Pnp мощные транзисторы: Универсальные мощные биполярные PNP транзисторы (PNP Power Bipolar Transistors) | Документация и описания электронных компонентов

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.

								На главную страницу || Карта сайта Справочник транзисторов маломощных биполярных. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных. Справочник полевых транзисторов отечественных. Справочник отечественных smd транзисторов . Каталог MOSFET транзисторов . Использование справочных данных транзисторов для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой. Использование справочных данных транзистора для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
								От составителя: В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики. Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам Содержание: Раздел составных транзисторов (всего 49 штук) Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук) Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук) Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук) Показать/скрыть краткое описание транзисторов Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров: n-p-n   p-n-p   Составные транзисторы   Высоковольтные   Показать все
Типы корпусов
Наименование	Аналог	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Umax, В	h31e max
КТ501(А-Е)	BC212	TO-18		pnp	0,3	30	240	КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)	MPSA56	TO-92		pnp	0,15	90	240	Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 – MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)	2SC2240	TO-92		npn	0,15	100	240	Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 – 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) – КТ502.
КТ504(А,Б,В)	BSS73	TO-39		npn	1	350	100	КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 – BSS73.
KТ505(А,Б)	BSS76	TO-39		pnp	1	300	100	КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)	BUX54	TO-39		npn	2	800	30	КТ506А и КТ506Б для  переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509А		TO-39		pnp	0,02	450	60	2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения .
КТ520(А,Б)	MPSA42	TO-92 DPAK		npn	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах.
КТ521(А,Б)	MPSA92	TO-92		pnp	0.5	300	40	Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529А		TO-92		pnp	1	60	250	КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения . Комплементарная пара – КТ530.
КТ530А		TO-92		npn	1	60	250	Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538А	MJE13001	TO-92		npn	0.5	600	90	Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)	MJE18002			npn	2,5	500	100	КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)				npn	3,5	30	250	ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
2Т708(А-В)	2SB678	TO-39		pnp	2,5	100	1500	составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)	BDX86	TO-3		pnp	10	100	2000	мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств . Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А		TO-3		npn	5	3000	40	КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)	BU806	TO-220		pnp	10	200	1000	мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А		TO-3		npn	3	2500	20	2Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)	2SD472H	TO-3		npn	10	100	750	2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)	BDX33	TO-220		npn	10	100	750	составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719А	BD139	TO-126		npn	1,5	120	70	КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720А	BD140			pnp	1,5	100
КТ721А	BD237			npn	1,5	100		BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722А	BD238			pnp	1,5	100		Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723А	MJE15028			npn	10	100		Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724А	MJE15029			pnp	10	100		Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ729	2N3771			npn	30	60		Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ730	2N3773			npn	16	140		Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732А	MJE4343	TO-218		npn	16	160	15	КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733А	MJE4353	TO-218		pnp	16	160	15	КТ733 – Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738А	TIP3055	TO-218		npn	15	70	70	КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739А	TIP2955	TO-218		pnp	15	70	70	КТ739 – Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 – MJE4343
КТ805(А-ВМ)	KSD363 BD243	TO-220		npn	5	160	15	КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 – транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ)				npn	0,5	100	150	КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП – источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ)		TO-3		npn	10	130	50	КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В)		TO-3		npn	10	700	30	КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)	BD140 ZTX753	TO-126 DPAK		pnp	1,5	100	100	Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 – транзистор BD140. Комплементарная пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) – КТ815.
КТ815(А-Г)	BD139 ZTX653	TO-126 DPAK		npn	1,5	100	100	КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)	BD238 MJE172	TO-126 DPAK		pnp	3	80	100	КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара – КТ817.
КТ817(А-Г)	BD237 MJE182	TO-126 DPAK		npn	3	80	100	КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б – транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В – BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г – BD237 и MJE182. Комплементарная пара – КТ816.
КТ818(А-ГМ)	BDW22 BD912	TO-220 TO-3		pnp	10 15	100	100	Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 – BDW22 и BD912. Комплементарная пара – транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)	BDW51 BD911	TO-220 TO-3		npn	10 15	100	100	Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 – BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)	2Т6050	TO-220 TO-3		pnp	15 20	100	18000	Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 – транзистор КТ827. Импортный аналог – 2T6050.
КТ826(А-В)		TO-3		npn	1	700	120	Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)	2N6057 BDX87	TO-3		npn	20	100	18000	Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 – транзистор КТ825. Импортный аналог – 2N6057.
КТ828(А-Г)	BU207	TO-3		npn	5	800	15	характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)	TIP122 2N6045	TO-220		npn	8	100	3000	Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 – транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)	2N5781	TO-39		pnp	2	90	160	транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 – 2N5781.
2Т831(А-В)	2N4300	TO-39		npn	2	50	200	2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)	BU323	TO-3		npn	15	500	3000	составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)	2N6111	TO-220		pnp	7,5	30	100	транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 – импортный 2N6111
2Т836(А-В)	BD180	TO-39		pnp	3	90	100	2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)	2N6108 2N6111	TO-220		pnp	8	70	200	pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 – транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А	2SD1554 BU208	TO-3		npn	5	1500	14	Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги – 2SD1554 и BU208.
КТ839А	2SC1172 MJ16212	TO-3		npn	10	1500	12	Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)	BUX97	TO-3		npn	6	400	100	Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)	MJ413 2N3442	TO-3		npn	10	600	35	Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)	2SB506	TO-3		pnp	5	300	30	Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844А	MJ15011	TO-3		npn	10	250	60	КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845А		TO-3		npn	5	400	100	КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846А	BU208	TO-3		npn	5	1500	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847А	BUX48 2N6678	TO-3		npn	15	650	100	Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848А	BUX37	TO-3		npn	15	400	1000	Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 – BUX37.
КТ850(А-В)	2SD401	TO-220		npn	2	250	200	КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики  приведены в datasheet .
КТ851(А-В)	2SB546	TO-220		pnp	2	200	200	КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1500	Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)	TIP127 2N6042	TO-220		pnp	8	100	750	Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)	MJE13006	TO-220		npn	10	500	50	КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)	MJE9780	TO-220		pnp	5	250	100	КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками – MJE9780.
2Т856(А-В)	BUX48	TO-3		npn	10	950	60	2Т856 для переключательных устройств. Аналог – BUX48.
КТ856(А1,Б1)	BUV48	TO-218		npn	10	600	60	КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857А	BU408	TO-220		npn	7	250	50	КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог – BU408.
КТ858А	BU406	TO-220		npn	7	400	60	транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог – BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859А	MJE13005	TO-220		npn	3	800	60	Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками – MJE13005.
2Т860(А-В)		TO-39		pnp	2	90	100	2Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г)		TO-3		npn	15	400	100	2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,В	D44Vh20	TO-220		npn	10	160	300	Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 – D44Vh20.
КТ863БС	D44Vh20	TO-220 TO-263		npn	12	160	300	КТ863БС – более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А	2N3442	TO-3		npn	10	200	100	КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А	2SA1073	TO-3		pnp	10	200	60	Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867А	TIP35	TO-3		npn	25	200	100	КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)	BU426			pnp	6	400	60	КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 – BU426.
КТ872(А-В)	BU508 MJW16212	TO-218		npn	8	700	16	Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 – транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)	2SD1940	TO-3		npn	10	90	200	2Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)	MJE2955	TO-3		pnp	10	90	140	2Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)	2N6285	TO-3		pnp	20	80	10000	Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)	BUX98	TO-3		npn	30	900	50	КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879				npn	50	200	25	КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)	2N6730			pnp	2	100	140	2Т880 – для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)	2N5150			npn	2	100	200	2Т881 – применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В)		TO-220		npn	1	300	100	2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б)		TO-220		pnp	1	300	100	2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б)		TO-220		npn	2	800	40	2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б)		TO-3		npn	40	500	12	мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)	MJW16212	TO-218		npn	10	1400	25	Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 – MJW16212.
КТ887 А,Б		TO-3		pnp	2	700	120	КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б		TO-39		pnp	0,1	900	120	Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)	BU323	TO-218		npn	20	350	700	Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)	BU323A	TO-3		npn	15	400	300	мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)	BDW84	TO-218		pnp	20	80	10000	Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 – BDW84.
КТ897(А,Б)	BU931Z	TO-3		npn	20	350	4000	Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 – BU931.
КТ898 (А,Б)	BU931P	TO-218		npn	20	350	1500	Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 – BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899А	BU806	TO-220		npn	8	150	1000	Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками – BU806.
КТ8101(А,Б)	MJE4343 2SC3281	TO-218		npn	16	200	100	мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 – транзистор MJE4343. Комплементарная пара – КТ8102.
КТ8102(А,Б)	MJE4353 2SA1302	TO-218		pnp	16	200	100	Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 – MJE4353.
КТ8106 (А,Б)	MJH6286	TO-218		npn	20	80	3000	Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 – MJH6286.
КТ8107(А-В)	BU208	TO-218		npn	8	700	12	КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 – BU208.
КТ8109	TIP151	TO-220		npn	7	350	150	Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)	BUT11			npn	7	400	30	Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)	BDV67	TO-218		npn	20	100	750	Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог – BDV67.
КТ8115(А-В)	BD650 TIP127	TO-220		pnp	8 5	100	1000	Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 – BD650. Комплементарная пара – КТ8116.
КТ8116(А-В)	TIP132	TO-220 DPAK		npn	8 5	100	1000	Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117А	BUV48	TO-218		npn	10	400	10	мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118А	MJE8503	TO-220		npn	3	800	40	КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120А		TO-220		npn	8	450	10	КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,Б		TO-220		npn	4	400	60	КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А		TO-220		npn	2	150	40	КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В)		TO-220		npn	10	400	7	Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)	MJE13007	TO-220		npn	8	400	30	мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)	BD676			pnp	4	80	15000
КТ8131 (А,Б)	BD677			npn	4	80	15000
КТ8133 (А,Б)				npn	8	240	3000
КТ8137А	MJE13003	TO-126		npn	1,5	700	40	Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)				npn	8	100	750
КТ8143 (А-Ш)		КТ-9М		npn	80	300	15	биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б)		TO-3		npn	25	800	55
КТ8146(А,Б) КТ8154(А,Б) КТ8155(А-Г)		ТО-3		npn	15 30 50	800 600 600		мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)	BU807	TO-220		npn	8	200	1000	КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В)		TO-218		npn	15	1500	8	для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)	BDV65	TO-218		npn	12	100	1000	КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)	BDV64	TO-218		pnp	12	100	1000	КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А				npn	7	500	40
КТ8164(А,Б)	MJE13005	TO-220		npn	4	400	60	Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)				pnp	2	80	250
КТ8168 (А-Г)				npn	2	80	250
КТ8170(А1,Б1)	MJE13003	TO-126		npn	1.5	400	40	Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)				npn	20	350	10000
КТ8176(А,Б,В)	TIP31	TO-220		npn	3	100	50	КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)	TIP32	TO-220		pnp	3	100	50	КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)		ISOTOP		npn	75	1500	10	мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)				npn	10	350	400
КТ8212(А,Б,В)	TIP41	TO-220		npn	6	100	75	КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)	TIP42	TO-220		pnp	6	100	75	Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)	TIP112	TO-220		npn	2	100	1000	Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)	TIP117	TO-220		pnp	2	100	1000	Составной транзистор КТ8215 – Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)	MJD31B			npn	2	800	275
КТ8217 (А-Г)	MJD32B			pnp	10	100	275
КТ8218 (А-Г)				npn	4	100	750
КТ8219 (А-Г)				pnp	4	40	750
КТ8224(А,Б)	BU2508	TO-218		npn	8	700	7	Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог – BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)	BU2525	TO-218		npn	12	800	10	Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229А	TIP35F	TO-218		npn	25	180	75	КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230А	TIP36F	TO-218		pnp	25	180	75	КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231А	BU941			npn	15	500	300	datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)	BU941ZP	TO-218		npn	20	350	300	КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)	КТ829	TO-220		npn	15	150	9000	Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247А	BUL45D	TO-220		npn	5	700	22	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог – BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248А	BU2506	TO-218		npn	5	1500	60	Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог – BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251А	BDV65	TO-218		npn	10	180	1000	Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)	BU323Z	TO-220 TO-218		npn	15	350	2000	для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А				npn	2	800	30
КТ8255А	BU407	TO-220		npn	7	330	200	КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)	SGSD96	TO-220		npn	20	180	1000	для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)	MJE 13004	TO-220		npn	4	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)	MJE13007 13007	TO-220		npn	8	400	80	для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)	MJE13008	TO-220		npn	15	500	15	для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261А	BUL44	TO-126		npn	2	400	20	КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)	SEC80	TO-220		npn	7	350	300	Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270А	MJE13001	TO-126		npn	0.5	600	90	КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)	BD136	TO-126		pnp	1.5	80	250	КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)	BD135	TO-126		npn	1.5	80	250	КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)	SGSD93ST	TO-220		npn	20	180	1000	Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)	2SD1071	TO-220 TO-218		npn	10	350	300	для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В)		TO-218		npn	60	120	1000	Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В)		TO-218		pnp	60	120	1000	Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В)		TO-218		pnp	60	120	100	для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)	КТ829	TO-220		npn	12	100	500	для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)	BUF410	TO-218 TO-3		npn	30	450	40	для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)	2SC1413	TO-218 TO-3		npn	5	800	40	для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290А	BUh200	TO-220		npn	10	700	15	Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)	KSD882	TO-126		npn	3	30	400	КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)	KSD772	TO-126		pnp	3	30	400	КТ8297 – Комплементарная пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,Б		TO-220 D2PAK		npn	8	160	250	КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3	TIP122	TO-220		npn	15	100	1000	для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками – транзистор TIP122.
ПИР-1	BUV48	TO-218		npn	20	450	8	ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2	MJE4343	TO-220 TO-218		npn	20	160	30	ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
								Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги – замена транзисторов на отечественные

Транзистор – популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов: Однопереходные – иначе называются «двухбазовыми диодами». Представляют собой трехэлектродные полупроводники с одним p-n переходом; Биполярные – имеют два p-n перехода; Полевые – специальный класс, могут служить выключателями или регуляторами тока. Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств – российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами: Найти data sheets – техническую документацию к зарубежным электронным компонентам, в которой указываются основные параметры, обозначение на схемах и краткое описание. Затем воспользоваться справочниками на отечественные устройства. И методом подбора найти российские аналоги транзисторов или близкие по характеристикам устройства. Это длительный и сложный путь. Использовать таблицу, представленную на нашем сайте. Она поможет заменить зарубежный транзистор отечественным или уменьшить диапазон поиска до нескольких экземпляров. В нашем каталоге транзисторов вы можете подобрать и купить отечественные аналоги зарубежных транзисторов. Таблицы зарубежных аналогов транзисторов Если вы нашли неточность в таблицах аналогов или хотите дополнить их – напишите об этом в комментариях внизу страницы! Таблица аналогов биполярных транзисторов Зарубежные Отечественные 2SC3217 2T9155A 2SC3660 2T9155B 2SC3218 2T9155Б Bak0510-50 2T9156БС BF423C 2Т3129В9-Г9,2Т3152В KF423 2Т3129Д9, 2Т3152Б BFY80 2Т3130А9 2N2463 2Т3130Б9 2N2459 2Т3130В9 2N735A 2Т3130Г9 2N844 2Т3130Д9 PBC108A, B 2Т3133А2 2N4260 2Т3135А1 2N4261 2Т3135Б1 S923TS 2Т3152А, Г, Д PBC107B 2Т3158А2 2N2906A 2Т3160А2 DC5108 2Т370А9 CX954 2Т370Б9 BD825 2Т642А2 2N2218 2Т649А2 SF123A 2Т672А2 BD202 2Т818А 1561-1015 2Т874А 1561-1008 2Т874Б SDT69504 2Т880Д 2N3584 2Т881Д 2SA1009AM 2Т887А, Б BLY47A 2Т892А, 2Т892Б 2N5050 2Т892В 2SC2093 2Т9102А2, Б2, 2Т9103Б2 2307(A) 2Т9103А2 NE243499 2Т9108А2 NE080481E-12 2Т9109А THA-15 2Т9111А THX-15 2Т9111Б AM1416200 2Т9114А, Б SDR075 2Т9117А, 2Т9118А 2DR405B 2Т9117Б MRF846 2Т9117В LDR405B 2Т9118Б MRF846 2Т9118В NE3001 2Т9119А2 PZB27020V 2Т9122А Ph2214-60 2Т9122Б MSC81400M 2Т9127В, Г MSC81325M 2Т9127Д, Е TN20 2Т9130А 2SA1584 2Т9143А 2023-6 2Т9146А 2023-12 2Т9146Б 2023-16 2Т9146В 2SC3217 2Т9155А 2SC3218 2Т9155Б, КТ9142А 2SC3660 2Т9155В, КТ9152А 222430 2Т9158А 2023-6 2Т9158Б MRF544 2Т9159А AM1416200 2Т986А, Б MPF873 2Т987А AM1416200 2Т994А2—2Т994В2 2N5177 2Т998А 2SC3218* KT9142A 2SC3660* KT9152A SD1483 KT9174A SD1492* Г101A ADY25 ГТ 701А, П210Б SD1492 ГТ101А AC128 ГТ402И AC127 ГТ404Б AD162 ГТ703Г AU106 ГТ810А, КТ812Б BC239B КТ 3102Ж SS9012 КТ209 2N2784 КТ3101АМ BC109BP КТ3102И BC455D КТ3107Е1 BC456B КТ3107И1 BC526C КТ3107К1-Л1 BF680 КТ3109А1 BF979 КТ3109Б1 BF970 КТ3109В1 2N2615 КТ3132Д2 2N2616 КТ3132Е2 2N2906 КТ313А1 2N2906A КТ313Б1 2SA1090 КТ313В1 2SA876H КТ313Г1 PXT2222 КТ3153А9 BFP720 КТ315В1 2N3397 КТ315Р1 2SD1220Q КТ3169А9, 2Т3129А9 2SA1660 КТ3171А9, 2Т3129Б9 2SD814 КТ3176А9 MPS6513 КТ3184Б9 TBC547A КТ3186А BCW47B КТ3187А BC408 КТ342А BC107B КТ342Б, КТ3102Б 2SC404 КТ359А3 SS9015 КТ361, КТ3107 2SA556 КТ361Ж (И) BSW62A КТ361К (Л, М) BSW63A КТ361Н (П) MD5000A КТ363А 2N3839 КТ370А9 2N5651 КТ370Б9 BC147 КТ373А 2N3904 КТ375А, КТ375Б 2SC601 КТ396А2 2N709 КТ397А2 MJE13001 КТ538А 2SC64 КТ6110А (Б) 2N1051 КТ6110В (Г, Д) BF337 КТ6113А (Б, В) BF338 КТ6113Г (Д, Е) 2SA738B КТ6116А (Б) 2N3114 КТ6117А 2N3712 КТ6117Б BD136 КТ626Е, КТ6109А BC527-6 КТ629А2 BD386 КТ629А3 2N2368 КТ633А 2N3303 КТ635А BD370A6 КТ639А1 BD372 КТ639Б1 2N2218A КТ647А2 MPS706 КТ648А2 2SA715C КТ664Б9 BF177 КТ671А2, 2Т3130Е9 BF179B КТ682Б2 BD166 КТ720А 2N4238 КТ721А BD168 КТ722А 2N3054 КТ723А BD170 КТ724А BD165 КТ728А BUY90 КТ8107В (Г) MIE13005 КТ8121А2 MIE13004 КТ8121Б2 2SD401A КТ8146А 2SC4055 КТ8146Б TIP41C КТ8212А—В BU2506D КТ8248А1 BUD44D2 КТ8261А STD18202 КТ828Г BU205 КТ838Б 2SB834 КТ842В 2SD1279 КТ846Б BVX14 КТ846В BD223 КТ856А1 BD944 КТ856Б1 2N5839 КТ862Б 2N5840 КТ862В 2SC1173 КТ862Г 2SC1624 КТ863Б 2SC1625 КТ863В 2SC2794 КТ866А 2N4913 КТ866Б BU508 КТ872 2SA1682-5 КТ9115А, Б, КТ9143А, Б, В SD1015 КТ9116А MRF422 КТ9116А, В I02015A КТ9116Б 2SC3596F КТ9142А TCC2023-6L КТ9150А, 2Т9155В 2SC3812 КТ9151АС 2023-15T КТ9152А 27AM05 КТ9170А SDT3207 КТ9171А, Б LT1739 КТ9171В 2SB596 КТ9176А MJE2801T КТ9177А SD1483 КТ917А 2N6180 КТ9180А, Б, 2Т877Г 2N6181 КТ9180В, Г D44H7 КТ9181А, Б MRF430 КТ9181В, Г 2N5102 КТ921А, В 2N2219 КТ928Б BC303 КТ933А 2N5996 КТ945Б 2N5642 КТ945В, Г 2N5643 КТ949А 2SC2331 КТ961, КТ9171 2N4440 КТ972В 2N5995 КТ972Г LOT-1000D1-12B КТ979А 2N4976 КТ996А2 2SC976 КТ996Б2 2N4128 КТ997В MP42 МП42Б ASZ18 П217В, ГТ711 Биполярные транзисторы до 40 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус SG769 2Т3133А npn 0.3 ТО-126 2Т837В,Е pnp 8 ТО-220 2SA1020 2Т860В pnp 2 ТО-39 2Т877В pnp 20 ТО-3 KT315H n-p-n 20 0.1 KT503A n-p-n 25 0.15 KT503B n-p-n 25 0.15 KT686F p-n-p 25 0.8 KTJ107B p-n-p 25 0.1 авзтт p-n-p 30 7.5 ГТ313А p-n-p 15 0.03 ГТ313Б p-n-p 15 0.03 ГТ313В p-n-p 15 0.03 ГТ328А p-n-p 15 0.01 ГТ328Б p-n-p 15 0.01 ГТ328В p-n-p 15 0.01 ГТ346А p-n-p 20 0.01 ГТ346Б p-n-p 20 0.01 ГТ346В p-n-p 20 0.01 К13115Г-2 n-p-n 7 0.08 КГ117Г n-база 30 0.05 КГ201А(М) n-p-n 20 0.02 КТ117А n-баэа 30 0.05 КТ117Б n-баэа 30 0.05 КТ117В n-база 30 0.05 КТ201Б(М) n-p-n 20 0.02 КТ201В(М) n-p-n 10 0.02 КТ201Г(М) n-p-n 10 0.02 КТ201Д(М) n-p-n 10 0.02 КТ203Б(М) p-n-p 30 0.01 КТ203В(М) p-n-p 15 0.01 КТ208А(1) p-n-p 20 0.3 КТ208Б(1) p-n-p 20 0.3 КТ208В(1) p-n-p 20 0.3 КТ208Г(1) p-n-p 30 0.3 КТ208Д(1) p-n-p 30 0.3 КТ208Е(1) p-n-p 30 0.3 КТ209А p-n-p 15 0.3 КТ209Б p-n-p 15 0.3 КТ209Б1 p-n-p 15 0.3 КТ209В p-n-p 15 0.3 КТ209В1 p-n-p 15 0.3 КТ209В2 p-n-p 15 0.3 КТ209Г p-n-p 30 0.3 КТ209Д p-n-p 30 0.3 КТ209Е p-n-p 30 0.3 КТ306Б(М) n-p-n 10 0.03 кт306в(М) n-p-n 10 0.03 кт306г(М) n-p-n 10 0.03 кт306д(М) n-p-n 10 0.03 КТ3101А-2 n-p-n 15 0.02 КТ3102K(M) n-p-n 20 0.1 КТ3102В(М) n-p-n 30 0.1 КТ3102Г(М) n-p-n 20 0.1 КТ3102Д(М) n-p-n 30 0.1 КТ3102Е(М) n-p-n 20 0.1 КТ3102Ж(М) n-p-n 20 0.1 КТ3102И(М) n-p-n 20 0.1 КТ3107Г p-n-p 25 0.1 BC179AP КТ3107Д p-n-p 25 0.1 BC179 КТ3107Е p-n-p 20 0.1 КТ3107Ж p-n-p 20 0.1 КТ3107К p-n-p 25 0.1 КТ3107Л p-n-p 20 0.1 КТ3109А p-n-p 25 0.05 КТ3109Б p-n-p 20 0.05 КТ3109В p-n-p 20 0.05 КТ3115А-2 n-p-n 10 0.08 КТ3115В-2 n-p-n 10 0.08 КТ3120А n-p-n 15 0.02 КТ3123А-2 p-n-p 15 0.03 КТ3123Б-2 p-n-p 15 0.03 КТ3123В-2 p-n-p 10 0.03 КТ3126А p-n-p 20 0.02 КТ3126Б p-n-p 20 0.02 КТ3127А p-n-p 20 0.02 кт3128А(1) p-n-p 40 0.02 КТ3129В-9 p-n-p 30 0.1 КТ3129Г-9 p-n-p 30 0.1 КТ3129Д-9 p-n-p 20 0.1 КТ312А n-p-n 20 0.03 BFY39 КТ312Б n-p-n 35 0.03 КТ312В n-p-n 20 0.03 КТ3130В-9 n-p-n 30 0.1 КТ3130Г-9 n-p-n 20 0.1 КТ3130Д-9 n-p-n 30 0.1 КТ3130Е-9 n-p-n 20 0.1 КТ3130Ж-9 n-p-n 30 0.1 2N2712 КТ315А n-p-n 25 0.1 2N2926 КТ315Б n-p-n 20 0.1 КТ315В n-p-n 40 0.1 КТ315Г n-p-n 35 0.1 BFP722 КТ315Г1 n-p-n 35 0.1 2SC634 КТ315Д n-p-n 40 0.1 КТ315Е n-p-n 35 0.1 2SC641 КТ315Ж n-p-n 20 0.05 КТ315Р n-p-n 35 0.1 КТ3168А-9 n-p-n 15 0.03 КТ316А(М) n-p-n 10 0.05 КТ316Б(М) n-p-n 10 0.05 КТ316В(М) n-p-n 10 0.05 КТ316Г(М) n-p-n 10 0.05 КТ316Д(М) n-p-n 10 0.05 КТ325А(М) n-p-n 15 0.03 КТ325Б(М) n-p-n 15 0.03 КТ325В(М) n-p-n 15 0.03 КТ326А(М) p-n-p 15 0.05 КТ326Б(М) p-n-p 15 0.05 КТ339А(М) n-p-n 25 0.03 КТ339Б n-p-n 15 0.03 КТ339В n-p-n 25 0.03 КТ339Г n-p-n 25 0.03 КТ339Д n-p-n 25 0.03 КТ342А(М) n-p-n 30 0.05 КТ342Б(М) n-p-n 25 0.05 КТ342В(М) n-p-n 10 0.05 КТ342ГМ n-p-n 30 0.05 КТ342ДМ n-p-n 25 0.05 КТ345А p-n-p 20 0.2 КТ345Б p-n-p 20 0.2 КТ345В p-n-p 20 0.2 КТ347А p-n-p 15 0.05 КТ347Б p-n-p 9 0.05 КТ347В p-n-p 6 0.05 КТ349А p-n-p 15 0.05 BC178 КТ349Б p-n-p 15 0.05 КТ349В p-n-p 15 0.05 КТ350А p-n-p 20 0.6 КТ351А p-n-p 15 (-0.4) КТ351Б p-n-p 15 (-0.4) КТ352А p-n-p 15 (-0.2) КТ352Б p-n-p 15 (-0.2) КТ355АМ n-p-n 15 0.03 2SA555 КТ361А p-n-p 25 0.1 КТ361Б p-n-p 20 0.1 КТ361В p-n-p 40 0.1 КТ361Г p-n-p 35 0.1 КТ361Г1 p-n-p 35 0.1 КТ361Д p-n-p 40 0.05 КТ361Е p-n-p 35 0.05 BC251 КТ361И p-n-p 15 0.05 КТ363А(М) p-n-p 15 0.03 КТ363Б(М) p-n-p 12 0.03 КТ368А(М) n-p-n 15 0.03 КТ371А n-p-n 10 0.02 КТ372А n-p-n 15 0.01 КТ372Б n-p-n 15 0.01 КТ382А(М) n-p-n 10 0.02 КТ382Б(М) n-p-n 10 0.02 КТ391А-2 n-p-n 10 0.01 КТ391Б-2 n-p-n 10 0.01 КТ391В-2 n-p-n 10 0.01 КТ399А n-p-n 15 0.02 КТ399АМ n-p-n 15 0.03 2N3906 КТ501 Ж,И,К pnp 0.3 ТО-92 КТ501А p-n-p 15 0.3 КТ501Б p-n-p 15 0.3 КТ501В p-n-p 15 0.3 КТ501Г p-n-p 30 0.3 КТ501Д p-n-p 30 0.3 КТ501Е p-n-p 30 0.3 КТ502А p-n-p 25 0.15 КТ502Б p-n-p 25 0.15 КТ502В p-n-p 40 0.15 КТ502Г p-n-p 40 0.15 2SC1815 КТ503 А,Б npn 0.15 ТО-92 КТ503В n-p-n 40 0.15 КТ503Г n-p-n 40 0.15 КТ603А n-p-n 30 0.3 КТ603Б n-p-n 30 0.3 Кт603в n-p-n 15 0.3 КТ603Г n-p-n 15 0.3 Кт603д n-p-n 10 0.3 КТ603Е n-p-n 10 0.3 Кт603и n-p-n 30 0.3 BC547  КТ6111 (А-Г) npn 0.1 ТО-92 2SA1266  КТ6112 (А-В) pnp 0.1 ТО-92 КТ6127Г p-n-p 30 2 КТ6127Д p-n-p 12 2 КТ6127Е p-n-p 12 2 2N4403  КТ626А pnp 0.5 ТО-126 КТ626Г p-n-p 20 0.5 КТ626Д p-n-p 20 0.5 BD136 КТ639А,Б,В pnp 1.5 ТО-126 КТ639И p-n-p 30 1.5 КТ644В p-n-p 40 0.6 КТ644Г p-n-p 40 0.6 2N3904 КТ645Б n-p-n 40 0.3 ТО-92 2N4401  КТ646Б n-p-n 40 1 ТО-126 BC337  КТ660А npn 0.8 ТО-92 КТ660Б n-p-n 30 0.8 BC557  КТ668 (А-В) pnp 0.1 ТО-92 КТ680А n-p-n 25 0.6 КТ681А p-n-p 25 0.6 BC635 КТ684А npn 1 ТО-92 КТ685 А,В pnp 40 0.6 ТО-92 КТ685д p-n-p 25 0.6 КТ685Е p-n-p 25 0.6 КТ685Ж p-n-p 25 0.6 BC327 КТ686 А,Б,В pnp 45 0.8 ТО-92 КТ686Г p-n-p 25 0.8 КТ686Д p-n-p 25 0.8 КТ686Ж p-n-p 25 0.8 BC636 КТ692А pnp 1 ТО-39 КТ695А n-p-n 25 0.03 КТ698Г n-p-n 30 2 КТ698Д n-p-n 12 2 КТ698Е n-p-n 12 2 КТ8111Б’ n-p-n 40 0.02 КТ8111В” n-p-n 30 0.02 КТ8130А* p-n-p 40 4 КТ8131А* n-p-n 40 4 КТ814А pnp 25 1.5 ТО-126 КТ814Б p-n-p 40 1.5 BD135 КТ815А npn 30 1.5 ТО-126 BD434 КТ816А p-n-p 40 3 КТ816А2 p-n-p 40 3 2SB856 КТ816Б pnp 3 ТО-126 BD435 КТ817А,Б npn 40 3 ТО-126 TIP33 КТ818А pnp 40 10 ТО-220 КТ818АМ p-n-p 40 15 TIP34 КТ819А,Б npn 40 10 ТО-220, 9527 КТ819АМ n-p-n 40 15 КТ825Е* p-n-p 30 0.02 КТ829Г npn 8 ТО-220 КТ835А p-n-p 30 3 КТ835Б pnp 7.5 ТО-220 КТ837Ж p-n-p 30 7.5 КТ837И p-n-p 30 7.5 КТ837К p-n-p 30 7.5 FMMT717 КТ852Г pnp 2 ТО-220 КТ853Г pnp 8 ТО-220 2SD1062 КТ863А npn 30 10 ТО-220 КТ896В* p-n-p 30 0.02 КТ943А npn 2 ТО-126 КТ972Б npn 4 ТО-126 2SB857 КТ973Б  pnp 4 ТО-126 ктзб1Ж p-n-p 10 0.05 ктзевБ(М) n-p-n 15 0.03 КТЗОвА(М) n-p-n 10 0.03 КТЭ72В n-p-n 15 10 СТ837У p-n-p 30 7.5 СТ837Ф p-n-p 30 7.5 Биполярные транзисторы до 60 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 2Т708Б pnp 2.5 ТО-39 MJE2955 2Т709В pnp 10  ТО-3 2Т709В2* p-n-p 60 10 BDX85 2Т716В,В1 npn 60 10 ТО-3 BDX78 2Т818В p-n-p 60 15 2Т819В p-n-p 60 15 2Т825В pnp 20 ТО-3 2Т825В2 pnp 60 15 ТО-220 2Т830Б pnp 2 ТО-39 2Т831Б npn 2 ТО-39 2Т836В pnp 3 ТО-39 2Т837Б,Д pnp 8 ТО-220 MJE3055 2Т875В npn 10 ТО-3 2Т877Б pnp 20 ТО-3 2Т880В pnp 2 ТО-39 2Т881В npn 2 ТО-39 2SC3402  503В,Г npn 0.15 ТО-92 ICT814B p-n-p 60 1.5 KT6S8B n-p-n 50 2 ГТ806Г p-n-p 50 15 ГТ905Б p-n-p 60 3 КТ203А(М) p-n-p 60 0.1 КТ208Ж(1) p-n-p 45 0.3 КТ208И(1) p-n-p 45 0.3 КТ208К(1) p-n-p 45 0.3 КТ208Л(1) p-n-p 60 0.3 КТ208М(1) p-n-p 60 0.3 КТ209Ж p-n-p 45 0.3 КТ209И p-n-p 45 0.3 КТ209К p-n-p 45 0.3 КТ209Л p-n-p 60 0.3 КТ209М p-n-p 60 0.3 BC182 КТ3102А(М) n-p-n 50 0.1 КТ3102Б(М) n-p-n 50 0.1 BC212 КТ3107А p-n-p 45 0.1 BCY78 КТ3107Б p-n-p 45 0.1 BCY78 КТ3107И p-n-p 45 0.1 КТ3108А p-n-p 60 0.2 КТ3108Б p-n-p 45 0.2 КТ3108В p-n-p 45 0.2 PN5132 КТ3117А(1) n-p-n 60 0.4 КТ3129А-9 p-n-p 50 0.1 КТ3129Б-9 p-n-p 50 0.1 КТ3130А-9 n-p-n 50 0.1 КТ3130Б-9 n-p-n 50 0.1 КТ313А(М) p-n-p 60 0.35 2N2907 КТ313Б(М) p-n-p 60 0.35 КТ315И n-p-n 60 0.05 КТ361К p-n-p 60 0.05 КТ501Ж p-n-p 45 0.3 КТ501И p-n-p 45 0.3 КТ501К p-n-p 45 0.3 КТ501Л p-n-p 60 0.3 КТ501М p-n-p 60 0.3 КТ502Д p-n-p 60 0.15 КТ502Е p-n-p 60 0.15 BSR41 КТ530А npn 1 TO-92 КТ6127В p-n-p 50 2 BD138  КТ626Б pnp 60 0.5 ТО-126 BC637  КТ630Д,Е npn 1 ТО-39 КТ639А p-n-p 45 1.5 КТ639Б p-n-p 45 1.5 КТ639В p-n-p 45 1.5 КТ639Г p-n-p 60 1.5 BD138 КТ639Г,Д pnp 60 1.5 ТО-126 2N3545 КТ644(А-Г) pnp 60 0.6 ТО-126 КТ645А npn 60 0.3 ТО-92 BD137  КТ646А npn 0.5 ТО-126 КТ659А npn 1.2 ТО-39 2SA684  КТ661А  pnp 0.6 ТО-39 BC556 КТ662А pnp 0.4 ТО-39 КТ668А p-n-p 45 0.1 КТ668Б p-n-p 45 0.1 КТ668В p-n-p 45 0.1 КТ683Д n-p-n 60 1 2SD1616 КТ683Д,Е npn 60 1 ТО-126 КТ685Б p-n-p 60 0.6 BC638 КТ685Б,Г pnp 60 0.6 ТО-92 SA1245 КТ686А p-n-p 45 0.8 КТ686Б p-n-p 45 0.8 КТ686В p-n-p 45 0.8 2SC2655  КТ698В npn 2 ТО-92 КТ801Б n-p-n 60 2 КТ8106Б n-p-n 45 0.02 ТО-220 КТ8111А’ n-p-n 50 0.02 КТ8111В9 npn 20 ТО-218 КТ8116В npn 8 ТО-220 КТ8118Б* n-p-n 60 8 2SA1469  КТ8130Б pnp 60 4 ТО-126 КТ8131Б’ n-p-n 60 4 КТ815Б n-p-n 45 1.5 2SB1366  КТ816В pnp 60 3 ТО-126 КТ817Б n-p-n 45 3 КТ817Б2 n-p-n 45 3 2N5191  КТ817В npn 60 3 ТО-126 КТ818Б p-n-p 50 10 9535 КТ818БМ p-n-p 50 15 КТ819Б n-p-n 50 10 2N3055 КТ819БМ n-p-n 50 15 КТ825Д* p-n-p 60 20 КТ827В npn 60 20 ТО-3 TIP3055 КТ8284А npn 12 ТО-220 TIP120 КТ829В npn 60 8 ТО-220 КТ837Б p-n-p 60 7.5 КТ837В p-n-p 60 7.5 КТ837Г p-n-p 45 7.5 КТ837Д p-n-p 45 7.5 КТ837Л p-n-p 60 7.5 КТ837М p-n-p 60 7.5 КТ852В pnp 2 ТО-220 КТ853В pnp 8 ТО-220 КТ896Б pnp 20 ТО-220 КТ908А n-p-n 60 10 КТ908Б n-p-n 60 10 BD137 КТ961В npn 45 1.5 ТО-126 BD677 КТ972А npn 60 4 ТО-126 BD678  КТ973А pnp 4 ТО-126 КТ973А’ p-n-p 60 4 КТ997А n-p-p 45 10 КТ997Б n-p-n 45 10 КТМ7Е p-n-p 45 7.5 ОГ837Н p-n-p 60 7.5 СГ837П p-n-p 45 7.5 СГ837Р p-n-p 45 7.5 Т852В* p-n-p 60 2.5 Т852Г p-n-p 45 2.5 Т853В* p-n-p 60 8 Т853Г p-n-p 45 8 Тв37С p-n-p 45 7.5 Биполярные транзисторы до 70 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 2Т831В npn 2 ТО-39 2Т837А,Г pnp 8 ТО-220 2Т860Б pnp 2 ТО-39 2Т875Б npn 10 ТО-3 2Т876Б pnp 10  ТО-3 КТ6127Б p-n-p 70 2 КТ698Б npn 2 ТО-92 КТ69ВБ n-p-n 70 2 КТ808ГМ npn 10 ТО-3 КТ814В pnp 65 1.5 ТО-126 КТ815В npn 1.5 ТО-126 КТ818В pnp 70 10 ТО-220, КТ818ВМ p-n-p 70 15 КТ919В n-p-n 70 10 КТ919ВМ n-p-n 70 15 КТ943 Б,Д npn 2 ТО-126 Биполярные транзисторы до 80 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус TIP33B 2Т709Б pnp 10 ТО-3 2Т709Б2* p-n-p 80 10 2Т716Б,Б1 npn 10 ТО-3 2Т716б1* n-p-n 80 10 BD204 2Т818Б p-n-p 80 15 2Т819Б p-n-p 80 15 2Т825Б pnp 20 ТО-3 2Т825Б2 pnp 80 15 ТО-220 BD140  2Т830В pnp 2 ТО-39 2Т836А,Б pnp 3 ТО-39 2Т875А,Г npn 10 ТО-3 2Т876А,Г pnp 10 ТО-3 2Т877А pnp 20 ТО-3 2Т880Б pnp 2 ТО-39 BD139 2Т881Б npn 2 ТО-39 ГТ806А p-n-p 75 15 ГТ905А p-n-p 75 3 ГТ906А(М) p-n-p 75 6 КДТ8281А pnp 60 ТО-218 PN3691 КТ3117Б n-p-n 75 0.4 2SC1627 КТ503Д npn 0.15 ТО-92 КТ602В n-p-n 80 0.075 КТ602Г n-p-n 80 0.075 2SA935 КТ626В pnp 80 0.5 ТО-126 КТ684Б npn 1 ТО-92 КТ801А n-p-n 80 2 КТ808ВМ npn 10 ТО-3 КТ8106А npn 80 20 ТО-220 TIP151 КТ8111Б9 npn 20 ТО-218 2SD2025  КТ8116Б npn 80 8 ТО-220 КТ8130В* p-n-p 80 4 КТ8131В* n-p-n 80 4 TIP34B КТ819Б,В* npn 10 ТО-220 КТ827Б npn 80 20 ТО-3 КТ8284Б npn 12 ТО-220 BD679  КТ829Б npn 80 8 ТО-220 КТ837А p-n-p 80 7.5 КТ852Б pnp 2 ТО-220 BDX34B КТ853Б pnp 8 ТО-220 2N6039 КТ943В,Г npn 2 ТО-126 КТ961Б npn 1.5 ТО-126 КТД8280А npn 60 ТО-218 КТД8283А pnp 60 ТО-218 Т852Б* p-n-p 80 2.5 Т853Б’ p-n-p 80 8 Биполярные транзисторы до 130 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 1Т813А p-n-p 100 30 1Т813Б p-n-p 125 30 2Т708А pnp 2.5 ТО-39 BDX34C 2Т709А pnp 100 10  ТО-3 BDX33C 2Т716А,А1 npn 10 ТО-3 2Т716АГ* n-p-n 100 10 2Т819А p-n-p 100 15 2Т825А pnp 20 ТО-3 2Т825А2 pnp 15 ТО-220 2Т830Г pnp 2 ТО-39 SD1765 2Т831Г npn 2 ТО-39 2Т860А pnp 2 ТО-39 2Т880А,Г pnp 2 ТО-39 2Т881А,Г npn 2 ТО-39 2Т935Б npn 20 ТО-220 ГТ806Б p-n-p 100 15 ГТ806В p-n-p 120 15 КТ503Е npn 0.15 ТО-92 SK3835 КТ601А,АМ npn 100 0.03 ТО-126 КТ602А,АМ npn 0.075 ТО-126 КТ602Б(М) n-p-n 100 0.075 2SA715D КТ6102А pnp 1.5 ТО-92 BF336 КТ6103А npn 1.5 ТО-92 КТ6127А p-n-p 90 2 КТ6127Ж p-n-p 120 2 BSY52 КТ630А n-p-n 120 1 ТО-39 КТ630Б n-p-n 120 1 ТО-39 2N1613 КТ630Г n-p-n 100 1 ТО-39 2SC2240 КТ638А,Б npn 0.1 ТО-92 КТ639Е p-n-p 100 1.5 КТ6836 n-p-n 120 1 КТ683Б npn 120 1 ТО-126 КТ683В n-p-n 120 1 ТО-126 КТ683Г n-p-n 100 1 ТО-126 BC639 КТ684В npn 1 ТО-92 BD237 КТ698А npn 2 ТО-92 КТ698Ж n-p-n 120 2 2N4237 КТ719А npn 1.5 ТО-126 КТ802А n-p-n 130 5 КТ805БМ,ВМ npn 5 ТО-220 КТ807А n-p-n 100 0.5 КТ807А,Б npn 100 0.5 ТО-126 КТ808 АМ,БМ npn 10 ТО-3 TIP150 КТ8111А9 npn 20 ТО-218 КТ8115А pnp 8 ТО-220 КТ8116А npn 100 8 ТО-220 2N5400  КТ814Г pnp 1.5 ТО-126 КТ815Г npn 85 1.5 ТО-126 TIP42C  КТ816Г pnp 90 3 ТО-126 КТ817Г npn 90 3 ТО-126 КТ817Г2 n-p-n 90 3 TIP33B  КТ818Г pnp 90 10 ТО-220 КТ818ГМ p-n-p 90 15 TIP34C КТ819А,Г npn 100 10 ТО-220 2N3055 КТ819ГМ n-p-n 100 15 КТ8246 А,Б npn 15 ТО-220 КТ825* p-n-p 90 20 КТ827А npn 100 20 ТО-3 КТ8284В npn 12 ТО-220 TIP122 КТ829А npn 100 8 (5) ТО-220 КТ852А pnp 2 ТО-220 КТ853А pnp 8 ТО-220 BD946 КТ896А pnp 20 ТО-220 КТ961А npn 1.5 ТО-126 ктвзэж p-n-p 100 1.5 КТД8257А npn 20 ТО-220 КТД8278Б,В npn 20 ТО-220 КТД8280Б npn 60 ТО-218 КТД8281Б pnp 60 ТО-218 КТД8283Б pnp 60 ТО-218 ПИЛОН-3А npn 15 ТО-220 Т852А- p-n-p 100 2.5 Т853А- p-n-p 100 8 Биполярные транзисторы до 160 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 1Т813В p-n-p 150 30 ГТ806Д p-n-p 140 15 2N5401 КТ6116 pnp 0.6 ТО-92 2N5551 КТ6117 npn 0.6 ТО-92 2SC2383 КТ630В npn 150 1 ТО-39 КТ663А n-p-n 150 1 КТ683А npn 1 ТО-126 КТ698И n-p-n 160 2 2SA1186 КТ712Б pnp 10 ТО-220 КТ805АМ npn 5 ТО-220 BU289 КТ8101А n-p-n 160 16 ТО-218 КТ8101Б npn 16 ТО-218 2SA1294  КТ8102А p-n-p 160 16 ТО-218 2SA1216 КТ8102Б pnp 16 ТО-218 КТ8123А npn 150 2 ТО-220 КТ8246В,Г npn 15 ТО-220 КТ850В npn 2 ТО-220 2SA940  КТ851В pnp 2 ТО-220 КТ855Б p-n-p 150 5 КТ855Б,В pnp 150 5 ТО-220 2SC3907 КТ863БС npn 12 ТО-220 КТ899А npn 150 8 ТО-220 КТ940В npn 160 0.1 ТО-126 2N5996 КТ945А n-p-n 150 15 ТО-3 КТД8257Б npn 20 ТО-220 ПИР-2 (КТ740А) npn 20 ТО-220 2SC2230  Т611В,Г npn 0.1 ТО-126 Т850В n-p-n 150 2 Т851В p-n-p 150 2 Биполярные транзисторы до 200 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус КГвИ AM n-p-n 180 0.1 КТ504Б npn 200 1 ТО-39 2SC1473  КТ611А,Б npn 0.1 ТО-126 КТ611БМ n-p-n 180 0.1 КТ6127К p-n-p 200 2 КТ698К n-p-n 200 2 КТ712А pnp 10  ТО-220 КТ8105А n-p-n 200 20 КТ8124А n-p-n 200 7 КТ8124Б n-p-n 200 7 КТ8140А n-p-n 200 7 КТ842Б pnp 5 ТО-3 КТ851А pnp 2 ТО-220 BU406 КТ864А npn 10 ТО-3 КТ865А pnp 10 ТО-3 BVR11 КТ867А npn 25 ТО-3 КТ879А npn 200 50 КТ-5 BVT91 КТ879Б n-p-n 200 50 КТ897Б npn 200 20 ТО-218 2N6077 КТ898Б npn 200 20 ТО-218 КТД8257(А-Г) npn 20 ТО-220 КТД8278А npn 20 ТО-220 Т850А n-p-n 200 2 Т851А p-n-p 200 2 Биполярные транзисторы до 250 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 2Т862А,Б npn 15 ТО-3 2Т882В npn 1 ТО-220 2SA1837 2Т883Б pnp 1 ТО-220 КТ3157А p-n-p 250 0.03 КТ504В npn 1 ТО-39 КТ505Б pnp 250 1 ТО-39 КТ604А(М) n-p-n 250 0.2 КТ604Б(М) n-p-n 250 0.2 КТ605А(М) n-p-n 250 0.1 0.1 КТ605А,Б npn 250 0.1 ТО-126 КТ844А npn 10 ТО-3 КТ850А,Б npn 2 ТО-220 КТ851Б pnp 2 ТО-220 КТ855А pnp 5 ТО-220 MJE15032 КТ857А npn 250 7 ТО-220 КТ940Б npn 250 0.1 ТО-126 КТ969А npn 0.1 ТО-126 КТ999А n-p-n 250 0.05 КТЭвЭА n-p-n 250 0.1 Т850Б n-p-n 250 2 Т851Б p-n-p 250 2 Т855А p-n-p 250 5 Биполярные транзисторы до 300 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус MJE340  2Т882Б npn 1 ТО-220 2Т883А pnp 1 ТО-220 MJE13002 КТ504А npn 1 ТО-39 КТ505А p-n-p 300 1 2SA1371 КТ6104А pnp 0.15 ТО-92 BFJ57 КТ6105А npn 0.15 ТО-92 КТ8109А,Б npn 7 ТО-220 КТ8109Б* n-p-n 300 7 КТ8121Б npn 300 4 ТО-220 КТ8124В npn 7 ТО-220 КТ812В n-p-n 300 8 КТ8232А,Б npn 20 ТО-218 КТ8258Б npn 4 ТО-220 КТ8259Б npn 8 ТО-220 КТ8260А npn 15 ТО-220 КТ8285А npn 30 ТО-218 КТ842А pnp 5 ТО-3 КТ854Б npn 10 ТО-220 КТ890(А-В) npn 20 ТО-218 КТ892А,В npn 15 ТО-3 КТ897А npn 20 ТО-218 КТ898А npn 20 ТО-218 2SA1091  КТ9115А pnp 300 0.1 ТО-126 КТ940А n-p-n 300 0.1 КТД8252(А-Г) npn 15 ТО-220 КТД8262(А-В) npn 7 ТО-220 КТД8279(А-В) npn 10 ТО-220 MJE350 Т505А pnp 1 ТО-39 2SC2482  Т940А npn 0.1 ТО-126 Биполярные транзисторы до 400 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 2SA1625  2Т509А pnp 0.02 ТО-39 MJE13009  2Т862В npn 10 ТО-3 2SC4138 2Т862Г npn 10 ТО-3 MJE13003  2Т882А npn 1 ТО-220 2Т885А npn 40 ТО-3 ав40Б n-p-n 350 8 BUX84 КТ704Б,В npn 2.5 КТ809А n-p-n 400 3 BU208A КТ8104А n-p-n 350 20 2SC2625 КТ8117А npn 400 10 ТО-218 КТ8121А npn 400 4 ТО-220 2SC3039 КТ8124А,Б npn 7 ТО-220 MJE13007 КТ8126А npn 8 ТО-220 КТ8136А n-p-n 400 10 MJE13005 КТ8258А npn 4 ТО-220 2SC4834 КТ8259А npn 8 ТО-220 КТ8260Б npn 15 ТО-220 КТ8285Б npn 30 ТО-218 КТ834В npn 400 15 ТО-3 2SD1409 КТ840А,Б npn 6 ТО-3 2SC3306 КТ841Б npn 10 ТО-3 BUT11 КТ845А npn 5 ТО-3 КТ848А npn 15 ТО-3 2SC2335 КТ858А npn 400 7 ТО-220 2N4914 КТ890А* n-p-n 350 20 2N4915 КТ890Б* n-p-n 350 20 КТ890В* n-p-n 350 20 MI10000 КТ892Б npn 400 15 ТО-3 КТД8279А npn 10 ТО-220 Т840А n-p-n 400 6 Т848А n-p-n 400 15 Т854Б n-p-n 400 10 Биполярные транзисторы до 500 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 2Т812Б n-p-n 500 10 2Т856В npn 10 ТО-3 2Т885Б npn 40 ТО-3 ICT8110B n-p-n 450 7 KT8120A n-p-n 450 8 SF123C КТ6107А npn 0.13 ТО-92 BD140 КТ6108А pnp 0.13 ТО-92 2SC3970 КТ704А npn 2.5 КТ8108А n-p-n 500 5 КТ8108Б n-p-n 500 5 КТ8110А n-p-n 450 7 КТ8110Б n-p-n 450 7 BUL310 КТ8120А npn 3 ТО-220 КТ812Б npn 500 8 ТО-3 КТ8260В npn 15 ТО-220 КТ8285В npn 30 ТО-218 КТ834А n-p-n 500 15 КТ834А,Б npn 450 15 ТО-3 КТ854А npn 10 ТО-220 ПИР-1 npn 20 ТО-218 Биполярные транзисторы до 600 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 2SC5249 2Т884Б npn 2 ТО-220 КТ506Б npn 600 2 ТО-39 КТ8107В n-p-n 600 5 КТ8144Б npn 25 ТО-3 2SC5386 КТ8286А npn 5 ТО-218 2SC2027 КТ828Б n-p-n 600 5 2SD2499  КТ828Б,Г npn 5 ТО-3 2SC5387 КТ841А,В npn 10 ТО-3 2SC4706  КТ847А npn 15 ТО-3 ST1803 КТ856А1,Б1 npn 10 ТО-218 КТ878В npn 600 30 ТО-3 2SA1413 КТ887Б pnp 2 ТО-3 КТ888Б pnp 0.1 ТО-39 СТ841А n-p-n 600 10 СТ841В n-p-n 600 10 Т854А n-p-n 600 10 Биполярные транзисторы до 700 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 2Т812А n-p-n 700 10 2Т856Б npn 10 ТО-3 КТ8107(А-Г) npn 700 8 ТО-220 КТ8114А n-p-n 700 8 КТ8127А(1) n-p-n 700 5 КТ8127Б(1) n-p-n 700 5 КТ8127В(1) n-p-n 700 5 КТ8129А n-p-n 700 5 BUh200 КТ812А npn 700 10 ТО-3 КТ8137А npn 1.5 ТО-126 КТ826(А-В) npn 700 1 ТО-3 КТ8286Б npn 5 ТО-218 КТ887А pnp 2 ТО-3 Т847А n-p-n 650 15 Биполярные транзисторы до 800 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 2Т884А npn 2 ТО-220 КТ506А npn 2 ТО-39 КТ8118А npn 800 3 ТО-220 2SC3998 КТ8144А npn 25 ТО-3 КТ8286В npn 5 ТО-218 SML804 КТ828А,В npn 800 5 ТО-3 2SC3150 КТ859А npn 800 3 ТО-220 2SC5002  КТ868Б npn 6 КТ-9 BVP38 КТ878Б npn 800 30 ТО-3 СТ841Б n-p-n 800 10 Биполярные транзисторы до 900 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус КТ888А pnp 0.1 ТО-39 2SC3979 КТ868А npn 6 КТ-9 2Т856А npn 10 ТО-3 КТ878А npn 30 ТО-3 Биполярные транзисторы до 1500 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус BU108 КТ8107А n-p-n 1500 8 BU508 КТ838А npn 5 ТО-3 BU2520 КТ839А npn 10 ТО-3 BU2506 КТ846А npn 5 ТО-3 BU2508  КТ872А,Б npn 8 ТО-218 2SC5270 КТ886А1 npn 10 ТО-218 BU1508 КТ886Б1 npn 8 ТО-218 Т846А n-p-n 1500 5 Т846В n-p-n 1500 5 Т848Б n-p-n 1200 5 Биполярные транзисторы свыше 2000 В Зарубежные Отечественные Тип перехода U max, В I max, А Корпус 2Т713А npn 2500 3 ТО-3 КТ710А npn 5 ТО-3 Однопереходные транзисторы Зарубежные Отечественные 2N1573 КТ117ВМ 2N1923 КТ117АМ Мощные полевые транзисторы Импортные Отечественные IRFZ10 КП739Б IRFZ15 КП739В IRF740 КП740 IRFZ24 КП740А IRFZ20 КП740Б IRFZ25 КП740В IRFZ48 КП741А IRFZ46 КП741Б STH75N06 КП742А STH75N05 КП742Б IRF510 КП743А IRF511 КП743Б IRF512 КП743В IRF520 КП744А IRF521 КП744Б IRF522 КП744В IRL520 КП744Г IRF530 КП745А IRF531 КП745Б IRF532 КП745В IRL530 КП745Г IRF540 КП746А IRF541 КП746Б IRF542 КП746В IRL540 КП746Г IRFP150 КП747А IRF610 КП748А IRF611 КП748Б IRF612 КП748В IRF620 КП749А IRF621 КП749Б IRF622 КП749В IRF640 КП750А IRF641 КП750Б IRF642 КП750В IRL640 КП750Г IRF720 КП751А IRF721 КП751Б IRF722 КП751В IRF730 КП752А IRF731 КП752Б IRF732 КП752В IRF830 КП753А IRF831 КП753Б IRF832 КП753В STP40N10 КП771А IRF820 КП820 IRF830 КП830 IRF840 КП840 IRF150 КП150 IRF240 КП240 IRF250 КП250 IRF340 КП340 IRF350 КП350 BF410C КП365А BF960 КП382А IRF440 КП440 IRF450 КП450 ZVN2120 КП501А BSS124 КП502 BSS129 КП503 BSS88 КП504 BSS295 КП505 IRF510 КП510 IRF520 КП520 IRF530 КП530 IRF540 КП540 IRF610 КП610 IRF620 КП620 IRF630 КП630 IRF640 КП640 BUZ90 КП707Б1 IRF710 КП710 IRF350 КП717Б BUZ45 КП718А IRF453 КП718Е1 IRF720 КП720 BUZ36 КП722А IRFZ44 КП723А IRFZ45 КП723Б IRFZ40 КП723В IRLZ44 КП723Г MTP6N60 КП724А IRF842 КП724Б TPF450 КП725А BUZ90A КП726А BUZ71 КП727А IRFZ34 КП727Б IRLZ34 КП727В BUZ80A КП728А IRF730 КП730 IRGPH50F КП730А IRF710 КП731А IRF711 КП731Б IRF712 КП731В IRF630 КП737А IRF634 КП737Б IRF635 КП737В IRFZ14 КП739А Слабые полевые транзисторы Импортные Отечественные U1899E КП329A 2N2841 КП301Г 2N3332 КП301Б 2N3365 КП329A 2N3368 КП329A 2N3369 КП333A 2N3331 КП307B 2N3370 КП329A 2N3436 КП329A 2N3438 КП333A 2N3458 КП333A 2N3459 КП329A 2N3460 КП329A 2N3796 КП303B 2N3797 КП303Г 2N3819 КП307Б 2N3823 КП329A 2N3909 КП301B 2N3971 КП902A 2N3972 КП902A 2N4038 КП329A 2N4091 КП902A 2N4092 КП902A 2N4220 КП329Б 2N4220A КП329Б 2N4221 КП333A 2N4221A КП329A 2N4222A КП329A 2N4224 КП329A 2N4302 КП329Б 2N4303 КП329Б 2N4304 КП329Б 2N4351 КП333A 2N4352 КП304A 2N4360 КП301B 2N4393 КП902A 2N4416A КП329A 2N4860 КП333Б 2N4867 КП333A 2N5078 КП333A 2N5163 КП307Ж 2N5458 КП304A 2N5457 КП307E 2N5459 КП307Б 2N5654 КП329Б 2N6656 КП801Б 2SK11 КП303Д 2SK12 КП303Г 2SK15 КП303Г 2SK68A КП329A 2SK21H КП306A 2SK39 КП350A BFW11 КП333Б BF244 КП329А BF245 КП329А BF256B КП329А BF960 КП327А BF981 КП327Б BSV79 КП333А BSV80 КП333А BUZ20 КП704А CP652 КП907B E100 КП333Б E102 КП333Б E111 КП329Б E112 КП333Б IRF120 КП922Б MPF103 КП307Б MPF102 КП303E M103 КП304A TIS68 КП307E UC714 КП329Б U1897E КП333A Была ли статья полезна? Да Нет Оцените статью Что вам не понравилось? Другие материалы по теме Анатолий Мельник Специалист в области радиоэлектроники и электронных компонентов. Консультант по подбору деталей в компании РадиоЭлемент.

p-n-p » Электроузел – сайт для электрика

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются. Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях промежуточной и высокой частот. Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж, КТ639И Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, предназначены для применения в каскадах предварительного усиления и в переключающих устройствах. Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты. Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные мощные. Предназначены для работы в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.

Качество мощные транзисторы кремния pnp для электронных проектов

О продукте и поставщиках:

Alibaba.com предлагает большой выбор. мощные транзисторы кремния pnp на выбор в соответствии с вашими потребностями. мощные транзисторы кремния pnp являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. мощные транзисторы кремния pnp, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 
мощные транзисторы кремния pnp состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. мощные транзисторы кремния pnp охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. мощные транзисторы кремния pnp скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели. 
Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. мощные транзисторы кремния pnp для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. мощные транзисторы кремния pnp на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. мощные транзисторы кремния pnp для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
Откройте для себя удивительно доступный. мощные транзисторы кремния pnp на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Биполярные транзисторы. Характеристики и схемы соединений

Открытие полупроводников позволило создать не только диоды и тиристоры, но и тоже не менее популярные усилительные устройства – транзисторы. Они активно применяются в электронике и схемотехнике, а также современный прогресс позволил применять их и в силовой электронике. Более подробно мы рассмотрим биполярные транзисторы в этой статье.

Содержание:

Структура и принцип работы транзистора

В отличии от тиристоров и диодов, транзистор имеет двух переходную структуру. Она может быть двух видов – p-n-p проводимость, в которой по средине расположен полупроводник с электронной проводимостью, а по бокам с дырочной. Схема ниже:

Или же n-p-n:

Каждый из этих переходов имеет особенности обычных диодов. Если к левому переходу приложить напряжение в прямом направлении (положительный потенциал к р-полупроводнику, а негативный к n-полупроводнику), то в левом переходе появится прямой ток. Основные носители начнут переходить с левого полупроводника в средний, где они станут уже не основными. Если же к правому переходу приложить напряжение обратной полярности, то основные носители не будут создавать ток. При этом будет существовать только ток, который создается неосновными носителями. Но если в средней зоне появится значительное количество неосновных носителей за счет диффузии через левый переход, то и в правом переходе ток возрастет. Таким образом можно регулировать ток правого перехода, изменением его в левом переходе. Средний полупроводник зовут базой (на схеме Б), тот, к которому напряжение приложено в прямом направлении – эмиттером (на схеме Е), а в обратном – коллектором (К). На рисунках выше показаны обозначение транзисторов на принципиальных схемах. Вывод эмиттера показан стрелкой. Поскольку в работе транзистора принимают участия носители обеих знаков – его называют биполярным.

Основные носители эмиттера, что проникают в базу, создают ток коллектора I_к, но некоторая их часть (примерно 1-2%) отправляется в базу. Все три тока подчиняются первому закону Кирхгофа I_E =I_б+I_к. если такое выражение справедливо для токов, то оно будет справедливо и для его приращений  ∆I_E =∆I_б+∆I_к.

Схемы соединения транзисторов

Существует три схемы соединения транзистора: с общей базой, с общим эмиттером и коллектором соответственно. Рассмотрим детальней каждую из них.

Общая база

Схема будет выглядеть так:

В данном случае входным током будет I_Е, а выходным I_К. Коэффициентом усиления называют зависимость приращения тока коллектора от тока эмиттера и он имеет вид h_21б=  ∆I_к/∆I_E. Поскольку ∆I_E =∆I_б+∆I_к, то h_21б<1. Обычно h_21б= 0,98÷0,99, поскольку I_б составляет 1-2% от I_E.

Вольт-амперная характеристика транзистора при отсутствии тока эмиттера представляет собой обратную характеристику диода (между коллектором и базой напряжение обратной полярности). Если создать ток между эмиттером и базой, возрастет ток (будем обозначать далее как I) коллектора. При различных значениях I_Е будут различные значения вольт-амперных характеристик транзистора, которые создают, так называемое семейство характеристик транзистора, которые приведены ниже:

Зависимость I от приложенного между ним и базой напряжения (входная характеристика транзистора) представляет собой ничто иное  как прямую ветку характеристику диода. Также на I эмиттера оказывает влияние и напряжение между коллектором и базой и чем оно выше, тем сильнее характеристика смещается влево, как показано на рисунке ниже:

Но данное смещение наблюдается только в промежутке от 0 до 10 В, при увеличении напряжений характеристики смещаться не будут. Поскольку большинство транзисторов работают при U_К>10 В, то входную характеристику считают независимой от входного напряжения.

Схема с общим эмиттером

Такая схема включения дает реальное усиление выходного тока I. Схема ниже:

Коэффициент усиления это как и раньше отношение выходного I к входному, но теперь входным будет I_Б, так что получим:

Если учесть что h_21б= 0,98÷0,99; имеем h_21Е= 50÷98, что значительно выше единицы. Это главное преимущество этой схемы.

Вольтамперные характеристики схемы с общим эмиттером ОЭ напоминают те, что соответствуют схеме с общей базой ОБ, но расположены в первом квадранте и показаны ниже:

Здесь имеем два p-n перехода с потенциальным барьером, электрические поля в которых направлены встречно и взаимно компенсируются, поэтому при U_К=0, коллекторный I не возникает. Характеристики будут смещаться относительно I_Б, который в данном случае будет входным.

Входная характеристика практически такая же, как и для схемы с ОБ, так как соответствует одному и тому же переходу, но из-за того, что полярность входного напряжения относительно коллекторного в этой схеме противоположная, характеристика при росте U_К смещается вправо и показана ниже:

И здесь она при U_К>10 В от дальнейшего возрастания U_К не зависит.

Для расчета и анализа усилителей необходимо использовать эквивалентную схему транзистора. Ее можно создать исходя из эквивалентной схемы диода. Поскольку транзистор являет собой два диода, совмещенных в одном корпусе, то эмиттерный переход будет находится под прямым напряжением. Чтоб учесть смещение входной характеристики в зависимости от входного напряжения коллектора, источник Е выразим как h_12БU_К, пропорциональным U_K. Сопротивление эмиттерного перехода обозначим как h_11Б. схема будет иметь следующий вид:

Схема с общим коллектором

Эта схема практически ничем не отличается от эмиттерной и ее эквивалентная схема может быть такой же. Но тому, что выходные (вольтамперные) характеристики практически горизонтальные, их пересечения с горизонтальной осью найти практически невозможно. Как известно из курса электротехники последовательное включение резистора с источником напряжения можно заменить на параллельное соединение резистора с источником тока, величина которого найдется как ордината точки пересечения характеристики с осью токов. Поскольку выходная характеристика будет смещаться относительно I_Е, учтем это путем введения источника тока h_21БI_Е, пропорционально входному I_Е. Наклон выходной характеристики определит нам проводимость коллекторного перехода, которая имеет обозначение h_22Б. Построенная таким образом схема будет полностью соответствовать эквивалентной схеме транзистора:

Буква Б в данном случае указывает на то, что данная схема соответствует соединению с общей базой ОБ.

Применив к левой части второй закон Кирхгофа, а к правой первый, получим:

Оба эти уравнения создают так называемую систему гибридных параметров, чем и обосновывается буква h. Если выписать все коэффициенты уравнений (параметры) в таблицу (определитель), то первый цифровой  индекс будет указывать на номер строки, а второй на номер столбца. При этом двое из этих параметров – коэффициент усиления тока h_21Б и коэффициент обратной связи по напряжению h_21Б размерности не имеют. Входное сопротивление h_11Б, измеряется в омах, а выходная проводимость h_22Б в сименсах.

Также для схемы с ОЭ существует такая  же система параметров и подобная эквивалентная схема:

Различие между схемами состоит в том, что вместо буквы Б использована буква Е. Уравнения для этой системы будут иметь вид:

На практике считается что h_12Б= h_12Э=0, поскольку при U_К>10 В смена коллекторного напряжения на выходную характеристику не влияет. Между параметрами различных схем соединений существуют следующие зависимости:

Мощность транзисторов

Все изготовляемые транзисторы разделяют на три основных группы по мощности, которая может быть выделена на коллекторе и равна произведению тока на напряжение, что приложено к коллектору:

• Транзисторы малой мощности, их мощность лежит в пределах 0<P_K<0,3 Вт;
• Транзисторы средней мощности – их пределы 0,3 Вт< P_K< 1,5 Вт;
• Мощные транзисторы Р_К больше 1,5 В.

Мощность ограничивается граничной температурой, при превышении которой может произойти тепловой пробой.

Конструктивные особенности биполярных транзисторов

На самом деле конструктивное оформление биполярных транзисторов довольно разнообразно. Давайте рассмотрим конструкцию этих элементов на примере транзистора, показанного ниже:

На массивном металлическом основании 4 размещают кристалл полупроводника 1, который имеет, к примеру, электронную проводимость. На противоположной стороне кристалла относительно грани сделаны две напайки 2 и 3 например с индию, под которым будут создаваться зоны с дырочной проводимостью. Один из этих элементов будет коллектором, а второй эмиттером – сам кристалл базой. Для всех элементов реализованы выводы, а вся конструкция накрыта корпусом во избежание механических повреждений и попадания влажности. Металлическая основа 4 отводит тепло от устройства. В более мощных устройствах могут применять радиаторы, для более высокой теплоотдачи.

Биполярные транзисторы. For dummies / Хабр

Предисловие

Поскольку тема транзисторов весьма и весьма обширна, то посвященных им статей будет две: отдельно о биполярных и отдельно о полевых транзисторах.

Транзистор, как и диод, основан на явлении p-n перехода. Желающие могут освежить в памяти физику протекающих в нем процессов здесь или здесь.

Необходимые пояснения даны, переходим к сути.

Транзисторы. Определение и история

Транзистор — электронный полупроводниковый прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. (tranzistors.ru)

Первыми были изобретены полевые транзисторы (1928 год), а биполярные появилсь в 1947 году в лаборатории Bell Labs. И это была, без преувеличения, революция в электронике.

Очень быстро транзисторы заменили вакуумные лампы в различных электронных устройствах. В связи с этим возросла надежность таких устройств и намного уменьшились их размеры. И по сей день, насколько бы «навороченной» не была микросхема, она все равно содержит в себе множество транзисторов (а также диодов, конденсаторов, резисторов и проч.). Только очень маленьких.

Кстати, изначально «транзисторами» называли резисторы, сопротивление которых можно было изменять с помощью величины подаваемого напряжения. Если отвлечься от физики процессов, то современный транзистор тоже можно представить как сопротивление, зависящее от подаваемого на него сигнала.

В чем же отличие между полевыми и биполярными транзисторами? Ответ заложен в самих их названиях. В биполярном транзисторе в переносе заряда участвуют и электроны, и дырки («бис» — дважды). А в полевом (он же униполярный) — или электроны, или дырки.

Также эти типы транзисторов разнятся по областям применения. Биполярные используются в основном в аналоговой технике, а полевые — в цифровой.

И, напоследок: основная область применения любых транзисторов — усиление слабого сигнала за счет дополнительного источника питания.

Биполярный транзистор. Принцип работы. Основные характеристики

Биполярный транзистор состоит из трех областей: эмиттера, базы и коллектора, на каждую из которых подается напряжение. В зависимости от типа проводимости этих областей, выделяют n-p-n и p-n-p транзисторы. Обычно область коллектора шире, чем эмиттера. Базу изготавливают из слаболегированного полупроводника (из-за чего она имеет большое сопротивление) и делают очень тонкой. Поскольку площадь контакта эмиттер-база получается значительно меньше площади контакта база-коллектор, то поменять эмиттер и коллектор местами с помощью смены полярности подключения нельзя. Таким образом, транзистор относится к несимметричным устройствам.

Прежде, чем рассматривать физику работы транзистора, обрисуем общую задачу.

Она заключаются в следующем: между эмиттером и коллектором течет сильный ток (ток коллектора), а между эмиттером и базой — слабый управляющий ток (ток базы). Ток коллектора будет меняться в зависимости от изменения тока базы. Почему?
Рассмотрим p-n переходы транзистора. Их два: эмиттер-база (ЭБ) и база-коллектор (БК). В активном режиме работы транзистора первый из них подключается с прямым, а второй — с обратным смещениями. Что же при этом происходит на p-n переходах? Для большей определенности будем рассматривать n-p-n транзистор. Для p-n-p все аналогично, только слово «электроны» нужно заменить на «дырки».

Поскольку переход ЭБ открыт, то электроны легко «перебегают» в базу. Там они частично рекомбинируют с дырками, но большая их часть из-за малой толщины базы и ее слабой легированности успевает добежать до перехода база-коллектор. Который, как мы помним, включен с обратным смещением. А поскольку в базе электроны — неосновные носители заряда, то электирическое поле перехода помогает им преодолеть его. Таким образом, ток коллетора получается лишь немного меньше тока эмиттера. А теперь следите за руками. Если увеличить ток базы, то переход ЭБ откроется сильнее, и между эмиттером и коллектором сможет проскочить больше электронов. А поскольку ток коллектора изначально больше тока базы, то это изменение будет весьма и весьма заметно. Таким образом, произойдет усиление слабого сигнала, поступившего на базу. Еще раз: сильное изменение тока коллектора является пропорциональным отражением слабого изменения тока базы.

Помню, моей одногрупнице принцип работы биполярного транзистора объясняли на примере водопроводного крана. Вода в нем — ток коллектора, а управляющий ток базы — то, насколько мы поворачиваем ручку. Достаточно небольшого усилия (управляющего воздействия), чтобы поток воды из крана увеличился.

Помимо рассмотренных процессов, на p-n переходах транзистора может происходить еще ряд явлений. Например, при сильном увеличении напряжения на переходе база-коллектор может начаться лавинное размножение заряда из-за ударной ионизации. А вкупе с туннельным эффектом это даст сначала электрический, а затем (с возрастанием тока) и тепловой пробой. Однако, тепловой пробой в транзисторе может наступить и без электрического (т.е. без повышения коллекторного напряжения до пробивного). Для этого будет достаточно одного чрезмерного тока через коллектор.

Еще одно явления связано с тем, что при изменении напряжений на коллекторном и эмиттерном переходах меняется их толщина. И если база черезчур тонкая, то может возникнуть эффект смыкания (так называемый «прокол» базы) — соединение коллекторного перехода с эмиттерным. При этом область базы исчезает, и транзистор перестает нормально работать.

Коллекторный ток транзистора в нормальном активном режиме работы транзистора больше тока базы в определенное число раз. Это число называется коэффициентом усиления по току и является одним из основных параметров транзистора. Обозначается оно h31. Если транзистор включается без нагрузки на коллектор, то при постоянном напряжении коллектор-эмиттер отношение тока коллектора к току базы даст статический коэффициент усиления по току. Он может равняться десяткам или сотням единиц, но стоит учитывать тот факт, что в реальных схемах этот коэффициент меньше из-за того, что при включении нагрузки ток коллектора закономерно уменьшается.

Вторым немаловажным параметром является входное сопротивление транзистора. Согласно закону Ома, оно представляет собой отношение напряжения между базой и эмиттером к управляющему току базы. Чем оно больше, тем меньше ток базы и тем выше коэффициент усиления.

Третий параметр биполярного транзистора — коэффициент усиления по напряжению. Он равен отношению амплитудных или действующих значений выходного (эмиттер-коллектор) и входного (база-эмиттер) переменных напряжений. Поскольку первая величина обычно очень большая (единицы и десятки вольт), а вторая — очень маленькая (десятые доли вольт), то этот коэффициент может достигать десятков тысяч единиц. Стоит отметить, что каждый управляющий сигнал базы имеет свой коэффициент усиления по напряжению.

Также транзисторы имеют частотную характеристику, которая характеризует способность транзистора усиливать сигнал, частота которого приближается к граничной частоте усиления. Дело в том, что с увеличением частоты входного сигнала коэффициент усиления снижается. Это происходит из-за того, что время протекания основных физических процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору, заряд и разряд барьерных емкостных переходов) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. Т.е. транзистор просто не успевает реагировать на изменения входного сигнала и в какой-то момент просто перестает его усиливать. Частота, на которой это происходит, и называется граничной.

Также параметрами биполярного транзистора являются:

• обратный ток коллектор-эмиттер
• время включения
• обратный ток колектора
• максимально допустимый ток

Условные обозначения n-p-n и p-n-p транзисторов отличаются только направлением стрелочки, обозначающей эмиттер. Она показывает то, как течет ток в данном транзисторе.

Режимы работы биполярного транзистора

Рассмотренный выше вариант представляет собой нормальный активный режим работы транзистора. Однако, есть еще несколько комбинаций открытости/закрытости p-n переходов, каждая из которых представляет отдельный режим работы транзистора.

1. Инверсный активный режим. Здесь открыт переход БК, а ЭБ наоборот закрыт. Усилительные свойства в этом режиме, естественно, хуже некуда, поэтому транзисторы в этом режиме используются очень редко.
2. Режим насыщения. Оба перехода открыты. Соответственно, основные носители заряда коллектора и эмиттера «бегут» в базу, где активно рекомбинируют с ее основными носителями. Из-за возникающей избыточности носителей заряда сопротивление базы и p-n переходов уменьшается. Поэтому цепь, содержащую транзистор в режиме насыщения можно считать короткозамкнутой, а сам этот радиоэлемент представлять в виде эквипотенциальной точки.
3. Режим отсечки. Оба перехода транзистора закрыты, т.е. ток основных носителей заряда между эмиттером и коллектором прекращается. Потоки неосновных носителей заряда создают только малые и неуправляемые тепловые токи переходов. Из-за бедности базы и переходов носителями зарядов, их сопротивление сильно возрастает. Поэтому часто считают, что транзистор, работающий в режиме отсечки, представляет собой разрыв цепи.
4. Барьерный режим В этом режиме база напрямую или через малое сопротивление замкнута с коллектором. Также в коллекторную или эмиттерную цепь включают резистор, который задает ток через транзистор. Таким образом получается эквивалент схемы диода с последовательно включенным сопротивлением. Этот режим очень полезный, так как позволяет схеме работать практически на любой частоте, в большом диапазоне температур и нетребователен к параметрам транзисторов.

Схемы включения биполярных транзисторов

Поскольку контактов у транзистора три, то в общем случае питание на него нужно подавать от двух источников, у которых вместе получается четыре вывода. Поэтому на один из контактов транзистора приходится подавать напряжение одинакового знака от обоих источников. И в зависимости от того, что это за контакт, различают три схемы включения биполярных транзисторов: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ). У каждой из них есть как достоинства, так и недостатки. Выбор между ними делается в зависимости от того, какие параметры для нас важны, а какими можно поступиться.

Схема включения с общим эмиттером

Эта схема дает наибольшее усиление по напряжению и току (а отсюда и по мощности — до десятков тысяч единиц), в связи с чем является наиболее распространенной. Здесь переход эмиттер-база включается прямо, а переход база-коллектор — обратно. А поскольку и на базу, и на коллектор подается напряжение одного знака, то схему можно запитать от одного источника. В этой схеме фаза выходного переменного напряжения меняется относительно фазы входного переменного напряжения на 180 градусов.

Но ко всем плюшкам схема с ОЭ имеет и существенный недостаток. Он заключается в том, что рост частоты и температуры приводит к значительному ухудшению усилительных свойств транзистора. Таким образом, если транзистор должен работать на высоких частотах, то лучше использовать другую схему включения. Например, с общей базой.

Схема включения с общей базой

Эта схема не дает значительного усиления сигнала, зато хороша на высоких частотах, поскольку позволяет более полно использовать частотную характеристику транзистора. Если один и тот же транзистор включить сначала по схеме с общим эмиттером, а потом с общей базой, то во втором случае будет наблюдаться значительное увеличение его граничной частоты усиления. Поскольку при таком подключении входное сопротивление низкое, а выходное — не очень большое, то собранные по схеме с ОБ каскады транзисторов применяют в антенных усилителях, где волновое сопротивление кабелей обычно не превышает 100 Ом.

В схеме с общей базой не происходит инвертирование фазы сигнала, а уровень шумов на высоких частотах снижается. Но, как уже было сказано, коэффициент усиления по току у нее всегда немного меньше единицы. Правда, коэффициент усиления по напряжению здесь такой же, как и в схеме с общим эмиттером. К недостаткам схемы с общей базой можно также отнести необходимость использования двух источников питания.

Схема включения с общим коллектором

Особенность этой схемы в том, что входное напряжение полностью передается обратно на вход, т. е. очень сильна отрицательная обратная связь.

Напомню, что отрицательной называют такую обратную связь, при которой выходной сигнал подается обратно на вход, чем снижает уровень входного сигнала. Таким образом происходит автоматическая корректировка при случайном изменении параметров входного сигнала

Коэффициент усиления по току почти такой же, как и в схеме с общим эмиттером. А вот коэффициент усиления по напряжению маленький (основной недостаток этой схемы). Он приближается к единице, но всегда меньше ее. Таким образом, коэффициент усиления по мощности получается равным всего нескольким десяткам единиц.

В схеме с общим коллектором фазовый сдвиг между входным и выходным напряжением отсутствует. Поскольку коэффициент усиления по напряжению близок к единице, выходное напряжение по фазе и амплитуде совпадает со входным, т. е. повторяет его. Именно поэтому такая схема называется эмиттерным повторителем. Эмиттерным — потому, что выходное напряжение снимается с эмиттера относительно общего провода.

Такое включение используют для согласования транзисторных каскадов или когда источник входного сигнала имеет высокое входное сопротивление (например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон).

Два слова о каскадах

Бывает такое, что нужно увеличить выходную мощность (т.е. увеличить коллекторный ток). В этом случае используют параллельное включение необходимого числа транзисторов.

Естественно, они должны быть примерно одинаковыми по характеристикам. Но необходимо помнить, что максимальный суммарный коллекторный ток не должен превышать 1,6-1,7 от предельного тока коллектора любого из транзисторов каскада.
Тем не менее (спасибо wrewolf за замечание), в случае с биполярными транзисторами так делать не рекомендуется. Потому что два транзистора даже одного типономинала хоть немного, но отличаются друг от друга. Соответственно, при параллельном включении через них будут течь токи разной величины. Для выравнивания этих токов в эмиттерные цепи транзисторов ставят балансные резисторы. Величину их сопротивления рассчитывают так, чтобы падение напряжения на них в интервале рабочих токов было не менее 0,7 В. Понятно, что это приводит к значительному ухудшению КПД схемы.

Может также возникнуть необходимость в транзисторе с хорошей чувствительностью и при этом с хорошим коэффициентом усиления. В таких случаях используют каскад из чувствительного, но маломощного транзистора (на рисунке — VT1), который управляет энергией питания более мощного собрата (на рисунке — VT2).

Другие области применения биполярных транзисторов

Транзисторы можно применять не только схемах усиления сигнала. Например, благодаря тому, что они могут работать в режимах насыщения и отсечки, их используют в качестве электронных ключей. Также возможно использование транзисторов в схемах генераторов сигнала. Если они работают в ключевом режиме, то будет генерироваться прямоугольный сигнал, а если в режиме усиления — то сигнал произвольной формы, зависящий от управляющего воздействия.

Маркировка

Поскольку статья уже разрослась до неприлично большого объема, то в этом пункте я просто дам две хорошие ссылки, по которым подробно расписаны основные системы маркировки полупроводниковых приборов (в том числе и транзисторов): http://kazus.ru/guide/transistors/mark_all.html и файл .xls (35 кб) .

Список источников:
http://ru.wikipedia.org
http://www.physics.ru
http://radiocon-net.narod.ru
http://radio.cybernet.name
http://dvo.sut.ru

Полезные комментарии:
http://habrahabr.ru/blogs/easyelectronics/133136/#comment_4419173

Npn и pnp транзистор отличия

PNP-транзистор является электронным прибором, в определенном смысле обратном NPN-транзистору. В этом типе конструкции транзистора его PN-переходы открываются напряжениями обратной полярности по отношению к NPN-типу. В условном обозначении прибора стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь символа транзистора.

Конструкция прибора

Конструктивная схема транзистора PNP-типа состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже.

Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока (“внутрь” для транзистора PNP).

PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Главным различием между ними считается то, что дырки являются основными носителями тока для транзисторов PNP, NPN-транзисторы имеют в этом качестве электроны. Поэтому полярности напряжений, питающих транзистор, меняются на обратные, а его входной ток вытекает из базы. В отличие от этого, у NPN-транзистора ток базы втекает в нее, как показано ниже на схеме включения приборов обоих типов с общей базой и общим эмиттером.

Принцип работы транзистора PNP-типа основан на использовании небольшого (как и у NPN-типа) базового тока и отрицательного (в отличие от NPN-типа) базового напряжения смещения для управления гораздо большим эмиттерно-коллекторным током. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер является более положительным по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора I_C (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.

По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора I_C, так и ток эмиттера I_E. Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как I_C немного меньше, чем I_E. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с I_E, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.

Полный ток эмиттера задается суммой двух токов I_C и I_B; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем I_E = I_C + I_B.

В этой схеме ток базы I_B просто «ответвляется» от тока эмиттера I_E, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток I_B, а NPN-типа – втекающий.

В третьей из известных схем включения транзисторов, с общим коллектором, ситуация точно такая же. Поэтому мы ее не приводим в целях экономии места и времени читателей.

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Источник напряжения между базой и эмиттером (V_BE) подключается отрицательным полюсом к базе и положительным к эмиттеру, потому что работа PNP-транзистора происходит при отрицательном смещении базы по отношению к эмиттеру.

Напряжение питания эмиттера также положительно по отношению к коллектору (V_CE). Таким образом, у транзистора PNP-типа вывод эмиттера всегда более положителен по отношению как к базе, так и к коллектору.

Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже.

Работа PNP-транзисторного каскада

Итак, чтобы вызвать протекание базового тока в PNP-транзисторе, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен покинуть базу) примерно на 0,7 вольт для кремниевого прибора или на 0,3 вольта для германиевого. Формулы, используемые для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора и представлены ниже.

Мы видим, что фундаментальным различием между NPN и PNP-транзистором является правильное смещение pn-переходов, поскольку направления токов и полярности напряжений в них всегда противоположны. Таким образом, для приведенной выше схеме: I_C = I_E – I_B, так как ток должен вытекать из базы.

Как правило, PNP-транзистор можно заменить на NPN в большинстве электронных схем, разница лишь в полярности напряжения и направлении тока. Такие транзисторы также могут быть использованы в качестве переключающих устройств, и пример ключа на PNP-транзисторе показан ниже.

Характеристики транзистора

Выходные характеристики транзистора PNP-типа очень похожи на соответствующие кривые эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180° с учетом реверса полярности напряжений и токов (токи базы и коллектора, PNP-транзистора отрицательны). Точно также, чтобы найти рабочие точки транзистора PNP-типа, его динамическая линия нагрузки может быть изображена в III-й четверти декартовой системы координат.

Типовые характеристики PNP-транзистора 2N3906 показаны на рисунке ниже.

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют “комплементарные”, или “согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.

Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=I_C/I_B согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.

Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.

Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Их применяют также в H-мостовых цепях управления реверсивными двигателями постоянного тока, позволяющих регулировать ток через двигатель равномерно в обоих направлениях его вращения.

H-мостовая цепь выше называется так потому, что базовая конфигурация ее четырех переключателей на транзисторах напоминает букву «H» с двигателем, расположенным на поперечной линии. Транзисторный H-мост, вероятно, является одним из наиболее часто используемых типов схемы управления реверсивным двигателем постоянного тока. Он использует «взаимодополняющие» пары транзисторов NPN- и PNP-типов в каждой ветви, работающих в качестве ключей при управлении двигателем.

Вход управления A обеспечивает работу мотора в одном направлении, в то время как вход B используется для обратного вращения.

Например, когда транзистор TR1 включен, а TR2 выключен, вход A подключен к напряжению питания (+ Vcc), и если транзистор TR3 выключен, а TR4 включен, то вход B подключен к 0 вольт (GND). Поэтому двигатель будет вращаться в одном направлении, соответствующем положительному потенциалу входа A и отрицательному входа B.

Если состояния ключей изменить так, чтобы TR1 был выключен, TR2 включен, TR3 включен, а TR4 выключен, ток двигателя будет протекать в противоположном направлении, что повлечет его реверсирование.

Используя противоположные уровни логической «1» или «0» на входах A и B, можно управлять направлением вращения мотора.

Определение типа транзисторов

Любые биполярные транзисторы можно представить состоящими в основном из двух диодов, соединенных вместе спина к спине.

Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN путем тестирования его сопротивления между его тремя выводами. Тестируя каждую их пару в обоих направлениях с помощью мультиметра, после шести измерений получим следующий результат:

1. Эмиттер — База. Эти выводы должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

2. Коллектор — База. Эти выводы также должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

3. Эмиттер — Коллектор. Эти выводы не должен проводить в любом направлении.

Значения сопротивлений переходов транзисторов обоих типов

Пара выводов транзистора		PNP	NPN
Коллектор	Эмиттер	RВЫСОКОЕ	RВЫСОКОЕ
Коллектор	База	RНИЗКОЕ	RВЫСОКОЕ
Эмиттер	Коллектор	RВЫСОКОЕ	RВЫСОКОЕ
Эмиттер	База	RНИЗКОЕ	RВЫСОКОЕ
База	Коллектор	RВЫСОКОЕ	RНИЗКОЕ
База	Эмиттер	RВЫСОКОЕ	RНИЗКОЕ

Тогда мы можем определить PNP-транзистор как исправный и закрытый. Небольшой выходной ток и отрицательное напряжение на его базе (B) по отношению к его эмиттеру (E) будет его открывать и позволит протекать значительно большему эмиттер-коллекторному току. Транзисторы PNP проводят при положительном потенциале эмиттера. Иными словами, биполярный PNP-транзистор будет проводить только в том случае, если выводы базы и коллектором являются отрицательным по отношению к эмиттеру.

PNP-транзистор является электронным прибором, в определенном смысле обратном NPN-транзистору. В этом типе конструкции транзистора его PN-переходы открываются напряжениями обратной полярности по отношению к NPN-типу. В условном обозначении прибора стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь символа транзистора.

Конструкция прибора

Конструктивная схема транзистора PNP-типа состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже.

Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока (“внутрь” для транзистора PNP).

PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Главным различием между ними считается то, что дырки являются основными носителями тока для транзисторов PNP, NPN-транзисторы имеют в этом качестве электроны. Поэтому полярности напряжений, питающих транзистор, меняются на обратные, а его входной ток вытекает из базы. В отличие от этого, у NPN-транзистора ток базы втекает в нее, как показано ниже на схеме включения приборов обоих типов с общей базой и общим эмиттером.

Принцип работы транзистора PNP-типа основан на использовании небольшого (как и у NPN-типа) базового тока и отрицательного (в отличие от NPN-типа) базового напряжения смещения для управления гораздо большим эмиттерно-коллекторным током. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер является более положительным по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора I_C (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.

По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора I_C, так и ток эмиттера I_E. Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как I_C немного меньше, чем I_E. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с I_E, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.

Полный ток эмиттера задается суммой двух токов I_C и I_B; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем I_E = I_C + I_B.

В этой схеме ток базы I_B просто «ответвляется» от тока эмиттера I_E, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток I_B, а NPN-типа – втекающий.

В третьей из известных схем включения транзисторов, с общим коллектором, ситуация точно такая же. Поэтому мы ее не приводим в целях экономии места и времени читателей.

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Источник напряжения между базой и эмиттером (V_BE) подключается отрицательным полюсом к базе и положительным к эмиттеру, потому что работа PNP-транзистора происходит при отрицательном смещении базы по отношению к эмиттеру.

Напряжение питания эмиттера также положительно по отношению к коллектору (V_CE). Таким образом, у транзистора PNP-типа вывод эмиттера всегда более положителен по отношению как к базе, так и к коллектору.

Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже.

Работа PNP-транзисторного каскада

Итак, чтобы вызвать протекание базового тока в PNP-транзисторе, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен покинуть базу) примерно на 0,7 вольт для кремниевого прибора или на 0,3 вольта для германиевого. Формулы, используемые для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора и представлены ниже.

Мы видим, что фундаментальным различием между NPN и PNP-транзистором является правильное смещение pn-переходов, поскольку направления токов и полярности напряжений в них всегда противоположны. Таким образом, для приведенной выше схеме: I_C = I_E – I_B, так как ток должен вытекать из базы.

Как правило, PNP-транзистор можно заменить на NPN в большинстве электронных схем, разница лишь в полярности напряжения и направлении тока. Такие транзисторы также могут быть использованы в качестве переключающих устройств, и пример ключа на PNP-транзисторе показан ниже.

Характеристики транзистора

Выходные характеристики транзистора PNP-типа очень похожи на соответствующие кривые эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180° с учетом реверса полярности напряжений и токов (токи базы и коллектора, PNP-транзистора отрицательны). Точно также, чтобы найти рабочие точки транзистора PNP-типа, его динамическая линия нагрузки может быть изображена в III-й четверти декартовой системы координат.

Типовые характеристики PNP-транзистора 2N3906 показаны на рисунке ниже.

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов — NPN и PNP — дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют “комплементарные”, или “согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.

Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=I_C/I_B согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.

Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.

Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Их применяют также в H-мостовых цепях управления реверсивными двигателями постоянного тока, позволяющих регулировать ток через двигатель равномерно в обоих направлениях его вращения.

H-мостовая цепь выше называется так потому, что базовая конфигурация ее четырех переключателей на транзисторах напоминает букву «H» с двигателем, расположенным на поперечной линии. Транзисторный H-мост, вероятно, является одним из наиболее часто используемых типов схемы управления реверсивным двигателем постоянного тока. Он использует «взаимодополняющие» пары транзисторов NPN- и PNP-типов в каждой ветви, работающих в качестве ключей при управлении двигателем.

Вход управления A обеспечивает работу мотора в одном направлении, в то время как вход B используется для обратного вращения.

Например, когда транзистор TR1 включен, а TR2 выключен, вход A подключен к напряжению питания (+ Vcc), и если транзистор TR3 выключен, а TR4 включен, то вход B подключен к 0 вольт (GND). Поэтому двигатель будет вращаться в одном направлении, соответствующем положительному потенциалу входа A и отрицательному входа B.

Если состояния ключей изменить так, чтобы TR1 был выключен, TR2 включен, TR3 включен, а TR4 выключен, ток двигателя будет протекать в противоположном направлении, что повлечет его реверсирование.

Используя противоположные уровни логической «1» или «0» на входах A и B, можно управлять направлением вращения мотора.

Определение типа транзисторов

Любые биполярные транзисторы можно представить состоящими в основном из двух диодов, соединенных вместе спина к спине.

Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN путем тестирования его сопротивления между его тремя выводами. Тестируя каждую их пару в обоих направлениях с помощью мультиметра, после шести измерений получим следующий результат:

1. Эмиттер — База. Эти выводы должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

2. Коллектор — База. Эти выводы также должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

3. Эмиттер — Коллектор. Эти выводы не должен проводить в любом направлении.

Значения сопротивлений переходов транзисторов обоих типов

Пара выводов транзистора		PNP	NPN
Коллектор	Эмиттер	RВЫСОКОЕ	RВЫСОКОЕ
Коллектор	База	RНИЗКОЕ	RВЫСОКОЕ
Эмиттер	Коллектор	RВЫСОКОЕ	RВЫСОКОЕ
Эмиттер	База	RНИЗКОЕ	RВЫСОКОЕ
База	Коллектор	RВЫСОКОЕ	RНИЗКОЕ
База	Эмиттер	RВЫСОКОЕ	RНИЗКОЕ

Тогда мы можем определить PNP-транзистор как исправный и закрытый. Небольшой выходной ток и отрицательное напряжение на его базе (B) по отношению к его эмиттеру (E) будет его открывать и позволит протекать значительно большему эмиттер-коллекторному току. Транзисторы PNP проводят при положительном потенциале эмиттера. Иными словами, биполярный PNP-транзистор будет проводить только в том случае, если выводы базы и коллектором являются отрицательным по отношению к эмиттеру.

Транзистор — повсеместный и важный компонент в современной микроэлектронике. Его назначение простое: он позволяет с помощью слабого сигнала управлять гораздо более сильным.

В частноти, его можно использовать как управляемую «заслонку»: отсутствием сигнала на «воротах» блокировать течение тока, подачей — разрешать. Иными словами: это кнопка, которая нажимается не пальцем, а подачей напряжения. В цифровой электронике такое применение наиболее распространено.

Транзисторы выпускаются в различных корпусах: один и тот же транзистор может внешне выглядеть совершенно по разному. В прототипировании чаще остальных встречаются корпусы:

Обозначение на схемах также варьируется в зависимости от типа транзистора и стандарта обозначений, который использовался при составлении. Но вне зависимости от вариации, его символ остаётся узнаваемым.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель h_fe также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.

Например, если h_fe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент, который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас». Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные 10 мА.

Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.

NPN и PNP

Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive — с избытком положительных (p-doped).

NPN более эффективны и распространены в промышленности.

PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N. PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется, когда через неё идёт ток.

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (FET, Field Effect Transistor) имеют то же назначение, но отличаются внутренним устройством. Частным видом этих компонентов являются транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). Они позволяют оперировать гораздо большими мощностями при тех же размерах. А управление самой «заслонкой» осуществляется исключительно при помощи напряжения: ток через затвор, в отличие от биполярных транзисторов, не идёт.

Полевые транзисторы обладают тремя контактами:

N-Channel и P-Channel

По аналогии с биполярными транзисторами, полевые различаются полярностью. Выше был описан N-Channel транзистор. Они наиболее распространены.

P-Channel при обозначении отличается направлением стрелки и, опять же, обладает «перевёрнутым» поведением.

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.

Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:

Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.

Обратите внимание на токоограничивающий резистор R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля. Главное — не превысить допустимый ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

здесь U_d — это падение напряжения на самом транзисторе. Оно зависит от материала из которого он изготовлен и обычно составляет 0.3 – 0.6 В.

Но совершенно не обязательно держать ток на пределе допустимого. Необходимо лишь, чтобы показатель gain транзистора позволил управлять необходимым током. В нашем случае — это 100 мА. Допустим для используемого транзистора h_fe = 100, тогда нам будет достаточно управляющего тока в 1 мА

Нам подойдёт резистор номиналом от 118 Ом до 4.7 кОм. Для устойчивой работы с одной стороны и небольшой нагрузки на чип с другой, 2.2 кОм — хороший выбор.

Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:

это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET позволяет управлять очень мощными компонентами.

Рекомендуем к прочтению

2N5194 – Силовые кремниевые PNP транзисторы

% PDF-1.4 % 1 0 obj > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток BroadVision, Inc.2020-10-07T14: 28: 29 + 02: 002013-12-11T14: 02: 10 + 01: 002020-10-07T14: 28: 29 + 02: 00application / pdf

2N5194 – Силовые кремниевые транзисторы PNP

ON Semiconductor

Эти устройства предназначены для использования в усилителях мощности и схемах переключения; отличные пределы безопасной зоны.

Акробат Дистиллятор 9.0.0 (Windows) uuid: 83158401-d8a9-4103-8c62-29c0574063e4uuid: d35b5afd-0c31-49e6-b129-798256d78325 Распечатать конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > поток HUMoFz = 9RƵ VUi89a RI? $ M و AH {͐g3pB% {`.# Pdg + T} 0HKuPqIs lRdǧ㋛L C

2N6107 Распиновка транзистора, спецификации, схема и техническое описание

2N6107 Силовой транзистор PNP

2N6107 Силовой транзистор PNP

2N6107 Силовой транзистор PNP

Распиновка транзистора 2N6107

нажмите на картинку для увеличения

Конфигурация контактов

Контактный №	Имя контакта	Описание
1	База	Управляет смещением транзистора, используется для включения или выключения транзистора
2	Коллектор	Ток протекает через коллектор, обычно подключенный к нагрузке
3	Излучатель	Ток утекает через эмиттер, обычно соединенный с землей

Характеристики и характеристики

• TO − 220 Компактный корпус
• 2N6017 – силовой транзистор PNP
• В _CBO Напряжение базы коллектора 80 В постоянного тока
• В _CEO Напряжение коллектора-эмиттера 70 В постоянного тока
• В _EB Напряжение эмиттер-база 5 В постоянного тока
• Максимальный базовый ток IB 3.0 А
• Ток коллектора – постоянный I _C 7,0 A
• Ток коллектора – пик I _CM 10 A
• Общая рассеиваемая мощность P _D -40 Вт
• Усиление высокого постоянного тока
• Усиление по высокому току – продукт на полосу пропускания

эквивалент

NTE197 (PNP), 2N6110 (PNP).

Кратко о транзисторе 2N6107

2N6107 представляет собой PNP-транзистор и имеет значение усиления от 30 до 150; это значение определяет усилительную способность транзистора.Максимальный ток, который может протекать через вывод коллектора, составляет 7А, поэтому мы не можем подключать нагрузки, потребляющие более 7А, с помощью этого транзистора. Для смещения транзистора мы должны подать ток на вывод базы, этот ток (I _B ) должен быть ограничен до 3 А, а напряжение на выводе база-эмиттер должно быть 5 В.

Когда этот транзистор полностью смещен, он может позволить току максимум 7А через коллектор и эмиттер. Напряжение включения база-эмиттер V _BE (ВКЛ) при условии, что ток коллектора I _C составляет 7 А, а напряжение коллектор-эмиттер V _CE составляет 4 В постоянного тока, максимум 3 В постоянного тока.2N6107 поставляется с компактным корпусом TO-220, который имеет металлический язычок, который действует как штырь электрического коллектора, а также действует как отвод тепла для диапазона высокой мощности транзистора.

2N6017 можно использовать как усилители мощности и коммутационные устройства.

Как использовать транзистор PNP?

Основной принцип работы PNP-транзистора заключается в том, что ток присутствует на базе PNP-транзистора, а затем транзистор остается выключенным.Когда нет тока на базе транзистора, транзистор включается.

Ток втекает в транзистор PNP, а ток течет от эмиттера к коллектору, и это основное различие между транзисторами NPN и PNP. Чтобы включить PNP-транзистор, вам необходимо, чтобы базовое напряжение было меньше напряжения эмиттера. Это связано с тем, что базовый вывод состоит из полупроводника n-типа, а эмиттер – из полупроводника p-типа.

Следовательно, в приведенной выше схеме напряжение эмиттера поддерживается выше, чем напряжение базы, путем подключения положительной клеммы источника питания (батарея 9 В постоянного тока) к эмиттеру, а ее отрицательной клеммы к базе.

Диод подключается к стороне эмиттера или заземляющей клемме транзистора. Он включается, когда базовое напряжение меньше напряжения эмиттера или равно 0 В, и остается выключенным, когда базовое напряжение выше, чем напряжение эмиттера.

Высокая нагрузка может быть заменена светодиодом, а 2N6107 может использоваться для эффективной работы сильноточных нагрузок благодаря своей высокой мощности.

Приложения

• Драйверные модули, такие как драйвер реле, драйвер светодиода и т. Д.
• Модули усилителя, такие как усилители звука, усилители сигнала и т. Д.
• Дарлингтон пара

2D-модель (PDIP)

Характеристики схемы транзистора PNP

, работа, применение

В этом руководстве мы попытаемся понять основы Tansistor PNP. Мы плохо знакомы с его работой, контактами, базовой схемой, идентификацией клемм, примером и несколькими приложениями.

Введение

PNP-транзистор – это еще один тип биполярного переходного транзистора (BJT).Структура транзистора PNP полностью отличается от транзистора NPN. Два диода с PN-переходом в структуре транзистора PNP перевернуты по отношению к транзистору NPN, например, два легированных полупроводниковых материала P-типа разделены тонким слоем легированного полупроводникового материала N-типа.

В транзисторе PNP основными носителями тока являются дырки, а неосновными носителями тока являются электроны. Все полярности напряжения питания, приложенного к транзистору PNP, поменяны местами.В PNP ток поступает на базовый терминал. Малый базовый ток в PNP имеет возможность управлять большим током эмиттер-коллектор, потому что это устройство, управляемое током.

Стрелка для BJT-транзисторов всегда находится на выводе эмиттера, а также указывает направление обычного тока. В транзисторе PNP эта стрелка обозначается как «указывающая внутрь», а направление тока в транзисторе PNP полностью противоположно направлению тока транзистора NPN. Структура транзистора PNP полностью противоположна транзистору NPN.Но характеристики и работа транзистора PNP практически такая же, как у транзистора NPN с небольшими отличиями. Символ и структура транзистора PNP показаны ниже.

На рисунке выше показаны структура и обозначение транзистора PNP. Этот транзистор в основном состоит из 3 выводов: эмиттера (E), коллектора (C) и базы (B). Здесь, если вы заметили, ток базы течет из базы, в отличие от транзистора NPN. Напряжение эмиттера положительно относительно базы и коллектора.

ВЕРНУТЬСЯ В НАЧАЛО

Рабочий транзистор PNP

Схема подключения транзистора PNP с напряжением питания приведена ниже. Здесь вывод базы имеет отрицательное смещение относительно эмиттера, а вывод эмиттера имеет положительное напряжение смещения относительно как базы, так и коллектора из-за транзистора PNP.

Полярность и направление тока здесь противоположны по сравнению с NPN-транзистором. Если транзистор подключен ко всем источникам напряжения, как показано выше, то базовый ток протекает через транзистор, но здесь базовое напряжение должно быть более отрицательным по отношению к эмиттеру для работы транзистора.Здесь переход база-эмиттер действует как диод. Небольшой ток в базе управляет протеканием большого тока через эмиттер в область коллектора. Базовое напряжение обычно составляет 0,7 В для Si и 0,3 В для германиевых устройств.

Здесь клемма базы действует как вход, а область эмиттер-коллектор действует как выход. Напряжение питания V _CC подключено к выводу эмиттера, а нагрузочный резистор (R _L ) подключен к выводу коллектора. Этот нагрузочный резистор (R _L ) используется для ограничения максимального тока, протекающего через устройство.Еще один резистор (R _B ) подключен к клемме базы, которая используется для ограничения максимального тока, протекающего через клемму базы, а также на клемму базы подается отрицательное напряжение. Здесь ток коллектора всегда равен вычитанию тока базы из тока эмиттера. Подобно транзистору NPN, транзистор PNP также имеет значение усиления по току β. Теперь давайте посмотрим, как связаны токи и коэффициент усиления по току β.

Коллекторный ток (I _C ) определяется как,

I _C = I _E – I _B

Коэффициент усиления постоянного тока (β) для транзистора PNP такой же, как у транзистора NPN. .

Коэффициент усиления постоянного тока = β = Выходной ток / Входной ток

Здесь выходной ток – это ток коллектора, а входной ток – базовый ток.

β = I _C / I _B

Из этого уравнения получаем

I _B = I _C / β

I _C = β I _B

А также мы определяем коэффициент усиления по току как,

Коэффициент усиления по току = ток коллектора / ток эмиттера (в транзисторе с общей базой)

α = I _C / I _E

Соотношение между α и β определяется как β = α / (1- α) и α = β / (β + 1)

Ток коллектора в транзисторе PNP определяется выражением,

I _C = – α I _E + I _CBO где I _CBO – ток насыщения.

Так как I _E = – (I _C + I _B )

I _C = – α (- (I _C + I _B )) + I _CBO

I _C – α I _C = α I _B + I _CBO

I _C (1- α) = α I _B + I _CBO

I _{C =} (α / (1- α)) I _B + I _CBO / (1- α)

Поскольку β = α / (1- α)

Теперь мы получаем уравнение для тока коллектора

I _C = β I _B + (1+ β) I _CBO

Выходные характеристики транзистора PNP такие же, как характеристики транзистора NPN.Небольшая разница в том, что характеристическая кривая PNP-транзистора поворачивается на 180 ⁰ для вычисления значений напряжения и тока обратной полярности. Линия динамической нагрузки также присутствует на характеристической кривой для расчета значения Q-точки. Транзисторы PNP также используются в схемах переключения и усиления, таких как транзисторы NPN.

ВЕРНУТЬСЯ В НАЧАЛО

Пример транзистора PNP

Рассмотрим транзистор PNP, который включен в цепь с напряжениями питания V _B = 1.5V, V _E = 2V, + V _CC = 10V и –V _CC = -10V. А также эта схема соединена с резисторами R _B = 200 кОм и R _E = R _C (или R _L ) = 5 кОм. Теперь рассчитайте текущие значения усиления (α, β) транзистора PNP.

Здесь

В _B = 1,5 В

В _E = 2 В

+ V _CC = 10 В и –В _CC = -10 В

R _B = 200 кОм

E = R _C (или R _L ) = 5 кОм

Базовый ток,

I _B = V _B / R _B = 1.5 / (200 * 10 ³ ) = 7,5 мкА.

Ток эмиттера,

I _E = V _E / R _E = (10-2) / (5 * 10 ³ ) = 8 / (5 * 10 ³ ) = 1,6 мА .

Ток коллектора,

I _C = I _E – I _B = 1,6 * 10 ^-3 -7,5 * 10 ^-6 = 1,59 мА.

Теперь нам нужно вычислить значения α и β,

α = I _C / I _E = 1,59 * 10 ^-3 / 1,6 * 10 ^-3 = 0.995

β = I _C / I _B = 1,59 * 10 ^-3 /7,5 * 10 ^-6 = 212

Наконец, мы получаем текущие значения усиления рассматриваемого транзистора PNP:

α = 0,995 и β = 212

НАЗАД В начало

Согласование транзисторов BJT

Согласование транзисторов – это не что иное, как соединение транзисторов NPN и PNP в единой конструкции для генерации высокой мощности. Эта структура также называется «согласованной парой».Транзисторы NPN и PNP называются дополнительными транзисторами. В основном эти согласованные парные схемы используются в усилителях мощности, таких как усилители класса B. Если мы подключим дополнительные транзисторы, которые имеют одинаковые характеристики, то будет очень полезно управлять выходными каскадами в двигателях и крупногабаритном оборудовании, непрерывно производя высокую мощность.

Транзистор NPN проводит только в положительном полупериоде сигнала, а транзистор PNP проводит только в отрицательном полупериоде сигнала, поэтому устройство работает непрерывно.Эта непрерывная работа очень полезна в силовых двигателях для выработки постоянной мощности. Дополнительные транзисторы должны иметь одинаковое значение коэффициента усиления по постоянному току (β). Эти согласованные парные схемы используются в системах управления двигателями, робототехнике и усилителях мощности.

НАЗАД В начало

Идентификация транзисторов PNP

Обычно мы идентифицируем транзисторы PNP по их структуре. У нас есть некоторые различия в структурах транзисторов NPN и PNP при сравнении.Еще одна вещь для идентификации транзистора PNP: обычно транзистор PNP находится в выключенном состоянии для положительного напряжения и во включенном состоянии при небольшом выходном токе и отрицательном напряжении на его базе по отношению к эмиттеру. Но чтобы идентифицировать их наиболее эффективно, мы используем другую технику, вычисляя сопротивление между тремя выводами, такими как база, эмиттер и коллектор.

У нас есть несколько стандартных значений сопротивления для идентификации транзисторов NPN и PNP. Необходимо проверить каждую пару клемм в обоих направлениях на значения сопротивления, поэтому всего требуется шесть тестов.Этот процесс очень полезен для простой идентификации транзистора PNP. Теперь мы видим, как работает каждая пара терминалов.

• Клеммы эмиттер-база: Область эмиттер-база действует как диод, но проводит только в одном направлении.
• Клеммы коллектор-база: Область коллектор-база также действует как диод, который проводит ток только в одном направлении.
• Клеммы эмиттер-коллектор: Область эмиттер-коллектор выглядит как диод, но он не будет проводить ни в одном направлении.

Теперь давайте посмотрим на таблицу значений сопротивления, чтобы идентифицировать как NPN-, так и PNP-транзисторы, как показано в следующей таблице.

НАЗАД К НАЧАЛУ

Транзистор PNP как переключатель

Схема на приведенном выше рисунке показывает транзистор PNP как переключатель. Работа этой схемы очень проста, если входной контакт транзистора (база) подключен к земле (то есть отрицательное напряжение), тогда транзистор PNP находится в состоянии «ВКЛ», теперь напряжение питания на эмиттере проходит, а выходной контакт подтягивается. к большему напряжению.Если входной вывод подключен к высокому напряжению (то есть положительному напряжению), тогда транзистор находится в состоянии «ВЫКЛ», поэтому выходное напряжение должно быть низким (нулем). Эта операция показывает условия переключения транзистора PNP из-за их состояний ВКЛ и ВЫКЛ.

ВЕРНУТЬСЯ В НАЧАЛО

Приложения

• PNP-транзисторы используются для источника тока, т. Е. Ток течет из коллектора.
Транзисторы
• PNP используются в качестве переключателей.
• Используются в схемах усиления.
Транзисторы
• PNP используются, когда нам нужно что-то выключить нажатием кнопки. т.е. аварийное отключение.
• Используется в парных схемах Дарлингтона.
• Используется в схемах согласованных пар для обеспечения непрерывной мощности.
• Используется в тяжелых двигателях для управления током.
• Используется в роботизированных приложениях.

ВЕРНУТЬСЯ В НАЧАЛО

ПРЕДЫДУЩИЙ – ТРАНЗИСТОР NPN

СЛЕДУЮЩИЙ – КОНФИГУРАЦИИ ТРАНЗИСТОРА

4 лучших транзистора для хранения в комплекте деталей

Если вашему проекту нужен транзистор, есть множество вариантов.Что заставляет ответить на вопрос «Какой транзистор мне использовать или купить?» непростая задача. Не бойтесь, прежде чем разбирать спецификации за спецификациями, рассмотрите один из этих четырех транзисторов общего назначения. В ящике с инструментами каждого инженера-электронщика должно быть несколько таких инструментов.

Транзисторы – один из самых универсальных дискретных компонентов в электронике. В цифровых схемах они включаются и выключаются, а в аналоговых схемах они используются для усиления сигналов. В большинстве проектов они используются для включения нагрузки, которая убила бы вывод ввода-вывода микроконтроллера или микропроцессора.Для большинства схем можно использовать либо BJT, либо MOSFET, в зависимости от тока нагрузки, который необходимо переключить.

[Edit Note] Ян (комментарий ниже) указывает, что есть европейские эквиваленты, которые могут быть более доступными для тех, кто находится в этой части мира. Для NPN проверьте BC547, для PNP – BC557.

Вот еще несколько подробностей по каждому из них.

Лучшие транзисторы: БЮЦ

Биполярные транзисторы

поставляются в небольших корпусах, могут управляться напрямую с помощью выводов ввода-вывода и стоят ОЧЕНЬ дешево.Есть два варианта: NPN и PNP. Эти маленькие ребята являются рабочими лошадками большинства схем управления для приложений с малым током. В 3-контактном корпусе в стиле TO-92 вы обычно найдете детали со сквозным отверстием.

# 1 НПН – 2Н3904

Чаще всего NPN-транзисторы можно встретить в схемах переключателей низкого уровня. Эта конфигурация означает, что все, что вы хотите контролировать, подключено между «высоким» напряжением и коллектором транзистора. Прочтите этот пост для получения дополнительной информации о low-side vs.переключатели верхнего плеча.

Обычно я использую транзистор 2N3904. Вы можете легко переключать большие нагрузки, например, более 12 вольт, с максимальным номиналом этого транзистора 40 вольт. Его номинальный ток составляет всего 200 мА, но этого достаточно для большинства реле.

2N3904 от Mouser

№ 2 ПНП – 2Н3906

Для цепей переключателя верхнего плеча необходим BJT типа PNP. В цепи высокого напряжения нагрузка находится между коллектором транзистора и землей цепи. Его эмиттер подключается к «высоковольтному».«Поскольку я рекомендовал 2N3904 для NPN, я предлагаю его дополнение: 2n3906. Как и NPN, он имеет такое же максимальное напряжение и ток: 40 В и 200 мА. Прочтите этот пост для получения дополнительной информации о переключателях низкого и высокого уровня.

2N3906 от Mouser

# 3 Питание – TIP120

Одним из преимуществ BJT является то, что они легко управляются от вывода ввода-вывода Arduino или Raspberry Pi. Когда они сконфигурированы как «пара Дарлингтона», они могут обеспечивать значительно более высокие токи, чем одиночные транзисторы.TIP120 – это пара Дарлингтона, которая может выдерживать до 5 ампер в корпусе TO-220. Иногда можно увидеть тот же корпус, который используется для линейных регуляторов LM7805. Если вы хотите получить такой большой ток, не забудьте радиатор!

TIP120 от Mouser

Лучшие транзисторы: МОП-транзисторы

Когда вам нужно управлять большим количеством ампер тока, полевые МОП-транзисторы – это просто фантастика. Однако большинство из них не работают на «логических уровнях», то есть им обычно требуется от 10 до 15 вольт для их правильного включения.Такое высокое напряжение трудно достичь 5-вольтовому контакту ввода-вывода Arduino, не говоря уже о Beaglebone или Raspberry Pi.

Если вы новичок в MOSFET, ознакомьтесь с моим видеоуроком по MOSFET (прокрутите вниз) и этой статьей о развенчании мифов о MOSFET.

# 4 N-канал (логический уровень) – FQP30N06L

Эти транзисторы «рабочая лошадка» рассчитаны на максимальное напряжение 60 В и 30 А. Не в миллиамперах. Амперы! (Хотя вам понадобится радиатор!) Они стоят почти в 2 раза больше, чем стоит TIP120, но они обеспечивают намного больший ток.Лучшая часть? Имея Vgs-threshold, совместимый с «логическим уровнем», Arduino может легко управлять ими с помощью своего выходного вывода 5,0 В. Благодаря этим свойствам я держу под рукой стопку FQP30N06.

FQP30N06L от Mouser

FPQ30N06L с Amazon

Заключение

Эти четыре транзистора общего назначения предназначены для широкого диапазона применений. Наличие пары каждого из них в коробке пригодится практически для любого проекта. Оставьте комментарий ниже, какие транзисторы вы держите под рукой.

Обновление : я добавил небольшую заметку о европейских альтернативах для NPN и PNP BJT.

Различия между транзисторами NPN и PNP и их создание

Как p-n-p, так и n-p-n транзисторы являются основными транзисторами, которые подпадают под категорию транзисторов с биполярным переходом. Они используются в различных схемах усиления и схемах модуляции. Наиболее частым из его применений является режим полного включения и выключения, называемый переключателем.

Транзисторы NPN и PNP представляют собой транзисторы с биполярным переходом и являются основным электрическим и электронным компонентом, который используется для создания многих электрических и электронных проектов. В работе этих транзисторов участвуют как электроны, так и дырки. Транзисторы PNP и NPN допускают усиление тока. Эти транзисторы используются как переключатели, усилители или генераторы. Транзисторы с биполярным переходом можно найти в большом количестве в виде частей интегральных схем или в виде дискретных компонентов.В транзисторах PNP основными носителями заряда являются дырки, тогда как в транзисторах NPN электроны являются основными носителями заряда. Но полевые транзисторы имеют только один тип носителя заряда.

В основе формирования этих транзисторов лежат диоды с p-n переходом. Как и в транзисторах n-p-n, n-типы являются в большинстве своем, поэтому они включают избыточное количество электронов в качестве носителей заряда. В p-n-p транзисторах есть два p-типа, в результате чего большинство носителей заряда представляют собой дырки.

Основное различие между транзисторами NPN и PNP заключается в том, что транзистор NPN включается, когда ток течет через базу транзистора. В этом типе транзистора ток течет от коллектора (C) к эмиттеру (E). Транзистор PNP включается, когда на базе транзистора нет тока. В этом транзисторе ток течет от эмиттера (E) к коллектору (C). Таким образом, зная это, транзистор PNP включается низким сигналом (земля), а транзистор NPN включается высоким сигналом (током). .

Разница между транзисторами NPN и PNP и их изготовление

Транзистор PNP

Транзистор PNP – это транзистор с биполярным переходом; В транзисторе PNP первая буква P указывает полярность напряжения, необходимого для эмиттера; вторая буква N указывает полярность цоколя. Работа транзистора PNP прямо противоположна работе транзистора NPN. В транзисторах этого типа большинство носителей заряда – дырки. По сути, этот транзистор работает так же, как транзистор NPN.Материалы, которые используются для изготовления выводов эмиттера, базы и коллектора в транзисторе PNP, отличаются от материалов, используемых в транзисторе NPN. Схема смещения транзистора PNP показана на рисунке ниже. Клеммы база-коллектор PNP-транзистора всегда имеют обратное смещение, поэтому для коллектора необходимо использовать отрицательное напряжение. Следовательно, вывод базы PNP-транзистора должен быть отрицательным по отношению к выводу эмиттера, а коллектор должен быть отрицательным, чем база.

Изготовление транзистора PNP

Конфигурация транзистора PNP показана ниже. Характеристики транзисторов PNP и NPN аналогичны, за исключением того, что смещение направления напряжения и тока меняются местами для любой из трех возможных конфигураций, таких как общая база (CB), общий эмиттер (CE) и общий коллектор (CC). .Напряжение между базой и выводом эмиттера VBE отрицательное на выводе базы и положительное на выводе эмиттера, потому что для транзистора PNP вывод базы всегда смещен отрицательно по отношению к эмиттеру.Кроме того, напряжение эмиттера положительно по отношению к коллектору (VCE).

Источники напряжения подключены к транзистору PNP, который показан на рисунке. Эмиттер подключен к Vcc с помощью RL, этот резистор ограничивает максимальный ток, протекающий через устройство, которое подключено к клемме коллектора. Базовое напряжение VB подключено к базовому резистору RB, который смещен отрицательно по отношению к эмиттеру. Чтобы ток базы протекал через PNP-транзистор, клемма базы должна быть более отрицательной, чем клемма эмиттера, примерно на 2,8%.0,7 В или устройство Si.

Основное различие между PNP и PN-транзисторами заключается в правильном смещении переходов транзистора; направления тока и полярности напряжения всегда противоположны друг другу.

Основы P-N-P

Транзисторы p-n-p сформированы с n-типом, присутствующим между p-типами. Большинство носителей, ответственных за генерацию тока, в этом транзисторе являются дырками. Рабочая операция аналогична работе n-p-n.Но приложения напряжений или токов с точки зрения полярности различаются.

Транзистор NPN

Транзистор NPN представляет собой транзистор с биполярным переходом. В транзисторе NPN первая буква N указывает на отрицательно заряженный слой материала, а P указывает на положительно заряженный слой. Эти транзисторы имеют положительный слой, который расположен между двумя отрицательными слоями. Транзисторы NPN обычно используются в схемах для переключения, усиления электрических сигналов, которые проходят через них.Эти транзисторы содержат три вывода, а именно базу, коллектор и эмиттер, и эти выводы соединяют транзистор с печатной платой. Когда ток протекает через NPN-транзистор, клемма базы транзистора получает электрический сигнал, коллектор создает более сильный электрический ток, чем тот, который проходит через базу, и эмиттер передает этот более сильный ток на остальную часть схемы. В этом транзисторе ток течет через вывод коллектора к эмиттеру.

Обычно этот транзистор используется потому, что его очень легко изготовить. Для правильной работы NPN-транзистора он должен быть сформирован из полупроводникового материала, который пропускает электрический ток, но не в максимальном количестве, как у очень проводящих материалов, таких как металл. «Si» – один из наиболее часто используемых полупроводников, а транзисторы NPN – самые простые транзисторы, которые можно сделать из кремния. Применение транзистора NPN находится на печатной плате компьютера. Компьютеры нуждаются в том, чтобы вся их информация была переведена в двоичный код, и этот процесс достигается с помощью множества маленьких переключателей на печатных платах компьютеров.Для этих переключателей можно использовать транзисторы NPN. Мощный электрический сигнал включает переключатель, а отсутствие сигнала выключает его.

Изготовление NPN-транзистора

Конструкция NPN-транзистора показана ниже. Напряжение на выводе базы положительное, а на выводе эмиттера – отрицательное из-за транзистора NPN. Вывод базы всегда положительный по отношению к выводу эмиттера, а также напряжение питания коллектора положительно относительно вывода эмиттера.В NPN-транзисторе коллектор подключен к VCC через нагрузочный резистор RL. Этот нагрузочный резистор ограничивает ток, протекающий через максимальный ток базы. В этом транзисторе движение электронов через вывод базы, составляющее действие транзистора. Основная особенность действия транзистора – связь между входными и выходными цепями. Потому что усилительные свойства транзистора проистекают из последующего управления, которое база применяет к коллектору для эмиттерного тока.

Транзистор – это устройство, работающее от тока. Когда транзистор включен, большой ток IC протекает между коллектором и эмиттером внутри транзистора. Однако это происходит только тогда, когда через базовый вывод транзистора протекает небольшой ток смещения Ib. Это биполярный транзистор NPN; ток – это отношение этих двух токов (Ic / Ib), которое называется коэффициентом усиления постоянного тока устройства и обозначается символом «hfe» или в настоящее время beta. Значение бета может быть большим, вплоть до 200 для стандартных транзисторов, и именно это соотношение между Ic и Ib делает транзистор полезным усилителем.Когда этот транзистор используется в активной области, то Ib обеспечивает вход, а Ic обеспечивает выход. Бета не имеет единиц, так как это соотношение.

Коэффициент усиления транзистора по току от коллектора до эмиттера называется альфа, то есть Ic / Ie, и он является функцией самого транзистора. Поскольку ток эмиттера Ie является суммой небольшого тока базы и большого тока коллектора, значение альфа очень близко к единице, а для типичного сигнального транзистора малой мощности это значение находится в диапазоне примерно от 0.950 до 0,999.

Разница между NPN и PNP транзисторами:

Транзисторы с биполярным переходом представляют собой трехполюсные устройства, изготовленные из легированных материалов, часто используемых в приложениях для усиления и переключения. По сути, в каждом BJT есть пара диодов с PN переходом. Когда пара диодов соединяется, образуется сэндвич, который помещает полупроводник между двумя этими типами. Таким образом, существует только два типа биполярных сэндвичей, а именно PNP и NPN.В полупроводниках NPN имеют характерно более высокую подвижность электронов по сравнению с подвижностью дырок. Следовательно, он пропускает большой ток и работает очень быстро. Кроме того, этот транзистор легко сделать из кремния.

• Транзисторы PNP и NPN состоят из разных материалов, и ток в этих транзисторах также отличается.
• В транзисторе NPN ток течет от коллектора (C) к эмиттеру (E), тогда как в транзисторе PNP ток течет от эмиттера к коллектору.
• Транзисторы PNP состоят из двух слоев материала P с прослоенным слоем из N. Транзисторы NPN состоят из двух слоев материала N и зажаты одним слоем материала P.
• В NPN-транзисторе положительное напряжение подается на вывод коллектора, чтобы создать ток от коллектора к PNP-транзистору, положительное напряжение подается на вывод эмиттера, чтобы создать ток от эмиттера к коллектору.
• Принцип работы NPN-транзистора таков, что когда вы увеличиваете ток на клемме базы, транзистор включается, и он полностью проводит от коллектора к эмиттеру.Когда вы уменьшаете ток на клемме базы, транзистор включается меньше, и пока ток не станет настолько низким, транзистор больше не будет проводить через коллектор к эмиттеру и выключится.
• Принцип работы PNP-транзистора таков, что когда на базовом выводе транзистора присутствует ток, транзистор закрывается. Когда на клемме базы транзистора PNP нет тока, транзистор включается.

Это все о разнице между транзисторами NPN и PNP, которые используются для создания многих электрических и электронных проектов.Кроме того, любые вопросы, касающиеся этой темы или проектов в области электротехники и электроники, вы можете оставить, оставив комментарий в разделе комментариев ниже.

Сравнение транзисторов N-P-N и P-N-P

1). В этом присутствует большинство n-типов.
1). В нем присутствует большинство материалов p-типа.

2). Большинство концентраций носителей – электроны.
2). Большинство концентраций носителей в транзисторах этого типа – дырочные.

3). В этом случае, если на клеммную базу подается повышенный ток, транзистор переключается в режим ВКЛ.
3). В этом случае при малых значениях токов транзистор включен. В противном случае при больших значениях токов транзисторы выключены.

4). Символьное представление транзистора n-p-n:

Символ транзистора N-P-N

4). Символьное представление транзистора p-n-p:

Символ транзистора P-N-P

5).В транзисторе n-p-n протекание тока очевидно от коллектора к выводам эмиттера.
5). В p-n-p-транзисторе поток тока можно увидеть от выводов эмиттера к коллектору.

6). В этом транзисторе стрелка указывает.
6). В этом транзисторе стрелка всегда указывает внутрь.

Стрелки на транзисторах n-p-n и p-n-p показывают основные различия между транзисторами. Стрелка в n-p-n направлена ​​в сторону эмиттера, тогда как для p-n-p стрелка направлена ​​в обратном направлении.В обоих случаях стрелка указывает направление потока тока.

Следовательно, конструкция n-p-n и p-n-p проста. Управление будет таким же, но полярности смещения будут разными. Теперь, после обсуждения основ n-p-n и p-n-p, можете ли вы сказать, какой из них предпочтительнее во время амплификации и почему?

Фото:

• Транзистор NPN и PNP от ggpht
• Транзистор PNP от wikimedia
• Создание транзистора PNP с помощью electronics-tutorials

Транзистор PNP – как это работает?

Транзистор PNP для многих является загадкой.Но этого не должно быть. Если вы хотите разрабатывать схемы с транзисторами, действительно стоит знать об этом типе транзисторов.

Например: Хотите, чтобы свет автоматически включался, когда стемнеет? Транзистор PNP облегчит вам задачу.

В своей статье, как работают транзисторы, я объяснил, как работает стандартный транзистор NPN . Если вы еще этого не сделали, я действительно настоятельно рекомендую вам сначала прочитать эту статью.

Если вы разбираетесь в транзисторе NPN , вам будет легче понять транзистор PNP .Они работают примерно одинаково, с одним существенным отличием: токи в транзисторе PNP протекают в направлении, противоположном токам в транзисторе NPN.

Примечание. Этот раздел намного проще, если вы понимаете, какие токи протекают и какие напряжения.

Как работают транзисторы PNP

Транзистор PNP имеет те же названия ножек, что и NPN:

PNP-транзистор «включается», когда у вас есть небольшой ток, идущий от эмиттера к базе транзистора.Когда я говорю «включить», я имею в виду, что транзистор открывает канал между эмиттером и коллектором. И этот канал может нести гораздо больший ток.

Для обеспечения протекания тока от эмиттера к базе необходима разница напряжений около 0,7 В. Поскольку ток идет от эмиттера к базе, база должна быть на 0,7 В ниже, чем эмиттер.

Устанавливая базовое напряжение PNP-транзистора на 0,7 В ниже, чем у эмиттера, вы «включаете транзистор» и позволяете току течь от эмиттера к коллектору.

Я знаю, что это может показаться немного запутанным, поэтому читайте дальше, чтобы узнать, как можно разработать схему с транзистором PNP.

Пример: схема транзистора PNP

Давайте посмотрим, как создать простую схему на транзисторе PNP. С помощью этой схемы вы можете использовать для включения светодиода, когда он темнеет.

Шаг 1. Излучатель

Прежде всего, чтобы включить транзистор PNP, вам необходимо, чтобы напряжение на базе было на ниже , чем на эмиттере. Для такой простой схемы обычно подключают эмиттер к плюсу источника питания.Таким образом, вы будете знать, какое напряжение у вас на эмиттере.

Шаг 2. Что вы хотите контролировать

Когда транзистор включается, ток может течь от эмиттера к коллектору. Итак, давайте подключим то, что мы хотим контролировать: светодиод. Поскольку к светодиоду всегда должен быть включен резистор, давайте добавим резистор.

Вы можете заменить светодиод и резистор на все, что хотите.

Шаг 3. Транзисторный вход

Для включения светодиода нужно включить транзистор, чтобы открылся канал от эмиттера к коллектору.Чтобы включить транзистор, вам нужно, чтобы напряжение на базе было на 0,7 В ниже, чем на эмиттере, что составляет 9 В – 0,7 В = 8,3 В.

Например, теперь вы можете включить светодиод, когда он темнеет, используя фоторезистор и стандартный резистор, настроенный как делитель напряжения.

Напряжение на базе не будет вести себя точно так, как вам говорит формула делителя напряжения. Это связано с тем, что транзистор тоже влияет на напряжение.

Но в целом, когда номинал фоторезистора большой (нет света), напряжение будет близко к 8.3V и транзистор включен (что включает светодиод). Когда номинал фоторезистора низок (присутствует много света), напряжение будет близко к 9 В и отключит транзистор (который отключает светодиод).

Что контролирует базовое напряжение?

Вы можете спросить: «Как фоторезистор и резистор на базе волшебным образом создали правильное напряжение 8,3 В в темноте?»

Отчасти потому, что эмиттер и база составляют диод. И диод всегда пытается накапливать напряжение на своем диоде.Этот конкретный диод имеет диодное напряжение около 0,7 В. А 8,3 В на 0,7 В меньше 9 В.

Но это также отчасти потому, что размер фоторезистора и резистора на базе устанавливает напряжение в правильном диапазоне.

Проверьте мою схему

Вот видео схемы в действии:

В этом видео я использовал транзистор BC557 PNP. Это один из транзисторов, который Джеймс Льюис рекомендует в своей статье о 4 лучших транзисторах, которые следует держать в комплекте деталей.

Фоторезистор, который я использовал, имеет сопротивление около 10 кОм, когда он светлый, и 1 МОм, когда он темный. Резистор на базе транзистора представляет собой резистор 100 кОм. Светодиод является стандартным выходным светодиодом. И резистор, включенный последовательно со светодиодом, составляет 470 Ом.

Если у вас есть какие-либо вопросы или комментарии, дайте мне знать в поле для комментариев ниже!

Что такое транзистор PNP? – Определение, символ, конструкция и работа

Определение: Транзистор, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа, такого типа транзистор, известен как транзистор PNP.Это устройство, управляемое током. Небольшая величина базового тока контролировала как эмиттерный, так и коллекторный ток. Транзистор PNP имеет два кристаллических диода, соединенных спина к спине. Левая сторона диода известна как диод эмиттер-база, а правая сторона диода известна как диод коллектор-база.

Отверстие является основным носителем транзисторов PNP, которые составляют в нем ток. Ток внутри транзистора формируется из-за изменения положения отверстий, а в выводах транзистора – из-за потока электронов.Транзистор PNP включается, когда через базу протекает небольшой ток. Направление тока в транзисторе PNP – от эмиттера к коллектору.

Буква PNP-транзистора указывает напряжение, требуемое для эмиттера, коллектора и базы транзистора. База PNP-транзистора всегда была отрицательной по отношению к эмиттеру и коллектору. В транзисторе PNP электроны отбираются с клеммы базы. Ток, который входит в базу, усиливается на концах коллектора.

Обозначение транзистора PNP

Обозначение транзистора PNP показано на рисунке ниже. Стрелка внутрь показывает, что направление тока в транзисторе PNP – от эмиттера к коллектору.

Конструкция транзистора PNP

Конструкция транзистора PNP показана на рисунке ниже. Переход эмиттер-база подключен с прямым смещением, а переход коллектор-база подключен с обратным смещением. Эмиттер, который подключен в прямом смещении, притягивает электроны к батарее и, следовательно, составляет ток, протекающий от эмиттера к коллектору.

База транзистора всегда положительна по отношению к коллектору, так что отверстие от коллекторного перехода не может войти в базу. И база-эмиттер удерживается впереди, благодаря чему отверстия из области эмиттера входят в базу, а затем в область коллектора, пересекая область истощения.

Работа транзистора PNP

Переход эмиттер-база соединен с прямым смещением, из-за чего эмиттер проталкивает отверстия в области базы.Эти отверстия составляют эмиттерный ток. Когда эти электроны перемещаются в полупроводниковый материал или основу N-типа, они объединяются с электронами. База транзистора тонкая и очень слабо легированная.