр), лучше всего справляются с ролью главы правительства, а лидеры с военным прошлым – хуже всего. Рахмона, Бердымухамедова и Джапарова можно отнести к низшим политическим или, в случае Рахмона, военным прошлым, которые связаны с отрицательной или статистически незначимой деятельностью лидера.

22 Точкой отсчета для этого радужного взгляда обычно является эпоха до сердечного приступа Брежнева 1975 года. В отличие от этого, западные обозреватели склонны вспоминать брежневские годы экономической стагнации и неудач в Афганистане после 1975 года.

23 Алексеев сообщает о других влияниях, например богатые более авторитарны, а более образованные более либеральны, ceteris paribus . Суржо-Хамед и Туркина (2017) также находят влияние поколений на Россию, а Норрис и Инглхарт (2019) приводят аналогичные аргументы на глобальном уровне.

24 В 1980-х годах была построена инфраструктура между Узбекистаном и Афганистаном, в результате чего Термез стал основным пунктом доступа советских вооруженных сил, но в 1990-х годах это не имело большого экономического значения.Линия Казахстан-Китай, построенная в 1990 году, стала первой железнодорожной веткой в ​​Центральной Азии, которая не идет в Россию.

25 В 2000-е годы Кыргызская Республика успешно экспортировала фасоль (Тилекеев 2013) и одежду (Биркман и др. 2012; Жениш 2014; Тилекеев и др. 2020), а также действовала в качестве перевалочной базы для региона (Камински и Mitra 2012). Узбекистан периодически добивался успеха в экспорте автомобилей, обычно по особым договоренностям (Pomfret 2019, стр. 110–111).

26 Ограбление – это разновидность трагедии антиобщинности, которая происходит, когда чрезмерное стремление к ренте вдоль маршрута делает торговлю невыгодной (Buchanan and Yoon 2000).Примером из Центральной Азии является прекращение экспорта кыргызского лука в Сибирь в 1990-х годах из-за чрезмерных официальных и неофициальных сборов при транзите через Казахстан. Китай стремится разработать южные альтернативы нынешним маршрутам сухопутного моста через Россию, но перспективы зависят от легкости транзита. После отмены санкций ООН в отношении Ирана в январе 2016 года китайские поезда в Тегеран следовали транзитом через Казахстан, а затем следовали вдоль побережья Каспийского моря через Туркменистан, минуя Узбекистан из-за более обременительных правил транзита в этой стране.С 2017 года поезда проходят через Узбекистан после того, как президент Мирзиёев снял ограничения на пересечение границы.

27 Взаимодополняемость жесткой и мягкой инфраструктуры подчеркивается в литературе по торговым издержкам (например, Portugal-Perez and Wilson 2012).

28 Обзор исторической литературы представлен в работах Дональдсона и Хорнбека (2016 г.), Дональдсона (2018 г.) и Трю (2020 г.).

29 Costas-Fernández et al. (2020) показывают, что железнодорожная революция в Англии и Уэльсе девятнадцатого века привела к лучшему согласованию на рынке труда и большей социальной мобильности.

30 Приведенные здесь результаты получены от Bird et al. (2020), которые оценивают влияние на реальный доход при различных предположениях о моделях производства и движении рабочей силы. Хотя карта проектов BRI в Bird et al. (2020, рис.) Имеет единственную категорию «улучшение железных дорог», проекты, начинающиеся с Кашгара, самой западной точки железнодорожной сети Китая с 2000 года, предполагают строительство новых линий, а не модернизацию существующих путей, и маршруты из Кашгара в Ташкент. , в Душанбе и в Пакистан пересекают одни из самых высоких гор в мире.При условии завершения всех этих проектов Кыргызстан станет «центральной страной в сети BRI» (Bird et al. 2020, 12).

31 Наиболее подробные и надежные данные содержатся в отчетах ЦАРЭС «Мониторинг и измерение эффективности коридора », администрируемых Азиатским банком развития. См. Также Шарафеева и Шеперд (2020).

32 Аргумент, что Центральная Азия могла бы выиграть, если бы она была связана сушей с динамическими соседями, был развит Йоханнесом Линном в нескольких презентациях (e.г. Линн 2012, 98).

33 После распада Австро-Венгерской и Османской империй и потери территорий бывших Германской и Российской империй Польша, Австрия, Чехословакия, Югославия, Эстония, Латвия, Литва, Венгрия и Финляндия стали независимыми странами. а площадь Румынии значительно увеличилась. К 1942 году первые семь из этих стран исчезли, в то время как Финляндия, Венгрия и Румыния находились под немецким влиянием и теряли территорию по мирным договорам 1945–1947 годов.

Послание президента ACES на конференции ASSA, которая проходила онлайн 3–5 января 2021 года. Я благодарен участникам конференции, которые обсуждали это обращение, а также Джоанне Лиллис и Йоханнесу Линн за полезные комментарии к предыдущему проекту. Статья основана на материалах моего основного выступления на конференции Жизнь в Кыргызстане в Бишкеке 28–29 октября 2020 года и на комментариях участников конференции LiK. Менее личный отчет об этом периоде содержится в Помфрете (готовится к печати) и о двадцать первом веке в Помфрете (2020a).

Примечание издателя

Springer Nature сохраняет нейтралитет в отношении юрисдикционных претензий на опубликованных картах и ​​принадлежностей организаций.

Перспектива: Новые технологические процессы, необходимые для будущих устройств и масштабирования: APL Материалы: Том 6, № 5

ВВЕДЕНИЕ

Раздел:

ВыбратьВверху страницыABSTRACT ВВЕДЕНИЕ << ПРОЦЕССЫ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ ... МАСШТАБИРОВАНИЕ ПРОВОДНИКОВЫХ ИНСТРУМЕНТОВ В соответствии с законом Мура 1 1.Г. Э. Мур, Электроника 38 (8), 33–35 (1965). https://doi.org/10.1109/N-SSC.2006.4785860 способствовал компьютерной революции, которая изменила способ взаимодействия людей друг с другом и с миром в целом. На протяжении десятилетий масштабирование достигалось за счет постоянного уменьшения размеров устройств (и межсоединений), например, в соответствии с законом Деннарда 2 2. Р. Х. Деннард, Ф. Х. Гаэнсслен, Х.-Н. Ю., В. Л. Райдаут, Э. Бассус и А. Р. ЛеБлан, IEEE J. Solid-State Circuits 9 (5), 256–268 (1974).https://doi.org/10.1109/jssc.1974.1050511 для транзисторов. В последнее время этот подход натолкнулся на серьезные препятствия. 3 3. Г. А. Антонелли, Д. Херр, С. В. Кинг, APL Mater. 6 (5), 058001 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5037331 По мере того, как диэлектрики затвора и конденсатора уменьшали вредную утечку, токи росли до такой степени, что стало невозможно сделать их физически тоньше, сохраняя при этом энергопотребление и нагрев устройства ниже разумных пределов.В качестве контрмеры были введены материалы с высокой диэлектрической проницаемостью ( k ), но они дали лишь краткую передышку. 4 4. Р. Кларк, Материалы 7 (4), 2913 (2014). https://doi.org/10.3390/ma7042913 За последнее десятилетие производители устройств все больше полагались на новую геометрию устройств и новую архитектуру схем, чтобы продолжить масштабирование в стиле закона Мура, которое может обеспечить улучшенную производительность в разумных пределах мощности на технологичном чипе. площадь и со сниженной стоимостью на устройство.Этот интегрированный подход к масштабированию мощности, производительности, площади и стоимости (PPAC) является текущей парадигмой в полупроводниковой промышленности и привел к созданию микропроцессоров и систем на кристалле (SOC), состоящих из миллиардов транзисторов, и микросхем DRAM, содержащих десятки миллиардов конденсаторов. и 10 или более металлических соединительных слоев. Существует три основных типа крупносерийной продукции, производимой полупроводниковой промышленностью: логические микросхемы, которые включают микропроцессоры и SOC; Микросхемы DRAM, обеспечивающие высокую скорость и энергозависимую память; и флеш-чипы, обеспечивающие энергонезависимую память.У каждого из них есть свои уникальные требования и драйверы, и поэтому каждый из них по-разному отреагировал на новую парадигму масштабирования PPAC, но все они так или иначе использовали третье (вертикальное) измерение, рис. 1. Это новая тенденция вертикального масштабирования будет определять тенденции процессов в отрасли в течение следующего десятилетия и даже больше.

ПРОЦЕССЫ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ И КОНТРОЛЯ НАЛОЖЕНИЯ

Раздел:

Выбор размера в верхней части страницы ABSTRACT ВВЕДЕНИЕ до такой степени, что больше невозможно использовать только литографию с однократной экспозицией в крупносерийном производстве (HVM).Следовательно, необходимо использовать различные технологии создания множественного рисунка для создания на кристалле структур, которые меньше, чем те, которые могут быть сформированы литографическим способом. Схемы самовыравнивающегося множественного рисунка (SAMP) используются для создания плотных линий и пространственных рисунков, рис. 2. Поскольку изолированные элементы могут быть структурированы с более высоким разрешением, разрезы в линейных и пространственных рисунках могут быть сделаны с помощью многократной литографии и протравливание проходит, этот процесс иногда называют Litho-Etch-Litho-Etch (LELE).Таким образом, один слой металлического межсоединения, который используется для создания двунаправленных металлических линий и использования одной маски для создания рисунка, теперь обычно имеет однонаправленные металлические линии и потребует 3 или более традиционных масок для создания рисунка. Каждое применение SAMP приводит к увеличению номинальной стоимости изготовления отдельного устройства (например, отдельного транзистора). Разработчики микросхем вынуждены придерживаться ограниченных правил проектирования, например, однонаправленных металлов, которые ограничивают размещение и маршрутизацию и приводят к более низкой плотности устройства на кристалле.Стоимость производства монотонно возрастает с увеличением количества масок, необходимых для изготовления микросхемы, а выравнивание и размещение прорезей и переходных отверстий между слоями в микросхеме становятся чрезвычайно сложными, снижая допуски на погрешность размещения кромок (EPE), что может повлиять на выход микросхемы. 7 7. Н. Моханти, Дж. Т. Смит, Л. Хули, К. Перейра, А. Рэйли, С. Кал, К. Фонсека, X. Сан, Р. Л. Бернс, Р. А. Фаррелл, Д. Р. Хетцер, А. В. Метц, А. Ко, С.А. Шеер, П. Биолси и А. ДеВиллерс, в SPIE Advanced Lithography (SPIE, 2017), стр.13. Таким образом, минимизация производственных затрат требует от производителей устройств целостного мышления о том, как дизайн влияет на производительность и технологичность, а также снижает стоимость технологий множественного рисунка всякий раз, когда и где это возможно. Самый эффективный способ уменьшить количество масок и, следовательно, стоимость, в HVM в настоящее время означало бы введение доступного технологического процесса литографии, позволяющего формировать единичный узор. Фактически, в некоторой степени ожидается, что это произойдет в течение следующих нескольких лет с введением 13.Литография в крайнем ультрафиолете (EUV) с длиной волны 5 нм. 12 12. R. v. Es, M. v. D. Kerkhof, A. Minnaert, G. Fisser, J. d. Клерк, Дж. Смитс, Р. Мурс, Э. Верховен, Л. Левасье, Р. Петерс, М. Питерс и Х. Мейлинг, в SPIE Advanced Lithography (SPIE, 2018), стр. 12. К сожалению, вскоре снова потребуется множественное формирование рисунка, поскольку размеры элементов меньше примерно 15 нм, 13 13. К. Сю, Л. Сурьяу, Д. Хеллин, Дж. Верслуйс, П. Вонг, Д. Вангоидсенховен, Н. Ванденбрук, Х.Деккерс, ХР Ши, Дж. Альберт, К.Л. Тан, Дж. Вертоммен, Б. Коенеграхтс, И. Орейн, Ю. Кимура, В. Вио и У. Буллар, в SPIE Advanced Lithography (SPIE, 2013), стр. . 10. и многие производители устройств, вероятно, предпочтут и дальше использовать схемы SAMP, которые требуют только одной маски для создания узких линий шага и пространственных шаблонов для ребер, затворов или соединительных линий. Таким образом, EUV-литография, которая будет намного дороже с точки зрения стоимости владения (COO) на каждый проход пластины, чем современная иммерсионная литография 193 нм, вероятно, найдет свое наибольшее применение при формировании узоров на разрезах и переходных отверстиях. в одном шаге маски вместо LELE 14 14.Ю. Ван, Р.-Х. Ким, Л. Юань, А. Чундер, К. Ван, Дж. Цзэн, Ю. Ву и Дж. Кай, в SPIE Advanced Lithography (SPIE, 2015), стр. 8. и, таким образом, значительно снижает стоимость множественного рисунка. Конечно, точное различие COO между множественным паттерном на основе EUV и 193i не будет известно до тех пор, пока EUV не будет готов для HVM, но обычно применяемое практическое правило в отрасли предполагает, что в любой момент шаг EUV может устранить 3 или более 193i замаскируйте шаги, и это станет рентабельным. 15,16 15.А. Маллик, В. Вансумере, Дж. Риккарт, А. Мерча, Н. Хоригучи, С. Демуинк, Й. Бёммельс, Т. Жолт, Г. Ванденберге, К. Ронсе, А. Теан, Д. Веркест, Х. Лебон и А. Стиген, в SPIE Advanced Lithography (SPIE, 2013), стр. 10.16. Линь Б. Дж., Microelectron. Англ. 143 , 91–101 (2015). https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.033 Существуют дополнительные параметры литографии, которые также можно рассмотреть, чтобы обеспечить масштабирование в будущем. Электронно-лучевая литография 16 16. Б.Дж. Лин, Microelectron. Англ. 143 , 91–101 (2015). https://doi.org/10.1016/j.mee.2015.04.033 и литография нано-импринта (NIL) 17,18 17. Т. Огава, С. Такеи и К. Г. Уилсон, J. Vac. Sci. Technol., B: Nanotechnol. Микроэлектроника: Mater., Process., Meas., Phenom. 31 (1), 011601 (2013). https://doi.org/10.1116/1.477005118. M. Kreuzer, G. L. Whitworth, A. Francone, J. Gomis-Bresco, N. Kehagias и C.M.Sotomayor-Torres, APL Mater. 6 (5), 058502 (2018).https://doi.org/10.1063/1.5011740 представляют два таких варианта. Безусловно, необходимы дальнейшие разработки этих и других процессов, которые могли бы обеспечить литографию с разрешением менее 10 нм, и они могли бы частично избавиться от узких мест литографии. В то время как литография с более высоким разрешением могла бы облегчить производителям микросхем часть затрат, присущих многослойной печати. При формировании рисунка отрасль по-прежнему будет сталкиваться с проблемами выравнивания слоев и EPE. Таким образом, производители микросхем начали использовать схемы самовыравнивания рисунка, чтобы получить дополнительную свободу действий с точки зрения EPE.Например, на уровне устройства Intel сначала использовала схему самовыравнивающегося контакта (SAC) на узле 22 нм, 19 19. C. Auth, C. Allen, A. Blattner, D. Bergstrom, M. Brazier , M. Bost, M. Buehler, V. Chikarmane, T. Ghani, T. Glassman, R. Grover, W. Han, D. Hanken, M. Hattendorf, P. Hentges, R. Heussner, J. Hicks, D Инджерли, П. Джайн, С. Джаловиар, Р. Джеймс, Д. Джонс, Дж. Джоплинг, С. Джоши, К. Кеньон, Х. Лю, Р. Макфадден, Б. Макинтайр, Дж. Нейринк, К. Паркер , Л. Пайпс, И. Пост, С. Прадхан, М.Принс, С. Рэми, Т. Рейнольдс, Дж. Роеслер, Дж. Сэндфорд, Дж. Зайпл, П. Смит, К. Томас, Д. Таунер, Т. Троегер, К. Вебер, П. Яшар, К. Завадски, и К. Мистри, в техническом сборнике IEEE International Electron Devices Meeting (IEEE, 2012), стр. 131–132. и они недавно объявили, что они будут включать контакт через активный затвор, который требует схемы интеграции самовыравнивающегося затвора (и) контакта (SAGC), в их технологическую платформу 10 нм, 20 20. C. Auth, A. Алиярукунджу, М.Асоро, Д. Бергстром, В. Бхагват, Дж. Бердсол, Н. Бисник, М. Бюлер, В. Чикарман, Г. Динг, К. Фу, Х. Гомес, В. Хан, Д. Ханкен, М. Харан, М. Хаттендорф, Р. Хойсснер, Х. Хирамацу, Б. Хо, С. Джаловиар, И. Джин, С. Джоши, С. Кирби, С. Косараджу, Х. Котари, Г. Лезерман, К. Ли, Дж. Лейб, А. Мадхаван, К. Марла, Х. Мейер, Т. Мул, К. Паркер, С. Партасарати, К. Пелто, Л. Пайпс, И. Пост, М. Принс, А. Рахман, С. Раджамани, А. Саха, Дж. Д. Сантос, М. Шарма, В. Шарма, Дж. Шин, П. Синха, П. Смит, М. Спринкл, А.С. Амур, К. Стаус, Р. Сури, Д. Таунер, А. Трипати, А. Тура, К. Уорд и А. Йео, представленные на IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017. Рис. 3. Самовыравнивающийся блок (SAB) 21 21. Ф. Лаццарино, Н. Моханти, Ю. Фурпрайер, Л. Хули, В. Луонг, М. Деманд, С. Декостер, В. В. Гонсалес, Дж. Риккарт, RRH Ким, А. Маллик, П. Лерэ, К. Уилсон, Дж. Беммельс, К. Кумар, К. Нафус, А. де Вилье, Дж. Смит, К. Фонсека, Дж. Баннистер, С. Шеер, З. Токей, Д. Пиуми и К. Барла, в SPIE Advanced Lithography (SPIE, 2017), стр.10. представляет собой аналогичный подход, который обеспечивает самовыравнивание слоев межсоединений от одного слоя к другому с расширенным EPE и / или уменьшенным количеством масок. Такие схемы основаны на различиях в селективности травления между разными материалами, чтобы обеспечить самовыравнивание, и простой способ разрабатывать и обдумывать такие схемы – значит думать об этих различных материалах как о разных цветах, которые можно выборочно протравить или оставить позади, чтобы сформировать желаемую окончательную структуру. 22,23 22. С. Дунгана, Б.Дж. Норделл, А. Н. Карузо, М. М. Пакетт, В. А. Ланфорд, К. Шарфенбергер, Д. Джейкоб и С. В. Кинг, J. Vac. Sci. Технол., А 34 (6), 061302 (2016). https://doi.org/10.1116/1.496464823. К. Т. Карвер, Дж. Дж. Пломбон, П. Э. Ромеро, С. Сури, Т. А. Троник и Р. Б. Тюркот, ECS J. Solid State Sci. Technol. 4 (6), N5005 – N5009 (2015). https://doi.org/10.1149/2.0021506jss Точные материалы, используемые в этих схемах, могут варьироваться от производителя к производителю, а также от слоя к слою в зависимости от ограничений, таких как тепловой баланс, стоимость, устаревшие процессы и т. д.Но этот стиль рисунка становится повсеместным в отрасли и представляет собой рассадник инноваций, поскольку инженеры-технологи по всему миру стремятся найти новые производственные материалы с уникальными характеристиками травления (новые цвета) 7 7. Н. Моханти, Дж. Т. Смит, Л. Хули, К. Перейра, А. Рэйли, С. Кал, К. Фонсека, X. Сан, Р. Л. Бернс, Р. А. Фаррелл, Д. Р. Хетцер, А. В. Метц, А. Ко, С. А. Шеер, П. Биолси и А. ДеВиллерс, в SPIE Advanced Lithography (SPIE, 2017), стр.13. и улучшить селективность травления между материалами, которые уже доступны, чтобы сделать возможным масштабирование в будущем.

SELECTIVE DEPOSITIONS

Section:

ChooseTop of pageABSTRACT ВВЕДЕНИЕ ПРОЦЕССЫ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ … SELECTIVE DEPOSITIONS << САМООГРАНИЧЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ БУДУЩИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОНТАКТЫ БУДУЩЕГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ БУДУЩИХ УСТРОЙСТВ НЕОБХОДИМО УКАЗАТЬ, что они могут обеспечить критическую интеграцию. или компромиссы, присущие этим схемам.Чтобы объединить стеки с высокими k и металлическими затворами (HKMG), производители устройств приняли схемы интеграции затворов на замену, в которых химико-механическая полировка (CMP) используется для «открытия» верхней части жертвенного поликремния «пустого затвора», чтобы он может быть удален и заменен стеком HKMG после активации источника / стока. 24,25 24. J. M. Dysard, V. Brusic, P. Feeney, S. Grumbine, K. Moeggenborg, G. Whitener, W. Ward, G. Burns и K. Choi, ECS Trans. 33 (10), 77–89 (2010).https://doi.org/10.1149/1.3485. А. Велозу, Л.-А. Ragnarsson, T. Schram, S.A. Chew, G. Boccardi, A. Thean, N. Horiguchi, ECS Trans. 52 (1), 385–390 (2013). https://doi.org/10.1149/05201.0385ecst Ни один из разработанных процессов не имеет ни идеальной однородности по пластине, ни идеальной устойчивости к различной плотности рисунка, подслоям и т. д., и CMP не является исключением из этого правила. Интеграторам необходимо было убедиться, что верхняя часть фиктивного затвора открыта по всей пластине, и, таким образом, необходимо было увеличить высоту фиктивных затворов, чтобы допустить чрезмерную полировку, а также обеспечить достаточную оставшуюся высоту затвора после CMP.Эта перегрузка CMP приводит к тому, что стек фиктивных затворов выше, чем можно было бы встретить в традиционной схеме интеграции затворов первым для стеков затворов poly / SiON. Дополнительная высота ворот также приводит к использованию более толстой жесткой маски для создания рисунка фиктивных ворот. Когда производители устройств начали применять полевые транзисторы с трехмерным ребром (finFET) на узле 22 нм, им нужно было добавить еще большую высоту фиктивному затвору и жесткой маске, чтобы учесть высоту ребра и дополнительное травление, необходимое для очистки фиктивных затворов и проставки боковины со стороны плавников.Интеграция SAGC требует добавления дополнительных шагов CMP в поток процесса, а также создания дополнительной избыточной нагрузки CMP. Но фиктивные ворота и жесткие маски не могут быть бесконечно высокими, опираясь на основание, которое в настоящее время имеет ширину всего около 20 нм (что является приблизительной длиной ворот) и становится все меньше с каждым поколением. Даже если травление можно сделать идеально вертикальным, конструкции в конечном итоге начнут опрокидываться из-за механической нестабильности. А процессы очистки затрудняются из-за капиллярных сил.Эта проблема является общей проблемой для отрасли, поскольку для большинства схем самовыравнивания требуются дополнительные этапы CMP, а интеграция самовыравнивающихся трехмерных схем и устройств приводит к взрывному росту соотношений сторон, возникающих при производстве интегральных схем. маски и другие жертвенные конструкции – одно из ключевых преимуществ, которых инженеры-технологи пытаются достичь с помощью выборочного осаждения. Механизм этого преимущества графически проиллюстрирован для общей схемы SAGC на рис.4. Требуемая покрывающая порода ОГТ прямо пропорциональна количеству материала, который необходимо удалить в процессе ОГТ, поэтому, если можно уменьшить количество материала, который необходимо удалить, путем включения выборочного осаждения, то количество покрывающей породы ОГТ может быть значительно уменьшенный. Но это лишь один из примеров преимуществ, которые производители устройств могут потенциально получить от процессов избирательного осаждения. Наиболее распространенным типом избирательного осаждения, который исследуется в настоящее время, является избирательное осаждение материалов, которое обычно называют осаждением по площади (ASD).Говоря в общих чертах, ASD использует химическую специфичность для выборочного нанесения пленки на целевой материал без осаждения на другие материалы, которые могут подвергнуться воздействию во время осаждения. Селективная эпитаксия – хорошо известный пример ASD, который десятилетиями использовался в HVM производителями микросхем. 26 26. Х. Х. Радамсон и М. Колахдуз, J. Mater. Науки: Матер. Электрон. 26 (7), 4584–4603 (2015). https://doi.org/10.1007/s10854-015-3123-z Сигнатурное преимущество ASD для производителей устройств проистекает из того факта, что ASD по своей природе самовыравниваются по целевому материалу.Чтобы максимизировать полезность ASD, необходимо разработать набор инструментов, полезных для электронных материалов. Вообще говоря, существует три основных типа материалов, используемых для формирования интегральных схем: диэлектрики, полупроводники и металлы (т. Е. Проводники, включая нитриды металлов. ). Вышеупомянутый процесс селективной эпитаксии является примером селективного осаждения полупроводников на полупроводники. И селективное осаждение металлов на металлические подложки относительно хорошо известно для промышленных металлов; однако интеграторы ищут комбинаторный подход, чтобы обеспечить масштабирование в будущем.Таким образом, селективный диэлектрик на полупроводнике, диэлектрик на диэлектрике, диэлектрик на металле и металл на диэлектрических осаждениях активно исследуются для различных приложений. Есть множество методов, которые изучают инженеры-технологи, чтобы воплотить эти процессы в реальность. В некоторых случаях термодинамика или химия могут сделать осаждение селективным по своей природе. 27 27. П. К. Лемер, М. Кинг и Г. Н. Парсонс, J. Chem. Phys. 146 (5), 052811 (2017).https://doi.org/10.1063/1.4967811 Селективный металл на металлических наплавках 28,29 28. C.-C. Ян, Ф. Р. МакФили, П.-К. Ван, К. Чанда, Д. К. Эдельштейн, Electrochem. Solid-State Lett. 13 (5), D33 – D35 (2010). https://doi.org/10.1149/1.338848829. JF Zheng, P. Chen, TH Baum, RR Lieten, W. Hunks, S. Lippy, A. Frye, W. Li, JO Neill, J. Xu, J. Zhu, J. Bao, V. Machkaoutsan, M. Бадароглу, Дж. Йип, Дж. Мердок, Дж. Бёммельс и З. Тёкей, представленные на Международной конференции по технологиям межсоединений IEEE 2015 г. и на конференции IEEE Materials for Advanced Metallization 2015 г. (IITC / MAM), 2015 г.и селективная эпитаксия 30 30. T. Ghani, M. Armstrong, C. Auth, M. Bost, P. Charvat, G. Glass, T. Hoffmann, K. Johnson, C. Kenyon, J. Klaus, B. Макинтайр, К. Мистри, А. Мурти, Дж. Сэндфорд, М. Зильберштейн, С. Сивакумар, П. Смит, К. Завадски, С. Томпсон и М. Бор, представленные на IEEE International Electron Devices Meeting, 2003. часто попадают в эту категорию. В других случаях по своей природе селективная реакция осаждения может быть недоступна, но можно представить себе селективную блокировку зародышеобразования на нецелевых материалах с использованием селективных самоорганизующихся монослоев (SAM) или какой-либо другой селективной химической обработки, что обеспечивает неселективное осаждение. селективный. 31,32 31. A. J. M. Mackus, A. A. Bol, and W. M. M. Kessels, Nanoscale 6 (19), 10941–10960 (2014). https://doi.org/10.1039/c4nr01954g32. X. Jiang, S.F.Bent, J. Phys. Chem. С 113 (41), 17613–17625 (2009). https://doi.org/10.1021/jp7n Реализация этого «инструментария интеграторов» позволит в будущем масштабироваться за пределы литографии, а также может проложить путь для изменения парадигмы формирования паттернов. Другой формой избирательного осаждения является осаждение с селективной анизотропией. по существу форма избирательного осаждения.Это можно рассматривать как добавление осаждения к анизотропному травлению, и, как и в случае травления, это может быть реализовано с помощью процессов и процессов, основанных на плазме, которые сочетают травление и осаждение для достижения желаемого результата. Комбинация ионной бомбардировки из плазменных процессов для придания вертикального смещения и включения одновременного травления для обрезки может позволить управлять формой анизотропного селективного осаждения, рис. 5 (а). Конечно, это не ограничивается отложениями на плоской поверхности, на самом деле это, возможно, более важно при рассмотрении приложений для заполнения траншей или зазоров. 33 33. Р. Х. Ким, Б. Х. Ким, Т. Мацуда, Дж. Н. Ким, Дж. М. Бэк, Дж. Дж. Ли, Дж. Ч., Дж. Х. Хван, С. Ю. Ю, К. М. Чунг, К. Х. Пак, Дж. К. Чой, Э. Б. Ли, С. Д. Нам, Ю. В. Чо , HJ Choi, JS Kim, SY Jung, DH Lee, IS Kim, DW Park, HB Lee, SH Ahn, SH Park, MC Kim, BU Yoon, SS Paak, NI Lee, JH Ku, JS Yoon, HK Kang и Э.С. Юнг, представленный на IEEE International Electron Devices Meeting, 2014. Например, воздушные зазоры между металлическими линиями могут быть образованы путем преднамеренного нанесения диэлектрика с плохой конформностью. 34 34. С. Натараджан, М. Агостинелли, С. Акбар, М. Бост, А. Боундер, В. Чикармане, С. Чукси, А. Дасгупта, К. Фишер, К. Фу, Т. Гани, М. Джайлз, С. Говиндараджу, Р. Гровер, В. Хан, Д. Ханкен, Э. Харалсон, М. Харан, М. Хекшер, Р. Хойсснер, П. Джайн, Р. Джеймс, Р. Джавери, И. Джин , Х. Кам, Э. Карл, К. Кеньон, М. Лю, Ю. Луо, Р. Механдру, С. Морарка, Л. Нейберг, П. Пакан, А. Паливал, К. Паркер, П. Патель, Р. Патель, Ч. Пелто, Л. Пайпс, П. Плеханов, М. Принс, С. Раджамани, Дж. Сэндфорд, Б.Sell, S. Sivakumar, P. Smith, B. Song, K. Tone, T. Troeger, J. Wiedemer, M. Yang и K. Zhang, представленные на Международной конференции по электронным устройствам IEEE 2014 г., 2014 г. В большинстве случаев однако пустоты нежелательны, поэтому интеграторам часто требуется найти процессы, способные заполнить повторно входящие структуры без образования пустот или отслаивания. Даже если пустоты не образуются, частицы могут быть захвачены в швах, и изменение плотности по шву может привести к другой скорости травления. Таким образом, процессы, которые позволяют эффективно заполнять конструкции снизу вверх металлом 35 35.Y. Au, Y. Lin, R.G. Gordon, J. Electrochem. Soc. 158 (5), D248 – D253 (2011). https://doi.org/10.1149/1.3556699 и с диэлектриком 36 36. Ф. С. Минайе Хашеми, Б. Р. Бирчанский, С. Ф. Бент, ACS Appl. Матер. Интерфейсы 8 (48), 33264–33272 (2016). https://doi.org/10.1021/acsami.6b09960 находятся в стадии интенсивных исследований, особенно если избирательность по площади / материалу может быть реализована одновременно, как это часто бывает. 37 37. Зюлков И., Криштаб М., С.Де Гендт, С. Армини, ACS Appl. Матер. Интерфейсы 9 (36), 31031–31041 (2017). https://doi.org/10.1021/acsami.7b07811 Если осаждения могут быть разработаны с достаточной селективностью, они обещают открыть новую парадигму формирования рисунка, эффективно обойдя узкое место литографии. Это связано с тем, что избирательное осаждение позволяет переносить информацию, уже находящуюся на кристалле, вертикально вверх, обеспечивая процесс аддитивного производства. Рассмотрим гипотетическую пару селективных осаждений диэлектрика на диэлектрике и металла на изотропном ASD металла.Чтобы перенести рисунок вверх, можно запустить их в релейном режиме с диэлектриком ∼5 нм (на диэлектрике), а затем с металлом ∼5 нм (на металле), рис. 5 (b). Оптимизируя количество циклов и порядок, можно эффективно перемещать узор вверх с идеальным выравниванием с нижележащим узором. Работая в системе самовыравнивающейся сетки, этот тип переноса рисунка снизу вверх может использоваться для минимизации количества масок для литографии, получения дополнительного места для EPE и одновременного минимизации перекрывающих нагрузок CMP.

САМООГРАНИЧИВАЕМЫЕ ПРОЦЕССЫ

Раздел:

ВыбратьВверху страницыABSTRACT ВВЕДЕНИЕ ПРОЦЕССЫ ДЛЯ МОДЕЛИРОВАНИЯ … ВЫБОРНЫЕ РАЗЛОЖЕНИЯ САМООГРАНИЧЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ << БУДУЩИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОНТАКТЫ БУДУЩИЕ УСТРОЙСТВА ПО ВНУТРЕННЕМУ ИЗОБРАЖЕНИЮ В МАСШТАБИРОВКЕ, мы просто вводим размер устройства в размер, а мы просто вводим размер устройства. Уровень, контролирующий формирование функциональной пленки на уровне Ангстрема, был требованием на протяжении десятилетий. Это связано с тем, что функциональные стопки пленок, встроенные в данный компонент, должны соответствовать минимальным размерам элементов на кристалле.Для межсоединений не только металл (например, Cu или W), но также любой лайнер и / или диффузионный барьер должны соответствовать площади переходного отверстия и надежно работать в течение многих лет, минимизируя при этом задержку RC. Для контактов металл-полупроводник необходимо минимизировать удельное сопротивление контакта и одновременно увеличить площадь контакта в пределах допустимого размера элемента. А на уровне устройства требуется максимальное увеличение емкости и, следовательно, плотности / заряда несущих при минимизации паразитных утечек и емкости.Каждый компонент состоит из стопок функциональных пленок с известной и заданной комбинацией физических и электрических свойств, таких как толщина, диэлектрическая постоянная, удельное сопротивление и т. Д. Простое точное измерение толщины пленки на этом уровне является сложной задачей, поэтому достигается контроль процесса. за счет использования процессов, которые являются самоограниченными или, по крайней мере, квази-самоограниченными. Наиболее очевидным примером использования сегодня самоограниченных процессов является осаждение атомных слоев (ALD), которое основано на последовательных самоограниченных поверхностных реакциях для создания пленки по одному слою за раз. 39 39. Р. Д. Кларк, К. Тапили, С. Консильо, Т. Хакамата, Д. О’Мира, Д. Ньюман, М. Коллингс, Д. Шимански, К. С. Вайда и Г. Дж. Леусинк, ECS Trans. 72 (2), 319–327 (2016). https://doi.org/10.1149/07202.0319ecst Типичные скорости роста для ALD с хорошим поведением составляют порядка 0,5-1 Å / цикл (примерно треть монослоя), с возможными большими вариациями, включая каталитические , 40 40. Д. Хаусманн, Дж. Беккер, С. Ван и Р. Г. Гордон, Science 298 (5592), 402–406 (2002).https://doi.org/10.1126/science.1073552 квази-самоограниченные и плазменные вариации. 41,42 41. Х. Б. Профийт, С. Э. Поттс, М. К. М. v. D. Санден, У. М. М. Кессельс, J. Vac. Sci. Технол., А 29 (5), 050801 (2011). https://doi.org/10.1116/1.360997442. S. M. George, Chem. Ред. 110 (1), 111–131 (2010). https://doi.org/10.1021/cr

6b ALD обеспечивает контроль, необходимый для нанесения слоя k толщиной 15-20 Å для HKMG с 4 4. R.Кларк, Материалы 7 (4), 2913 (2014). https://doi.org/10.3390/ma7042913, а также обеспечивает контроль толщины и шероховатости, необходимый для прокладок в схемах SAMP, где толщина и вариация прокладки определяют ширину и вариацию линии соответственно. 31 31. A. J. M. Mackus, A. A. Bol, W. M. M. Kessels, Nanoscale 6 (19), 10941–10960 (2014). https://doi.org/10.1039/c4nr01954gEtch следует по стопам развития осаждения и множества технологий травления атомных слоев (ALE) 23,43 23.К. Т. Карвер, Дж. Дж. Пломбон, П. Э. Ромеро, С. Сури, Т. А. Троник и Р. Б. Тюркот, ECS J. Solid State Sci. Technol. 4 (6), N5005 – N5009 (2015). https://doi.org/10.1149/2.0021506jss43. К. Дж. Канарик, Т. Лилль, Э. А. Хадсон, С. Шрираман, С. Тан, Дж. Маркс, В. Вахеди и Р. А. Готчо, J. Vac. Sci. Технол., А 33 (2), 020802 (2015). https://doi.org/10.1116/1.4913379 процессы исследуются или активно развиваются. Как и ALD, ALE основывается на самоограничивающихся поверхностных реакциях, управляемых химией поверхности.Таким образом, как ALD, так и ALE по своей природе могут быть избирательными по поверхности / материалу, то есть ALD, избирательно по площади, и оба они обеспечивают контроль толщины на атомном уровне. Фактически, ALD и селективное травление, такое как последовательное травление, ALE и квази-ALE, имеют синергетические отношения – в том смысле, что они создают новые потенциальные приложения. 44 44. M. Honda, T. Katsunuma, M. Tabata, A. Tsuji, T. Oishi, T. Hisamatsu, S. Ogawa, Y. Kihara, J. Phys. D: Прил. Phys. 50 (23), 234002 (2017). https: // doi.org / 10.1088 / 1361-6463 / aa6f27 Простым примером является использование селективного травления для очистки нежелательных участков зародышеобразования после селективного осаждения. 45 45. Р. Г. Клоссер, Д. С. Бергсман, Л. Руэлас, Ф. С. М. Хашеми и С. Ф. Бент, J. Vac. Sci. Технол., А 35 (3), 031509 (2017). https://doi.org/10.1116/1.4980049 Другим примером является использование анизотропного последовательного травления для создания ультратонких прокладок на боковых стенках путем травления ранее нанесенной пленки с высокой плотностью k , такие прокладки могут использоваться в качестве вертикальных ограничителей травления, прокладок и т. д. или маски, 38 38.Р. Д. Кларк, в 62-м Международном симпозиуме AVS (Американское вакуумное общество, Сан-Хосе, Калифорния, 2015). Рис. 6. В конечном итоге инженеры по интеграции хотели бы иметь множество процессов на выбор, включая селективные, неселективные, изотропные и анизотропные процессы как для функциональных, так и для расходных материалов (цветов), и все с контролем толщины и изменчивости атомарного уровня. представляя область, созревшую для новых инноваций. Но, конечно, потребность в конкретных процессах определяется конкретными требованиями конкретного приложения.Например, ожидается, что в ближайшем будущем производители вертикальных трехмерных наночастиц разработают стеки с более чем 100 уровнями устройств для HVM, а производители логики, как ожидается, будут использовать затворные транзисторы. Оба эти изменения приведут к новым вызовам для управления процессами. Во-первых, диэлектрики ALD high k потребуются для покрытия гораздо более высоких соотношений сторон в обоих устройствах. Потребуется больше процессов с несколькими шаблонами и самовыравнивания, что означает больше преимуществ для избирательных процессов.

БУДУЩИЕ СОЕДИНЕНИЯ

Раздел:

ВыбратьВверх страницы РЕЗЮМЕ ВВЕДЕНИЕ ПРОЦЕССЫ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ … ВЫБОРНЫЕ РАЗЛОЖЕНИЯ САМООГРАНИЧЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ БУДУЩИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ << БУДУЩИЕ КОНТАКТЫ БУДУЩИЕ УСТРОЙСТВА С точки зрения материала соединений, но НЕОПРЕДЕЛЕННЫЙ ОБЗОР ОСНОВАННЫХ ОБЪЯВЛЕНИЙ ОСНОВАНЫ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. Задержка RC от контактов и межсоединений теперь превышает задержку устройства как шаг ограничения скорости с точки зрения задержки цепи.Что касается ширины линий, то широко распространенные в настоящее время схемы Cu / Ta затравки / барьер TaN и W / TiN-футеровки страдают от двух вредных эффектов. Во-первых, когда ширина линий достигает атомных масштабов, сопротивление начинает резко возрастать, и в нем, как правило, преобладает рассеяние, связанное с границами кристаллических зерен и шероховатостью интерфейса. Таким образом, вольфрамовые линии, используемые для локальных слоев межсоединений на уровне устройства, должны быть заменены металлами с более низким удельным сопротивлением и более тонкими барьерами, а при масштабах 15 нм и ниже это означает, что другие металлы, например Ru и Co, могут обеспечивать более низкое сопротивление, чем Cu. а также для межкомпонентных соединений с мелким шагом. 46 46. D. Gall, J. Appl. Phys. 119 (8), 085101 (2016). https://doi.org/10.1063/1.4942216 Кроме того, для меди требуется диффузионный барьер, затравочный слой, а в последнее время также требуется покрывающий или подкладочный слой для повышения сопротивления электромиграции. К сожалению, барьер, затравка и облицовка обычно представляют собой металлы с относительно высоким удельным сопротивлением, и можно ожидать, что они займут до 30% ширины линии 10 нм. Производители устройств использовали Co-крышки на линиях Cu, чтобы противодействовать увеличению электромиграции, как шкала ширины линий, 47 47.К.-К. Hu, L. Gignac, R. Rosenberg, E. Liniger, J. Rubino, C. Sambucetti, A. Domenicucci, X. Chen, and A. K. Stamper, Appl. Phys. Lett. 81 (10), 1782–1784 (2002). https://doi.org/10.1063/1.1504491, и поскольку Co страдает меньше, чем Cu при масштабированной ширине линии, это привело к использованию Co для локального межсоединения на уровнях M0 и M1, 20 20. C. Auth, A .Алиярукунджу, М. Асоро, Д. Бергстром, В. Бхагват, Дж. Бердсолл, Н. Бисник, М. Бюлер, В. Чикармане, Г. Динг, К. Фу, Х. Гомес, В.Хан, Д. Ханкен, М. Харан, М. Хаттендорф, Р. Хойсснер, Х. Хирамацу, Б. Хо, С. Джаловиар, И. Джин, С. Джоши, С. Кирби, С. Косараджу, Х. Котари, Дж. Лезерман, К. Ли, Дж. Лейб, А. Мадхаван, К. Марла, Х. Мейер, Т. Мул, К. Паркер, С. Партхасарати, К. Пелто, Л. Пайпс, И. Пост, М. Prince, A. Rahman, S. Rajamani, A. Saha, JD Santos, M. Sharma, V. Sharma, J. Shin, P. Sinha, P. Smith, M. Sprinkle, AS Amour, C. Staus, R. Сури, Д. Таунер, А. Трипати, А. Тура, К. Уорд и А. Йео, представленные на IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017.но для линий Co также требуется вкладыш или диффузионный барьер, хотя и более тонкий вкладыш / барьер, чем требуется для W или Cu. Металл, такой как рутений, может решить обе эти проблемы, обеспечивая более низкое сопротивление, чем Cu, при масштабированной ширине линии наряду с сопротивлением электромиграции без лайнера. 48 48. S. Dutta, S. Kundu, A. Gupta, G. Jamieson, J. F. G. Granados, J. Bömmels, C. J. Wilson, Z. Tkei и C. Adelmann, IEEE Electron Device Lett. 38 (7), 949–951 (2017). https: // doi.org / 10.1109 / led.2017.2709248 Таким образом, анизотропное и селективное заполнение металлическим рутением представляет собой интересный вариант в виде шкалы ширины линии и имеет дополнительное преимущество в виде дополнительного теплового допуска по сравнению с другими вариантами металлизации, которые могут обеспечить проложенные под землей шины электропитания, а также монолитные схемы трехмерной интеграции для Продолжение масштабирования. Помимо увеличения сопротивления, производители устройств сталкиваются с проблемой увеличения емкости между металлическими линиями, которые постоянно сближаются.Решение, использованное в прошлом, заключалось в использовании межслойных диэлектриков (ILD) с более низким значением k . 49 49. К. Маекс, М. Р. Бакланов, Д. Шамирян, Ф. Лакопи, С. Х. Бронгерсма, З. С. Яновицкая, J. Appl. Phys. 93 (11), 8793–8841 (2003). https://doi.org/10.1063/1.1567460 Чтобы еще больше снизить k , производители устройств и поставщики химикатов / оборудования затем ввели пористость в диэлектрики, эффективно разбавив k легированного углеродом SiO 2 (∼ 3) с диэлектрической проницаемостью воздуха (∼1). 50 50. А. Гриль, С. М. Гейтс, Т. Э. Райан, С. В. Нгуен и Д. Приядаршини, Appl. Phys. Ред. 1 (1), 011306 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4861876 Это, конечно, привело к более низкому значению k , но также еще больше усугубило проблемы, связанные с низкой механической стабильностью диэлектрика. Кроме того, по мере увеличения пористости диэлектрика поры становятся взаимосвязанными и обеспечивают легкий путь для диффузии и улавливания технологических газов, что может привести к увеличению дефектности.В последнее время производители устройств начали использовать целевые воздушные зазоры между плотно расположенными межблочными линиями, чтобы обеспечить сверхнизкое значение k там, где это больше всего необходимо. 20 20. К. Аут, А. Алиярукунджу, М. Асоро, Д. Бергстром, В. Бхагват, Дж. Бердсолл, Н. Бисник, М. Бюлер, В. Чикарман, Г. Динг, К. Фу, Х. Гомес, В. Хан, Д. Ханкен, М. Харан, М. Хаттендорф, Р. Хойсснер, Х. Хирамацу, Б. Хо, С. Джаловиар, И. Джин, С. Джоши, С. Кирби, С. Косараджу , Х. Котари, Дж. Лезерман, К. Ли, Дж. Лейб, А.Мадхаван, К. Марла, Х. Мейер, Т. Мул, К. Паркер, С. Партасарати, К. Пелто, Л. Пайпс, И. Пост, М. Принс, А. Рахман, С. Раджамани, А. Саха, Дж. Д. Сантос, М. Шарма, В. Шарма, Дж. Шин, П. Синха, П. Смит, М. Спринкл, А. С. Амур, К. Стаус, Р. Сури, Д. Таунер, А. Трипати, А. Тура, К. Уорд и А. Йео, представленные на IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017. Эта стратегия признает, что есть определенные места, например, между металлическими линиями с большим шагом, где могут быть нацелены диэлектрики с низким значением k . чтобы обеспечить максимальную пользу.Ориентируясь на эти области, должна быть возможность использовать диэлектрики с более высокой механической прочностью вокруг переходных отверстий и выше или ниже линий межсоединений, чтобы обеспечить необходимую поддержку линий и, таким образом, снизить емкость пакета в целом, сохраняя при этом достаточную механическую целостность. Кроме того, необходимо разработать процессы для диэлектриков с низким содержанием диэлектриков и большей механической стабильностью. Плотный низкий k с диэлектриками k k .Современные пористые пленки с низким содержанием k основаны на случайном захвате молекул порообразующего вещества в диэлектрике и последующем удалении порообразующего вещества позже, чтобы оставить после себя по существу беспорядочно распределенные поры в материале. Размер и плотность пор можно регулировать количеством и выбором порогена, но структура по существу случайна. Таким образом, исследователи работают над созданием пористых пленок SiO 2 , легированных углеродом, которые имеют структурированные сети пор, спроектированные так, чтобы они не соединялись между собой и сохраняли как можно большую механическую прочность. 51,52 51. М. Л. Лифсон, М.-В. Ким, Дж. Р. Грир и Б.-Дж. Ким, Nano Lett. 17 (12), 7737–7743 (2017). https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.7b0394152. Д. Дж. Михалак, Дж. М. Блэквелл, Дж. М. Торрес, А. Сенгупта, Л. Е. Крено, Дж. С. Кларк и Д. Пантусо, J. Mater. Res. 30 (22), 3363–3385 (2015). https://doi.org/10.1557/jmr.2015.313

Будущие варианты решения проблемы задержки межсоединения также не за горами. Например, фотоника предлагает возможность низких потерь и высокой скорости для глобальных межсоединений, а 2D-материалы или нанотрубки могут обеспечить хорошую проводимость без рассеяния на единичных нм и ниже масштабах толщины.

КОНТАКТЫ НА БУДУЩЕЕ

Раздел:

ВыборВверх страницы РЕЗЮМЕ ВВЕДЕНИЕПРОЦЕССЫ ДЛЯ ВЫБОРА … ВЫБОРНЫЕ ОТЛОЖЕНИЯ САМООГРАНИЧЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ БУДУЩИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОНТАКТЫ ДЛЯ БУДУЩЕГО << БУДУЩИЕ УСТРОЙСТВА ЗАПРЕЩАЮЩИЕСЯ АРТИТЕЛЯМИ Конечно, разные типы устройств накладывают разные технологические ограничения на формирование контактов и геометрию, поэтому более низкое удельное сопротивление контакта для одного типа устройства не обязательно применимо к другому устройству, но в целом проблема одинакова для всех устройств.Во-первых, в передовых устройствах в настоящее время используются уровни легирования, которые могут превышать пределы растворимости твердых примесей в интересующем полупроводнике, поэтому мы больше не можем легко снизить контактное сопротивление простым увеличением легирования. Это означает, что интеграторы вынуждены проектировать контакты так, чтобы минимизировать высоту барьера Шоттки и максимизировать площадь контакта, чтобы обеспечить функциональный контакт с достаточно низким сопротивлением. Переход к 3D-устройствам привел к чрезвычайно высокому соотношению сторон при производстве интегральных схем, что приводит к более высоким паразитным емкостям между затворами и контактами истока / стока, а также к уменьшению площади контакта металл-полупроводник, а также означает, что технологии прямой видимости подобные ионные имплантаты становятся более трудными или даже невозможными в использовании.Чтобы смягчить эти эффекты, требуются новые технологические процессы, которые могут позволить обернуть контактные структуры для максимизации площади контакта при сверхнизком удельном удельном сопротивлении контакта, в то же время включающие проставки с низким к или с воздушным зазором для уменьшения паразитной емкости.

Кроме того, требуются новые процессы протравливания, очистки и имплантации, которые не зависят от прямой видимости в зоне контакта. Например, легирование твердым источником было пересмотрено в недавних узлах для противодействия легированию тела ребра и может быть полезно для формирования неглубоких легирующих ям 53 53.С. Консильо, Р. Д. Кларк, Д. О’Мира, К. С. Вайда, К. Тапили и Г. Дж. Леусинк, J. Vac. Sci. Технол., А 34 (1), 01А102 (2016). https://doi.org/10.1116/1.4928705 и на активных устройствах. Точно так же конформное осаждение металлов с низкой рабочей функцией, необходимое для силицидных контактов с низким удельным сопротивлением, в настоящее время заменяет нанесение таких материалов методом PVD. 20 20. C. Auth, A. Aliyarukunju, M. Asoro, D. Bergstrom, V. Bhagwat, J. Birdsall, N. Bisnik, M. Buehler, V. Chikarmane, G. Ding, Q.Фу, Х. Гомес, В. Хан, Д. Ханкен, М. Харан, М. Хаттендорф, Р. Хойсснер, Х. Хирамацу, Б. Хо, С. Джаловиар, И. Джин, С. Джоши, С. Кирби, С. Косараджу, Х. Котари, Г. Лезерман, К. Ли, Дж. Лейб, А. Мадхаван, К. Марла, Х. Мейер, Т. Мул, К. Паркер, С. Партхасарати, К. Пелто, Л. Пайпс, И. Пост, М. Принс, А. Рахман, С. Раджамани, А. Саха, Дж. Д. Сантос, М. Шарма, В. Шарма, Дж. Шин, П. Синха, П. Смит, М. Спринкл, А.С. Амур, К. Стаус, Р. Сури, Д. Таунер, А. Трипати, А. Тура, К. Уорд и А. Йео, представленные на IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017 г.Недавно было продемонстрировано, что конформное осаждение металлического Ti с помощью ALD в сочетании с конформной самоограничивающейся очисткой позволяет наматывать контактные структуры с удельным контактным сопротивлением, подходящим для технологических узлов 7 нм и выше. 54 54. С. А. Чу, Х. Ю, М. Шакерс, С. Демайнк, Г. Маннарт, Э. Куннен, Э. Россель, А. Хикави, А. Дангол, К. Д. Мейер, Д. Мокута, Н. Хоригучи , Г. Леусинк, К. Вайда, Т. Хакамата, Т. Хасегава, К. Тапили и Р. Кларк, представленные на Международной конференции по технологиям межсоединений IEEE (IITC), 2017 г.Несколько удивительно, этот результат показал, что, заменив PVD Ti на процесс ALD Ti, стало возможным не только реализовать конформную структуру с обертыванием, которая максимизирует площадь контакта, но и исключить преаморфизирующий имплантат, необходимый для достижения низкого удельного сопротивления с помощью PVD. Ti; таким образом, два процесса прямой видимости могут быть заменены одним процессом ALD, что приведет к уменьшению сопротивления контакта с Si FET N-типа за меньшее количество шагов.

Конечно, контактное сопротивление по-прежнему будет проблемой на каждом производственном узле будущего, особенно по мере появления новых устройств.Однако производителям устройств необходимо будет определить новые типы устройств, которые предлагают преимущества по сравнению с Si, даже если они предназначены только для конкретных приложений, чтобы продолжить масштабирование PPAC для будущих микроэлектрических систем. Вряд ли в ближайшее время от технологии Si придется отказаться, но производители устройств рассматривают множество потенциальных устройств, в которых можно было бы использовать альтернативные полупроводниковые системы. Для любого нового устройства формирование контактов с низким сопротивлением, вероятно, представляет собой ключевую проблему, которая может помешать использованию устройства, но производительность устройства также должна превышать то, что может быть достигнуто в рамках текущей парадигмы полупроводников на основе Si, чтобы быть полезным.

БУДУЩИЕ УСТРОЙСТВА

Раздел:

Выбор вверх страницы ABSTRACT ВВЕДЕНИЕ ПРОЦЕССЫ ДЛЯ РАЗРАБОТКИ … ВЫБОРНЫЕ РАЗЛОЖЕНИЯ САМООГРАНИЧЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ БУДУЩИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ КОНТАКТЫ БУДУЩИХ УСТРОЙСТВА БУДУЩИХ << ВНУТРЕННИЕ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВАМИ ВОНЕНСКОЕ МУЛЬТФИЛЬМ. Устройства, которые в настоящее время производятся, доказывают, что при правильных обстоятельствах более экономично складывать более крупные устройства вертикально для достижения масштабирования битовой стоимости, чем продолжать масштабировать двумерную область устройства в попытке удвоить площадь, а не объемную плотность устройства.Легче достичь монолитного 3D-стиля масштабирования для памяти, потому что она может быть построена как обычный повторяющийся массив ячеек, тогда как логическим микросхемам требуется библиотека стандартных ячеек, сгруппированных вместе, для создания случайных логических областей SOC или микропроцессора. Тем не менее, производители устройств ищут способы вертикального масштабирования логических систем. Преимущество монолитной интеграции встроенной памяти с логикой уже реализовано; однако размеры элементов в атомном масштабе приводят к тому, что стохастические и квантовые явления становятся все более и более серьезным препятствием на пути к работе и изменчивости устройства.

Кроме того, возможность продолжать масштабирование рабочих напряжений с понижением для достижения работы с пониженной мощностью осложняется необходимостью поддерживать достаточную повышающую передачу для достижения приемлемого управляющего тока для устройств. МОП-транзисторы на протяжении десятилетий составляли основу полупроводниковой промышленности, но теперь они достигают фундаментальных пределов, препятствующих дальнейшему масштабированию. Поскольку полевые МОП-транзисторы требуют испускания термоэлектронных носителей в канал транзистора, они ограничены кинетикой Больцмана до 60 мВ / декада подпорогового размаха (SS).Если рабочие напряжения не могут быть масштабированы дальше, то достижение преимуществ масштабирования от узла к узлу станет чрезвычайно трудным, если не невозможным в течение следующего десятилетия.

Чтобы преодолеть ограничения, налагаемые требуемым пороговым напряжением (Vt) и кинетикой Больцмана, ведется поиск новых устройств, которые могут реализовать крутые наклоны Id-Vg, или, другими словами, SS 55 55. Д. Е. Никонов и И. А. Янг, IEEE J. Explor. Твердотельные вычисления. Схемы приборов 1 , 3–11 (2015).https://doi.org/10.1109/jxcdc.2015.2418033 Другой рассматриваемый тип устройства с крутым наклоном – полевой транзистор с отрицательной емкостью (NCFET), впервые предложенный Салахуддином и Даттой, в котором используется сегнетоэлектрический диэлектрик затвора. 56–58 56. С. Салахуддин, представленный на Международном симпозиуме 2016 г. по технологии, системам и приложениям СБИС (VLSI-TSA), 2016 г. 57. С. Салахуддин и С. Датта, Nano Lett. 8 (2), 405–410 (2008). https://doi.org/10.1021/nl071804g58. З. Кривокапич, У.Рана, Р. Галатаж, А. Разавие, А. Азиз, Дж. Лю, Дж. Ши, Х. Дж. Ким, Р. Спорер, К. Серрао, А. Буске, П. Полаковски, Дж. Мюллер, В. Клемайер, А. . Джейкоб, Д. Браун, А. Норр, Р. Картер и С. Банна, представленные на IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2017. Даже если NCFET никогда не будут реализованы в производстве, сегнетоэлектрические затворы и диэлектрики конденсаторов могут приводят к появлению новых типов памяти с низким энергопотреблением или высокой скорости и энергонезависимых логических устройств. Такие устройства имеют дополнительное преимущество в том, что они интегрируются в рамках существующей парадигмы производства Si без использования новых экзотических материалов.Для реализации этих устройств потребуется множество новых материалов и процессов, а также другие новые возможности. Интегрирование SiGe, Ge, 59 59. Т. Найттен, Дж. Богданович, Л. Виттерс, Г. Энеман, Т. Ханшель, А. Шульце, П. Фавиа, Х. Бендер, И. Д. Вольф и В. Вандерворст, APL Mater. 6 (5), 058501 (2018). https://doi.org/10.1063/1.4999277 и полупроводники III-V, такие как GaAs, InP и GaN, на Si-платформу 60 60. Г. Конти, С. Немшак, К.-Т. Куо, М. Гельманн, К.Conlon, A. Keqi, A. Rattanachata, O. Karslıoğlu, J. Mueller, J. Sethian, H. Bluhm, J. E. Rault, J. P. Rueff, H. Fang, A. Javey и C. S. Fadley, APL Mater. 6 (5), 058101 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5022379 может включать встроенные радиочастотные устройства, 61 61. T. E. Kazior, Philos. Пер. R. Soc., А 372 , 20130105 (2014). https://doi.org/10.1098/rsta.2013.0105, а также TFET в будущих системах на кристалле. 62 62. Э. Мемишевич, Дж. Свенссон, М. Хелленбранд, Э.Линд и Л. Э. Вернерссон, представленные на конференции IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2016 г. 2D-материалы, такие как графен и дихалькогениды переходных металлов (TMD), могут потребоваться для реализации TFET с привлекательными рабочими характеристиками. 63 63. Т. Рой, М. Тосун, М. Хеттик, Г. Х. Ан, К. Ху и А. Джави, Appl. Phys. Lett. 108 (8), 083111 (2016). https://doi.org/10.1063/1.4942647 Кроме того, 2D-материалы можно использовать в качестве каналов для крупномасштабных полевых МОП-транзисторов, поскольку их атомная толщина тела позволяет масштабировать длину затвора ниже текущих пределов. 64,65 64. W. Cao, J. Kang, D. Sarkar, W. Liu и K. Banerjee, IEEE Trans. Электронные устройства 62 (11), 3459–3469 (2015). https://doi.org/10.1109/ted.2015.244303965. К. Дж. Л. д. л. Rosa, G. Arutchelvan, A. Leonhardt, C. Huyghebaert, I. Radu, M. Heyns и S. D. Gendt, APL Mater. 6 (5), 058301 (2018). https://doi.org/10.1063/1.4996425 А графен может обеспечить ультратонкий диффузионный барьер для меди, который имеет дополнительное преимущество в виде уменьшения поверхностного рассеяния внутри проволок. 66 66. Б.-С. Нгуен, Ж.-Ф. Лин и Д.-К. Perng, Appl. Phys. Lett. 104 (8), 082105 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4866857 Однако изготовление таких материалов еще не приближается к требованиям, которые потребуются для производства. Прежде чем мы сможем использовать преимущества двумерных материалов в полупроводниковых устройствах, необходимо разработать процессы роста в масштабе пластины с достаточной чистотой и достаточно низкой плотностью дефектов. 67,68 67.А. Дж. Манникс, Б. Кирали, М. К. Херсам и Н. П. Гизингер, Nat. Rev. Chem. 1 , 0014 (2017). https://doi.org/10.1038/s41570-016-001468. С. Дугу, С. П. Павунны, Т. Б. Лимбу, Б. Р. Вайнер, Г. Морелл и Р. С. Катияр, APL Mater. 6 (5), 058503 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5021099 Недавнее открытие того, что относительно тонкие пленки из легированного оксида гафния можно сделать сегнетоэлектрическими при правильных условиях, вызвало новый интерес к возможностям сегнетоэлектриков. 69 69.T. S. Böscke, J. Müller, D. Bräuhaus, U. Schröder, U. Böttger, Appl. Phys. Lett. 99 (10), 102903 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3634052 Поскольку оксид гафния так хорошо известен интеграторам и поскольку можно изготавливать сегнетоэлектрические пленки толщиной 5 нм или меньше из легированного оксида гафния, интеграторы стремятся увидеть, как логика и память устройства, включающие эти пленки, работают. Еще неизвестно, насколько эти пленки могут быть уменьшены в масштабе, сохраняя при этом сегнетоэлектрические эффекты, поэтому еще предстоит проделать значительную работу, чтобы использовать эти пленки в будущих устройствах, но до сих пор они показали интригующие возможности. 70 70. J. Müller, P. Polakowski, S. Mueller, T. Mikolajick, ECS J. Solid State Sci. Technol. 4 (5), N30 – N35 (2015). https://doi.org/10.1149/2.0081505jss

ЗА ПРЕДЕЛАМИ ФОН НЕЙМАНН

Раздел:

ВыбратьВерх страницыАБРАКТАВНЕДРЕНИЕПРОЦЕССЫ ДЛЯ ВЫРАБОТКИ … те, кто понимает, как он работает, но хотя наши компьютеры могут выполнять некоторые задачи намного лучше, чем человеческий, человеческий мозг, безусловно, все еще намного превосходит то, что мы можем достичь с точки зрения технологической сложности, – и он работает с использованием других вычислений парадигма полностью от архитектуры фон Неймана, используемой в современных микросхемах.Нейроморфные архитектуры 71 71. К. Диас, Дж. Вентура и П. Агиар, «Достижения в мемристорах, мемристивных устройствах и системах», в Исследования в области вычислительного интеллекта , под редакцией С. Вайдьянатана и К. Волоса (Springer , 2017), Т. 701. С. 305–342. являются не единственной формой взаимосвязанных сетей, которую можно себе представить, и различные архитектуры могут иметь свои уникальные преимущества для искусственного интеллекта, шифрования и т. д. В настоящее время мы тратим значительные усилия на борьбу с квантовыми явлениями, но TFET используют их преимущества.Что, если бы мы могли реализовать квантовые компьютеры, которые могли бы выполнять несколько вычислений за один проход? Такие вещи видны на горизонте полупроводниковой промышленности. 72,73 72. М. Мохсени, П. Рид, Х. Невен, С. Бойшо, В. Денчев, Р. Баббуш, А. Фаулер, В. Смелянский и Дж. Мартинис, Nature 543 (7644 ), 171 (2017). https://doi.org/10.1038/543171a73. Соловьев И.И., Кленов Н.В., Бакурский С.В., Куприянов М.Ю., Гудков А.Л., Сидоренко А.С., Beilstein J. Nanotechnol. 8 , 2689 (2017). https://doi.org/10.3762/bjnano.8.269 В ближайшие десятилетия мы можем ожидать распространения новых технологий. Многие технологии будут отброшены по пути, но некоторые неизбежно добьются успеха и будут приняты. Хотя мы не можем заранее предсказать успехи и неудачи, недостатка в потенциальных кандидатах, достойных изучения, нет.

% PDF-1.7 % 11347 0 объект > эндобдж xref 11347 152 0000000016 00000 н. 0000008383 00000 п. 0000008684 00000 н. 0000008732 00000 н. 0000008771 00000 п. 0000009632 00000 н. 0000009748 00000 н. 0000009789 00000 н. 0000011025 00000 п. 0000012180 00000 п. 0000013449 00000 п. 0000014618 00000 п. 0000015810 00000 п. 0000016950 00000 п. 0000017438 00000 п. 0000017921 00000 п. 0000018475 00000 п. 0000019083 00000 п. 0000019272 00000 н. 0000019555 00000 п. 0000020218 00000 н. 0000020896 00000 п. 0000021439 00000 п. 0000021729 00000 п. 0000022885 00000 п. 0000024141 00000 п. 0000036886 00000 п. 0000050922 00000 п. 0000056986 00000 п. 0000059637 00000 п. 0000059755 00000 п. 0000096567 00000 п. 0000096610 00000 п. 0000096962 00000 п. 0000097252 00000 п. 0000097658 00000 п. 0000098047 00000 п. 0000098228 00000 п. 0000098380 00000 п. 0000098784 00000 п. 0000099177 00000 п. 0000099579 00000 н. 0000099930 00000 н. 0000100260 00000 н. 0000100632 00000 н. 0000100868 00000 н. 0000101020 00000 н. 0000101390 00000 н. 0000101676 00000 н. 0000102016 00000 н. 0000102356 00000 п. 0000102650 00000 н. 0000102893 00000 п. 0000103186 00000 п. 0000103458 00000 н. 0000103690 00000 н. 0000104007 00000 н. 0000104159 00000 п. 0000104519 00000 п. 0000104857 00000 н. 0000105144 00000 п. 0000105432 00000 н. 0000105783 00000 н. 0000106093 00000 п. 0000106329 00000 н. 0000106481 00000 н. 0000106822 00000 н. 0000106923 00000 п. 0000107075 00000 п. 0000107307 00000 н. 0000107645 00000 н. 0000108034 00000 п. 0000108265 00000 н. 0000108669 00000 н. 0000109059 00000 н. 0000109296 00000 п. 0000109448 00000 н. 0000109680 00000 н. 0000110005 00000 н. 0000110245 00000 н. 0000110633 00000 п. 0000110814 00000 н. 0000110966 00000 н. 0000111294 00000 н. 0000111667 00000 н. 0000111821 00000 н. 0000111973 00000 н. 0000112260 00000 н. 0000112599 00000 н. 0000112831 00000 н. 0000112984 00000 н. 0000113136 00000 п. 0000113516 00000 н. 0000113895 00000 н. 0000114276 00000 н. 0000114670 00000 п. 0000115010 00000 н. 0000115245 00000 н. 0000115397 00000 н. 0000115749 00000 н. 0000116138 00000 н. 0000116319 00000 п. 0000116471 00000 н. 0000116791 00000 н. 0000117174 00000 н. 0000117572 00000 н. 0000117951 00000 н. 0000118210 00000 н. 0000118417 00000 н. 0000118569 00000 н. 0000118947 00000 н. 0000119341 00000 п. 0000119740 00000 н. 0000120121 00000 н. 0000120330 00000 н. 0000120482 00000 н. 0000120828 00000 н. 0000121217 00000 н. 0000121398 00000 н. 0000121550 00000 н. 0000121782 00000 н. 0000122069 00000 н. 0000122376 00000 н. 0000122648 00000 н. 0000122830 00000 н. 0000122982 00000 н. 0000123320 00000 н. 0000123717 00000 н. 0000123949 00000 н. 0000124103 00000 п. 0000124255 00000 н. 0000124487 00000 н. 0000124825 00000 н. 0000125187 00000 н. 0000125472 00000 н. 0000125768 00000 н. 0000126037 00000 н. 0000126269 00000 н. 0000126529 00000 н. 0000126681 00000 н. 0000127035 00000 н. 0000127424 00000 н. 0000127828 00000 н. 0000128209 00000 н. 0000128417 00000 н.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *