Подключение pnp транзистора: Pnp транзистор схема включения

Содержание

Pnp транзистор схема включения

Транзистор — это полупроводниковый прибор, составленный из двух pn- переходов, как показано на рис. У транзистора три вывода: эмиттер, база и коллектор. Существуют два типа транзисторов: pnp -транзисторы рис. Рассмотрим транзистор npn -типа рис. Это обычный прямой ток рта-перехода, смещенного в прямом направлении.


Поиск данных по Вашему запросу:

Схемы, справочники, даташиты:

Прайс-листы, цены:

Обсуждения, статьи, мануалы:

Дождитесь окончания поиска во всех базах.

По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.

Содержание:

  • PNP-транзистор: схема подключения. Какая разница между PNP и NPN-транзисторами? Транзистор на схеме
  • Схемы включения биполярных транзисторов. Статические ВАХ
  • Основные схемы включения транзисторов
  • Как работает PNP транзистор
  • Биполярные транзисторы и схема их включения
  • Биполярный транзистор
  • Транзисторы: схема, принцип работы,​ чем отличаются биполярные и полевые

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: 24. PNP транзисторы и о неверном подключении светодиодов (Урок 21. Теория)

PNP-транзистор: схема подключения. Какая разница между PNP и NPN-транзисторами? Транзистор на схеме


Транзисторы подразделяются на биполярные и полевые. Каждый из этих типов имеет свой принцип работы и конструктивное исполнение, однако, общим для них является наличие полупроводниковых p-n структур.

Определение “биполярный” указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают участие носители заряда двух типов – электроны и дырки. Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов.

В транзисторе используются оба типа носителей — основные и неосновные, поэтому его называют биполярным. Биполярный транзистор состоит из трех областей монокристаллического полупроводника с разным типом проводимости: эмиттера, базы и коллектора. Каждый из переходов транзистора можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от этого различают три режима работы транзистора:. В режиме отсечки и режиме насыщения управление транзистором невозможно.

Эффективное управление транзистором осуществляется только в активном режиме. Этот режим является основным. Если на эмиттерном переходе напряжение прямое, а на коллекторном — обратное, то включение транзистора считают нормальным, при противоположной полярности — инверсным.

В нормальном режиме коллекторный p-n переход закрыт, эмиттерный — открыт.

Ток коллектора пропорционален току базы. При подключении эмиттера к отрицательному зажиму источника питания возникает эмиттерный ток I э. Так как внешнее напряжение приложено к эмиттерному переходу в прямом направлении, электроны преодолевают переход и попадают в область базы.

База выполнена из p-полупроводника, поэтому электроны являются для неё неосновными носителями заряда. Электроны, попавшие в область базы, частично рекомбинируют с дырками базы. Однако базу обычно выполняют очень тонкой из p-проводника с большим удельным сопротивлением малым содержанием примеси , поэтому концентрация дырок в базе низкая и лишь немногие электроны, попавшие в базу, рекомбинируют с её дырками, образуя базовый ток I б.

Большинство же электронов вследствие теплового движения диффузия и под действием поля коллектора дрейф достигают коллектора, образуя составляющую коллекторного тока I к.

Связь между приращениями эмиттерного и коллекторного токов характеризуется коэффициентом передачи тока. Как следует из качественного рассмотрения процессов, происходящих в биполярном транзисторе, коэффициент передачи тока всегда меньше единицы.

В рассмотренной схеме включения базовый электрод является общим для эмиттерной и коллекторной цепей. Такую схему включения биполярного транзистора называют схемой с общей базой, при этом эмиттерную цепь называют входной, а коллекторную — выходной.

Однако такую схему включения биполярного транзистора применяют очень редко. Различают схему включения с общей базой, общим эмиттером, общим коллектором. Схемы для p-n-p транзистора показаны на рисунках а, б, в:. В схеме с общей базой рис. На рисунке показаны: Е 1 — питание входной цепи, Е 2 — питание выходной цепи, U вх — источник усиливаемого сигнала. В качестве основной принята схема включения, в которой общим электродом для входной и выходной цепи является эмиттер схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером.

Для такой схемы входной контур проходит через переход база-эмиттер и в нем возникает ток базы:. Малое значение тока базы во входном контуре обусловило широкое применение схемы с общим эмиттером.

Как видно из рисунка, входная характеристика практически не зависит от напряжения U кэ. Выходные характеристики приблизительно равноудалены друг от друга и почти прямолинейны в широком диапазоне изменения напряжения U кэ. При росте коллекторного напряжения U к входная характеристика смещается в область больших напряжений U б. Это связано с тем, что вследствие модуляции ширины базы эффект Эрли уменьшается доля рекомбинационного тока в базе биполярного транзистора.

Напряжение U бэ не превышает 0,6…0,8 В. Превышение этого значения приведет к резкому увеличению тока, протекающего через открытый эмиттерный переход. В малосигнальном режиме работы транзистор может быть представлен четырехполюсником. Когда напряжения u 1 , u 2 и токи i 1 , i 2 изменяются по синусоидальному закону, связь между напряжениями и токами устанавливается при помощи Z, Y, h параметров.

Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, характеризуется четырьмя величинами: I б , U бэ , I к и U кэ.

Две из этих величин можно считать независимыми, а две другие могут быть выражены через них. Из практических соображений в качестве независимых удобно выбирать величины I б и U кэ.

В усилительных устройствах входными сигналами являются приращения входных напряжений и токов. В пределах линейной части характеристик для приращений U бэ и I к справедливы равенства:.

Для схемы с ОЭ коэффициенты записываются с индексом Э: h 11э , h 12э , h 21э , h 22э. Эти параметры характеризуют качество транзистора. Для увеличения значения h31 нужно либо уменьшить ширину базы W, либо увеличить диффузионную длину, что достаточно трудно. Для увеличения значения h 21 соединяют биполярные транзисторы по схеме Дарлингтона:.

Коллекторы обоих транзисторов соединены и этот вывод является выводом составного транзистора. Выразим связь между изменением тока базы dI б и вызванным вследствие этого изменением тока коллектора dI к составного транзистора следующим образом:. Отметим особенности режима работы таких транзисторов. Поскольку эмиттерный ток VT2 Iэ2 является базовым током VT 1 dI б1 , то, следовательно, транзистор VT 2 должен работать в микромощном режиме, а транзистор VT 1 — в режиме большой инжекции, их эмиттерные токи отличаются на порядка.

При таком неоптимальном выборе рабочих характеристик биполярных транзисторов VT 1 и VT 2 не удается в каждом из них достичь высоких значений усиления по току. Высокие значения коэффициента усиления в составных транзисторах реализуются только в статистическом режиме, поэтому составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей.

В схемах на высоких частотах составные транзисторы уже не имеют таких преимуществ, наоборот, и граничная частота усиления по току, и быстродействие составных транзисторов меньше, чем эти же параметры для каждого из транзисторов VT 1 , VT 2 в отдельности. Процесс распространения инжектированных в базу неосновных носителей заряда от эмиттерного до коллекторного перехода идет диффузионным путем.

Этот процесс достаточно медленный, и инжектированные из эмиттера носители достигнут коллектора не ранее чем за время диффузии носителей через базу. Такое запаздывание приведет к сдвигу фаз между током I э и током I к. При низких частотах фазы токов I э , I к и I б совпадают. Полевые, или униполярные, транзисторы в качестве основного физического принципа используют эффект поля. В отличие от биполярных транзисторов, у которых оба типа носителей, как основные, так и неосновные, являются ответственными за транзисторный эффект, в полевых транзисторах для реализации транзисторного эффекта применяется только один тип носителей.

По этой причине полевые транзисторы называют униполярными. В зависимости от условий реализации эффекта поля полевые транзисторы делятся на два класса: полевые транзисторы с изолированным затвором и полевые транзисторы с управляющим p-n переходом. Схематически полевой транзистор с управляющим p-n переходом можно представить в виде пластины, к торцам которой подключены электроды, исток и сток.

На рис. В транзисторе с n-каналом основными носителями заряда в канале являются электроны, которые движутся вдоль канала от истока с низким потенциалом к стоку с более высоким потенциалом, образуя ток стока I c. Между затвором и истоком приложено напряжение, запирающее p-n переход, образованный n-областью канала и p-областью затвора.

При подаче запирающего напряжения на p-n-переход U зи на границах канала возникает равномерный слой, обедненный носителями заряда и обладающий высоким удельным сопротивлением.

Это приводит к уменьшению проводящей ширины канала. Изменяя величину этого напряжения, можно изменить сечение канала и, следовательно, изменять величину электрического сопротивления канала. Для полевого n-канального транзистора потенциал стока положителен по отношению к потенциалу истока. При заземленном затворе от стока к истоку протекает ток.

Поэтому для прекращения тока на затвор нужно подать обратное напряжение в несколько вольт. Значение напряжения U зи , при котором ток через канал становится практически равен нулю, называется напряжением отсечки U зап. Таким образом, полевой транзистор с затвором в виде p-n-перехода представляет собой сопротивление, величина которого регулируется внешним напряжением.

Здесь зависимости тока стока I с от напряжения при постоянном напряжении на затворе Uзи определяют выходные, или стоковые, характеристики полевого транзистора. Отрицательное напряжение U зи между затвором и истоком смещает момент перекрытия канала в сторону меньших значений напряжения U си и тока стока I с.

Участок насыщения является рабочей областью выходных характеристик полевого транзистора. Дальнейшее увеличение напряжения U си приводит к пробою р-n-перехода между затвором и каналом и выводит транзистор из строя.

Кроме того, они отличаются малыми шумами и технологичностью изготовления. Практическое применение имеют две основные схемы включения. Схема с общим истоком рис. Термин “МДП-транзистор” используется для обозначения полевых транзисторов, в которых управляющий электрод — затвор — отделен от активной области полевого транзистора диэлектрической прослойкой — изолятором.

Основным элементом для этих транзисторов является структура металл-диэлектрик-полупроводник М-Д-П. Исходный полупроводник, на котором изготовлен МДП-транзистор, называется подложкой вывод П. Область подложки под затвором З называется встроенным каналом n-канал. Физической основой работы полевого транзистора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник является эффект поля.

Эффект поля состоит в том, что под действием внешнего электрического поля изменяется концентрация свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника. В полевых приборах со структурой МДП внешнее поле обусловлено приложенным напряжением на металлический электрод-затвор. В зависимости от знака и величины приложенного напряжения могут быть два состояния области пространственного заряда ОПЗ в канале — обогащение, обеднение. Режиму обеднения соответствует отрицательное напряжение U зи , при котором концентрация электронов в канале уменьшается, что приводит к уменьшению тока стока.

Режиму обогащения соответствует положительное напряжение U зи и увеличение тока стока. Если отрицательное напряжение Uзи превысит пороговое U зи. Изменяя величину напряжения на затворе U зи в области выше порогового U зи.

Источник напряжения в стоковой цепи U си вызовет ток стока I с. Поэтому входное сопротивление таких транзисторов порядка 10 13 …10 15 Ом. Тиристор является полупроводниковым прибором с тремя и более электронно-дырочными p-n-переходами. Они, в основном, применяются в качестве электронных ключей.


Схемы включения биполярных транзисторов. Статические ВАХ

Биполярные транзисторы — электронные полупроводниковые приборы, отличающиеся от полевых способом переноса заряда. В полевых однополярных транзисторах, используемых в основном в цифровых устройствах, заряд переносится или дырками, или электронами. В биполярных же в процессе участвуют и электроны, и дырки. Биполярные транзисторы, как и другие типы транзисторов, в основном используются в качестве усилителей сигнала. Применяются в аналоговых устройствах. Электропроводность коллектора и эмиттера одинакова и противоположна электропроводности базы. В соответствии с видом проводимости областей, различают p-n-p или n-p-n приборы.

Биполярный транзистор – трёхэлектродный полупроводниковый прибор. В момент Таким образом, формируются биполярные транзисторы n-p-n или p-n-p типов. . Минусы применения схем включения с ОБ.

Основные схемы включения транзисторов

Транзисторами называют полупроводниковые приборы, которые располагают не менее чем тремя выводами и в определённых обстоятельствах могут усиливать мощность, преобразовывать сигнал, или генерировать колебания. Различных видов транзисторов много — это полевые униполярные и биполярные транзисторы, биполярные транзисторы с изолированным затвором и однопереходные двухбазовые транзисторы, фототранзисторы и другие. Усилительные каскады, выполненные на транзисторах, требуют небольшого напряжения питания величиной всего в несколько вольт, а КПД может достигать нескольких десятков процентов. Транзисторы по сравнению с электронными лампами обладают большей экономичностью, низким энергопотреблением, длительным временем наработки на отказ, малой массой и габаритами, высокой механической прочностью. Транзисторы классифицируют по материалу полупроводника, подразделяя на германиевые, кремниевые, из арсенида галлия и прочие. Биполярные транзисторы, у которых две из трёх областей имеют дырочный тип проводимости, называют транзисторами с прямой проводимостью, или структуры p-n-p. А биполярные транзисторы, у которых две из трёх областей имеют электронный тип проводимости, называют транзисторами с обратной проводимостью, или структуры n-p-n. Рассматриваемые приборы, которые не способны усиливать сигнал с частотой более 3 МГц, называют низкочастотными транзисторами. Приборы, которые могут усиливать сигнал с частотой более 3 МГц, но менее 30 МГц, называют среднечастотными транзисторами. А транзисторы, которые допускают усиление сигнала с частотой, превышающей 30 МГц, называют высокочастотными, а позволяющие работать на ещё большей частоте выше МГц называют сверхвысокочастотными.

Как работает PNP транзистор

Транзисторы подразделяются на биполярные и полевые. Каждый из этих типов имеет свой принцип работы и конструктивное исполнение, однако, общим для них является наличие полупроводниковых p-n структур. Определение “биполярный” указывает на то, что работа транзистора связана с процессами, в которых принимают участие носители заряда двух типов – электроны и дырки. Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов. В транзисторе используются оба типа носителей — основные и неосновные, поэтому его называют биполярным.

Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление по схемотехнике транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные схемы.

Биполярные транзисторы и схема их включения

На рис. Так как , тогда коэффициент усиления по току схемы , коэффициент усиления по напряжению. Эту схему называют эмиттерным повторителем и используют для согласования каскадов в схемах усилителей. Анализ трёх схем показывает, что наибольшее применение находит схема с общим эмиттером. На рисунках 7. Линия АВ представляет нагрузочную характеристику транзистора.

Биполярный транзистор

Первым делом давайте вспомним, какой проводимости бывают биполярные транзисторы. Кто читал предыдущие статьи, думаю помнят, что транзисторы бывают NPN проводимости:. Рассмотрим вот такой рисунок:. Здесь мы видим трубу, по которой течет вода снизу вверх под высоким давлением. В данный момент труба закрыта красной заслонкой и поэтому потока воды нет. Но вот мы снова отпускаем зеленый рычажок, и синяя пружина возвращает заслонку в исходное положение и преграждает путь воде. То есть мы чуток притянули заслонку к себе, и вода побежала через трубу бешеным потоком.

Биполярный транзистор – трёхэлектродный полупроводниковый прибор. В момент Таким образом, формируются биполярные транзисторы n-p-n или p-n-p типов. . Минусы применения схем включения с ОБ.

Транзисторы: схема, принцип работы,​ чем отличаются биполярные и полевые

Транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов. В транзисторе используются оба типа носителей — основные и неосновные, поэтому его называют биполярным. Биполярный транзистор состоит из монокристаллического полупроводника с разным типом проводимости: эмиттера, базы и коллектора. РИСУНОК Диаграммы, поясняющие работу биполярных транзисторов: а смещение на переходах отсутствует; б эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный в обратном.

Транзистор, как полупроводниковый прибор, имеющий три электрода эмиттер, базу, коллектор , можно включить тремя основными способами рис. Как известно, входной сигнал поступает на усилитель по двум проводам; выходной сигнал отводится также по двум проводам. Следовательно, для трех-электродного усилительного прибора при подаче входного и съеме выходного сигнала по двум проводам один из электродов будет непременно общим. Соответственно тому, какой из электродов в схеме включения транзистора будет являться общим, различают три основные схемы включения: с общим эмиттером ОЭ , общим коллектором ОК и общей базой ОБ. Практические варианты схем включения транзисторов структуры п-р-п и р-п-р приведены на рис.

Применяется в электронных устройствах для усиления или генерации электрических колебаний, а также в качестве коммутирующего элемента например, в схемах ТТЛ. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты [1].

Открытие полупроводников позволило создать не только диоды и тиристоры, но и тоже не менее популярные усилительные устройства — транзисторы. Они активно применяются в электронике и схемотехнике, а также современный прогресс позволил применять их и в силовой электронике. Более подробно мы рассмотрим биполярные транзисторы в этой статье. В отличии от тиристоров и диодов, транзистор имеет двух переходную структуру. Она может быть двух видов — p-n-p проводимость, в которой по средине расположен полупроводник с электронной проводимостью, а по бокам с дырочной.

Существует три основные схемы включения транзисторов. При этом один из электродов транзистора является общей точкой входа и выхода каскада. Надо помнить, что под входом выходом понимают точки, между которыми действует входное выходное переменное напряжение.


PNP транзистор. Устройство и принцип работы, схема подключения

Дата Автор ElectricianКомментироватьПросмотров: 8 687

Стоит отметить, что транзистор, в котором один полупроводник имеет n-тип и размещен между двумя полупроводниками p-типа, называют PNP-транзистор.

Данное устройство с управлением по току. Это означает, что ток базы контролирует ток эмиттера и коллектора. Транзистор PNP имеет два кристаллических диода, соединенных друг с другом. Левая сторона диода известна как диод на основе перехода эмиттер-база, а правая сторона диода известна как диод на основе коллекторного перехода.

Дырки являются основным носителем транзисторов PNP, которые составляют ток в нем. Ток внутри транзистора формируется изменением положения дырок, а на выводах — из-за потока электронов. Транзистор PNP включается, когда через базу протекает небольшой ток. Направление тока в PNP-транзисторе от эмиттера к коллектору.

Буква транзистора PNP указывает на напряжение, требуемое эмиттером, коллектором и базой. База транзистора PNP всегда была отрицательной по отношению к эмиттеру и коллектору. В PNP-транзисторе электроны перемещаются с базы. Ток, который входит в базу, усиливается на выводах коллектора.

Обозначение на схеме PNP транзистора

Обозначение PNP-транзистора на электрических схемах показано на рисунке ниже. Стрелка внутрь показывает, что направление тока в устройстве PNP типа от эмиттера к коллектору.

Устройство PNP транзистора

Конструкция PNP-транзистора показана на рисунке ниже. Эмиттер-база соединены в прямом смещении, а коллектор-база соединены в обратном смещении. Эмиттер, который подключен в прямом смещении, притягивает электроны к базе и, следовательно, создается ток, протекающий по пути от эмиттера к коллектору.

База транзистора всегда остается положительной по отношению к коллектору, так что дырки не могут «мигрировать» от коллектора к базе. И переход база-эмиттер поддерживает ток, благодаря чему дырки из области эмиттера входят в базу, а затем в область коллектора, пересекая область истощения.

Принцип работы PNP транзистора

Переход эмиттер-база соединен в прямом смещении, благодаря чему эмиттер выталкивает дырки в базу. Дырки и составляют ток эмиттера. Когда носители перемещаются в полупроводниковый материал или основу N-типа, они объединяются с электронами. База транзистора тонкая и слаболегированная. Следовательно, только несколько дырок в сочетании с электронами движутся в направлении слоя пространственного заряда коллектора. Отсюда получается ток базы.

Область основания коллектора соединена в обратном смещении. Дырки, которые накапливаются вокруг области истощения p-n перехода при воздействии отрицательной полярности, собираются или притягиваются коллектором. Таким образом создается ток коллектора. Полный ток эмиттера протекает через ток коллектора IC.

Posted in Схемотехника, Электротехника

PNP-транзистор Объяснение работы и применения

PNP-транзистор — это не что иное, как транзистор с биполярным переходом (BJT). Он состоит из полупроводника n-типа, помещенного между двумя полупроводниками p-типа. Этот транзистор является трехвыводным устройством. Клеммы, а именно, эмиттер (E), база (B) и коллектор (C). Транзистор PNP действует как два диода с PN-переходом, соединенные один за другим. Эти диоды образуют переходы, поскольку они соединены один за другим и называются переходом коллектор-база и база-эмиттер.

В транзисторах PNP основными носителями заряда (тока) являются дырки, а электроны являются неосновными носителями заряда. Чтобы понять эти носители, клеммы и многое другое, нам нужно изучить основы транзисторов. Таким образом, давайте узнаем больше обо всем этом в следующих разделах.

Биполярный переходной транзистор

Широко известный как BJT, представляет собой полупроводниковое устройство, управляемое током. Это полезно при переключении цепей в электронном виде. Он имеет три вывода, в которых ток, подаваемый на базовую область, управляет током, протекающим в эмиттере и коллекторе.

Транзистор с биполярным соединением

Таким образом, мы можем управлять работой транзистора, изменяя величину подаваемого тока на клемму базы. Отсюда и название токоуправляемого устройства. Биполярный переходной транзистор бывает двух типов, а именно, NPN и PNP. В NPN полупроводник P-типа зажат между двумя полупроводниками N-типа. Единственная разница в обозначениях двух транзисторов заключается в том, что в NPN ток направлен от базы к эмиттеру, а в PNP наоборот, то есть от эмиттера к базе.

Конструкция транзистора PNP и обозначение

В PNP две области P-типа находятся на крайних точках, а область N-типа находится между ними. Эмиттер и коллектор всегда находятся на двух крайностях. Следовательно, в случае PNP область эмиттера и коллектора соединяется с полупроводником P-типа, а база — с полупроводником N-типа.

Конструкцию можно понять, представив два диода, соединенных один за другим (см. рисунок выше). Место встречи двух диодов (катод) становится клеммой базы, а два крайних анода становятся эмиттером и коллектором NPN-транзистора.

Обозначение транзистора PNP такое же, как на рис. Здесь следует отметить направление тока в транзисторах NPN и PNP. Это очень помогает при решении числовых задач.

Работа PNP-транзистора

Схема подключения PNP-транзистора показана ниже. Здесь область эмиттера имеет положительное напряжение смещения по отношению к базе и коллектору. С другой стороны, база имеет отрицательное смещение напряжения по отношению к эмиттеру. Направление тока и полярность напряжения прямо противоположны таковым у NPN-транзистора.

Транзистор PNP работает

Теперь необходимым условием для работы транзистора является то, что базовое напряжение должно быть более отрицательным, чем напряжение эмиттера. Поэтому переход база-эмиттер здесь действует как диод. Если мы приложим небольшое количество тока к области базы, то через эмиттер в область коллектора будет протекать большой ток. Поскольку мы в основном используем кремний и германий, базовое напряжение составляет 0,7 В и 0,3 В соответственно.

  • Из рисунка легко определить, что базовая область является входом, а область эмиттер-коллектор — выходом транзистора.
  • На клемму базы подается напряжение, а сопротивление нагрузки (RL) поддерживается на выходе. Это необходимо для ограничения максимального тока устройства.
  • На клемму базы подается отрицательное напряжение. Кроме того, к клемме базы подключено сопротивление (RB), чтобы ограничить максимальный ток через клемму базы.
  • Если применить закон тока Кирхгофа (KCL) в цепи транзистора, то ток коллектора всегда равен вычитанию тока базы из тока эмиттера, т. е. IC = IE – IB.
  • Еще одним важным фактором здесь является текущий коэффициент усиления, 𝜷.

Основные формулы транзистора PNP

  • I C = I E – I B .
  • Выходной ток / Входной ток = Коэффициент усиления постоянного тока

          Следовательно, 𝜷 = (I C / I B )

  • Объединив две приведенные выше формулы, мы можем получить следующие соотношения:

         I C = (𝜷 * I B

          I B =  (I C / 𝜷 )

Для транзистора с общей базой коэффициент усиления по току равен отношению тока коллектора к току эмиттера.

Следовательно, 𝜶 = (I C / I E )

Соотношение между 𝜶 & 𝜷 похоже на:

Уравнение выходного тока

Мы можем написать ток коллектора транзистора PNP как

I С = – 𝜶 * I Е + I CBO

Где, I CBO = ток насыщения

Также, I E = -(I C + I B )

I C = (𝜶 ( -(– I C + I B )) + I CBO 

I C – 𝜶I C =  – 𝜶I B + I CBO  

Therefore, from the relation between 𝜶 & 𝜷, имеем

I C = 𝜷I B + (1+ 𝜷) I CBO

Численный пример на PNP (биполярном транзисторе)

Рассмотрим PNP-транзистор, который является частью некоторой электронной схемы. Данными параметрами являются базовое напряжение, напряжение эмиттера и напряжение питания. Например, возьмите значения 2,5 В, 3 В и +10 В соответственно. Кроме того, базовый резистор имеет значение 100 кОм, а сопротивление нагрузки = сопротивлению эмиттера = 2,5 кОм. Найдите значения коэффициента усиления по току (альфа и бета) для данного транзистора

Итак, прими это как задание. Используйте приведенные выше формулы и попробуйте рассчитать необходимые параметры и сделать комментарий ниже. Это распространенный вопрос, который задают на экзамене.

Транзистор Идентификация PNP

Теперь, после изучения принципа работы и других основ PNP-транзисторов, важно четко определить правильную конфигурацию всякий раз, когда предоставляется транзистор с биполярным переходом. Конечно, между структурой двух BJT есть некоторые различия, но помимо этого мы также должны отметить несколько важных моментов.

PNP или NPN?

PNP включается, когда на базовом напряжении появляется отрицательное напряжение. Когда на базе присутствует положительное напряжение, он отключается. Помимо этого у нас есть еще несколько тестов, в которых мы рассчитываем значения сопротивления. Каждая пара соединений (выводов) должна быть проверена на сопротивление в обоих направлениях. Давайте посмотрим на их работу ниже:

  • Клеммы эмиттер-коллектор: Эта область выглядит как диод, но она не проводит ни в одном направлении.
  • Эмиттер-База Клеммы: Эта область действует как диод и проводит ток только в одном направлении.
  • Клеммы коллектор-база
  • : такие же, как клемма эмиттер-база. Действует как диод, но проводит только в одном направлении.

Теперь давайте посмотрим на значение сопротивления для идентификации PNP.

  • Коллектор-эмиттер – высокое сопротивление
  • Основание коллектора      – Низкое сопротивление
  • Эмиттер-коллектор – высокое сопротивление
  • Основание излучателя         – Низкое сопротивление
  • Базовый коллектор      – Высокое сопротивление
  • База-эмиттер         – высокое сопротивление

Еще одна очень интересная и важная вещь, которую нужно здесь знать — какой транзистор лучше и почему?

Попробуем найти ответ в следующем разделе.

PNP по сравнению с NPN

Есть несколько общих черт. Оба являются биполярным переходным транзистором и устройством, управляемым током. Оба используются для усиления и коммутации цепей. Основные пункты приведены ниже:

  • PNP означает положительный отрицательный положительный. NPN расшифровывается как Negative Positive Negative.
  • Проводимость NPN высокая, а PNP низкая. Это связано с тем, что в NPN проводимость происходит с электронами, а в PNP она происходит через дырки, но, очевидно, скорость электрона больше и, следовательно, проводимость.
  • В NPN подаем положительный ток на базу, ток через коллектор идет к эмиттеру. Принимая во внимание, что, когда на базовую клемму PNP подается отрицательный ток, ток течет от эмиттера к коллектору.
  • Направление тока в NPN — от коллектора к эмиттеру, а в PNP — от эмиттера к коллектору.
  • Время переключения быстрее в NPN и медленнее в PNP.
  • NPN включается, когда электрон входит в базовую область. Принимая во внимание, что транзистор PNP включается, когда отверстия входят в базовую клемму.
  • В обоих транзисторах переход эмиттер-база смещен в прямом направлении, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении.
  • Высокий уровень сигнала заземления в случае PNP и низкий уровень в случае NPN.
  • Стрелка эмиттера указывает внутрь для PNP-транзистора, а в случае NPN-транзистора указывает на нее.

Применение

Хотя в большинстве электронных схем используются NPN-транзисторы (предпочтительно из-за их быстродействия), все же во многих схемах используется PNP-транзистор. Вот несколько приложений:

  • Дополнительные усилители, такие как выходные каскады класса AB/B.
  • Текущее зеркало
  • Полезен в драйверах, где нагрузка с одной стороны заземлена.
  • В регуляторах с меньшим падением напряжения.
  • В паре
  • Дарлингтона используется транзистор PNP.
  • Полезен в схемах с согласованной парой для непрерывной выработки электроэнергии.
  • Тяжелые электродвигатели для управления потоком тока.
  • Приложения для робототехники.

Некоторые другие приложения кратко обсуждаются в следующих двух разделах.

Согласование транзисторов BJT

Первый вопрос: что это за согласование транзисторов?

Во-вторых, зачем это нужно?

Транзисторное согласование PNP

Что ж, когда мы соединяем NPN и PNP в одну цепь, мы называем это согласованием транзисторов. Мы делаем это, чтобы генерировать больше энергии. NPN и PNP дополняют друг друга. Когда они соединены в усилителях, пара транзисторов генерирует постоянную высокую мощность.

Теперь можно спросить, как эта пара работает постоянно? Считать! Считать!

Ответ довольно прост: NPN проводит в положительном полупериоде, а PNP проводит в отрицательном полупериоде сигнала. Поэтому устройство работает непрерывно (так же, как и двухполупериодный выпрямитель). Одна вещь, о которой нужно позаботиться, это то, что оба транзистора должны иметь одинаковое значение коэффициента усиления по постоянному току. Эта пара образует полезную схему в робототехнике, усилителях мощности и управлении двигателем.

PNP в качестве коммутатора

На приведенном выше рисунке показано подключение для PNP, работающего в качестве коммутатора. Это электронный переключатель. Для понимания возьмем его как обычный выключатель, который мы выключаем и включаем вручную (например, чтобы зажечь светодиод). Здесь будет выполняться та же работа, но в электронном виде.

Транзистор в качестве переключателя

Поскольку PNP-транзистор включается при появлении отрицательного напряжения на базовой клемме транзистора и выключается при положительном напряжении питания, эта характеристика транзистора используется для его использования в качестве переключателя.

Режимы работы транзисторов играют важную роль в применении этих транзисторов. В зависимости от условий смещения существует три режима работы. Это:

  • Активный режим: В активном режиме транзистор обычно используется для усиления тока.
  • Режим отсечки: и база-эмиттер, и база-коллектор смещены в обратном направлении и, следовательно, не позволяют току течь от коллектора к эмиттеру. Ток через устройство в этом режиме равен нулю.
  • Режим насыщения: в режиме насыщения переходы коллектор-база и эмиттер-база смещены в прямом направлении. Поэтому ток течет от коллектора к эмиттеру при высоком напряжении база-эмиттер.

Нравится:

Нравится Загрузка…

Как соединить реле с транзисторами NPN и PNP – блог электроники Мохана

Транзистор используется для управления реле для подключения нагрузок переменного тока. Для эффективной работы важно правильно подключить реле в транзисторах NPN и PNP. Смотрите способ подключения.

Нравится:

Нравится Загрузка…

Опубликовано в Статьи, Схема, Компоненты, Дизайн, Электроника, Теория электроники, Как работают компоненты, Электропитание, Методы, Утилитыпомеченный назад ЭДС, npn, PNP, Релейное соединение. Диод свободного хода.

  • 2 741 503
Ищи:
Наборы для хобби на Facebook
  • Монитор заряда литиевой батареи
  • Беспроводной генератор электроэнергии
  • Сенсорный активированный переключатель
  • Датчик движения
  • Солнечный уличный фонарь
  • 10 Недостатков разрешения детям иметь мобильные телефоны в школах
Вход в электронную библиотеку Выбрать месяц Август 2021 Июль 2021 Июнь 2021 Май 2021 Январь 2021 Сентябрь 2020 Июнь 2020 Апрель 2020 Июль 2019Май 2019 Январь 2019 г. июль 2018 г. июнь 2018 г. Октябрь 2017 г. Сентябрь 2017 г. Март 2017 г. Октябрь 2016 август 2016 г., июль 2016 г., июнь 2016 г., май 2016 г., апрель 2016 г., февраль 2016 г. 2016 г., ноябрь 2015 г. Октябрь 2015 г. Сентябрь 2015 г. Август 2015 г., июнь 2015 г. Ноябрь 2014 г., июнь 2014 г., май 2014 г. Январь 2014 г. Декабрь 2013 г. Октябрь 2013 г. Сентябрь 2013 г. Февраль 2013 г. Январь 2013 г. Декабрь 2012 г., ноябрь 2012 г., октябрь 2012 г., сентябрь 2012 г., август 2012 г., июль 2012 г., май 2012 г., апрель 2012 г. Март 2012 г., февраль 2012 г., январь 2011 г., декабрь 2011 г., ноябрь 2011 г., 2011 г., август 2011 г. 2011 г. 2011 Июль 2011 г. Июнь 2011 г. Май 2011 г. Апрель 2011 г. Март 2011 г. Февраль 2011 г. Январь 2011 г. Декабрь 2010 г. Ноябрь 2010 г. Октябрь 2010 г. Сентябрь 2010 г.0002 Для этого слайд-шоу требуется JavaScript.

Введите адрес электронной почты, чтобы получать обновления

Адрес электронной почты:

Присоединяйтесь к 2196 другим подписчикам

Получить схему
Спроси что-нибудь. Мы ответим
Учись, пиши впечатление

Оставить комментарий