Однопереходные транзисторы
В статье описывается устройство, принцип работы и применение однопереходных транзисторов.
Однопереходный транзистор или, как его еще называют, двухбазовый диод, представляет собой трехэлектродный полупроводниковый прибор с одним р-n переходом. Структура его условно показана на рис. 1, а, условное графическое обозначение в схемах — на рис. 1, б.
Основой однопереходного транзистора является кристалл полупроводника (например, с проводимостью n-типа), называемый базой. На концах кристалла имеются омические контакты Б1 и БЗ, между которыми расположена область, имеющая выпрямляющий контакт с полупроводником р-типа, выполняющим роль эмиттера.
Принцип действия однопероходного транзистора удобно рассмотреть, пользуясь простейшей эквивалентной схемой (рис. 1, в), где RБ1 и RБ2 — сопротивления между соответствующими выводами базы и эмиттером, а Д1— эмиттерный р-п переход.
При уменьшении напряжения смещения Uсм вольт-амперпая характеристика смещается влево (кривая 2) и при отсутствии его обращается в характеристику открытого р-п перехода (кривая 3).
Основными параметрами однопереходных транзисторов, характеризующими их как элементы схем, являются:
межбазовое сопротивление RБ1Б2 — сопротивление между выводами баз при отключенном эмиттере;
коэффициент передачи
характеризующий напряжение переключения;
напряжение срабатывания Ucp— минимальное напряжение на эмиттерном переходе, необходимое для перевода прибора из состояния с большим сопротивлением в состояние с отрицательным сопротивлением;
ток включения Iвкл — минимальный ток, необходимый для включения однопереходного транзистора, то есть перевода его в область отрицательного сопротивления;
напряжение выключения Uвыкл— напряжение на эмиттерном переходе при токе через него, равном Iвыкл;
обратный ток эмиттера Iэо — ток утечки закрытого эмиттерного перехода.
Эквивалент однопереходного транзистора может быть построен из двух обычных транзисторов с разным типом проводимости, как показано на рис. 3.
Здесь ток, протекающий через делитель, состоящий из резисторов R1 и R2, создает на втором из них падение напряжения, закрывающее эмиттерныи переход транзистора Т1. При увеличении напряжения на эмиттере транзистор Т1 начинает пропускать ток в базу транзистора Т2, в результате чего он также открывается. Это приводит к снижению напряжения на базе транзистора Т1, что, в свою очередь, вызывает еще большее открывание его и т. д. Другими словами, процесс открывания транзисторов в таком устройстве также протекает лавинообразно и вольтамперная характеристика устройства имеет вид, аналогичный характеристике однопереходного транзистора.
Устройства на однопереходных транзисторах
Однопереходные транзисторы (двухбазовые диоды) широко применяются в различных устройствах автоматики, импульсной и измерительной техники — генераторах, пороговых устройствах, делителях частоты, реле времени и т.
Одним из основных типов устройств на однопереходных транзисторах является релаксационный генератор, схема которого показана на рис. 1.
При включении питания конденсатор С1 заряжается через резистор R1. Как только напряжение на конденсаторе становится равным напряжению включения однопереходного транзистора Т1, его эмиттерный переход открывается и конденсатор быстро разряжается. По мере разряда конденсатора эмиттерный ток уменьшается и при достижении величины, равной току выключения, транзистор закрывается, после чего процесс повторяется снова. В результате на базах Б1 и Б2 возникают короткие разнополярные импульсы, которые и являются выходными сигналами генератора.
Частоту колебаний f генератора можно рассчитать по приближенной формуле:
где R — сопротивление резистора R1, Ом;
С—емкость конденсатора С1, Ф;
η— коэффициент передачи однопереходного транзистора.
При заданной частоте колебаний емкость конденсатора следует выбрать возможно большей с тем, чтобы получить на нагрузке (R2 или R3) сигнал с нужной амплитудой.
Если вместо резистора R1 в зарядную цепь включить фотодиод, фоторезистор, терморезистор или другой элемент, изменяющий свое сопротивление под действием внешних факторов (света, температуры, давления и т. д.), то генератор превращается в аналоговый преобразователь соответствующего физического параметра в частоту следования импульсов.
Несколько изменив схему, как показано на рис. 2, этот же генератор можно превратить в устройство сравнения напряжений. В этом случае базовые цепи транзистора подключают к источнику эталонного напряжения, а зарядную цепь — к исследуемому источнику. Когда напряжение последнего превысит напряжение включения, устройство начнет генерировать импульсы положительной полярности.
В устройстве, схема которого показана на рис.
3, конденсатор заряжается через резистор R4 и сопротивление участка эмиттер — коллектор биполярного транзистора Т1. В остальном работа этого генератора не отличается от описанного ранее. Зарядный ток, а, следовательно, и частоту пилообразного напряжения, снимаемого в этом случае с эмиттера однопереходного транзистора Т2, регулируют изменением напряжения смещения на базе транзистора Т1 с помощью подстроечного резистора R2. Отклонение линейности формы колебаний, вырабатываемых таким устройством, не превышает 1%
Моментом включения однопереходного транзистора можно управлять, подавая импульс положительной полярности в цепь эмиттера или отрицательной полярности в цепь базы Б2. На этом принципе основана работа ждущего мультивибратора, схема которого приведена на рис. 4. Для получения нужного режима работы максимальное напряжение на конденсаторе С1, зависящее от соотношения сопротивлений резисторов делителя R1R2, устанавливают меньшим напряжения включения транзистора.
Однопереходные транзисторы применяют и в генераторах напряжения ступенчатой формы. На вход такого устройства (см. рис. 5) подают сигнал симметричной (синусоидальной, прямоугольной и т, д.) формы. При положительной полуволне сигнала конденсатор С1 заряжается через резистор R2 и сопротивление участка эмиттер-коллектор транзистора Т1 до некоторого напряжения, значительно меньшего напряжения включения однопереходного транзистора Т2. За время действия следующей положительной полуволны напряжение на конденсаторе ступенчато возрастает на такую же величину и так до тех пор, пока не станет равным напряжению включения транзистора Т2.
Напряжение ступенчатой формы снимается с его эмиттера. На использовании этого принципа основана работа делителей частоты. Один каскад на однопереходном транзисторе способен обеспечить коэффициент деления до 5. Объединив в единое целое несколько таких устройств, можно получить делитель с гораздо большим коэффициентом деления. Для примера на рис. 6 приведена схема делителя частоты на 100. Первый каскад устройства делит частоту поступающих на его вход импульсов положительной полярности на 4, два других – на 5.
Как видно из схемы, каскады делителя частоты отличаются друг от друга только сопротивлениями резисторов в цепях заряда конденсаторов С1—СЗ. Постоянная времени заряда конденсатора С1 определяется резисторами Rl, R2. R4 и R6; С2 — резисторами R3. R4 и R6; C3—R5 и R6. При включении питания конденсаторы С1—СЗ начинают заряжаться. Импульсы напряжения положительной полярности, поступающие на вход устройства, складываются с напряжением на конденсаторе С1 и как только их сумма достигает величины, равной напряжению включения, однопереходный транзистор открывается и конденсатор разряжается через его эмиттерный переход.
В результате скачком увеличивается падение напряжения на резисторах R4 и R6, а это приводит к уменьшению межбазовых напряжений транзисторов Т2 и ТЗ. Однако транзистор Т2 откроется только тогда, когда напряжение на конденсаторе С2 станет достаточным для его включения при пониженном межбазовом напряжении. Аналогично работает и третий каскад делителя.
Схема реле времени, отличающегося очень высокой экономичностью, приведена на рис. 7. В исходном состоянии тиристор ДЗ закрыт, поэтому устройство практически не потребляет энергии (токи утечки невелики и ими можно пренебречь). При подаче на управляющий электрод запускающего импульса положительной полярности тиристор открывается. В результате срабатывает реле Р1 и своими контактами (на схеме условно не показаны) включает исполнительное устройство. Одновременно через резисторы R1 и R2 начинают заряжаться конденсаторы С1 и С2. Поскольку сопротивление первого из этих резисторов во много раз больше второго, то первым зарядится конденсатор С2, а когда напряжение на конденсаторе С1 достигнет величины напряжения включения, однопереходный транзистор откроется и конденсатор С1 разрядится через его эмиттерный переход.
Возникший при этом на резисторе R2 импульс положительной полярности сложится с напряжением на конденсаторе С2, в результате чего тиристор ДЗ закроется и обесточит реле Р1 до прихода следующего запускающего импульса.
Устройство, схема которого приведена на рис, 8, предназначено для аналогового преобразования напряжения в частоту. Здесь транзистор Т2 использован в релаксационном генераторе, Т1 вместе с резисторами R1 и R2 включен в зарядную цепь конденсатора С1. При изменении напряжения на базе транзистора Т1 изменяется сопротивление его участка эмиттер—коллектор, а следовательно, в зависимости от величины входного напряжения однопереходный транзистор Т2 открывается с большей или меньшей частотой. По частоте следования импульсов, снимаемых с нагрузочного резистора R3 в цепи базы Б1 можно судить о напряжении на входе устройства.
Устройство и принцип работы однопереходного транзистора
Дата Автор ElectricianКомментироватьПросмотров: 21 857
Применение однопереходных транзисторов дало возможность значительно упростить многие схемотехнические решения при проектировании электрических схем различных электронных устройств автоматики, особенно в 80-90-е годы прошлого столетия. Наработанные в то время схемы, с применением однопереходных транзисторов, и в наше время привлекают своей простотой, относительно низкой стоимостью и универсальностью.
Однополярный транзистор (двухбазовый диод), в большинстве случаев, изготавливают на основе монокристаллической пластины кремния n-типа с высоким значением удельного сопротивления, на боковой стороне которой находится один эмиттерный p-n переход (см.рис.1,а). На концах пластины n-типа и p-n перехода расположены омические контакты Б1,Б2 и Э. Участки баз Б1и Б2 имеют различную длину, где обычно длина l1<l2. Омическое сопротивление участка между базами Б1и Б2 имеет значение в несколько килоом и линейную вольт-амперную характеристику.
Напряжение UБ1Б2 между базами, внутри транзистора (рис.1,а), распределяется пропорционально сопротивлениям RБ1 и RБ2 ( длины l1 и l2 ).
На рис.1,б изображена схема включения однопереходного транзистора, а на рис.2 его вольтамперная характеристика, дающие представление о принципе работы. Когда напряжение на эмиттере UЭ превысит напряжение UЭб1 (точка А на рис.2) то p-n переход откроется (диод Д, см.рис.1,в включится в прямом направлении) и по нему потечёт эмиттерный ток IЭ. В дальнейшем начинает происходить лавинообразный процесс уменьшения сопротивления участка базы длиной l1 , уменьшения напряжения UЭб1, ещё большее открывание p-n перехода и увеличение тока эмиттера. Этот процесс приводит к возникновению участка АВ с “отрицательным” сопротивлением (рис.2, кривая 1), когда ток растёт а напряжение падает.
На этом участке имеет место увеличение эмиттерного тока IЭ при уменьшении напряжения UЭ. Зависимость сопротивления эмитерного p-n перехода от увеличении тока IЭ уменьшается и при некотором значении IВЫКЛ теоретически становится равной нулю(область насыщения).
Если, в дальнейшем, повышать внешнее эмиттерное напряжение UЭ , то эмиттерный ток IЭ будет увеличиваться, участок ВС кривой 1 на рисунке 2. Уменьшение напряжения UБ1Б2 вызывает смещение вольт-амперной характеристики влево (кривая 2 на рис.2), а при UБ1Б2=0 вольт-амперная характеристика становится характеристикой открытого p-n перехода (кривая 3 на рис.2).
Такие особенности как: несложность конструкции, малое потребление тока в цепи управления, достаточно высокая стабильность напряжения срабатывания, возможность формирования относительно мощных импульсов и т.
д., и в наше время остаются довольно востребованы для реализации оптимальных схемотехнических решений.
Рассмотрим принцип работы схемы на рис.3 для формирования импульсов включения симметричного тиристора. При закрытом p-n переходе, напряжение UБ1Б2 через резистор R1 заряжает конденсатор С1. Когда напряжение на С1 , а значит и на эмиттере транзистора, достигает значения UЭ=Uвкл транзистор отпирается, падение напряжения на резисторе R3 увеличивается, конденсатор С1 начинает разряжаться через сопротивление эмиттерного перехода транзистора и резистор R3. Разряд конденсатора до определённого значения приводит к запиранию транзисторного p-n перехода и уменьшению напряжения на R3, после чего снова начнётся процесс заряда конденсатора и т.д.. Если не отключить напряжение UБ1Б2 , то процесс заряда-разряда (вкл./выкл.) скорее всего будет повторяться теоретически бесконечно.
При этом форма выходных импульсов Uвых будет близка к прямоугольной , что даёт возможность использовать их ,например в качестве входного сигнала для управления симметричным тиристором. Резистором R1 можно регулировать момент включения тиристора, используемого в качестве электронного ключа, управляющего в свою очередь подключением и отключением электрической нагрузки, например нагревательного элемента.
Основные электрические характеристики однопереходных (двухбазовых) транзисторов с n-базой малой мощности КТ117 :
Posted in Схемотехника, ЭлектротехникаUni Junction Transistor (UJT) — работа, типы и применение
Uni Junction Transistor (UJT) представляет собой устройство, которое состоит из одного перехода p-типа и n-типа полупроводникового материала. Это похоже на диод с одиночным переходом P-N. Он выглядит почти так же, как у полевого транзистора Junction Field Effect Transistor (JFET). Но операция совсем другая по сравнению с ним.
Как следует из названия, это однопереходный транзистор, но он широко используется в схемах синхронизации, запускающих цепях и т. д. Это устройство, состоящее из двух слоев и трех выводов, присутствующих в нем. Он имеет очень разные характеристики по сравнению с другими транзисторами. Три его вывода называются base1, base2 и эмиттер. Ток на конечном эмиттере имеет тенденцию увеличиваться по мере срабатывания входа. Они используются при переключении устройств, отличных от усиления.
Транзистор, изготовленный из материалов P-типа и N-типа таким образом, что из-за них образуется одиночный переход. Этот тип транзистора определяется как однопереходный транзистор. Эти транзисторы аналогичны JFET, но их работа полностью отличается. Следовательно, этот транзистор не подходит для усилителей. Это можно использовать при переключении устройств в положение ВКЛ/ВЫКЛ.
Принцип переключения этих транзисторов полностью отличается от полевых транзисторов (FET) и транзисторов с биполярным переходом (BJT).
Если канал в этом транзисторе сформирован из полупроводника N-типа с низкой концентрацией легирования, то в него вливается P-тип. Этот p-тип имеет высокую концентрацию легирования.
Основные функциональные возможности UJT зависят от значения приложенного напряжения. Если предполагается, что напряжение, приложенное между клеммами эмиттера и базы 1, равно нулю, этот UJT не проводит. Следовательно, материал N-типа имеет тенденцию действовать как резистор. Поскольку приложенное напряжение имеет тенденцию к увеличению на выводе эмиттера, значение сопротивления имеет тенденцию к увеличению, и устройство начинает проводить. Во всем процессе проводимость полностью зависит от большинства носителей заряда. Это основной принцип UJT.
Символ UJT и конструкция UJT Символ UJT разработан таким образом, что стрелка изогнута и показана в направлении канала. Это напоминает JFET. Если канал выполнен N-типа, то окончание, называемое излучателем, относится к P-типу, и наоборот.
Но другой тип используется редко. Соединение между терминалом эмиттера и базой расположено таким образом, чтобы обеспечить лучшую связь. Когда стрелка от эмиттера указывает на клеммы базы 1, а база 2 указывает на то, что клемма, от которой исходит стрелка, является эмиттером, положительна, тогда как база имеет отрицательную природу.
Символ UJT
Конструкция UJT проста, так как имеет одно соединение. Конструкция напоминает диод. Разница между UJT и диодом в том, что он состоит из трех выводов по сравнению с диодом. Большее значение сопротивления присутствует у бара n-типа. Максимальное значение сопротивления формируется между выводами базы 1 и эмиттера по сравнению с величиной сопротивления выводов база 2 и эмиттер. Причина этого в том, что эмиттер расположен ближе или ближе к базе 2, а не к базе 1. Вышеприведенные соединения составляют базовую принципиальную схему UJT.
Этот транзистор работает, переводя соединение клеммы в режим прямого смещения. Работа этого UJT уникальна, но он не усиливает сигналы, но достаточно способен обрабатывать и контролировать большее значение мощности, применяемой с точки зрения переменного тока.
Он также демонстрирует сопротивление с точки зрения отрицательной полярности. Это заставляет UJT использовать его в качестве схемы генератора.
Характеристики UJT следующие
- Для срабатывания требуется очень небольшое напряжение.
- Способен управлять импульсом тока.
- Состоит из отрицательного значения сопротивления.
- Стоимость этого транзистора очень низкая.
Кривая характеристик UJT
Поскольку ток в UJT имеет тенденцию к увеличению, может наблюдаться очевидное падение значения напряжения. Следовательно, этот транзистор показывает отрицательную характеристику сопротивления. Это прокладывает путь к тому, чтобы заставить UJT работать как осциллятор релаксации. Базовый функциональный блок этого генератора состоит из резистора и конденсатора с UJT в качестве активного блока для работы генератора.
Релаксационный генератор UJT
UJT — это транзистор с одним переходом.
Обладает сопротивлением с отрицательными характеристиками. Это заставляет UJT функционировать как осциллятор. Это генератор с основным резистором и конденсатором. Так как он хорош в переключении и для переключения устройств требуется минимальное значение наносекунд.
Схема релаксационного генератора состоит из резисторов и конденсатора. Резисторы действуют как ограничители тока. Первоначально при подаче напряжения UJT считается выключенным. Конденсатор имеет тенденцию заряжаться через присутствующий там резистор, который равен R. Эта зарядка конденсатора носит экспоненциальный характер.
Когда диод превышает минимальное значение, устройство начинает проводить, переводя эмиттерный переход в режим прямого смещения. Следовательно, транзистор считается включенным. Это заставляет значение сопротивления между эмиттером и базой 1 уменьшаться, и устройство входит в область насыщения, которая является полностью проводящей. Протекание тока оконечного эмиттера происходит через резистор R1.
UJT в качестве генератора релаксации
Заставляя конденсатор разряжаться, поскольку сопротивление резистора R1 имеет низкое сопротивление. Значение разряда конденсатора меньше, чем значение заряда конденсатора. Как только напряжение на конденсаторе имеет тенденцию уменьшаться больше, чем время удержания, устройство имеет тенденцию выключаться. В зависимости от напряжения, подаваемого в качестве входа, устройство может включаться или выключаться.
Разница между UJT и BJTОсновные различия между UJT и BJT заключаются в следующем.
Одноразрядный транзистор (UJT) | Биполярный переходной транзистор (BJT) |
1. В UJT присутствует только одно соединение. | 1. Он состоит из двух узлов. Это двухпереходный транзистор. |
2. Проводимость в этом транзисторе основана на протекании через него большинства носителей. | 2. Проводимость в этом транзисторе полностью основана на протекании через него как основных, так и неосновных носителей. |
3. Может использоваться в качестве устройства контроля напряжения. | 3. Его можно отнести к категории устройств контроля тока. |
4. UJT не может быть предпочтительным для амплификации. | 4. BJT можно использовать как усилители. |
5. UJT предпочтительнее для коммутационных приложений. | 5. В зависимости от области применения может быть предпочтительным для усиления, а также подходит для переключения устройств. |
Таким образом UJT и BJT классифицируются на основе основных операционных различий.
Поскольку приложенное напряжение определяет протекание тока и, таким образом, заставляет устройство включаться и выключаться, это делает устройство способным управлять напряжением.
Поскольку он зависит только от большей части потока носителей, его называют однопереходным устройством. Он обладает очень уникальными эксплуатационными характеристиками. Он не может поддерживать усиление, но может обеспечить хорошее переключение, потому что у него есть наносекунды времени между переключениями устройств.
Перейдите по этой ссылке, чтобы узнать больше о UJT Relaxation Oscillator.
Следовательно, UJT обладает характеристиками отрицательного значения сопротивления, заставляя устройство также использовать его в генераторе. Его можно использовать в различных схемах запуска, поскольку работа зависит от запуска излучателя. В целом UJT выглядит так, как JFET похож на диод из-за одного перехода в нем, но его принцип работы совершенно другой. Таким образом, UJT определяется своими собственными спецификациями. Так как это хороший ключ, но все же он обладает уникальными характеристиками по сравнению с другими транзисторами. Теперь вы можете описать практический пример UJT?
Однопереходный транзистор (UJT) – конструкция, принцип работы
В этой статье мы обсудим однопереходный транзистор (UJT) , его определение, конструкцию, символ схемы, работу и применение.
UJT расшифровывается как Unijunction Transistor . Однопереходный транзистор или UJT представляет собой полупроводниковый прибор с тремя выводами, который имеет только один PN-переход. Однопереходный транзистор широко используется в нескольких электронных схемах, таких как схемы автономных генераторов, схемы синхронизированных генераторов и генераторы импульсов низкой и средней частоты.
Однопереходный транзистор был случайно изобретен в ходе исследований германиевых тетродов в General Electric и запатентован в 1953 году. B 1 и B 2 ). Поскольку он имеет две базы и один PN-переход, его иногда также называют диодом с двойной базой .
Основа UJT изготовлена из слаболегированного полупроводника n-типа (обычно кремния), к его концам прикреплены два металлических контакта, обозначенных как B 1 и B 2 .
Эмиттер состоит из сильно легированного полупроводника р-типа. Эти два полупроводника дают в устройстве один PN-переход.
В практическом UJT эмиттер изготавливается ближе к базе B 2 , чем B 1 , что делает однопереходный транзистор несимметричным устройством. Между двумя основаниями B 1 и B 2 9 имеется сопротивление.0173 , с разомкнутым эмиттером. Это сопротивление известно как межбазовое сопротивление .
Принципиальная схема и условное обозначение однопереходного транзистора показаны на рисунке-1. На символе схемы вывод эмиттера показан стрелкой, которая показывает направление условного тока, когда переход эмиттер-база проводит электрический ток. UJT — это устройство с отрицательным сопротивлением, управляемое током.
Эквивалентная схема UJT- Сопротивление кремниевой пластины известно как сопротивление между базами. Его значение варьируется от 4 кОм до 10 кОм.
- Сопротивление RB1 — это сопротивление материала между эмиттером и областью B1. Значение RB1 является переменным и зависит от напряжения смещения на PN-переходе.
- Сопротивление RB2 — это сопротивление материала между эмиттером и областью B 2 .
- Эмиттерный p-n-переход представляет собой диод.
- Когда на UJT не подается напряжение, значение межбазового сопротивления определяется как
Напряжение на R B1 равно В
Значение внутреннего коэффициента зазора UJT (ƞ ) обычно находится между 0,51 и 0,82.
Напряжение пиковой точки (V P ) UJT
Работа UJT Когда на эмиттер подается положительное напряжение, как показано на рис. 2, PN-переход остается смещенным в обратном направлении пока входное напряжение не станет меньше внутреннего напряжения (Vi). Когда приложенное напряжение становится больше, чем Vi, PN-переход становится смещенным в прямом направлении.
Таким образом, дырки начали двигаться от плюсовой клеммы ( B 2 ) к минусовой клемме ( B 1 ).
Накопление дырок в эмиттере до области B 1 снижает сопротивление полупроводникового стержня n-типа. Следовательно, внутреннее падение напряжения от эмиттера до B1 уменьшается и, следовательно, ток эмиттера IE увеличивается. При накоплении большого количества дырок в конечном итоге будет достигнуто состояние насыщения. В этом состоянии ток эмиттера ограничен источником питания эмиттера, и теперь говорят, что однопереходный транзистор находится в состоянии ВКЛ.
Типы однопереходных транзисторовСуществует три основных типа однопереходных транзисторов, которые описаны ниже.
- Исходный UJT — Оригинальный однопереходный транзистор представляет собой просто брусок из полупроводника n-типа с рассеянным в нем полупроводником p-типа где-то по длине бруска.
- Комплементарный UJT – Комплементарный однопереходный транзистор представляет собой брусок из полупроводникового материала p-типа с диффундирующим в него полупроводником n-типа где-то по его длине.
- Программируемый UJT . Программируемый однопереходный транзистор представляет собой устройство с несколькими переходами и двумя внешними резисторами. Программируемый однопереходный транзистор не взаимозаменяем напрямую с обычным UJT, но может выполнять аналогичную функцию.
Кривая характеристик однопереходного транзистора показана на рисунке-3. Мы можем объяснить характеристики однопереходного транзистора следующими тремя параметрами:0003
- Область отсечки
- Область отрицательного сопротивления
- Область насыщения
Часть кривой характеристики, где однопереходный транзистор не получает достаточного напряжения для включения, называется область отсечки. В этой области однопереходный транзистор остается закрытым.
2. Область отрицательного сопротивления В области отрицательного сопротивления однопереходный транзистор (UJT) получает достаточное напряжение для включения.
В этой области, когда мы увеличиваем напряжение, подаваемое на вывод эмиттера, оно достигает своего пикового значения ( V P ) через определенное время. После этой точки падение напряжения на устройстве начинает уменьшаться, и это уменьшение прекращается в точке напряжения В В , эта точка называется точкой впадины. Хотя ток через устройство все равно увеличивается. Следовательно, сопротивление однопереходного транзистора в этой области оказывается отрицательным, поэтому его называют областью отрицательного сопротивления .
Область насыщения — это область на кривой характеристики однопереходного транзистора, в которой напряжение и ток увеличиваются при увеличении напряжения на эмиттере.
Преимущества UJT- Это недорогое устройство.
- Отличные характеристики
- Потребляет мало энергии при нормальных условиях эксплуатации
Однопереходный транзистор (UJT) используется в следующих приложениях-
- Используется как релаксационный генератор.
