Pnp принцип работы транзистор: PNP-транзистор: структура, принцип работы, применение

9 фактов о транзисторе PNP: схема, работа, применение, минусы

Существуют Два типа стандартных биполярных транзисторов, а именно Транзисторы PNP и NPN. В этой статье мы подробно рассмотрим одну из них, а именно PNP.

• Определение транзистора PNP
• Обозначение транзистора PNP
• Диаграмма
• Конфигурация
• Принцип работы
• Приложения
• Преимущества недостатки
• PNP-транзистор как переключатель
• PNP против транзистора NPN

Определение транзистора PNP

«ПНП Транзистор типа BJT построен путем слияния полупроводника N-типа между двумя полупроводниками P-типа».

Схема транзистора PNP:

Транзистор состоит из трех секций:

• E-излучатель
• B-база
• C-коллектор

Что касается работы трех выводов транзистора PNP,

• Эмиттер используется для подачи носителей заряда в коллектор через область базы.
• Область коллектора собирает большинство носителей заряда, испускаемых в эмиттере.
• База, используемая для управления количеством тока, проходящего через эмиттер в коллектор.

Обозначение транзистора PNP

Обозначение транзистора PNPГде, E = излучатель, B = база, C = коллектор

Средний уровень (N-тип) называется терминалом B-Base. Левосторонний слой P-типа работает как вывод E-Emitter, а правый слой P-типа, известный как вывод C-Collector.

PNP транзистор

В формировании транзистора NPN один полупроводниковый материал P-типа помещается между двумя полупроводниками N-типа, как объясняется в статье (Link NPN транзистор). В то время как в транзисторе PNP один полупроводник N-типа помещается между двумя полупроводниковыми материалами P-типа.

В PNP-транзисторе два типы диодов используются. Это соответственно PN и NP диод. Эти диоды с переходом PN называются переходом коллектор-база или переход CB и переход база-эмиттер или переход BE.

В полупроводниковом материале P-типа носителями заряда в первую очередь являются дырки. Таким образом, в этом транзисторе формирование тока происходит только за счет движения отверстий.

Области эмиттера и коллектора (P-типа) сравнительно легированы больше, чем база N-типа. Области Эмиттерной и Коллекторной областей шире по сравнению с базой.

Обычно в полупроводнике N-типа доступно больше свободных электронов. Но ширина среднего слоя в этом случае уже и слегка легирована.

Подключение транзистора, кредит изображения – С. Бланк, PNP транзистор, CC BY-SA 4.0

Принцип работы транзистора PNP

Пересечение эмиттера и базы связано со смещением пересылки. Наряду с положительной клеммой источника напряжения (В_CB) соединен со всеми терминалами Base (тип N), а терминал -ve соединен со всеми терминалами коллектора (тип P). Следовательно, пересечение коллектор-база связано с обратным смещением.

В результате этого смещения площадь истощения в EB-соединении меньше, поскольку это связано с смещением пересылки. Несмотря на то, что соединение CB имеет обратное смещение, область истощения на соединении коллектор-база достаточно широкая. Переход EB имеет прямое смещение. Следовательно, через область истощения от эмиттеров перемещается больше дырки, которая действует как вход в базу. В то же время небольшое количество электронов переносится в эмиттер в базе и рекомбинируется с дырками.

Но количество электронов в основании минимально, так как это менее легированная и узкая область. Следовательно, почти все дыры эмиттерных областей пройдут через область истощения и перенесутся в Базовые области.

Ток будет проходить через переход EB. Это ток эмиттера (I_E). Так что я_C, ток коллектора будет проходить через слои коллектор-база из-за дыр.

Схема транзистора PNP

Схема транзистора PNP

Когда PNP транзистор связан с источниками напряжения, ток базы будет проходить через транзистор. Даже небольшое количество присутствующей базы контролирует циркуляцию огромного количества тока через эмиттер к коллектору, питающему базу. напряжение больше -ве по сравнению к напряжению эмиттера.

Когда V_B базовое напряжение не -ve по сравнению с V_E напряжение эмиттера, ток не может проходить в цепи. Таким образом, необходимо обеспечить подачу напряжения обратного смещения> 0.72 Вольт.

Резисторы R_L и R_B включены в цепь. Это ограничивает ток, проходящий через максимально возможную высоту транзистора.

Напряжение эмиттера V_EB как входная сторона. Здесь ток эмиттера (I_E) течет со стороны входа и течет в двух направлениях; один я_B а другое это я_C.

I_E= Я_B+ Я_C

Но только от 2 до 5% от общего тока протекает в I_B, так что я_B незначительно.

Преимущества транзистора PNP

• Небольшой по размеру и может использоваться как часть конструкции ИС.
• Сравнительно дешевая, долговечная и более простая схема.
• Доступны спонтанные действия
• Низкое напряжение питания и меньшая выходная мощность импеданс.
• Производят меньше шума, чем транзисторы NPN.

Недостатки транзистора PNP

• Не подходит для работы в высокочастотном приложении.
• Медленнее по сравнению с NPN.
• Температурная чувствительность и возможность повреждения во время теплового разгона.

Применение транзисторов PNP:

• Транзисторы PNP используются в качестве переключателей, т. Е. Аналоговых переключателей, аварийных кнопок и т. Д. Они используются, когда требуется аварийное отключение.
• Эти типы транзисторов используются в схемах источников тока, т. Е. За счет использования характеристик тока, вытекающего из коллектора.
• Он применяется в усиливающий схем.
• Они используются в парных схемах Дарлингтона.
• Транзисторы типа PNP используются в тяжелых двигателях для управления током и в различных приложениях для разработки роботов и микроконтроллеров.

PNP-транзистор как переключатель

Когда переключатель находится в положении ON, ток будет проходить через цепь, а также вести себя как замкнутая цепь. Транзистор представляет собой аналоговую схему на основе силовой электроники с характеристиками переключения, которые могут работать как обычные переключатели.

Как мы наблюдали при работе PNP-транзистора, когда базовое напряжение не превышает –ve, чем V_E, ток не сможет пройти через цепь. Таким образом, V_B составляет не менее 0.72 В в цепи обратного смещения для работы транзистора.

Итак, если V_B 0 или> 0.72 В, ток не будет проходить и работать как разомкнутый переключатель.

PNP против транзистора NPN

PNP транзистор	NPN транзистор
PNP означает положительно-отрицательно-положительные транзисторы.	Транзистор NPN означает отрицательно-положительно-отрицательный транзистор.
Транзистору PNP необходим отрицательный ток от базы к эмиттеру.	Транзистору NPN необходим положительный ток от базы к эмиттеру.
Транзистор PNP получает положительное напряжение на выводе эмиттера. Это положительное напряжение позволяет от эмиттера тока к коллектору.	Транзистор NPN получает положительное напряжение на клемме коллектора. Это + ve позволяет току течь от коллектора к эмиттеру.

В случае транзистора PNP ток направляется от эмиттера к базе. После включения транзистора ток проходит через эмиттер на коллектор.  Когда ток подается от базы транзистора к эмиттеру в NPN-транзисторе, на базу транзистора подается положительное напряжение, а на эмиттер поступает импульс. отрицательное напряжение. Таким образом, ток течет в базу. Когда от базы к эмиттеру протекает достаточный ток, транзистор включается и направляет ток от коллектора к эмиттеру, а не от базы к эмиттеру.

Узнать больше о электроника нажмите здесь.

Январь 2023 ᐈ 🔥 (+24 фото) Как работает PNP-транзистор на примере

Содержание

1. Как работает PNP-транзистор на примере: поясняю простым языком
2. Как работают транзисторы PNP?
3. Пример: транзисторная схема PNP
4. Шаг 1: Эмиттер
5. Шаг 2: что вы хотите контролировать
6. Шаг 3: Транзисторный вход
7. Что такое транзистор?
8. Из чего состоит транзистор?
9. P и N полупроводники
10. Подключение транзисторов для управления мощными компонентами
11. Базовый принцип работы
12. Обозначение на схемах
13. Виды транзисторов
14. Полевые
15. Биполярные
16. Комбинированные
17. Как работает транзистор (картинка с анимацией – видео)
18. Схема подключения транзисторов npn pnp (полевых транзистор)
19. Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой
20. Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером
21. PNP-транзистор: подключение источников напряжения
22. Работа PNP-транзисторного каскада
23. Применение транзисторов PNP

Транзистор PNP для многих загадка. ✨ Но так не должно быть. Если вы хотите проектировать схемы 📐 с транзисторами, то безусловно нужно знать 🧠 об этом типе транзисторов.

Как работает PNP-транзистор на примере: поясняю простым языком

Пример: Хотите автоматически включить свет, когда стемнеет транзистор PNP сделает это легко для вас.

Если вы понимаете работу NPN – транзистора, то это облегчит понимание PNP-транзистора. Они работают примерно так же, с одним существенным отличием: токи в транзисторе PNP протекают в противоположных направлениях, если сравнивать с протеканием токов в транзисторе NPN.

Как работают транзисторы PNP?

Транзистор PNP имеет те же выводы, что и NPN:

• База
• Эмиттер
• Коллектор

Транзистор PNP «включится», когда у вас будет небольшой ток, протекающий от эмиттера к базе. Когда я говорю «включится», я имею в виду, что транзистор откроет канал между эмиттером и коллектором. И через этот канал сможет протекать уже гораздо больший ток.

Чтобы ток протекал от эмиттера к базе, вам нужно напряжение около 0,7 В. Поскольку ток идет от эмиттера к базе, база должна иметь напряжение на 0,7 В ниже, чем напряжение на эмиттере.

Установив напряжение на базе PNP-транзистора на 0,7 В ниже, чем на эмиттере, вы «включаете транзистор» и позволяете току течь от эмиттера к коллектору.

Я знаю, что это может звучать немного запутанно, поэтому читайте дальше, чтобы увидеть, как можно спроектировать схему с транзистором PNP.

Пример: транзисторная схема PNP

Давайте посмотрим, как создать простую схему с транзистором PNP. С помощью этой схемы вы можете “зажечь” светодиод, когда стемнеет.

Шаг 1: Эмиттер

Прежде всего, чтобы включить PNP-транзистор, нужно, чтобы напряжение на базе было ниже, чем на эмиттере. Для этого подключите эмиттер к плюсу вашего источника питания. Таким образом, вы знаете, какое у вас напряжение на эмиттере.

Шаг 2: что вы хотите контролировать

Когда транзистор включается, ток течет от эмиттера к коллектору. Итак, давайте подключим то, что мы хотим контролировать: а именно светодиод.

Поскольку у светодиода всегда должен быть последовательно установлен резистор , давайте добавим и резистор.

Шаг 3: Транзисторный вход

Для включения светодиода необходимо включить транзистор, чтобы канал от эмиттера к коллектору открылся. Чтобы включить транзистор, необходимо, чтобы напряжение на базе было на 0,7 В ниже, чем на эмиттере, что составляет 9 В – 0,7 В = 8,3 В.

Например, теперь вы можете включить светодиод, когда стемнеет, используя фоторезистор и стандартный резистор, настроенный в качестве делителя напряжения.

Напряжение на базе не будет вести себя точно так, как говорит формула делителя напряжения. Это потому, что транзистор тоже влияет на напряжение.

Но в целом, когда значение сопротивления фоторезистора велико (нет света), напряжение будет близко к 8,3 В, и транзистор включен (что включает светодиод). Когда значение фоторезистора низкое (много света присутствует), напряжение будет близко к 9 В и отключит транзистор (который выключит светодиод).

Что такое транзистор?

Транзистор – это (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление) радиоэлектронный компонент, способный усиливать слабые электрические сигналы. Все, пока на этом хватит… Дальше интереснее.

Из чего состоит транзистор?

Как вы знаете, все мы из чего-то состоим. Люди состоят из мяса, воды и костей. А некоторые состоят вообще из другого материала, поэтому не тонут в воде ))). Так и наш транзистор — он тоже из чего-то состоит. Но из чего?

Как вы все знаете, материалы делятся на проводники и диэлектрики, а между ними находятся полупроводники. Еще раз напомню вам, что проводники прекрасно проводят электрический ток, диэлектрики не проводят электрический ток, а вот полупроводники проводят электрический ток, но очень плохо.

«И зачем нам нужен этот полупроводниковый материал?» — спросите вы. Сам по себе материал полупроводник с практической точки зрения не представляет никакого интереса, но вот когда в него добавить малюсенькую долю некоторых элементов из таблицы Менделеева, по-научному «пролегировать», то мы получим полупроводниковый материал, но с очень странными свойствами.

Самым знаменитым полупроводником является кремний

и германий

Как вы видите, они мало чем отличаются.

Кремний составляет почти 30% (!) земной коры, германий 1.5х10-4% . Может быть поэтому полупроводниковые радиоэлементы очень дешевые, особенно из кремния?

P и N полупроводники

Когда в кремний добавляют мышьяк, получается так, что в кремнии стает очень много свободных электронов. А материалы, в которых очень много свободных электронов, мы уже называем проводниками. Следовательно, кремний, после легирования (смешивания) с мышьяком превращается из полупроводника в очень хороший проводник. Электроны обладают отрицательным зарядом, и их в полупроводнике как песчинок в пустыне, значит такой полупроводник будем называть полупроводником N-типа. N — от англ. Negative — отрицательный.

А вот если пролегировать кремний с индием, то мы получим очень забавную вещь… В первом случае у нас появились лишние электроны, которые превратили полупроводник в проводник. Но здесь ситуация абсолютно противоположная. Представьте себе, как это бы странно не звучало, электрон с положительным зарядом. Да да, именно так. Но самое-самое интересное знаете что? Его не существует! Он как бы есть, но его как бы нет))).

Это все равно, что магнитное, электрическое или гравитационное поле. Оно существует, но мы его не видим.

Такой «электрон» мы будем называть дыркой. Так как дырка обладает положительным зарядом, то полупроводниковый материал в котором очень-очень много этих дырок, мы будем называть полупроводником P-типа. P — от англ. Positive — положительный.

По отдельности полупроводники P и N типа не представляют никакого интереса. Все самое интересное начинается тогда, когда они спаиваются с друг другом и образуется PN-переход.

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.

Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:

Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.

Обратите внимание на токоограничивающий резистор R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля. Главное — не превысить допустимый ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

здесь Ud — это падение напряжения на самом транзисторе. Оно зависит от материала из которого он изготовлен и обычно составляет 0.3 – 0.6 В.

Но совершенно не обязательно держать ток на пределе допустимого. Необходимо лишь, чтобы показатель gain транзистора позволил управлять необходимым током. В нашем случае — это 100 мА. Допустим для используемого транзистора hfe = 100, тогда нам будет достаточно управляющего тока в 1 мА

Нам подойдёт резистор номиналом от 118 Ом до 4.7 кОм. Для устойчивой работы с одной стороны и небольшой нагрузки на чип с другой, 2.2 кОм — хороший выбор.

Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:

это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET позволяет управлять очень мощными компонентами.

Базовый принцип работы

В состоянии покоя между коллектором и эмиттером биполярного триода ток не протекает. Электрическому току препятствует сопротивление эмиттерного перехода, которое возникает в результате взаимодействия слоёв. Для включения транзистора требуется подать незначительное напряжение на его базу.

На рисунке показана схема, объясняющая принцип работы триода.

Управляя токами базы можно включать и выключать устройство. Если на базу подать аналоговый сигнал, то он изменит амплитуду выходных токов. При этом выходной сигнал точно повторит частоту колебаний на базовом электроде. Другими словами, произойдёт усиление поступившего на вход электрического сигнала.

Таким образом, полупроводниковые триоды могут работать в режиме электронных ключей или в режиме усиления входных сигналов.

Работу устройства в режиме электронного ключа можно понять из рисунка 3.

Обозначение на схемах

Общепринятое обозначение: «VT» или «Q», после которых указывается позиционный индекс. Например, VT 3. На более ранних схемах можно встретить вышедшие из употребления обозначения: «Т», «ПП» или «ПТ». Транзистор изображается в виде символических линий обозначающих соответствующие электроды, обведённые кружком или без такового. Направление тока в эмиттере указывает стрелка.

На рисунке 4 показана схема УНЧ, на которой транзисторы обозначены новым способом, а на рисунке 5 – схематические изображения разных типов полевых транзисторов.

Виды транзисторов

По принципу действия и строению различают полупроводниковые триоды:

• полевые;
• биполярные;
• комбинированные.

Эти транзисторы выполняют одинаковые функции, однако существуют различия в принципе их работы.

Полевые

Данный вид триодов ещё называют униполярным, из-за электрических свойств – у них протекает ток только одной полярности. По строению и типу управления эти устройства подразделяются на 3 вида:

1. Транзисторы с управляющим p-n переходом (рис. 6).
2. С изолированным затвором (бывают со встроенным либо с индуцированным каналом).
   МДП, со структурой: металл-диэлектрик-проводник.
   Отличительная черта изолированного затвора – наличие диэлектрика между ним и каналом.
3. Детали очень чувствительны к статическому электричеству.

Схемы полевых триодов показано на рисунке 5.

Обратите внимание на название электродов: сток, исток и затвор.

Полевые транзисторы потребляют очень мало энергии. Они могут работать больше года от небольшой батарейки или аккумулятора. Поэтому они нашли широкое применение в современных электронных устройствах, таких как пульты дистанционного управления, мобильные гаджеты и т.п.

Биполярные

Об этом виде транзисторов много сказано в подразделе «Базовый принцип работы». Отметим лишь, что название «Биполярный» устройство получило из-за способности пропускать заряды противоположных знаков через один канал. Их особенностью является низкое выходное сопротивление.

Транзисторы усиливают сигналы, работают как коммутационные устройства. В цепь коллектора можно включать достаточно мощную нагрузку. Благодаря большому току коллектора можно понизить сопротивление нагрузки.

Комбинированные

С целью достижения определённых электрических параметров от применения одного дискретного элемента разработчики транзисторов изобретают комбинированные конструкции. Среди них можно выделить:

• биполярные транзисторы с внедрёнными и их схему резисторами;
• комбинации из двух триодов (одинаковых или разных структур) в одном корпусе;
• лямбда-диоды – сочетание двух полевых триодов, образующих участок с отрицательным сопротивлением;
• конструкции, в которых полевой триод с изолированным затвором управляет биполярным триодом (применяются для управления электромоторами).

Комбинированные транзисторы – это, по сути, элементарная микросхема в одном корпусе.

Как работает транзистор (картинка с анимацией – видео)

Итак, теперь непосредственно о насущном. То есть о том, ради чего мы собственно и начали эту статью.

Самое сложное, что нам придется вам объяснить, так это то, что как раз и скрыто от глаз человека. Ведь движение тока в проводнике, в различного рода проводимости кристаллах, не посмотришь и не увидишь. Именно поэтому необходимо иметь большую фантазию и очень наглядное пособие, чтобы довести до вас принцип работы транзистора.

Есть и еще одно «но». Человек всегда привык строить какие-то эквивалентные системы, если непосредственно изучаемая система не дает ему полного представления, а самое главное наглядного примера о том, как же все-таки все устроено. Так и в нашем случае, взгляните на картинку…

Работа транзистора представлена в виде канала с управляемой средой, даже здесь два канала. В качестве каналов выступают контакты транзистора, а управляемой средой является ток. Управляя запорным клапаном на базе или затворе (маленький канал) мы тем самым открываем и большой канал, между эмиттером и коллектором или стоком и истоком. Именно этот большой канал и является нашей целью управления. Открывая маленький канал, мы открываем и большой! Вот главное правило работы транзистора. По-другому не бывает, по крайней мере, в нормальных режимах работы транзистора без пробоев. Управляющий клапан на базе, то есть малый канал открывается первым, тем самым провоцируя и открывание большого канала.

Не знаем, нужны ли вам другие описания почему именно так?

Если кратко, то потому что есть зоны запирания, есть сопротивления этих зон и изменения сопротивления в зависимости от потенциала, подаваемого на них. Конечно это не описывает особенностей работы транзистора полностью и подробно, но об этом мы вам и не обещали рассказать. Самое главное было рассказать о принципе срабатывания и показать это на наглядной картинке, что собственно мы и выполнили. Принцип работы в этом случае действителен для всех видов транзисторов о которых, мы упоминали в нашем предыдущем абзаце. А также, для того чтобы закрепить ваше визуально- ассоциативное мышление с реальной невидимой действительностью необходимо взглянуть и на нижний правый угол картинки.

На нем видно как в зависимости от пропуска тока, через контакты транзистора будут происходить и коммутации вокруг его выводов.

Схема подключения транзисторов npn pnp (полевых транзистор)

Теперь о том же самом, но на примере подключения транзистора в схеме. На входе имеется сигнал достаточный для свечения лампы (светодиода) даже с учетом сопротивления транзистора. Но если подать на управляющий вывод (затвор) запирающий потенциал, то сопротивление увеличиться и лампа погаснет.

* – гиф анимация описывает работу полевого транзистора, когда есть поле, которое и управляет проводимостью в элементе.

На самом деле это лишь один из примеров подключения транзистора. Вариаций его подключений великое множество. Здесь главное донести суть работы радиоэлемента, а не саму схему подключения.

Последнее о чем хотелось сказать в статье о принципах работы транзистора, так это о том, что база должна всегда оставаться чуть «зажата», то есть ограничена сопротивлением.

Это позволяет разграничить управляющий малый ток и большой управляемый. Если же убрать сопротивление, то ток будет течь по пути с наименьшим сопротивлением, то есть весь или преимущественно через базу… В этом случае теряется весь смысл транзистора, так как он ничем ни будет управлять, а будет просто пропускать через себя ток. При этом “большой” ток пойдет через базу и может еще и вывести его из строя, что нам совсем не нужно!

Из особенностей надо отметить несколько разные сферы применяемости транзисторов. NPN, PNP транзисторы способны открываться как бы постепенно, и быстродействие у них ниже. То есть они более подходят для аналоговых схем, а вот полевые срабатывают быстрее. При этом свойства статичного поля может быть использовано даже без подачи какого-либо напряжения на него, если это поле создать за счет подкладки, находящейся в зоне управления тоннелем по которому протекает ток. В итоге получается уже не транзистор, а ячейка памяти. Такие ячейки активно используются в современных SSD дисках.

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора IC (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.

По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора IC, так и ток эмиттера IE.

Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как IC немного меньше, чем IE. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с IE, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.

Полный ток эмиттера задается суммой двух токов IC и IB; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем IE = IC + IB.

В этой схеме ток базы IB просто «ответвляется» от тока эмиттера IE, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток IB, а NPN-типа – втекающий.

В третьей из известных схем включения транзисторов, с общим коллектором, ситуация точно такая же. Поэтому мы ее не приводим в целях экономии места и времени читателей.

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Источник напряжения между базой и эмиттером (VBE) подключается отрицательным полюсом к базе и положительным к эмиттеру, потому что работа PNP-транзистора происходит при отрицательном смещении базы по отношению к эмиттеру.

Напряжение питания эмиттера также положительно по отношению к коллектору (VCE). Таким образом, у транзистора PNP-типа вывод эмиттера всегда более положителен по отношению как к базе, так и к коллектору.

Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже.

На этот раз коллектор подключен к напряжению питания VCC через нагрузочный резистор, RL, который ограничивает максимальный ток, протекающий через прибор. Базовое напряжения VB, которое смещает ее в отрицательном направлении по отношению к эмиттеру, подано на нее через резистор RB, который снова используется для ограничения максимального тока базы.

Работа PNP-транзисторного каскада

Итак, чтобы вызвать протекание базового тока в PNP-транзисторе, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен покинуть базу) примерно на 0,7 вольт для кремниевого прибора или на 0,3 вольта для германиевого. Формулы, используемые для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора и представлены ниже.

Мы видим, что фундаментальным различием между NPN и PNP-транзистором является правильное смещение pn-переходов, поскольку направления токов и полярности напряжений в них всегда противоположны. Таким образом, для приведенной выше схеме: IC = IE – IB, так как ток должен вытекать из базы.

Как правило, PNP-транзистор можно заменить на NPN в большинстве электронных схем, разница лишь в полярности напряжения и направлении тока. Такие транзисторы также могут быть использованы в качестве переключающих устройств, и пример ключа на PNP-транзисторе показан ниже.

Применение транзисторов PNP

Транзисторы PNP используются в качестве переключателей, т. Е. Аналоговых переключателей, аварийных кнопок и т. Д. Они используются, когда требуется аварийное отключение.

Эти типы транзисторов используются в схемах источников тока, т. Е. За счет использования характеристик тока, вытекающего из коллектора.

• Применяется в схемах усиления.
• Они используются в парных схемах Дарлингтона.

Транзисторы типа PNP используются в тяжелых двигателях для управления током и в различных приложениях для разработки роботов и микроконтроллеров.

Ключи темы

1. пнп транзистор подключение
2. подключение pnp транзистора
3. как работает пнп транзистор
4. pnp транзистор схема подключения
5. управление pnp транзистором
6. работа pnp транзистора
7. pnp транзистор схема включения
8. открыть pnp транзистор
9. пнп переход транзистор
10. как подключить pnp транзистор
11. как работает транзистор pnp
12. транзистор pnp и npn разница
13. pnp транзистор токи
14. пнп переход
15. биполярный pnp транзистор схема
16. транзистор типа pnp
17. отличие pnp от npn
18. транзистор пнп типа
19. принцип работы пнп транзистора

Что такое транзистор PNP? – Определение, символ, конструкция и работа

Определение: Транзистор, в котором один материал n-типа легирован двумя материалами p-типа, такой тип транзистора известен как PNP-транзистор. Это устройство с текущим управлением. Небольшое количество тока базы контролировало как ток эмиттера, так и ток коллектора. Транзистор PNP имеет два кварцевых диода, соединенных встречно-параллельно. Левая сторона диода известна как диод эмиттер-база, а правая сторона диода известна как диод коллектор-база.

Отверстие является основным носителем PNP-транзисторов, которые составляют ток в нем. Ток внутри транзистора возникает из-за изменения положения отверстий, а в выводах транзистора из-за потока электронов. Транзистор PNP включается, когда через базу протекает небольшой ток. Направление тока в транзисторе PNP — от эмиттера к коллектору.

Буква PNP-транзистора указывает на напряжение, требуемое эмиттером, коллектором и базой транзистора. База PNP-транзистора всегда была отрицательной по отношению к эмиттеру и коллектору. В транзисторе PNP электроны берутся с базовой клеммы. Ток, поступающий в базу, усиливается в концах коллектора.

Обозначение транзистора PNP

Обозначение транзистора PNP показано на рисунке ниже. Стрелка, направленная внутрь, показывает, что ток в PNP-транзисторе направлен от эмиттера к коллектору.

Конструкция PNP-транзистора

Конструкция PNP-транзистора показана на рисунке ниже. Переход эмиттер-база подключен с прямым смещением, а переход коллектор-база подключен с обратным смещением. Эмиттер, который подключен в прямом смещении, притягивает электроны к батарее и, следовательно, представляет собой ток, протекающий от эмиттера к коллектору.

База транзистора всегда поддерживается положительной по отношению к коллектору, так что отверстие от коллекторного перехода не может войти в базу. А база-эмиттер удерживается вперед, за счет чего дырки из области эмиттера входят в базу, а затем в область коллектора, пересекая область обеднения.

Работа PNP-транзистора

Переход эмиттер-база включен с прямым смещением, из-за чего эмиттер проталкивает отверстия в области базы. Эти отверстия составляют эмиттерный ток. Когда эти электроны перемещаются в полупроводниковый материал или основу N-типа, они объединяются с электронами. База транзистора тонкая и очень слабо легированная. Следовательно, только несколько дырок объединяются с электронами, а остальные перемещаются к слою пространственного заряда коллектора. Отсюда развивается базовый ток.

Базовая область коллектора подключена с обратным смещением. Отверстия, которые собираются вокруг обедненной области, когда подвергаются воздействию отрицательной полярности, собираются или притягиваются коллектором. Это развивает ток коллектора. Полный ток эмиттера протекает через ток коллектора I _C .

Определение, конструкция, работа, схема и использование

Дом »Физика

Приянка Вагмаре | Обновлено: 8 июня 2022 г., 15:25 IST

0

Сохранить

Скачать публикацию в формате PDF

Транзистор — это полупроводниковый прибор. Это основной компонент во многих электрических цепях. Благодаря своей способности регулировать напряжение или ток, протекающий по цепи, он используется в качестве регулятора или переключающего компонента в цепях.

Его можно использовать для управления, усиления или генерации электрических сигналов. Большинство транзисторов состоят из полупроводников P- и N-типа. Транзистор PNP использует один слой полупроводника N-типа и два слоя полупроводника P-типа.

Читайте дальше, чтобы узнать больше о транзисторах PNP, их конструкции, принципе работы, использовании и чем они отличаются от транзисторов NPN с ответами на часто задаваемые вопросы.

PNP-транзистор

Как следует из названия, PNP-транзистор состоит из слоя полупроводника N-типа, расположенного между двумя полупроводниками P-типа.

Транзистор PNP, как показано на рисунке выше, имеет три вывода:

• Эмиттер
• Коллектор
• База

Излучатель — Излучатель — это секция, поставляющая большинство носителей заряда. Эмиттер всегда смещен вперед по отношению к базе. Эмиттер прижимает отверстия к основанию. Таким образом, обычный ток течет к базе от эмиттера.

Коллектор – Область коллектора, как следует из названия, собирает большую часть заряда. Переход коллектор-база всегда смещен в обратном направлении и слегка легирован.

База – Центральная часть транзистора известна как база. База образует две цепи: входную с эмиттером и выходную с коллектором. Он действует как устройство управления воротами.

Узнайте больше об электрическом сопротивлении здесь

Конструкция PNP-транзистора

Конструкция PNP-транзистора включает слой полупроводников N-типа между двумя слоями полупроводников P-типа.

Области эмиттера и коллектора сильно легированы по сравнению с базовыми областями. Следовательно, обедненная область на обоих стыках проникает в базовую область. Площадь слоя Emitter and Collector больше по сравнению с базовым слоем.

В области полупроводника N-типа базы доступно большое количество свободных электронов. Однако, поскольку ширина среднего слоя очень мала и слабо легирована, в базовой области присутствует значительно меньше свободных электронов.

Также читайте об электроэнергии здесь

Принцип работы транзистора PNP

Положительная клемма источника соединяется с клеммой эмиттера, а отрицательная клемма соединяется с базовой клеммой. Таким образом, переход эмиттер-база включен в прямом смещении. Точно так же положительная клемма второго источника соединяется с базовой клеммой, а отрицательная клемма соединяется с клеммой коллектора. Таким образом, переход Коллектор-База включен в обратном смещении.

Из-за типа смещения область истощения эмиттер-база узкая, а область истощения коллектор-база широкая.

Соединение эмиттер-база находится в прямом смещении, поэтому очень большое количество дырок из эмиттера пересекают область обеднения и входят в базу, но очень мало электронов входит в эмиттер из базы и рекомбинирует с дырками. Потери дырок в эмиттере должны быть равны количеству электронов, присутствующих в базовом слое, но количество электронов в базовом слое очень мало, потому что это очень слабо легированная и тонкая область. Таким образом, почти все дырки пересекают область истощения и входят в область основания. Благодаря этому движению электронов возникает ток. Это ток эмиттера (IE), а дырки составляют большинство носителей заряда в токе эмиттера.

Оставшиеся дырки, которые не рекомбинируют с электронами в Базе, отправляются в Коллектор. Ток коллектора (IC) также протекает из-за наличия отверстий.

Узнайте больше об электрическом потенциале здесь

Разница между NPN и PNP Transistor

NPN Transistor	PNP Transistor
3 Colles Transistor
3 Colles Transistor.	Ток течет из области эмиттера в область коллектора.
Слой полупроводника P-типа расположен между двумя слоями полупроводника N-типа.	Слой полупроводника N-типа расположен между двумя слоями полупроводника P-типа.
Транзистор находится во включенном состоянии, когда в области базы имеется большой ток.	Транзистор находится в положении ВКЛ, когда ток в области базы отсутствует.

Вам может быть интересно узнать о токе и электричестве

Использование PNP-транзистора

Применение PNP-транзистора:

• Они используются в качестве переключателей.
• Используется в цепях тяжелых двигателей
• В усилительных цепях.
• В робототехнике.

Надеюсь, что эта статья была полезной для передачи новых знаний. Вы можете ознакомиться с другими статьями по физике для лучшего понимания концепций. Чтобы узнать больше о таких интересных концепциях и их реальном использовании, следите за сайтом Testbook или в приложении Testbook. Загрузите приложение Testbook прямо сейчас!

Часто задаваемые вопросы о PNP-транзисторах

Q.1 Для чего используется PNP-транзистор?

Ans.1 Транзисторы PNP используются для различных приложений, таких как переключатели, усилительные схемы, тяжелые двигатели и другие схемы повседневного использования.

Q.2 Как PNP-транзистор работает в качестве переключателя?

Ans.2 Для использования транзистора PNP в качестве переключателя условия работы транзистора: нулевой входной базовый ток (IB), нулевой выходной ток коллектора (IC) и максимальное напряжение коллектора (VCE), которые привести к большому обедненному слою и отсутствию тока, протекающего через устройство. Поэтому транзистор переключается «Полностью ВЫКЛ».

В.3 Как проверить транзистор PNP?

Ответ 3 Для проверки типа транзистора NPN или PNP можно использовать цифровой мультиметр.

Q.4 Когда транзисторы PNP используются в качестве усилителя?

Ans.4 Транзисторы PNP используются в качестве усилителей только при необходимости. Транзисторы NPN предпочтительнее транзисторов PNP из-за их превосходных характеристик.

В.5 Каковы характеристики транзисторов PNP?

Ans.